JPS6138411B2 - - Google Patents
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- JPS6138411B2 JPS6138411B2 JP54061025A JP6102579A JPS6138411B2 JP S6138411 B2 JPS6138411 B2 JP S6138411B2 JP 54061025 A JP54061025 A JP 54061025A JP 6102579 A JP6102579 A JP 6102579A JP S6138411 B2 JPS6138411 B2 JP S6138411B2
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Landscapes
- Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、酸素濃淡電池の原理を応用し、ある
いは酸化物半導体を用いた酸素センサ等のガスセ
ンサ用基板の製造方法に関する。
いは酸化物半導体を用いた酸素センサ等のガスセ
ンサ用基板の製造方法に関する。
自動制御技術の進展に伴なつて各種センサの開
発改良が盛んにおこなわれており、たとえば自動
車用エンジンやその他の燃焼機器の制御に酸素セ
ンサを使用する試みがなされている。
発改良が盛んにおこなわれており、たとえば自動
車用エンジンやその他の燃焼機器の制御に酸素セ
ンサを使用する試みがなされている。
第1図および第2図は本発明者らが実施した従
来の酸素センサの製造工程の一例を示すもので、
まず、第1図aに示すようにアルミナグリーンシ
ートの如き絶縁基板素材1上に白金ペーストを用
いて発熱用導電体層2を印刷し、これを乾燥した
のち第1図bに示すように3本の白金リード線3
a〜3cを配置し、次いで第1図cに示すような
3個の貫通孔4a〜4cを有するアルミナグリー
ンシートの如き絶縁基板素材4を圧着して第1図
dに示すような絶縁基板5を形成し、前記貫通孔
4a〜4cに白金ペーストを流し込んだのち乾燥
および焼成をおこなつて構造基体としての強度を
保持したガスセンサ用基板5を形成し、次に、第
2図aに斜線で示すように前記基板5上に白金ペ
ーストを印刷して乾燥および焼成することにより
電子伝導性層6を形成し、さらに第2図bに斜線
で示すように固体電解質ペーストを印刷して乾燥
および焼成を施すことにより酸素イオン伝導性固
体電解質層7を形成し、次いで第2図cに斜線で
示すように白金ペーストを印刷して乾燥および焼
成することにより測定側電子伝導性層8を形成し
て第3図に示すような断面の酸素センサを得てい
た。
来の酸素センサの製造工程の一例を示すもので、
まず、第1図aに示すようにアルミナグリーンシ
ートの如き絶縁基板素材1上に白金ペーストを用
いて発熱用導電体層2を印刷し、これを乾燥した
のち第1図bに示すように3本の白金リード線3
a〜3cを配置し、次いで第1図cに示すような
3個の貫通孔4a〜4cを有するアルミナグリー
ンシートの如き絶縁基板素材4を圧着して第1図
dに示すような絶縁基板5を形成し、前記貫通孔
4a〜4cに白金ペーストを流し込んだのち乾燥
および焼成をおこなつて構造基体としての強度を
保持したガスセンサ用基板5を形成し、次に、第
2図aに斜線で示すように前記基板5上に白金ペ
ーストを印刷して乾燥および焼成することにより
電子伝導性層6を形成し、さらに第2図bに斜線
で示すように固体電解質ペーストを印刷して乾燥
および焼成を施すことにより酸素イオン伝導性固
体電解質層7を形成し、次いで第2図cに斜線で
示すように白金ペーストを印刷して乾燥および焼
成することにより測定側電子伝導性層8を形成し
て第3図に示すような断面の酸素センサを得てい
た。
このような構造の酸素センサでは、絶縁基板5
中に発熱用導電体層2を有しているため、低温で
の酸素イオン伝導度が低く起電力が小さい特性を
有する固体電解質を使用しているときでも前記発
熱により低温状態において良好な起電力特性を得
ることができ、従来では考えられなかつた常温付
近での酸素ガス濃度の測定が可能であつた。
中に発熱用導電体層2を有しているため、低温で
の酸素イオン伝導度が低く起電力が小さい特性を
有する固体電解質を使用しているときでも前記発
熱により低温状態において良好な起電力特性を得
ることができ、従来では考えられなかつた常温付
近での酸素ガス濃度の測定が可能であつた。
しかしながら、第1図ないし第3図に示す構造
の酸素センサでは、発熱用導電体層2が上下の絶
縁基板素材4,1ではさまれた状態で基板5の中
央部分に設けられるため、固体電解質層7までの
熱伝達効率が悪く、とくに自動車用エンジンの空
燃比制御に使用した場合に始動時における常温か
らの昇温速度が遅い問題を有し、さらに固体電解
質層7の温度を一定にしてその酸素イオン伝導度
を安定したものにしようとしても、発熱用導電体
