JPS6140013A - フエライト電気回路素子 - Google Patents
フエライト電気回路素子Info
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- JPS6140013A JPS6140013A JP16501485A JP16501485A JPS6140013A JP S6140013 A JPS6140013 A JP S6140013A JP 16501485 A JP16501485 A JP 16501485A JP 16501485 A JP16501485 A JP 16501485A JP S6140013 A JPS6140013 A JP S6140013A
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- circuit board
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/023—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference using auxiliary mounted passive components or auxiliary substances
- H05K1/0233—Filters, inductors or a magnetic substance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/22—Attenuating devices
- H01P1/227—Strip line attenuators
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0007—Casings
- H05K9/002—Casings with localised screening
- H05K9/0039—Galvanic coupling of ground layer on printed circuit board [PCB] to conductive casing
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K2201/086—Magnetic materials for inductive purposes, e.g. printed inductor with ferrite core
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
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- H05K2201/10363—Jumpers, i.e. non-printed cross-over connections
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
- H05K2201/10636—Leadless chip, e.g. chip capacitor or resistor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Burglar Alarm Systems (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Medicines That Contain Protein Lipid Enzymes And Other Medicines (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Transplanting Machines (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の背景〉
この発明は、ビデオ表示装置の回路中で高周波１５信号
を抑制するために使用される構成素子に関するものであ
り、特にフェライト素子を使用して無線周波数信号を抑
制するための構成素子に関する。
を抑制するために使用される構成素子に関するものであ
り、特にフェライト素子を使用して無線周波数信号を抑
制するための構成素子に関する。
〈従来技術〉
例えばテレビジョン受像機、コンピュータ用モ２０ニタ
、ビデオ・テープレコーダ等で使用される同調およびビ
