JPS6139954B2 - - Google Patents

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JPS6139954B2
JPS6139954B2 JP6257376A JP6257376A JPS6139954B2 JP S6139954 B2 JPS6139954 B2 JP S6139954B2 JP 6257376 A JP6257376 A JP 6257376A JP 6257376 A JP6257376 A JP 6257376A JP S6139954 B2 JPS6139954 B2 JP S6139954B2
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JP
Japan
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group
acid
ester
reaction
oxide
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Application number
JP6257376A
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English (en)
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JPS52148091A (en
Inventor
Hisayasu Ishimaru
Minoru Hatanaka
Mariko Hatamura
Takeshi Nitsuta
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SANGYO KAGAKU KENKYU KYOKAI
Original Assignee
SANGYO KAGAKU KENKYU KYOKAI
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Publication date
Application filed by SANGYO KAGAKU KENKYU KYOKAI filed Critical SANGYO KAGAKU KENKYU KYOKAI
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Priority to SE7704254A priority patent/SE422002B/xx
Publication of JPS52148091A publication Critical patent/JPS52148091A/ja
Publication of JPS6139954B2 publication Critical patent/JPS6139954B2/ja
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    • AHUMAN NECESSITIES
    • A63SPORTS; GAMES; AMUSEMENTS
    • A63BAPPARATUS FOR PHYSICAL TRAINING, GYMNASTICS, SWIMMING, CLIMBING, OR FENCING; BALL GAMES; TRAINING EQUIPMENT
    • A63B2209/00Characteristics of used materials
    • A63B2209/02Characteristics of used materials with reinforcing fibres, e.g. carbon, polyamide fibres

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  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physical Education & Sports Medicine (AREA)
  • Cephalosporin Compounds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
この発明は、新規なセフエム−カルボン酸エス