層2からの熱伝達効率が悪いために排ガスの温度
変化に大きく影響を受けやすい問題を有してい
た。
の酸素センサでは、発熱用導電体層2が上下の絶
縁基板素材4,1ではさまれた状態で基板5の中
央部分に設けられるため、固体電解質層7までの
熱伝達効率が悪く、とくに自動車用エンジンの空
燃比制御に使用した場合に始動時における常温か
らの昇温速度が遅い問題を有し、さらに固体電解
質層7の温度を一定にしてその酸素イオン伝導度
を安定したものにしようとしても、発熱用導電体
層2からの熱伝達効率が悪いために排ガスの温度
変化に大きく影響を受けやすい問題を有してい
た。
本発明の目的は、発熱用導電体層による熱伝達
効率が非常に高くて熱応答性にすぐれ、ガスセン
サ素子の作動特性をできる限り安定したものとす
ることができ、雰囲気温度にあまり左右されるこ
とのないガスセンサ用基板を得ることにある。
効率が非常に高くて熱応答性にすぐれ、ガスセン
サ素子の作動特性をできる限り安定したものとす
ることができ、雰囲気温度にあまり左右されるこ
とのないガスセンサ用基板を得ることにある。
本発明は、酸素濃淡電池の原理を応用しあるい
は酸化物半導体を用いた酸素センサ等のガスセン
サ用基板を製造するためにあたり、一方の絶縁基
板素材と、複数の貫通孔を有する他方の絶縁基板
素材とを、前記貫通孔に発熱用導電体層用リード
線およびガスセンサ本体用リード線の各先端部分
を位置させて当該リード線をはさんだ状態で重ね
合わせて絶縁基板を作成し、前記構造基体として
の強度を保持しかつ各リード線の先端部分を埋設
した絶縁基板上に発熱用導電体層を形成したの
ち、さらにその上に絶縁体薄膜層を積層し、前記
発熱用導電体層と前記発熱用導電体層用リード線
とを前記貫通孔の一部を介して電気的に接続する
と共に、前記ガスセンサ本体用リード線を前記貫
通孔の一部を介してガスセンサ本体と電気的に接
続可能な構成としたことを特徴としている。
は酸化物半導体を用いた酸素センサ等のガスセン
サ用基板を製造するためにあたり、一方の絶縁基
板素材と、複数の貫通孔を有する他方の絶縁基板
素材とを、前記貫通孔に発熱用導電体層用リード
線およびガスセンサ本体用リード線の各先端部分
を位置させて当該リード線をはさんだ状態で重ね
合わせて絶縁基板を作成し、前記構造基体として
の強度を保持しかつ各リード線の先端部分を埋設
した絶縁基板上に発熱用導電体層を形成したの
ち、さらにその上に絶縁体薄膜層を積層し、前記
発熱用導電体層と前記発熱用導電体層用リード線
とを前記貫通孔の一部を介して電気的に接続する
と共に、前記ガスセンサ本体用リード線を前記貫
通孔の一部を介してガスセンサ本体と電気的に接
続可能な構成としたことを特徴としている。
本発明のガスセンサ用基板の製造方法は、前述
したように、一方の絶縁基板素材と、複数の貫通
孔を有する他方の絶縁基板素材とを、前記貫通孔
に発熱用導電体層用リード線およびガスセンサ本
体用リード線の各先端部を位置させて当該リード
線をはさんだ状態で重ね合わせて絶縁基板を作成
し、前記構造基体としての強度を保持しかつ各リ
ード線の先端部分を埋設した絶縁基板上に発熱用
導電体層を形成したのち、さらにその上に絶縁体
薄膜層を順次積層して前記発熱用導電体層に前記
貫通孔の一部を介して前記発熱用導電体層用リー
ド線を電気的に接続すると共に、前記ガスセンサ
本体用リード線を前記貫通孔の一部を介してガス
センサ本体と電気的に接続可能とするようにした
ものであるが、上記絶縁基板素材としては、アル
ミナ,フオルステライト,ムライト,スピネルな
どの電気的材料を用いることができ、その製造法
としては既知の圧粉・焼結法あるいはグリーンシ
ートの圧着・焼結法などを採用することができ
る。
したように、一方の絶縁基板素材と、複数の貫通
孔を有する他方の絶縁基板素材とを、前記貫通孔
に発熱用導電体層用リード線およびガスセンサ本
体用リード線の各先端部を位置させて当該リード
線をはさんだ状態で重ね合わせて絶縁基板を作成
し、前記構造基体としての強度を保持しかつ各リ
ード線の先端部分を埋設した絶縁基板上に発熱用
導電体層を形成したのち、さらにその上に絶縁体
薄膜層を順次積層して前記発熱用導電体層に前記
貫通孔の一部を介して前記発熱用導電体層用リー
ド線を電気的に接続すると共に、前記ガスセンサ
本体用リード線を前記貫通孔の一部を介してガス
センサ本体と電気的に接続可能とするようにした
ものであるが、上記絶縁基板素材としては、アル
ミナ,フオルステライト,ムライト,スピネルな
どの電気的材料を用いることができ、その製造法
としては既知の圧粉・焼結法あるいはグリーンシ
ートの圧着・焼結法などを採用することができ
る。
また、発熱用導電体層としては、Pt,Pd,W
などの金属単体や、サーメツトの如きセラミツク
スと金属との混合体などを用いることができ、あ
るいは半導体発熱材料などを用いることもでき
る。この発熱用導電体層を絶縁基板上に形成する