デオ信号処理回路は、好ましくない信号干渉を防止する
ために特に注意して設計する必要がある。無線周波数（
ｒｆ）信号エネルギが存在すると、例えば高周波電界効
果トランジスタを持った回路中の浮遊回路容量やリード
線インダクタンスと相互に作用して、回路動作を混乱さ
せる可能性のある高周波信号発振を生じさせる。この無
線周波数信号はまた露出した成分のリード線を介しであ
る回路から他の回路に結合して、同様に好ましくない回
路動作を生じさせる。
、ビデオ・テープレコーダ等で使用される同調およびビ
デオ信号処理回路は、好ましくない信号干渉を防止する
ために特に注意して設計する必要がある。無線周波数（
ｒｆ）信号エネルギが存在すると、例えば高周波電界効
果トランジスタを持った回路中の浮遊回路容量やリード
線インダクタンスと相互に作用して、回路動作を混乱さ
せる可能性のある高周波信号発振を生じさせる。この無
線周波数信号はまた露出した成分のリード線を介しであ
る回路から他の回路に結合して、同様に好ましくない回
路動作を生じさせる。
非制御ｒｆエネルギに関する問題を解決するために、重
要な素子あるいは導体リード線上に配置されたフェライ
ト・ビーズを使用している。通常リング状あるいは円筒
状のフェライト・ビーズはｒｆチョークとして作用し、
それに関連するリード線あるいは導体中を流れるｒｆあ
るいは高周波電流を減衰させる。フェライト・ビーズは
ｄａあるいは低周波数信号に対しては非常に小さいイン
ピーダンスであるが、信号の周波数が高くなるにつれて
インピーダンスが高くなる。異なるフェライト成品はフ
ェライト製造業者が提示している異なるインビ＝ダンス
−周波数特性を示す。
要な素子あるいは導体リード線上に配置されたフェライ
ト・ビーズを使用している。通常リング状あるいは円筒
状のフェライト・ビーズはｒｆチョークとして作用し、
それに関連するリード線あるいは導体中を流れるｒｆあ
るいは高周波電流を減衰させる。フェライト・ビーズは
ｄａあるいは低周波数信号に対しては非常に小さいイン
ピーダンスであるが、信号の周波数が高くなるにつれて
インピーダンスが高くなる。異なるフェライト成品はフ
ェライト製造業者が提示している異なるインビ＝ダンス
−周波数特性を示す。
特定の回路位置におけるフェライト・ビーズに要求され
る条件は、その回路が組立てられ、試験されるまで判ら
ないことがしばしばある。フェライト・ビーズに対する
要求が決定されると１しばしば素子のリード線あるいは
導体上に手でビーズを配置する必要があり、そのため回
路の製造時間が長くなり、あるいはコスト高になる。
る条件は、その回路が組立てられ、試験されるまで判ら
ないことがしばしばある。フェライト・ビーズに対する
要求が決定されると１しばしば素子のリード線あるいは
導体上に手でビーズを配置する必要があり、そのため回
路の製造時間が長くなり、あるいはコスト高になる。
回路に必要な寸法を小さくするために、回路設計者はリ
ードレス・チップ素子を使用することが多くなってきた
。このリードレス・チップは、挿入機械によってプリン
ト回路基板の導体の側部に配置して設けられる一般に小
型で薄く、平坦な素子である。このチップは基板上の決
まった位置にエポキシのような接着剤によって固定され
る。チップの端部にはその素子の電気的な端子が設けら
れている。チップの端子と回路基板との間の電気的接続
は、一般に波あるいは再流動半田付は装置に上ってＮｕ
されふ単用ブリッジを介１．て行なわれる。
ードレス・チップ素子を使用することが多くなってきた
。このリードレス・チップは、挿入機械によってプリン
ト回路基板の導体の側部に配置して設けられる一般に小
型で薄く、平坦な素子である。このチップは基板上の決
まった位置にエポキシのような接着剤によって固定され
る。チップの端部にはその素子の電気的な端子が設けら
れている。チップの端子と回路基板との間の電気的接続
は、一般に波あるいは再流動半田付は装置に上ってＮｕ
されふ単用ブリッジを介１．て行なわれる。
リードレス・チップ素子は特にテレビジョン受像機、コ
ンピュータ用モニタ、ビデオ、・カセット・レコーダ等
のビデオ装置用の同調装置の設計に当って有効である。
ンピュータ用モニタ、ビデオ、・カセット・レコーダ等
のビデオ装置用の同調装置の設計に当って有効である。
このリードレス・チップ素子を使用することにより、通
常の１７−ド線付き素子間の露出した１ノード線を経由
する好ましくないｒｆエネルギの伝送は良好に制御され