テル類およびその脱エステル化法に関する。 この発明によれば、一般式(): 〔式中Wは水酸基および/またはハロゲン原子で
置換されたフエニル基、またはチエニル基もしく
は、テトラゾール基のような複素環基;Qは水素
原子、保護アミノ基、4−オキソチアピラン−3
−イルカルボキサミド基または2・3−ジオキソ
−4−低級アルキル−ピペラジニ−1−イル−カ
ルボキサミド基;Yはアセトキシ基または低級ア
ルキル基で置換されていてもよいチアジアゾール
チオ基、トリアゾールチオ基もしくはテトラゾー
ルチオ基のような複素環チオ基;R1はアルキル
基もしくはアリール基;R2はアルキル基もしく
はアルコキシ基をそれぞれ意味する〕 で示される化合物が提供される。 この発明の発明者らは発酵法により得られたセ
フアロスポリンCそのものまたはそれに求核性試
剤を反応させることにより得られる3位置換体を
原料として、7位に所望のアシル基を導入する工
業的な製法を検討した結果、ある特定のエステル
基をもつた化合物が中間体として特に適切である
ことを見い出しこの発明に至つたものである。 この発明の化合物の主要な特徴の一つは、セフ
エム環の4位のカルボキシ基が特定の化合物でエ
ステル化されていることである。このエステル基
は、所望の反応を非水溶媒系で行なうのを可能に
し、所望の反応が終了した後、セフエム環や側鎖
の基に実質的に影響を与えることなく緩和な条件
下で極めて容易に除去し得る基である。従つて、
このエステル基は有用なセフアロスポリン系抗生
物質を高収率で高純度で得るのに好結果をもたら
すものである。 この発明の化合物()は例えば次のごとくし
て作ることができる。 セフアロスポリンCの7位の側鎖のアミノ基を
アシル化剤(例えばホスゲンとエチレングリコー
ル、モノ低級アルキルエーテル、ジエチレングリ
コールモノ低級アルキルエーテル、低級アルコー
ル、ベンジルアルコールなどのアルコール類;低
級アルキルチオ脂肪酸の反応性誘導体;アリール
カルボニルクロリド)を用いてアシル化し、次い
で必要があれば3位のアセトキシ基を複素環チオ
ール(たとえば低級アルキル基で置換されていて
もよい1・3・4−チアジアゾール−2−チオー
ル、1・2・3−トリアゾール−4−チオールも
しくはテトラゾールチオール)と反応させて複素
環チオ基に変える。 次いで酸結合剤の存在下、
【式】(式中Xはハロゲン原子、R1 とR2は式()における定義と同一意味)を用
いてエステル化反応を行なう。この反応は通常N
−アシルセフアロスポリンCまたはその3位置換
体の塩と前記ハロゲン化合物を例えばジメチルホ
ルマミド、ジメチルスルホキシド、アセトンなど
の有機溶媒中で反応させる。そうすることにより
N−アシルセフアロスポリンCまたはその3位置
換体のモノもしくはジエステルを得る。 更に場合によつてはこの生成物を酸化剤でS−
オキシドとすることによつて単離、精製等に好結
果をもたらし、このS−オキシド体を次のアシル
化反応に用いることもできる。この化合物を式示
すれば次の通りである。 式中−COR3はアシル基、R′は水素原子または
【式】R1、R2およびYは一般式 ()における定義と同一意味である。 上記のモノもしくはジエステルをイミノハライ
ド法に付し、得られるイミノエーテルまたはその
加水分解物に式
【式】(式中WとQ は一般式()における定義と同一意味)で示さ
れるカルボン酸の反応性誘導体を反応させる。こ
の際モノエステルが使用されるときはカルボキシ
ル基を例えばシリル化剤で保護した後にイミノハ
ライド法に付される。そうすることにより高収率
で一般式()の化合物に導くことができる。 ここで7位の側鎖のN−アシル基の具体例とし
てはメトキシエトキシカルボニル、エトキシエト
キシカルボニル、プロポキシエトキシカルボニ
ル、ブトキシエトキシカルボニル、エトキシエト
キシエトキシカルボニル、エトキシカルボニル、
ブトキシカルボニル、ベンジロキシカルボニル、
メチルチオアセチル、α−メチルチオプロピオニ
ル、エチルチオアセチル、ベンゾイル、置換ベン
ゾイルなどが挙げられる。 この発明のエステル部分を構成するのに用いら
れる式
【式】の好ましい化合物として はα−ブロムアセト酢酸またはα−ブロム−α−
ベンゾイル酢酸のメチル、エチルもしくはイソブ
チルエステルおよびそれらの対応するクロル化合
物のようなα−ハロゲノケト酸エステル;3−ブ
ロム−2・4−ペンタンジオン、1−フエニル−
2−ブロム−1・3−ブタンジオンおよびそれら
