JPS6136948A - 集積回路装置 - Google Patents

集積回路装置

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Publication number
JPS6136948A
JPS6136948A JP15981784A JP15981784A JPS6136948A JP S6136948 A JPS6136948 A JP S6136948A JP 15981784 A JP15981784 A JP 15981784A JP 15981784 A JP15981784 A JP 15981784A JP S6136948 A JPS6136948 A JP S6136948A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
layer
opening
integrated circuit
wirings
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15981784A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Nakashiba
中柴 洋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP15981784A priority Critical patent/JPS6136948A/ja
Publication of JPS6136948A publication Critical patent/JPS6136948A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/525Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明はモノリシック大規模集積回路装置に関し、と<
VC3層以上の配線層をもったマスタースライス型集積
回路のレイアウト構造に関する。
(従来技術) 近年、大規模化、多様化しつつある論理集積回路におい
てマスタースライス構造を用いることが多い。すなわち
、テ、グ内に論理回路を構成するに十分なトランジスタ
及び抵抗からなるセルが7レイ状に配列された構造を有
するウェハー基板(以下マスク基板という)をメタライ
ゼーショの前の工程迄終了した形で準備しておく。この
メタライゼーション工程においては、アルξ等の金鳥配
線を用いて複数個のセル内の素子を結線し、回路フロッ
クを構成すると共に、さらに回路プロ。
り間の結線を行うこと罠より所望の機能を有するLSI
を構成している。このマスク基板を準備しておくこと罠
より、個々の品種の設計及び製造に資する手間及び時間
は、メタライゼーション工程に係わる部分のみが必要で
あり、初期工程段階から伽々の品種に専用の基板を準備
する場合に比較して、大幅に低減することが出来る。
このマスタスライス型集積回路においては、多様な品種
を実現する為に5回路プロ、り内配線及び回路プロ、り
間配線の為に十分な配、Si領域を設ける必要がある。
例えば、マスタ基板テップに設定する必要のおる回路プ
ロ、り間結線の為の配線通過+314e通路(以下配薯
トラックという)の一方向当りの本数Nとマスタスライ
スが実現しようとする論理回路のゲート数Gとの関係は
次式のように表される。
N=aGb ここで、a、bはマスタスライスの構造及び回路形式!
8#に固有な正の係数であり、bは一般に0.5より大
きい。一方、配線領域の面積は配線に関するデザインル
ールが不変の場合、Nの2乗に比例することから、配線
領域面積のす、グに占める割合はゲート数の増大ととも
に大きくなると言われている。この配線領域面積の増大
に伴うチップサイズの拡大はテッグ夷造における歩留り
の低下、ゲート間配線長の伸長に依る遅延時間の増大を
もたらす。従って、十分なる配線トラック数を確保しつ
つ配線領域面積の増大を防ぐことが萬性能、高集積マス
タースライス実現の為の沖要な条件であると言える。
この条件を満す為Kl’を通常% 2通りのカニが考え
られている。1つは配線幅や配線間隔を微細化する方法
であり、他の1′)は配線層を多/i[する方法である
以下、この多層配線に関して説明する0この多層配線の
配線10間の4通の為に絶縁層Vr設りる開口部(以下
単に=口部という)の形状及び配置がチックM小化の効
果に大きな影4−をもつ。
第2図は従来のマスタースライスブ、グ内の3層からな
る配線相互の結線の様子を示す平面図である。図におい
て、1層配線1から1層と211110の開口部2を介
して2層配線31C,史に2層と3層間の開口部4を介
して3層配線5に電気的に接続されている様子を示して
いる0まだ、11〜19け1層配線1のトラ、り(配線
可能通路)、21〜29は2層配線3のトラック、31
〜36は3層配?a5のトラックを各々示す0通常マス
タスライスにおいては、配線設計の簡単化延いては自動
化のために、第2図に示されるように、配線領域の少く
とも一部分において、配線トラックが一定のピッチで固
定位置に配列される構造を有する。
このビ、テは、許容される配線幅寸法、配線間隔寸法、
開口部寸法及び開口部に対する配線層の被覆寸法等の最
小値によって決定される0第1図において、2層配線の
配線トラ、クビッチは、1層−2層間間口部1が占有す
る2層配線トラック25の隣接2層配線トラック24.
26に2層配線が配置出来るよう設定されている。−′
5.2層−3層間開ロ部4は11WI−2層間間口部に
比較しそのサイズが大きい為に隣接2層配線トラックに
2IiIi配線を配置することが出来ない0従って、図
のように2層配線6.7は、開口部4の近傍で配線トラ
、り23.27に迂回して配置されている。
このようにll舎−2,1間の開口部と2層−3層間の
開口部のサイズに整合性がない場合、2層配線トラ、り
の有効利用が阻げられ、多層化の効果が十分に得られな
いという欠点があった0(発明の目的) 本発明の目的は、このような欠点を除き、多層配線によ
るチ、グ縮小の効果を防げることなく、配線層間の開口
部を耐雪した構造を有する集積回路装置を掃供するとと
Kある。
(発明の構成) 本発明の構1!、は、第1.第2の各絶縁層を向に介し
てそれぞt重畳された第1.第2および第3の配線層を
少くとも有するマスタースライス型集積回路装置におい
て、前記第1および第2の配線層の間にあり前記第1の
絶縁層に設けられた第1の開口部の中心と、前記第2と
第3の配線層の間にある第2の絶縁層に設けられた第2
の開口部の中心が象積回路チ、グの何れかの選民平行な
同一直線上に有り、かつ前記第1と第2の各開口部をそ
ねそれ被う第4.第5の配線層の配線方向の幅がほぼ等
しいととを特徴とする。
(作用) 本発明の構造をとることKより、第1の開口部と第2の
開口部が一直線上にある場合、この直線に平行な第4.
第5の配線層からなる配線を第2の開口部の存在Kt3
げられることなく、設計ルール上許容される間隔迄、第
1の開口部に接近させることが可能となり、第2の配線
層の配線領域が有効に使用されることKなり、多層化の
効果が十分に発揮される。
(実施例) 次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例の平面図である。本実施例は
、第2図と同様K、マスタスライステ。
プ内において少くとも2層配線トラ、りz1〜29が一
定ピッチで固定位置に配置されている領域において、3
層からなる配線が相互に結線される様子を示す。すなわ
ち、1層配線1から1層−2層間の開口部2を介して2
層配線3に、史に21−−31−の開口部4を介して3
層配線5に電気的に接続されている。ここで2層の配線
トラ、り21〜29け、第1の開口部の占有する配線ト
ラックにと隣接した配線トラックに2層配線が配置ti
=J能なように設定されている。一方、第2の開口部2
を被う2層配線の幅も第1の開口部2を被う2層配線の
幅に等しく設定されている。従って、第1の開口部2と
第2の開口部4が配置されている2層配線トラックz5
の隣接トラ、り24.26にも2層配線6.7を、第2
の開口部4に防げられることなく、配置することが可能
となっている。なお、このように配線できるのけ、蕗光
装置などの加工技術の進歩により、微細加工がiJ能と
なったためである。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明1寸、多層の配Il1層を
有するマスタースライス型集積回路において、1つの配
線層の配線から上層及び下層の配置に接続する2種の開
口部を被うその配線の幅を等しくすることにより、これ
ら配線層の配線領域の利用率を高める効果をもたらす。
なお、本発明の適用される配線は、回路プロ、り内また
は回路ブロック間を結ぶ信号配線でも良いし、電源等固
定電位の配線でも良いことは勿論である0
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す平面図、第2図は従来
の半導装置を示す平面図である図において、 1・・・・・・1層配線、2・・・1層−2層開口部、
3゜6.7・・・・・・2層配線、4・・・・・・2層
−3I−開口部、5・・・・・3層配線、II〜19・
・・・・・1層トラック、21〜29・・・・・・2層
トラ、り、31〜36・・・・・3層トラックである。 ゛−−−