る。これによるとフェライト・ビーズを必要とする位置
に関して予め正確に予測することができ、回路の設計や
試験に要する時間を短縮することができる。しかしなが
ら、回路中にフェライト・ビーズを配置するには、なお
手で行なうか、あるいは通常の中心軸上にリード線のあ
る素子の挿入技術を用いて行なう必要があった。
常の１７−ド線付き素子間の露出した１ノード線を経由
する好ましくないｒｆエネルギの伝送は良好に制御され
る。これによるとフェライト・ビーズを必要とする位置
に関して予め正確に予測することができ、回路の設計や
試験に要する時間を短縮することができる。しかしなが
ら、回路中にフェライト・ビーズを配置するには、なお
手で行なうか、あるいは通常の中心軸上にリード線のあ
る素子の挿入技術を用いて行なう必要があった。
〈発明の概要〉
この発明による電気的プリント回路基板に適用されるリ
ードレス・チップ素子は第１および第２のリードレス接
触端子を有する電気的導体からなる。透磁性のフェライ
ト材料は、導体へ７気的に接続される第１および第２の
リードレス接触端子をもった導体を取り囲んでいる。
ードレス・チップ素子は第１および第２のリードレス接
触端子を有する電気的導体からなる。透磁性のフェライ
ト材料は、導体へ７気的に接続される第１および第２の
リードレス接触端子をもった導体を取り囲んでいる。
〈実施例の詳細な説明〉
以下、図を参照しつ＼この発明の詳細な説明す５る。
第１図には通常のフェライト・ビーズと同様なｒｆある
いは高周波信号抑制効果を有するが、表面組立あるいは
リードレス・チップ素子の形式の電気的素子１０が示さ
れている。第２図では、素子１０１ｏはプリント配線基
板１１上の所定位置に配置されている。素子１０は市販
されている周知の構成のり−ドレス・チップ挿入機械に
よって回路基板の導体あるいは金属薄板側に配置され、
通常のチップのエポキシ接着技術を使ってエポキシによ
って所定】５位置に固定される。回路基板との電気的接
触は通常の再流動（リフロー）あるいは波（ウェーブ）
半田付は技術によって行なわれる。この半田付は技術に
より薄板導体１つとの半田によるブリッジ接続１日が形
成される。
いは高周波信号抑制効果を有するが、表面組立あるいは
リードレス・チップ素子の形式の電気的素子１０が示さ
れている。第２図では、素子１０１ｏはプリント配線基
板１１上の所定位置に配置されている。素子１０は市販
されている周知の構成のり−ドレス・チップ挿入機械に
よって回路基板の導体あるいは金属薄板側に配置され、
通常のチップのエポキシ接着技術を使ってエポキシによ
って所定】５位置に固定される。回路基板との電気的接
触は通常の再流動（リフロー）あるいは波（ウェーブ）
半田付は技術によって行なわれる。この半田付は技術に
より薄板導体１つとの半田によるブリッジ接続１日が形
成される。
第３図および第４図に示すように、素子１ｏはフェライ
ト材料１２の第１の層を有している。導体材料１３の暦
はフェライト層１２上に蒸着されている。
ト材料１２の第１の層を有している。導体材料１３の暦
はフェライト層１２上に蒸着されている。
フェライト材料の第２の層１４は第１の層１２および導
体層１３上に圧接されていてもよい。かくして導５体１
３は、第２図に示すように半田ブリッジによる接続１日
を経て導体１３に電気的に接触されるリードレス接点を
形成する素子１０の両端の表面１５および１６を除いて
フェライト材料によって覆われている。
体層１３上に圧接されていてもよい。かくして導５体１
３は、第２図に示すように半田ブリッジによる接続１日
を経て導体１３に電気的に接触されるリードレス接点を
形成する素子１０の両端の表面１５および１６を除いて
フェライト材料によって覆われている。
導体１３を、この導体の周囲に鋳造され且つ硬化された
フェライト材料をもった導体板または導線として形成さ
れていてもよい。フェライト材料が導体材料の長さを実
質的に覆うように作られる他の手段も勿論使用すること
ができる。例えば数１００メガヘルツ以上の高周波では
、表及効果により導体表面の子分の数インチ以内に電流
が流れるので、フェライト材料と導体との間は密着接触
している必要がある。従って、フェライト材料は、これ
が電気的導体に密着接触している限り最も有効である。
フェライト材料をもった導体板または導線として形成さ
れていてもよい。フェライト材料が導体材料の長さを実
質的に覆うように作られる他の手段も勿論使用すること