の対応するクロル化合物のようなハロゲノジケト
ンが挙げられる。これらの中で好ましい例は3−
クロル−2・4−ペンタンジオン、α−クロルア
セト酢酸メチルおよびα−クロルアセト酢酸エチ
ルである。 次にこの発明の化合物()を得るために行な
う上記のアシル基交換反応について説明する。 N−アシルセフアロスポリンCまたはその3位
置換体のエステル類は、ジエステルの場合には直
接、モノエステルの場合にはシリル化剤または3
価の燐ハロゲン化物の存在下でカルボキシ基を保
護した後、これにジメチルアニリン、ピリジン、
キノリンもしくはこれらの同族体のような塩基を
加え五塩化燐を反応させてイミノハライドとす
る。 この時用いられる有機溶媒としては塩化メチレ
ン、クロロホルム、塩化エチレン、テトラヒドロ
フラン、四塩化炭素などが挙げられる。 これにメタノール、エタノール、イソプロピル
アルコール、イソブタノール、ブタノール、ペン
タノールなどの低級アルコールを反応させてイミ
ノエーテル体とする。 このイミノエーテル体はそのまま、または加水
分解した後に式
【式】(式中の各記 号は前記と同一意味)のカルボン酸の反応性誘導
体と反応させる。 ここでQの定義において保護アミノ基とはアミ
ノ基に誘導しうるアミノ基の前駆体であればよい
がこの発明の化合物からエステル部分を除去する
工程で影響をうけないものが好ましい。 またこのカルボン酸の具体例としてはチエニル
酢酸、テトラゾリル酢酸、α−アジド−p−ヒド
ロキシフエニル酢酸、α−クロルアセトキシ−フ
エニル酢酸、α−ホルミルオキシ−フエニル酢
酸、α−(2・3−ジオキソ−4−エチル−ピペ
ラジニ−1−イルカルボキサミド)−p−ヒドロ
キシフエニル酢酸、α−(4−オキソチアピラン
−3−イルカルボキサミド)−p−ヒドロキシフ
エニル酢酸、α−(2・3−ジオキソ−4−エチ
ル−ピペラジニ−1−イルカルボキサミド)−p
−ヒドロキシ−m−クロルフエニル酢酸、α−
(4−オキソチアピラン−3−イルカルボキサミ
ド)−p−ヒドロキシ−m−クロルフエニル酢酸
などが挙げられる。 またカルボン酸の反応性誘導体としては酸ハラ
イド、混合酸無水物などが通常用いられる。 このアシル化反応は上記したように有機溶媒中
でたとえば0〜−40℃の低温で行なうのがよい。 また原料としてS−オキシド体を用いた場合に
はイミノハライドとするために用いられる五塩化
燐は通常2〜2.5倍モル用いられる。 またS−オキシド体を得るための酸化剤として
は過酢酸、m−クロル過安息香酸などの過酸ある
いは過酸化水素と触媒としてモリブデン、タング
ステンまたはバナジウムの酸素化合物を用いるこ
とによつて選択的に1−オキシドを得ることがで
きる。 この発明の好ましい化合物としては次のものが
挙げられる。 上記に例示したごとき化合物を含めて、この発
明の化合物のうち側鎖のα位に不整炭素原子を有
する場合にはそれに基づいて存在する光学的異性
体は全てこの発明に含まれる。 次にこの発明の化合物()を脱エステル化す
る工程を説明する。 脱エステル化は亜硝酸又はその塩、亜硝酸エス
テル、ニトロシルハライド、酸化窒素などのニト
ロソ化剤を用いることにより効果的に行なうこと
ができる。 亜硝酸塩としては、亜硝酸のリチウム塩、カリ
ウム塩、ナトリウム塩、カルシウム塩、マグネシ
ウム塩、亜鉛塩などがあげられる。これらの中で
工業的に使用するのが好ましいのは、亜硝酸ナト
リウムである。 また亜硝酸エステルとしては、亜硝酸のメチル
エステル、エチルエステル、プロピルエステル、
ブチルエステルまたはペンチルエステルのような
アルキルエステル;ベンジルエステルのようなア
ラルキルエステル;シクロヘキシルエステル、シ
クロペンチルエステルのようなシクロアルキルエ
ステルなどがあげられる。これらの中で使用する
のが好ましい例として、亜硝酸プロピルエステ
ル、亜硝酸ブチルエステル、亜硝酸ペンチルエス
テルをあげることができる。またニトロシルハラ
イドや酸化窒素を化合物()の溶液に導入して
反応させてもよい。 亜硝酸エステルを用いて反応を行う際は、少量
の有機または無機の酸および必要があれば有機酸
塩を添加するのが望ましい。 有機酸塩としては、ギ酸、酢酸、プロピオン
酸、酪酸、ジエチル酢酸、2−エチルヘキソン酸
などの有機酸のナトリウム塩やカリウム塩、トリ
アルキルアミン塩をあげることができる。この中