に際しては、上記材料のペーストによる印刷・焼
成法や細線の埋め込み法などを用いるとができ
る。
などの金属単体や、サーメツトの如きセラミツク
スと金属との混合体などを用いることができ、あ
るいは半導体発熱材料などを用いることもでき
る。この発熱用導電体層を絶縁基板上に形成する
に際しては、上記材料のペーストによる印刷・焼
成法や細線の埋め込み法などを用いるとができ
る。
さらに、絶縁体薄膜層としては、アルミナ,フ
オルステライト,ムライト,スピネルなどの電気
的絶縁材料を用いることができ、これを積層する
に際しては、上記材料を含むペーストを用いた印
刷・焼成法やスプレー焼成法、もしくは溶射法、
あるいはイオンプレーテイングやスパツタリング
等の物理的な蒸着法などを採用することができ
る。
オルステライト,ムライト,スピネルなどの電気
的絶縁材料を用いることができ、これを積層する
に際しては、上記材料を含むペーストを用いた印
刷・焼成法やスプレー焼成法、もしくは溶射法、
あるいはイオンプレーテイングやスパツタリング
等の物理的な蒸着法などを採用することができ
る。
また、リード線としては白金線やニツケル線な
どを用いることができ、前記基板上でリード線の
先端部分を圧着したり、あるいはリード線の先端
部分を基板内に埋設してその基板内においてリー
ド線と導電体層とを電気的に接続して上記基板と
リード線との接合強度をより高めるようにするこ
とも可能である。
どを用いることができ、前記基板上でリード線の
先端部分を圧着したり、あるいはリード線の先端
部分を基板内に埋設してその基板内においてリー
ド線と導電体層とを電気的に接続して上記基板と
リード線との接合強度をより高めるようにするこ
とも可能である。
本発明のガスセンサ用基板は、酸素濃淡電池の
原理を応用し、あるいは酸化物半導体を用いた酸
素センサ用の基板として好適に使用できるほか、
水素,一酸化炭素,炭化水素,メタン,エタン等
のガス濃度を測定する半導体ガスセンサ等の基板
としても好適に使用することができる。
原理を応用し、あるいは酸化物半導体を用いた酸
素センサ用の基板として好適に使用できるほか、
水素,一酸化炭素,炭化水素,メタン,エタン等
のガス濃度を測定する半導体ガスセンサ等の基板
としても好適に使用することができる。
実施例 1
第4図は本発明の一実施例におけるガスセンサ
用基板の製造工程を示す説明図、第5図および第
6図は製造後の基板断面図であつて、製造に際し
ては、先ず第4図aに示すように、アルミナグリ
ーンシート(8×6×0.8mm)よりなる一方の絶
縁基板素材11上に長さ10mmの白金リード線13
a,13b,13cをのせ、次いで第4図bに示
すように3個の貫通孔(0.7mmφ)14a,14
b,14cを有し且つ前記一方の絶縁基板素材1
1と同一寸法のアルミナグリーンシートよりなる
他方の絶縁基板素材14を前記貫通孔14a〜1
4cと白金リード線13a〜13cとを一致させ
た状態で重ね合わせて圧力10Kg/cm2,温度100
℃,時間2分の条件で圧着して絶縁基板10を作
成し、続いて第4図cに示すように絶縁基板10
上に白金ペーストを用いて印刷法により発熱用導
電体層12を形成した。また、同時に貫通孔14
a〜14c内にも白金ペーストを流し込んでリー
ド線13a,13cと発熱用導電体層12の両端
部分との間での電気的な接続をおこなつている。
なお、リード線13bおよび貫通孔14bは、こ
の基体を適用するガスセンサのセンサ本体からの
出力を取り出すためにあらかじめ設けたものであ
る。そして、白金ペーストの流し込み後大気中で
100℃×1時間の乾燥を施したのち、第4図dに
斜線で示すようにアルミナ絶縁体ペーストを6×
5mmの寸法でスクリーン印刷し、大気中にて100
℃×1時間で乾燥したのち焼成をおこなつて絶縁
体薄膜層16を積層する。なお、焼成条件は、大
気中にて1500℃×2時間であり、昇温速度は室温
から1500℃まで60℃/hrであつて、このようにし
て得られたガスセンサ用基板15の製造後の基板
寸法は6.4×4.8×1.4mm、室温における発熱用導電
体層12の抵抗は1.6〜1.8Ωならびに層厚は3〜
4μm、絶縁体薄膜層16の寸法は4×4×0.02
mmであつた。
用基板の製造工程を示す説明図、第5図および第
6図は製造後の基板断面図であつて、製造に際し
ては、先ず第4図aに示すように、アルミナグリ
ーンシート(8×6×0.8mm)よりなる一方の絶
縁基板素材11上に長さ10mmの白金リード線13
a,13b,13cをのせ、次いで第4図bに示
すように3個の貫通孔(0.7mmφ)14a,14
b,14cを有し且つ前記一方の絶縁基板素材1
1と同一寸法のアルミナグリーンシートよりなる
他方の絶縁基板素材14を前記貫通孔14a〜1
4cと白金リード線13a〜13cとを一致させ
た状態で重ね合わせて圧力10Kg/cm2,温度100
℃,時間2分の条件で圧着して絶縁基板10を作