ができる。例えば数１００メガヘルツ以上の高周波では
、表及効果により導体表面の子分の数インチ以内に電流
が流れるので、フェライト材料と導体との間は密着接触
している必要がある。従って、フェライト材料は、これ
が電気的導体に密着接触している限り最も有効である。
これを実現するための技術では、フェライト材料の平板
上に蒸着されこのフェライト材料の２板の平板間にサン
ドインチされた導体材料が設けられる。
上に蒸着されこのフェライト材料の２板の平板間にサン
ドインチされた導体材料が設けられる。
多数のフェライト・シールドされたチップ素子を形成す
るための方法は、フェライトの表面上にフェライト材料
の薄板を形成することからなる。
るための方法は、フェライトの表面上にフェライト材料
の薄板を形成することからなる。
次いでフェライト層上に導体・ζターンが蒸着される。
次いで第１のフェライト層および導体層上に第２のフェ
ライト層が形成され、該フェライトは硬化される。完成
した材料は機械加工され、あるいは個々のフェライト°
チップ素子に分割される。
ライト層が形成され、該フェライトは硬化される。完成
した材料は機械加工され、あるいは個々のフェライト°
チップ素子に分割される。
代表的な素子１ｏの所定の形式のフェライト材料によっ
て与えられる回路インピーダンスは、一部は導体１３を
流れる電流の周波数によって決定される。ｄＣあるいは
低周波信号の場合は、素子１０によって与えられるイン
ピーダンスは非常に小さいかあるいは無視できる程の大
きさである。電流が導体１３を流れると、導体は磁界を
発生する。信号の周波数が高くなると、フェライト材料
の透磁率は大きくなり、磁界のより大部分がこの７エラ
イト材料中を通過する。これにより素子ｌＯの近くの回
路インピーダンスを大きくし、実効的に好ましくない高
周波信号を抑制することができる。ニューヨーク州ウオ
ールキル（ｗａｌｌｋｌｌ ） Ｋあるフェアーライト
プロダクツ コーポレーション（Ｆａｉｒ−Ｒｌｔｅ
Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ｃｏｒｐ、） ｆの２つの異な
るフェライト材料（第５図に示す）を使用した場合の代
表的なインビーダンヌ対信号周波数応答曲線を第５図に
示す。第５図から明らかなように、フェライト材料の形
式によって所定の周波数における回路インピーダンスに
影響を与える。複数の異なるフェライト材料を使用して
フェライト・シールド素子を作ると、特定のインピーダ
ンヌ対周波数応答特性を得ることができる。第６図に示
すように、長手方向の導体信号路に沿って配置されたシ
ールド素子２０．２Ｊ ２２．２３は完成したフェライ
ト・シールド素子２４を構成している。各シールド素子
は、異なるインピーダンヌー周波数特性をもった異った
形式のフェライト材料からなっている。各シールド素子
は全体のインピーダンヌー周波数特性に寄与し、そのた
め実質的に任意所望のインピーダ−インピーダンスは、
フェライト材料の量、特にフェライト材料を通過する導
体路の長さによっても５決定される。通常のチューブラ
・フェライト・ビーズを使用した場合には、所望の信号
減衰度を得るために、しばしば２個あるいはそれ以上の
ビーズを直列に使用する必要がある。
て与えられる回路インピーダンスは、一部は導体１３を
流れる電流の周波数によって決定される。ｄＣあるいは
低周波信号の場合は、素子１０によって与えられるイン
ピーダンスは非常に小さいかあるいは無視できる程の大
きさである。電流が導体１３を流れると、導体は磁界を
発生する。信号の周波数が高くなると、フェライト材料
の透磁率は大きくなり、磁界のより大部分がこの７エラ
イト材料中を通過する。これにより素子ｌＯの近くの回
路インピーダンスを大きくし、実効的に好ましくない高
周波信号を抑制することができる。ニューヨーク州ウオ
ールキル（ｗａｌｌｋｌｌ ） Ｋあるフェアーライト
プロダクツ コーポレーション（Ｆａｉｒ−Ｒｌｔｅ
Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ｃｏｒｐ、） ｆの２つの異な
るフェライト材料（第５図に示す）を使用した場合の代
表的なインビーダンヌ対信号周波数応答曲線を第５図に
示す。第５図から明らかなように、フェライト材料の形
式によって所定の周波数における回路インピーダンスに
影響を与える。複数の異なるフェライト材料を使用して