で特に酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸のト
リエチルアミン塩の使用が望ましい。有機酸とし
ては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、ジエチ
ル酢酸、クエン酸、コハク酸、蓚酸、または無機
酸としては、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸があがら
れる。有機酸塩を用いることは必須の条件ではな
いが、原料セフエム−カルボン酸エステルを高濃
度で用いた場合、生成したセフエム−カルボン酸
を塩として可溶化させるためである。 この脱エステル化反応は、一般式()の化合
物を不活性溶媒(例えば含水アセトン、含水テト
ラヒドロフラン、含水メチルエチルケトン等)に
懸濁または溶解させ、例えば過剰の亜硝酸塩を固
体のままもしくは水溶液として加え、または過剰
の亜硫酸エステルを酸と共に加えることによつて
行うことができる。必要があれば有機酸塩を加え
てもよい。 この反応は通常発熱を伴つて行われる。低沸点
の溶媒を用いた際は、外部から冷却する必要もあ
る。反応の進行状況は、薄層クロマトグラフイー
で追跡することができる。使用原料のエステル基
の種類によつては、反応速度が遅くて完結し難い
場合は、酸を加えて加熱してもよい。 亜硝酸塩や亜硝酸エステルなどの使用量は、一
般式()の化合物に対し、1.2〜5倍モル程度
好ましくは1.5〜3倍モル程度である。 この脱エステル化反応は、ニトロソ化剤例えば
亜硝酸塩または亜硝酸エステルを等モル以上使用
することと、脱エステルの反応収率が極めて良好
なこと等から反応機構は種々推測されるが、現在
のところ詳細は不明である。 本発明によつて生成する7−アシルアミド−3
−置換メチル−セフエム−4−カルボン酸は、そ
の4位のカルボキシル基の酸性が可成り強く、亜
硝酸アルカリ塩と酢酸の系ではアルカリ塩を形成
しているようである。 従つて含水有機溶媒を使用した場合はPHを7.5
付近に調整後、減圧で有機溶媒を留去し、水に難
溶な溶媒で洗つて未反応の原料エステルが副生物
を除き、次いで強酸例えばギ酸、クエン酸、酒石
酸、有機スルホン酸、ハロゲノ脂肪酸、ハロゲン
化水素酸、硝酸、硫酸、リン酸などでPH2.0付近
に調整することにより目的物を得ることができ
る。 次に7位における側鎖のα位が保護アミノ基で
ある場合、アミノ基への変換は、それ自体公知の
方法によつて行なうことができる。例えばホルミ
ルアミノ基はメタノール溶媒中、オキシ塩化燐を
反応させ、2・2・2−トリクロルエトキシカル
ボニルアミノ基は酸の存在下亜鉛末で還元し、ク
ロルアセチルアミノ基は水中でPH6.5付近でチオ
尿素と反応さすことによりアミノ基へ変換でき
る。 かくして、この発明の化合物()はそれ自体
公知の有用なセフアロスポリン系抗生物質を例え
ばセフアロスポリンCを原料として工業的に製造
するに当つて有用な化合物と言える。 次にこの発明を実施例によつて説明する。 実施例 1 (a) N−ブトキシエトキシカルボニルセフアロス
ポリンCのジ(1′−メトキシカルボニル−2′−
オキソプロパン−1′−イル)エステルのS−オ
キシドの製造 N−ブトキシエトキシカルボニルセフアロス
ポリンCのジカリウム塩(0.01モル)と炭酸水
素ナトリウム(0.002モル)をジメチルホルム
アミド20mlに加え、撹拌しながらα−クロロ−
アセト酢酸メチルエステル(0.022モル)を滴
下し、40〜60℃で反応させる。薄層クロマトグ
ラフイー(n−ブタノール:酢酸:水=4:
4:1、沃化アジド液を噴霧後加熱発色)で反
応を追跡する。約20時間撹拌して反応させる。
この反応液に酢酸エチル20mlと氷水20mlを加
え、撹拌下炭酸水素ナトリウム水溶液でPH7.0
に調整し、有機層を分け水洗後乾燥する。溶媒
を減圧で留去すればシロツプを残す。これを塩
化メチレン30mlに溶かし、氷冷下、撹拌しなが
ら40%過酢酸の計算量の80%を徐々に滴下す
る。薄層クロマトグラフイーで反応を追跡し、
必要があれば、過酢酸を追加して反応を完結さ
せる。反応液に氷水30mlを加え、撹拌後有機層
を分ける。これに新しく氷水30mlを加え炭酸水
素ナトリウム水溶液でPH7.0に調整し、有機層
を分け、乾燥する。溶媒を減圧で留去し、残渣
をイソプロピルアルコール及びイソプロピルエ
ーテルで処理すれば固化する。 N−ブトキシエトキシカルボニルセフアロス