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)第1、第2の絶縁層を間に介してそれぞれ重畳さ
    れた第1、第2および第3の配線層を少くとも有するマ
    スタースライス型集積回路装置において、前記第1と第
    2の配線層の間にあり前記第1の絶縁層に設けられた第
    1の開口部の中心と、前記第2と第3の配線層の間にあ
    り前記第2の絶縁層に設けられた第2の開口部の中心が
    集積回路アップの何れかの辺に平行な同一直線上に有り
    、かつ前記第1と第2の各開口部をそれぞれ被う第4、
    第5の各配線層の配線方向の幅がほぼ等しいことを特徴
    とする集積回路装置。
  2. (2)第1および第2の開口部の第4および第5の各配
    線層が、一定の間隔で設定されている配線可能通路領域
    上に配置されている特許請求範囲第1項記載の集積回路
    装置。
JP15981784A 1984-07-30 1984-07-30 集積回路装置 Pending JPS6136948A (ja)

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JP15981784A JPS6136948A (ja) 1984-07-30 1984-07-30 集積回路装置

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JP15981784A JPS6136948A (ja) 1984-07-30 1984-07-30 集積回路装置

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JPS6136948A true JPS6136948A (ja) 1986-02-21

Family

ID=15701892

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JP15981784A Pending JPS6136948A (ja) 1984-07-30 1984-07-30 集積回路装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03105288U (ja) * 1990-02-14 1991-10-31

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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