フェライト・シールド素子を作ると、特定のインピーダ
ンヌ対周波数応答特性を得ることができる。第６図に示
すように、長手方向の導体信号路に沿って配置されたシ
ールド素子２０．２Ｊ ２２．２３は完成したフェライ
ト・シールド素子２４を構成している。各シールド素子
は、異なるインピーダンヌー周波数特性をもった異った
形式のフェライト材料からなっている。各シールド素子
は全体のインピーダンヌー周波数特性に寄与し、そのた
め実質的に任意所望のインピーダ−インピーダンスは、
フェライト材料の量、特にフェライト材料を通過する導
体路の長さによっても５決定される。通常のチューブラ
・フェライト・ビーズを使用した場合には、所望の信号
減衰度を得るために、しばしば２個あるいはそれ以上の
ビーズを直列に使用する必要がある。
さらに信号を減衰させるために、素子１０のよう１ｏな
フェライト・シールド素子を２個あるいはそれ以上使用
することは勿論可能である。しかしながら、この場合は
素子の寸法が小型になるという利点が失なわれる。第７
Ａ図および第７Ｂ図は、信号を減衰させるのに２個ある
いはそれ以上の素子を必１５要としたのを単一の素子で
実施することのできる手段を示す。フェライト・シール
ド素子２５は導体２７を覆うフェライト材料２６から成
る。導体２７は迂回した遠回りの電路を形成しており、
それによってフェライト材料２６を通る信号路の長さを
長くし２０て回路９インピーダンスを大きくシ、その結
果、信号減衰量を大きくすることができる。
フェライト・シールド素子を２個あるいはそれ以上使用
することは勿論可能である。しかしながら、この場合は
素子の寸法が小型になるという利点が失なわれる。第７
Ａ図および第７Ｂ図は、信号を減衰させるのに２個ある
いはそれ以上の素子を必１５要としたのを単一の素子で
実施することのできる手段を示す。フェライト・シール
ド素子２５は導体２７を覆うフェライト材料２６から成
る。導体２７は迂回した遠回りの電路を形成しており、
それによってフェライト材料２６を通る信号路の長さを
長くし２０て回路９インピーダンスを大きくシ、その結
果、信号減衰量を大きくすることができる。
第８図は、アールシーニー コーポレーション製のＣＴ
Ｃ−２１２型カラー・テレビジョン・シャシ中で使用さ
れているようなテレビジョン受像機のチューナ中のｒｆ
増幅器として例示されている２重ゲー） ＭＯ８ＦＥＴ
３０と協働する電気回路の一部の概略回路図である。キ
ャパシタ３１は、ＭＯＳ ＦＥＴ ３０ の動作を乱す
可能性のあるゲート３２からゲート３３への帰還を防止
するためのアースへの高周波路を形成している。しかし
ながらキャパシタ３１はゲート３２への導体リード線と
共に高周波発振器を形成する可能性もある。このような
発振を防止するために、ゲート３２への導体上にフェラ
イト・シールド素子３４が設けられている。第１図、第
６図、第７Ａ図に示すようなシールド素子を使用すると
、素子３４をゲート３２の端子に接近して配置すること
ができ、このことは特に同調回路では素子のリード線を
介してｒｆ結合されるのを防止するために重要である◇
フェライト・チップ素子３４を使用すると、回路基板上
のスペースを有効に使用することができる。素子３４は
自動挿入装置によって配置され、これは手動による設置
に比してより速く、より能率的に素子を設置することが
できる。軸状素子の挿入用機器は、高周波信号を有効に
抑制するため５にＭＯＳＦＥＴ ３０に充分に接近して
素子を配置することは不可能であるので、以前は手で設
置していた。
Ｃ−２１２型カラー・テレビジョン・シャシ中で使用さ
れているようなテレビジョン受像機のチューナ中のｒｆ
増幅器として例示されている２重ゲー） ＭＯ８ＦＥＴ
３０と協働する電気回路の一部の概略回路図である。キ
ャパシタ３１は、ＭＯＳ ＦＥＴ ３０ の動作を乱す
可能性のあるゲート３２からゲート３３への帰還を防止
するためのアースへの高周波路を形成している。しかし
ながらキャパシタ３１はゲート３２への導体リード線と
共に高周波発振器を形成する可能性もある。このような
発振を防止するために、ゲート３２への導体上にフェラ
イト・シールド素子３４が設けられている。第１図、第
６図、第７Ａ図に示すようなシールド素子を使用すると
、素子３４をゲート３２の端子に接近して配置すること
ができ、このことは特に同調回路では素子のリード線を
介してｒｆ結合されるのを防止するために重要である◇
フェライト・チップ素子３４を使用すると、回路基板上