ポリンCのジ(1′−メトキシカルボニル−2′−
オキソプロパン−1′−イル)エステルのS−オ
キシドを収率84%で得た。 (b) 7−(2−チエニルアセタミド)−セフアロス
ポラン酸−1′−メトキシカルボニル−2′−オキ
ソプロパン−1′−イルエステルの製造。 実施例1(a)で得られたジエステルのS−オキ
シド(0.002モル)、N・N−ジメチルアニリン
(0.01モル)を塩化メチレン30mlに加え、−40℃
に冷やし、五塩化リンの微粉末(0.0042モル)
を投入し、−30〜−10℃で2時間撹拌する。 薄層クロマトグラフイー(ベンゼン:酢酸エ
チル=1:1)で追跡し、S−オキシドの存在
しないことを確かめ、−30℃に冷やし、無水の
メタノール(0.05モル)を含む塩化メチレン10
mlの溶液を滴下する。−30〜−10℃で2時間撹
拌しイミノエーテルの溶液とした。 この溶液を−40℃に冷却しこれにチエニルア
セチルクロリド(0.003モル)を含む塩化メチ
レン5mlの溶液を滴下する。−40〜−30℃で1
時間反応させ、次いで徐々に−10℃まで昇温さ
せ、氷水20ml中に投入する。炭酸水素ナトリウ
ムでPH2.0に調整しながら30分撹拌する。有機
層を分取し、食塩水で3回洗い、次いで氷水10
mlを加え、撹拌下炭酸水素ナトリウムでPH7.0
で調整し、水洗して乾燥する。溶媒を減圧で留
去すればシロツプを残す。シリカゲルクロマト
グラフイー(ベンゼン:酢酸エチル:=3:
1)で精製する。7−(2−チエニルアセタミ
ド)−セフアロスポラン酸−1′−メトキシカル
ボニル−2′−オキソプロパン−1′−イルエステ
ルをシロツプの形で収率83%で得た。 薄層クロマトグラフイー(ベンゼン:酢酸エ
チル=2:1、沃化アジド液を噴霧後加熱発
色:Rf=0.25) 本品の一部をとり、塩化メチレン中氷冷下過
酢酸で酸化すれば1−オキシドを得る。 薄層クロマトグラフイー(ベンゼン:酢酸エ
チル=2:1;Rf=0.1)、 mp145〜146℃(分解) (c) 7−(2−チエニルアセタミド)−セフアロス
ポラン酸ナトリウム塩の製造。 実施例1(b)で得られた7−(2−チエニルア
セタミド)−セフアロスポラン酸−1′−メトキ
シカルボニル−2′−オキソプロパン−1′−イル
エステル(1ミリモル)を50%アセトンに溶か
し、酢酸0.5滴を加え、撹拌下亜硝酸ナトリウ
ム(2ミリモル)を含む2mlの水溶液を徐々に
滴下する。反応は薄層クロマトグラフイーで追
跡する(ベンゼン:酢酸エチル=1:1;反応
生成物はRf=0)40℃以下で60分撹拌しなが
ら反応し、減圧でアセトンを留去する。重炭酸
ナトリウム溶液でPH7.0にして酢酸エチルで洗
い、ついで酢酸エチル10mlを加え20%燐酸でPH
2.0に調整し、有機層を分け、食塩水で3回洗
い、乾燥後、酢酸ナトリウム(0.95ミリモル)
の飽和水溶液にアセトン少量を加えた溶液を混
ぜる。まもなく、セフアロチンのナトリウム塩
の結晶を析出する。 含水アセトンから再結晶し、収率94%を得
た。遊離酸としてのmpは156℃(分解)であ
る。 mp.IR.UVは標品と一致した。 実施例 2 (a) 7−(5−カルボキシ−5−ブトキシエトキ
シカルボニルアミノ)−バレルアミド−3−(5
−メチル−1・3・4−チアジアゾール−2−
イル)−チオメチル−3−セフエム−4−カル
ボン酸のジ(1′−メトキシカルボニル−2′−オ
キソプロパン−1′−イル)エステルの1−オキ
シドの製造。 実施例1(a)に従つて7−(5−カルボキシ−
5−ブトキシエトキシカルボニルアミノ)−バ
レルアミド−3−(5−メチル−1・3・4−
チアジアゾール−2−イル)−チオメチル−3
−セフエム−4−カルボン酸の1−オキシドの
ジカリウム塩から7−(5−カルボキシ−5−
ブトキシエトキシカルボニルアミノ)−バレル
アミド−3−(5−メチル−1・3・4−チア
ジアゾール−2−イル)チオメチル−3−セフ
エム−4−カルボン酸のジ(1′−メトキシカル
ボニル−2′−オキソプロパン−1′−イル)エス
テルの1−オキシドを収率82%で得た; (b) 7−(1−テトラゾリルアセタミド)−3−
(5−メチル−1・3・4−チアジアゾール−
2−イル)チオメチル−3−セフエム−4−カ
ルボン酸の1′−メトキシカルボニル−2′−オキ
ソプロパン−1′−イルエステルの製造 実施例2(a)で得たジエステル−1−オキシド