成し、続いて第4図cに示すように絶縁基板10
上に白金ペーストを用いて印刷法により発熱用導
電体層12を形成した。また、同時に貫通孔14
a〜14c内にも白金ペーストを流し込んでリー
ド線13a,13cと発熱用導電体層12の両端
部分との間での電気的な接続をおこなつている。
なお、リード線13bおよび貫通孔14bは、こ
の基体を適用するガスセンサのセンサ本体からの
出力を取り出すためにあらかじめ設けたものであ
る。そして、白金ペーストの流し込み後大気中で
100℃×1時間の乾燥を施したのち、第4図dに
斜線で示すようにアルミナ絶縁体ペーストを6×
5mmの寸法でスクリーン印刷し、大気中にて100
℃×1時間で乾燥したのち焼成をおこなつて絶縁
体薄膜層16を積層する。なお、焼成条件は、大
気中にて1500℃×2時間であり、昇温速度は室温
から1500℃まで60℃/hrであつて、このようにし
て得られたガスセンサ用基板15の製造後の基板
寸法は6.4×4.8×1.4mm、室温における発熱用導電
体層12の抵抗は1.6〜1.8Ωならびに層厚は3〜
4μm、絶縁体薄膜層16の寸法は4×4×0.02
mmであつた。
この場合、発熱用導電体層12は絶縁基板10
上に積層されているため、絶縁基板素材11,1
4の厚さに影響されない非常に熱伝達効率の高い
ガスセンサ用基板15を得ることができ、しかも
リード線13a〜13cの先端部分が絶縁基板素
材11,14間ではさまれて貫通孔14a,14
b,14cを介して発熱用導電体層12およびガ
スセンサ本体と電気的に接続するようにしている
ため、絶縁基板10とリード線13a〜13cと
の接合強度を非常に高いものとすることができ
る。
上に積層されているため、絶縁基板素材11,1
4の厚さに影響されない非常に熱伝達効率の高い
ガスセンサ用基板15を得ることができ、しかも
リード線13a〜13cの先端部分が絶縁基板素
材11,14間ではさまれて貫通孔14a,14
b,14cを介して発熱用導電体層12およびガ
スセンサ本体と電気的に接続するようにしている
ため、絶縁基板10とリード線13a〜13cと
の接合強度を非常に高いものとすることができ
る。
比較例 1
前記第1図a〜dに示す製造工程において、実
施例1と同じ寸法のアルミナグリーンシートより
なる絶縁基板素材1上に白金ペーストを用いて発
熱用導電体層2を形成し、白金リード線3a〜3
cには0.2mmφのものを使用して同じくアルミナ
グリーンシートよりなる絶縁基板素材4との間で
圧着し、乾燥および焼成をおこなつて従来構造の
ガスセンサ用基板5を製造した。このときの導電
体層2の抵抗は室温で1.6〜1.8Ωと実施例1のも
のを同じであつた。
施例1と同じ寸法のアルミナグリーンシートより
なる絶縁基板素材1上に白金ペーストを用いて発
熱用導電体層2を形成し、白金リード線3a〜3
cには0.2mmφのものを使用して同じくアルミナ
グリーンシートよりなる絶縁基板素材4との間で
圧着し、乾燥および焼成をおこなつて従来構造の
ガスセンサ用基板5を製造した。このときの導電
体層2の抵抗は室温で1.6〜1.8Ωと実施例1のも
のを同じであつた。
そこで、上記従来のガスセンサ用基板5と実施
例1において製造した本発明のガスセンサ用基板
15とを用い、それぞれ白金リード線3a,3c
および13a,13cにニツケル線を溶接して接
合させたのち、ともにアルミナ保護管により保持
させて表面温度の変化を測定した。この場合、熱
電対を絶縁基板素材4および絶縁体薄膜層14の
各々表面に接触させて温度を測定した。また、測
定条件は静止大気中で室温にてそれぞれに電流値
1Aの定電流を流したときの温度上昇速度を測定
したものである。この結果を第7図に示す。第7
図に示すように、本発明品の温度上昇速度は従来
品に比べてかなり高いことが明らかである。
例1において製造した本発明のガスセンサ用基板
15とを用い、それぞれ白金リード線3a,3c
および13a,13cにニツケル線を溶接して接
合させたのち、ともにアルミナ保護管により保持
させて表面温度の変化を測定した。この場合、熱
電対を絶縁基板素材4および絶縁体薄膜層14の
各々表面に接触させて温度を測定した。また、測
定条件は静止大気中で室温にてそれぞれに電流値
1Aの定電流を流したときの温度上昇速度を測定
したものである。この結果を第7図に示す。第7
図に示すように、本発明品の温度上昇速度は従来
品に比べてかなり高いことが明らかである。
実施例 2
第4図に示す製造工程をもとにして実施例1で
は第4図dに斜線で示す絶縁体薄膜層16を印刷
法によつて積層しているが、本実施例2では溶射
法により積層した。この場合、溶射用粉末として
α−Al2O3を用い、この粉末の粒度調整を念入り
におこなつて平均粒径5μm,粒径範囲2〜9μ
mのものとし、溶射前に十分な乾燥をおこなつ
た。そこで、このような粉末を用い、プラズマガ
スとして容量比5:1の窒素ガスと水素ガスの混