のスペースを有効に使用することができる。素子３４は
自動挿入装置によって配置され、これは手動による設置
に比してより速く、より能率的に素子を設置することが
できる。軸状素子の挿入用機器は、高周波信号を有効に
抑制するため５にＭＯＳＦＥＴ ３０に充分に接近して
素子を配置することは不可能であるので、以前は手で設
置していた。
第９図は回路基板３６上の所定位置に表面取付素子とし
て配置されたＭＯＳＦＥＴ ３０ 、キャパシタ３１、
およびフェライト・シールド素子３４を例示する。第１
８８図および第９図中の対応する素子は同じ参照番号で
示されている。
て配置されたＭＯＳＦＥＴ ３０ 、キャパシタ３１、
およびフェライト・シールド素子３４を例示する。第１
８８図および第９図中の対応する素子は同じ参照番号で
示されている。
ある種の状況のもとでは、高周波発振を抑制するために
、バイポーラ・トランジスタのリード線上にフェライト
・ビーズを配置することが望まし１５い場合がある。し
かしながら、リードレス・トランジスタ・チップを使用
すると上記の点は不可能になる０軸状溝体リード線を有
するフェライト・ビーズを使用すると、回路基板のスペ
ースを有効に使用するために、上記フェライト・ビーズ
をトきない。第１図、第６図、あるいは第７Ａ図に示す
フェライト・シールド素子を使用すると、トランジスタ
とフェライト・シールド素子とを接近させることができ
るという所望の効果が得られ、同時に同じような素子の
挿入装置および技術を有効に利用することができる。
、バイポーラ・トランジスタのリード線上にフェライト
・ビーズを配置することが望まし１５い場合がある。し
かしながら、リードレス・トランジスタ・チップを使用
すると上記の点は不可能になる０軸状溝体リード線を有
するフェライト・ビーズを使用すると、回路基板のスペ
ースを有効に使用するために、上記フェライト・ビーズ
をトきない。第１図、第６図、あるいは第７Ａ図に示す
フェライト・シールド素子を使用すると、トランジスタ
とフェライト・シールド素子とを接近させることができ
るという所望の効果が得られ、同時に同じような素子の
挿入装置および技術を有効に利用することができる。
第１図はこの発明による電気的素子の等角斜視図、第２
図は第１図の電気的素子の組立ての配置を示す等角斜視
図、第３図は第１図の電気的素子の３−３線方向の横断
面図、第４図は第１図の電気的素子の４−４線方向の縦
断面図、第５図は第１図に示す素子と同様な素子の電気
的特性を示すグラフ、第６図はこの発明の他の特徴を説
明する電気的素子の等角斜視図、第７Ａ図はこの発明の
さらに他の特徴を説明する電気的素子の等角斜視図、第
７Ｂ図は第７Ａ図の電気的素子の７−７線に沿う横断面
図、第８図は第１図、第６図、あるいは第７Ａ図に示す
電気的素子と同様な素子と協働する回路ｗ＃ｒｖル云す
Ｍ−焙Ｑ笥ｔ→竺０開ハ開敗九掬−＋ア成分と協働する
回路基板の平面図である。 １０・・・フェライト・チップ素子、１１・・・プリン
ト回路基板、１２．１４・・・フェライト材料、１３・
・・導体手段、１５．１６・・・リードレス接続端子。
図は第１図の電気的素子の組立ての配置を示す等角斜視
図、第３図は第１図の電気的素子の３−３線方向の横断
面図、第４図は第１図の電気的素子の４−４線方向の縦
断面図、第５図は第１図に示す素子と同様な素子の電気
的特性を示すグラフ、第６図はこの発明の他の特徴を説
明する電気的素子の等角斜視図、第７Ａ図はこの発明の
さらに他の特徴を説明する電気的素子の等角斜視図、第
７Ｂ図は第７Ａ図の電気的素子の７−７線に沿う横断面
図、第８図は第１図、第６図、あるいは第７Ａ図に示す
電気的素子と同様な素子と協働する回路ｗ＃ｒｖル云す
Ｍ−焙Ｑ笥ｔ→竺０開ハ開敗九掬−＋ア成分と協働する
回路基板の平面図である。 １０・・・フェライト・チップ素子、１１・・・プリン
ト回路基板、１２．１４・・・フェライト材料、１３・
・・導体手段、１５．１６・・・リードレス接続端子。
Claims (8)
- （１）第１および第２のリードレス接続端子を有する電
気的導体手段と、該電気的導体手段を実質的に覆う透磁
性フェライト材料とからなり、上記導体手段の第１およ
び第２のリードレス接続端子は導体に接近して電気的に
接続し得るものである、電気的プリント回路基板上に適
用されるフェライト電気回路素子。 - （２）電気的プリント回路基板は導電性の薄板パターン
からなり、上記第１および第２のリードレス接触端子と