を実施例(b)におけるチエニルアセチルクロリド
のかわりに1−テトラゾリルアセチルクロリド
を用いて実施例1(b)に従い反応させ処理する。 7−(1−テトラゾリルアセタミド)−3−
(5−メチル−1・3・4−チアジアゾール−
2−イル)チオメチル−3−セフエム−4−カ
ルボン酸の1′−メトキシカルボニル−2′−オキ
ソプロパン−1′−イルエステルを収率84%で得
た。; mp.115〜120℃(分解)。 このエステルのS−オキシドは、 mp135〜138℃(分解)であつた。 (c) 7−(1−テトラゾリルアセタミド)−3−
(5−メチル−1・3・4−チアジアゾール−
2イル)チオメチル−3−セフエム−4−カル
ボン酸ナトリウム塩の製造。 実施例2(b)で得たエステルを実施例1(c)に従
つて反応させ処理する。 7−(1−テトラゾリルアセタミド)−3−
(5−メチル−1・3・4−チアジアゾール−
2−イル)チオメチル−3−セフエム−4−カ
ルボン酸ナトリウム塩を得た。 含水アセトンから再結晶し収率92%で得た; mp.178℃(分解) IR: 1775cm-1 UV:λmax274n.m. 標品と一致した。 実施例 3 (a) N−ベンゾイル−セフアロスポリンCのモノ
(1′−メトキシカルボニル−2′−オキソプロパ
ン−1′−イル)エステルのS−オキシドの製
造。 N−ベンゾイル−セフアロスポリンCのモノ
ナトリウム塩5.42gと炭酸水素ナトリウム0.17
gをジメチルホルムアミド7mlに加え、撹拌し
ながらα−クロロ−アセト酢酸メチルエステル
1.81gを滴下し40〜60℃で反応させる。薄層ク
ロマトグラフイーで反応を追跡する。 反応終了後、反応液に酢酸エチル20mlと氷水
20mlを加え、撹拌しながら塩酸でPH2.5に調整
し、有機層を分ける。有機層は食塩水で洗つた
後乾燥し溶媒を減圧で留去する。残渣は△
のエステルである。 このエステルを塩化メチレン20mlに溶かし、
氷冷下撹拌しながらタングステン酸ナトリウム
の存在下、薄層クロマトグラフイーで反応の進
行状況を追跡しつつ、過酸化水素水を加えて酸
化する。反応終了後、氷水20mlを加え、固体を
集める。 塩化メチレン層は分取後水洗し、減圧で溶媒
を留去する。残渣は、イソプロピルエーテルで
処理すれば固化する。固形物は合せてイソプロ
ピルアルコール及びイソプロピルエーテルで処
理する。 N−ベンゾイル−セフアロスポリンCのモノ
(1′−メトキシカルボニル−2′−オキソプロパ
ン−1′−イル)エステルのS−オキシドを収率
82%で得た。mp143〜147℃(分解)。IR、
NMR、UV、TLCからモノエステルのS−オキ
シドであることを確認した。 (b) 7−(2−チエニルアセタミド)−セフアロス
ポラン酸の(1′−メトキシカルボニル−2′−オ
キソプロパン−1′−イル)エステルの製造。 実施列3、(a)で得られたモノエステルのS−
オキシド6.50g(10ミリモル)、N・N−ジエ
チルアニリン5.96g(40ミリモル)、トリエチ
ルアミン1.5g(15ミリモル)を塩化メチレン
30mlに加え、氷冷下撹拌しながらトリメチルシ
リルクロリド2.72g(25ミリモル)を含む塩化
メチレン溶液を滴加する。約30分後反応液を−
40℃に冷し、五塩化リン5.21g(25ミリモル)
を加え、−40〜−15℃で撹拌しながら約2.5時間
反応させる。ついで−40℃に冷し、激しく撹拌
しながらメタノール6.4g(200ミリモル)を
徐々に滴加する。滴加終了後、−40〜−10℃で
反応させる。反応は薄層クロマトグラフイーで
追跡する。反応液は再び−40℃に冷し、撹拌し
ながら2−チエニルアセチル−クロリド1.93g
(12ミリモル)を含む塩化メチレン5mlの溶液
を滴下する。約2.5時間かけて0℃まで徐々に
昇温させる。 反応液に氷水20mlを加え、アンモニア水でPH
2.5に調整しながら約30分撹拌後有機層を分取
し、有機層を食塩水で洗う。有機層に氷水20ml
を加え、撹拌しながら炭酸水素ナトリウムでPH
7.5に調整する。有機層を取り水洗後乾燥し、
溶媒を減圧で留去する。残渣をイソプロパノー
ル−n−ヘキサンで処理し油分を得た。 薄層クロマトグラフイー(ベンゼン:酢酸エ
チル=1:1、沃化アジド噴霧後加熱、又は紫
外線):Rf=0.66。 このものは、7−(2−チエニルアセタミ
ド)−3−アセトキシメチル−3−セフエム−
4−カルボン酸の(1′−メトキシカルボニル−