合ガスを使用し、電流500Aでプラズマ溶射をお
こなつて第4図dに斜線で示す絶縁体薄膜層16
を積層した。この際の厚さは30μmであつた。こ
の場合にも、実施例1において製造したものと同
等のすぐれた昇温速度を有していた。
は第4図dに斜線で示す絶縁体薄膜層16を印刷
法によつて積層しているが、本実施例2では溶射
法により積層した。この場合、溶射用粉末として
α−Al2O3を用い、この粉末の粒度調整を念入り
におこなつて平均粒径5μm,粒径範囲2〜9μ
mのものとし、溶射前に十分な乾燥をおこなつ
た。そこで、このような粉末を用い、プラズマガ
スとして容量比5:1の窒素ガスと水素ガスの混
合ガスを使用し、電流500Aでプラズマ溶射をお
こなつて第4図dに斜線で示す絶縁体薄膜層16
を積層した。この際の厚さは30μmであつた。こ
の場合にも、実施例1において製造したものと同
等のすぐれた昇温速度を有していた。
適用例 1
本発明により製造したガスセンサ用基板を酸素
センサに適用した場合を第8図および第9図によ
り説明する。
センサに適用した場合を第8図および第9図によ
り説明する。
ここでは、第4図〜第6図に示すようなリード
線13a〜13cの先端部分を絶縁基板素材1
1,14中に埋設して貫通孔14a〜14cを介
して電気的な接続をおこなわせたガスセンサ用基
板15を用いた。そこで、第8図aに斜線で示す
ように、前記基板15上に白金ペーストを印刷し
て100℃×1時間で乾燥したのち大気中にて1300
℃×1時間の焼成をおこなつて基準側電子伝導性
層36を形成した。次いで、第8図bに斜線で示
すように、5モル%Y2O3−ZrO2粉末とラツカー
とを重量比1:1で混合して練ることにより粘度
を8万センチポアズに調整した固体電解質ペース
トをスクリーン印刷により付着させ、大気中にて
100℃×1時間の加熱により乾燥したのち大気中
にて1380℃×3時間の焼成をおこなつて酸素イオ
ン伝導性固体電解質層37を形成した。さらに、
第8図Oに斜線で示すように、白金ペーストを印
刷して100℃×1時間で乾燥したのち大気中で
1300℃×1時間の焼成をおこなつて測定側電子伝
導性層38を積層した。このようにして得られた
電子伝導性層36,38の膜厚は5±1μm,固
体電解質層37の膜厚は30±2μmであつた。
線13a〜13cの先端部分を絶縁基板素材1
1,14中に埋設して貫通孔14a〜14cを介
して電気的な接続をおこなわせたガスセンサ用基
板15を用いた。そこで、第8図aに斜線で示す
ように、前記基板15上に白金ペーストを印刷し
て100℃×1時間で乾燥したのち大気中にて1300
℃×1時間の焼成をおこなつて基準側電子伝導性
層36を形成した。次いで、第8図bに斜線で示
すように、5モル%Y2O3−ZrO2粉末とラツカー
とを重量比1:1で混合して練ることにより粘度
を8万センチポアズに調整した固体電解質ペース
トをスクリーン印刷により付着させ、大気中にて
100℃×1時間の加熱により乾燥したのち大気中
にて1380℃×3時間の焼成をおこなつて酸素イオ
ン伝導性固体電解質層37を形成した。さらに、
第8図Oに斜線で示すように、白金ペーストを印
刷して100℃×1時間で乾燥したのち大気中で
1300℃×1時間の焼成をおこなつて測定側電子伝
導性層38を積層した。このようにして得られた
電子伝導性層36,38の膜厚は5±1μm,固
体電解質層37の膜厚は30±2μmであつた。
比較例 2
第1図に示す従来の基板5を用いて第2図に示
す製造工程により前記第8図の場合と全く同様に
して酸素センサを製造した。
す製造工程により前記第8図の場合と全く同様に
して酸素センサを製造した。
そこで、第2図および第8図により得られた酸
素センサの白金リード線にさらにニツケルリード
線を溶接により接合し、アルミナ保護管に固定し
て評価試験をおこなつた。
素センサの白金リード線にさらにニツケルリード
線を溶接により接合し、アルミナ保護管に固定し
て評価試験をおこなつた。
評価試験としては、第2図および第8図に示す
酸素センサの積層面が排ガス流に向くようにして
空燃比が13.5の排ガスを流し、該排ガスの温度が
500〜600℃の範囲で変化するようにした。また、
両酸素センサの基準側電子伝導性層6,36およ
び測定側電子伝導性層8,38間にそれぞれ5μ
Aの一定直流電流を流して連続した出力電圧が得
られるようにし、さらに各発熱用導電体層2,1
2に通電することにより素子表面が600℃に保持
されるように制御した。その結果を第10図に示
す。第10図から明らかなように、本発明のもの
では発熱用導電体12による温度制御が良好にお
こなわれているため、出力電圧は排ガス温度の変
動にほそんど左右されることがない。一方、従来
のものでは発熱用導電体2による温度制御が十分
におこなわれないため排ガス温度の変動に大きく
左右され、排ガス温度が低下した場合に固体電解
質層7の温度も低下して出力電圧が低くなり、本