上記導電性の薄板パターンの各領域との間に導電性の半
田ブリッジが形成される特許請求の範囲第１項記載のフ
ェライト電気回路素子。 - （３）電気的導体手段と、該電気的導体手段を実質的に
覆い且つ一般に長方形の平行六面体に形成されたフェラ
イト・シールド手段とからなり、上記電気的導体手段は
、その電気的導体手段に対する電気的接点を形成するよ
うに上記長方形の平行六面体の両端にリードレス接続手
段として接近し得るものである、高周波信号を抑制する
ためのフェライト電気回路素子。 - （４）上記電気的導体手段は上記フェライト・シールド
手段を貫通する実質的に直接路となっている特許請求の
範囲第３項記載のフェライト電気回路素子。 - （５）上記電気的導体手段は上記フェライト・シールド
手段中を貫通する迂回して遠回りした通路を形成してい
る特許請求の範囲第３項記載のフェライト電気回路素子
。 - （６）上記フェライト・シールド手段は個々の区分を形
成する複数の異なるフェライト材料からなり、上記各区
分は異なる電気的な周波数−インピーダンス特性を呈す
るものである、特許請求の範囲第３項記載のフェライト
電気回路素子。 - （７）プリント回路基板と、該プリント回路基板上に配
置された複数の表面組立チップ素子と、上記回路基板上
に配置された複数の電気的端子を有するトランジスタと
、該トランジスタに隣接して配置され、該トランジスタ
の端子の１つに電気的に結合された高周波信号抑制表面
配置素子とからなり、 上記素子は電気的導体と、該電気的導体を覆うフェライ
ト・シールド手段とからなり、上記高周波信号抑制表面
配置素子に電気的に接続されるリードレス接続部を形成
する、 電気回路。 - （８）上記トランジスタは表面配置素子からなる、特許
請求の範囲第７項記載の電気回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US63433084A | 1984-07-25 | 1984-07-25 | |
| US634330 | 2003-08-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6140013A true JPS6140013A (ja) | 1986-02-26 |
Family
ID=24543349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16501485A Pending JPS6140013A (ja) | 1984-07-25 | 1985-07-24 | フエライト電気回路素子 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPS6140013A (ja) |
| KR (1) | KR860001670A (ja) |
| AT (1) | ATE56346T1 (ja) |
| DE (1) | DE3579521D1 (ja) |
| ES (1) | ES8704055A1 (ja) |
| FI (1) | FI89230C (ja) |
| HK (1) | HK137395A (ja) |
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Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
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1985
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-
1995
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Patent Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPS57155706A (en) * | 1981-03-23 | 1982-09-25 | Alps Electric Co Ltd | Chip parts |
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| HK137395A (en) | 1995-09-08 |
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