2′−オキソプロパン−1′−イル)エステルで、
収率83%であつた。 このエステルは、常法により酸化して、対応
するS−オキシド〔mp144〜145℃(分解)〕を
収率93%で得た。 実施例 4 (a) 実施例3、(a)のN−ベンゾイル−セフアロス
ポリンCのモノナトリウム塩の代りに7−
(5′−カルボキシ−5′−ベンゾイルアミノ−バ
レルアミド)−3−(5−メチル−1・3・4−
チアジアゾリール−2−イル)チオメチル−3
−セフエム−4−カルボン酸のモノナトリウム
塩を用い、他は実施例3、(a)に従つて反応させ
処理する 7−(5′−カルボキシ−5′−ベンゾイルアミ
ノ−バレルアミド)−3−(5−メチル−1・
3・4−チアジアゾール−2−イル)チオメチ
ル−3−セフエム−4−カルボン酸のモノ
(1′−メトキシカルボニル−2′−オキソプロパ
ン−1′−イル)エステルのS−オキシドを86%
の収率で得た。 (b) 実施例3、(b)のチエニルアセチルクロリドの
代りにテトラゾリールアセチルクロリドを、更
に、N−ベンゾイル−セフアロスポラン酸のモ
ノエステルのS−オキシドの代りに実施例4、
(a)で得たモノエステルのS−オキシドを用い、
他は実施例3、(b)に従つて反応させ処理する。 7−(1−テトラゾリルアセタミド)−3−
(5−メチル−1・3・4−チアジアゾール−
2−イル)チオメチル−3−セフエム−4−カ
ルボン酸の(1′−メトキシカルボニル−2′−オ
キソプロパン−1′−イル)エステルを収率85%
で得た。 実施例 5 (a) 実施例1、(a)におけるN−ブトキシエトキシ
−カルボニル−セフアロスポリンCのジカリウ
ム塩の代りにモノナトリウム塩を、またα−ク
ロロ−アセト酢酸メチルエステルをモノナトリ
ウム塩に対し1.2倍量用い、他は実施例3、(a)
に従つて処理して、7−(5′−カルボキシ−
5′−ブトキシエトキシ−カルボニル−アミノ−
バレルアミド)−3−アセトキシメチル−3−
セフエム−4−カルボン酸のモノ(1′−メトキ
シカルボニル−2′−オキソプロパン−1′−イ
ル)エステルのS−オキシドを収率82%で得
た。 (b) 上記、(a)で得られたモノエステルのS−オキ
シドを実施例3、(b)に従つて反応させ処理し
て、7−(2−チエニルアセタミド)−3−アセ
トキシメチル−3−セフエム−4−カルボン酸
の(1′−メトキシカルボニル−2′−オキソプロ
パン−1′−イル)エステルを収率84%で得た。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式(): 〔式中Wは水酸基および/またはハロゲン原子で
    置換されたフエニル基、またはチエニル基もしく
    はテトラゾール基;Qは水素原子、保護アミノ
    基;Yはアセトキシ基または低級アルキル基で置
    換されていてもよいチアジアゾールチオ基、トリ
    アゾールチオ基もしくはテトラゾールチオ基;
    R1はアルキル基;R2はアルコキシ基をそれぞれ
    意味する〕 で表わされる化合物。 2 一般式()において、【式】が1 −メトキシカルボニル−2オキソプロパン−1−
    イルである特許請求の範囲1項記載の化合物。
JP6257376A 1976-05-29 1976-05-29 Novel cephem-carboxlic acid esters Granted JPS52148091A (en)

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JP6257376A JPS52148091A (en) 1976-05-29 1976-05-29 Novel cephem-carboxlic acid esters
SE7704254A SE422002B (sv) 1976-05-29 1977-04-13 Golfklubba

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JPS52148091A JPS52148091A (en) 1977-12-08
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SE7704254L (sv) 1977-11-20
SE422002B (sv) 1982-02-15
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