発明のものがよりすぐれていることが明らかであ
る。
酸素センサの積層面が排ガス流に向くようにして
空燃比が13.5の排ガスを流し、該排ガスの温度が
500〜600℃の範囲で変化するようにした。また、
両酸素センサの基準側電子伝導性層6,36およ
び測定側電子伝導性層8,38間にそれぞれ5μ
Aの一定直流電流を流して連続した出力電圧が得
られるようにし、さらに各発熱用導電体層2,1
2に通電することにより素子表面が600℃に保持
されるように制御した。その結果を第10図に示
す。第10図から明らかなように、本発明のもの
では発熱用導電体12による温度制御が良好にお
こなわれているため、出力電圧は排ガス温度の変
動にほそんど左右されることがない。一方、従来
のものでは発熱用導電体2による温度制御が十分
におこなわれないため排ガス温度の変動に大きく
左右され、排ガス温度が低下した場合に固体電解
質層7の温度も低下して出力電圧が低くなり、本
発明のものがよりすぐれていることが明らかであ
る。
適用例 2
本発明により製造した第4図〜第6図に示すリ
ード線が基板中に埋設されたガスセンサ用基板を
用いて酸化物半導体であるCoOによる酸素センサ
を製造した。
ード線が基板中に埋設されたガスセンサ用基板を
用いて酸化物半導体であるCoOによる酸素センサ
を製造した。
すなわち、第4図dに示すガスセンサ用基板1
5上に、第11図aに斜線で示すように白金ペー
ストを印刷し、100℃×1時間で乾燥したのち
1350℃×1時の大気中焼成をおこなつて2つの電
子伝導性層46,48を形成し、さらにその上に
第11図bに斜線で示すようにCo粉末とラツカ
ーとを重量比で1:1で混合して練りあわせた
Coペーストを印刷し、100℃×1時間の乾燥およ
び1200℃×1時間の焼成をおこなつてCoO層47
を積層した。
5上に、第11図aに斜線で示すように白金ペー
ストを印刷し、100℃×1時間で乾燥したのち
1350℃×1時の大気中焼成をおこなつて2つの電
子伝導性層46,48を形成し、さらにその上に
第11図bに斜線で示すようにCo粉末とラツカ
ーとを重量比で1:1で混合して練りあわせた
Coペーストを印刷し、100℃×1時間の乾燥およ
び1200℃×1時間の焼成をおこなつてCoO層47
を積層した。
そこで、上記酸素センサの両電子伝導性層4
6,48間の電気抵抗を検出しつつ、さらに発熱
用導電体層12に流し込む電流を制御して素子表
面の温度を550℃に保持した状態で空燃比特性を
測定した。その結果を第12図に示す。この場合
に理論空燃比付近でのCoO電気抵抗の大幅な変化
を利用したオン−オフ特性を得ることができると
共に、発熱用導電体層12上に積層した絶縁体薄
膜層16,電子伝導性層46および48,CoO層
47がいずれも薄膜から形成されているため、導
電体層12による温度制御効果を著しく高めるこ
とができると同時に排ガス温度の変化に対する応
答性にも非常にすぐれたものを得ることができ
た。
6,48間の電気抵抗を検出しつつ、さらに発熱
用導電体層12に流し込む電流を制御して素子表
面の温度を550℃に保持した状態で空燃比特性を
測定した。その結果を第12図に示す。この場合
に理論空燃比付近でのCoO電気抵抗の大幅な変化
を利用したオン−オフ特性を得ることができると
共に、発熱用導電体層12上に積層した絶縁体薄
膜層16,電子伝導性層46および48,CoO層
47がいずれも薄膜から形成されているため、導
電体層12による温度制御効果を著しく高めるこ
とができると同時に排ガス温度の変化に対する応
答性にも非常にすぐれたものを得ることができ
た。
比較例 3
前記適用例2において製造したCoO酸素センサ
と、第1図に示す従来のガスセンサ用基板5を用
いて適用例2と同様に製造したCoO酸素センサと
について、排ガス温度により影響を調べた。ここ
では、素子表面の温度が550℃の一定に保持され
るようにそれぞれの導電体層12および2の温度
制御をおこない、排ガス温度の変化によりCoOの
電気抵抗がどのように変化するかを測定した。そ
の結果を第13図に示す。なお、この場合、排ガ
スとして燃料過剰ガスを用いたときの電気抵抗を
測定している。
と、第1図に示す従来のガスセンサ用基板5を用
いて適用例2と同様に製造したCoO酸素センサと
について、排ガス温度により影響を調べた。ここ
では、素子表面の温度が550℃の一定に保持され
るようにそれぞれの導電体層12および2の温度
制御をおこない、排ガス温度の変化によりCoOの
電気抵抗がどのように変化するかを測定した。そ
の結果を第13図に示す。なお、この場合、排ガ
スとして燃料過剰ガスを用いたときの電気抵抗を
測定している。
第13図から明らかなように、従来品では発熱
用導電体層2による温度制御が十分でないため、
排ガス温度の変化ともにCoO層の温度も大きく変
化し、電気抵抗もそれにつれて大きく変動してい
ることがわかる。一方、本発明法による製品では
発熱用導電体層12による温度制御を十分におこ
なうことができ、たとえば排ガス温度が低下した
場合にただちに導電体層12の温度も低下しよう
とするため、そのときの導電体層12の抵抗値変
化に呼応して発熱用の電流が印加され、排ガス温
度が低下したときでもCoO層47の温度が一定に
なるように制御されるので電気抵抗の変化がきわ
めて小さなものとなり、排ガス温度の変動にほと
んど左右されない酸素濃度の測定が可能となる。
用導電体層2による温度制御が十分でないため、
排ガス温度の変化ともにCoO層の温度も大きく変
化し、電気抵抗もそれにつれて大きく変動してい
ることがわかる。一方、本発明法による製品では
発熱用導電体層12による温度制御を十分におこ
なうことができ、たとえば排ガス温度が低下した
場合にただちに導電体層12の温度も低下しよう
とするため、そのときの導電体層12の抵抗値変
化に呼応して発熱用の電流が印加され、排ガス温
度が低下したときでもCoO層47の温度が一定に
なるように制御されるので電気抵抗の変化がきわ
めて小さなものとなり、排ガス温度の変動にほと
んど左右されない酸素濃度の測定が可能となる。
以上のように、本発明によれば、発熱用導電体
層の熱応答性を著しく高めることができるため、
雰囲気温度の変化に対する発熱用導電体層の温度
制御作動を非常に迅速かつ正確におこなわせるこ
とができ、このようなガスセンサ用基板を用いた
ガスセンサ素子の作動特性の安定化ならびに信頼
性の著しい向上をもたらすことができると同時
に、各リード線の先端部分は製造時に絶縁基板素
材ではさまれて貫通孔を介して発熱用導電体層お
よびガスセンサ本体と電気的に接続するようにし
ているため、リード線と絶縁基板との接合強度を
著しく高いものとすることができ、とくに自動車
エンジン部品などのような高熱でかつ振動の激し
い用途にも適したものであるという非常にすぐれ
た効果を有する。
層の熱応答性を著しく高めることができるため、
雰囲気温度の変化に対する発熱用導電体層の温度
制御作動を非常に迅速かつ正確におこなわせるこ
とができ、このようなガスセンサ用基板を用いた
ガスセンサ素子の作動特性の安定化ならびに信頼
性の著しい向上をもたらすことができると同時
に、各リード線の先端部分は製造時に絶縁基板素
材ではさまれて貫通孔を介して発熱用導電体層お
よびガスセンサ本体と電気的に接続するようにし
ているため、リード線と絶縁基板との接合強度を
著しく高いものとすることができ、とくに自動車
エンジン部品などのような高熱でかつ振動の激し
い用途にも適したものであるという非常にすぐれ
た効果を有する。
第1図a〜dは本発明者等が実施した従来のガ
スセンサ用基板の製造工程を示す説明図、第2図
a〜cは従来のガスセンサ用基板を用いた酸素セ
ンサの製造工程を示す説明図、第3図は第2図c
のA−A線断面図、第4図a〜dは本発明の一実
施例におけるガスセンサ用基板の製造工程を示す
説明図、第5図および第6図は第4図dのそれぞ
れB−B線断面図およびC−C線断面図、第7図
はガスセンサ用基板の加熱時間と表面温度との関
係を示すグラフ、第8図a〜cは第4図に示すガ
スセンサ用基板を用いた酸素センサの製造工程を
示す説明図、第9図は第8図cのD−D線断面
図、第10図は排ガス温度の変化と出力電圧の変
化との関連を示すグラフ、第11図a,bは第4
図に示すガスセンサ用基板を用いたCoO酸素セン
サの製造工程を示す説明図、第12図は空燃比と
CoOの電気抵抗との関係を示すグラフ、第13図
は排ガス温度の変化によるCoOの電気抵抗の変化
を説明するグラフである。 10……絶縁基板、11,14……絶縁基板素
材、12………発熱用導電体層、13a〜13c
……リード線、14a〜14c……貫通孔、15
……ガスセンサ用基板、16……絶縁体薄膜層。
スセンサ用基板の製造工程を示す説明図、第2図
a〜cは従来のガスセンサ用基板を用いた酸素セ
ンサの製造工程を示す説明図、第3図は第2図c
のA−A線断面図、第4図a〜dは本発明の一実
施例におけるガスセンサ用基板の製造工程を示す
説明図、第5図および第6図は第4図dのそれぞ
れB−B線断面図およびC−C線断面図、第7図
はガスセンサ用基板の加熱時間と表面温度との関
係を示すグラフ、第8図a〜cは第4図に示すガ
スセンサ用基板を用いた酸素センサの製造工程を
示す説明図、第9図は第8図cのD−D線断面
図、第10図は排ガス温度の変化と出力電圧の変
化との関連を示すグラフ、第11図a,bは第4
図に示すガスセンサ用基板を用いたCoO酸素セン
サの製造工程を示す説明図、第12図は空燃比と
CoOの電気抵抗との関係を示すグラフ、第13図
は排ガス温度の変化によるCoOの電気抵抗の変化
を説明するグラフである。 10……絶縁基板、11,14……絶縁基板素
材、12………発熱用導電体層、13a〜13c
……リード線、14a〜14c……貫通孔、15
……ガスセンサ用基板、16……絶縁体薄膜層。
Claims (1)
- 1 一方の絶縁基板素材と、複数の貫通孔を有す
る他方の絶縁基板素材とを、前記貫通孔に発熱用
導電体層用リード線およびガスセンサ本体用リー
ド線の各先端部分を位置させて当該リード線をは
さんだ状態で重ね合わせて絶縁基板を作成し、前
記構造基体としての強度を保持しかつ各リード線
の先端部分を埋設した絶縁基板上に発熱用導電体
層を形成したのち、さらにその上に絶縁体薄膜層
を積層し、前記発熱用導電体層と前記発熱用導電
体層用リード線とを前記貫通孔の一部を介して電
気的に接続すると共に、前記ガスセンサ本体用リ
ード線を前記貫通孔の一部を介してガスセンサ本
体と電気的に接続可能な構成としたことを特徴と
するガスセンサ用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6102579A JPS55154451A (en) | 1979-05-19 | 1979-05-19 | Production of substrate for gas sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6102579A JPS55154451A (en) | 1979-05-19 | 1979-05-19 | Production of substrate for gas sensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55154451A JPS55154451A (en) | 1980-12-02 |
JPS6138411B2 true JPS6138411B2 (ja) | 1986-08-29 |
Family
ID=13159344
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6102579A Granted JPS55154451A (en) | 1979-05-19 | 1979-05-19 | Production of substrate for gas sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS55154451A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57118149A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-22 | Nissan Motor Co Ltd | Substrate structure for gas sensor |
JPH0646189B2 (ja) * | 1985-01-25 | 1994-06-15 | 株式会社日立製作所 | 酸素濃度センサ |
JP3774058B2 (ja) * | 1998-03-20 | 2006-05-10 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミック基板の製造方法 |
JP3673501B2 (ja) * | 2002-02-05 | 2005-07-20 | 京セラ株式会社 | 酸素センサ素子 |
JP6819163B2 (ja) * | 2016-09-12 | 2021-01-27 | 株式会社デンソーウェーブ | 絶縁型信号伝達装置、電子機器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5184294A (ja) * | 1975-01-20 | 1976-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Gasukannososhi |
JPS51124994A (en) * | 1975-04-24 | 1976-10-30 | Soudenshiya:Kk | Element for detecting gas |
-
1979
- 1979-05-19 JP JP6102579A patent/JPS55154451A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5184294A (ja) * | 1975-01-20 | 1976-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Gasukannososhi |
JPS51124994A (en) * | 1975-04-24 | 1976-10-30 | Soudenshiya:Kk | Element for detecting gas |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS55154451A (en) | 1980-12-02 |
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