JPS6134798A - 電荷転送素子の出力信号処理回路 - Google Patents
電荷転送素子の出力信号処理回路Info
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- JPS6134798A JPS6134798A JP15785284A JP15785284A JPS6134798A JP S6134798 A JPS6134798 A JP S6134798A JP 15785284 A JP15785284 A JP 15785284A JP 15785284 A JP15785284 A JP 15785284A JP S6134798 A JPS6134798 A JP S6134798A
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- Japan
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- period
- output signal
- noise
- signal
- signal processing
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/18—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
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- G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
- G11C19/282—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements with charge storage in a depletion layer, i.e. charge coupled devices [CCD]
- G11C19/285—Peripheral circuits, e.g. for writing into the first stage; for reading-out of the last stage
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C27/00—Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
- G11C27/02—Sample-and-hold arrangements
- G11C27/024—Sample-and-hold arrangements using a capacitive memory element
- G11C27/026—Sample-and-hold arrangements using a capacitive memory element associated with an amplifier
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の技術分野〉
本発明は電荷転送素子(以下CTDと称す)の出力信号
処理回路に関し、特にCTDの出力信号に含まれるノイ
ズの低減を図った電荷転送素子の出力信号処理回路に関
するものである。
処理回路に関し、特にCTDの出力信号に含まれるノイ
ズの低減を図った電荷転送素子の出力信号処理回路に関
するものである。
〈発明の技術的背景〉
一般に、電荷結合素子(CCD)やバケツリレー素子(
BBD)などのCTDは、信号を電荷の形で扱い、この
信号電荷を外部より供給されるクロックに同期して転送
する素子である。従ってCTDの出力部は一般に信号電
荷を電圧に変換する検出部と、この変換された電圧を素
子外に取り出すだめの増幅器より構成される。
BBD)などのCTDは、信号を電荷の形で扱い、この
信号電荷を外部より供給されるクロックに同期して転送
する素子である。従ってCTDの出力部は一般に信号電
荷を電圧に変換する検出部と、この変換された電圧を素
子外に取り出すだめの増幅器より構成される。
検出部としては種々の構成のものが知られているが、リ
セットスイッチ付浮遊容量による検出回路が最も一般的
である。即ち、まずリセットスイッチを閉じて浮遊容量
の電位を外部より供給されるリセット電位(VRD)に
設定した後リセットスイッチを開放し、次に信号電荷を
受けて電圧に変換する。この動作を転送周期毎に繰返し
、浮遊容量の電圧変化を増幅器を用いて外部へ取り出す
。
セットスイッチ付浮遊容量による検出回路が最も一般的
である。即ち、まずリセットスイッチを閉じて浮遊容量
の電位を外部より供給されるリセット電位(VRD)に
設定した後リセットスイッチを開放し、次に信号電荷を
受けて電圧に変換する。この動作を転送周期毎に繰返し
、浮遊容量の電圧変化を増幅器を用いて外部へ取り出す
。
ここで通常は第4図に示すようにリセットスイッチとし
てMO8構造のFET 1が用いられ、浮遊容量として
逆バイアスされたpn接合によるダイオード2が用いら
れ、リセット用MO8FETIのゲートにはりセントク
ロック(φR)が印加される○また増幅器はMOS F
ET3.4により構成されたンース・フォロワ回路が一
般的に用いられる。
てMO8構造のFET 1が用いられ、浮遊容量として
逆バイアスされたpn接合によるダイオード2が用いら
れ、リセット用MO8FETIのゲートにはりセントク
ロック(φR)が印加される○また増幅器はMOS F
ET3.4により構成されたンース・フォロワ回路が一
般的に用いられる。
なお、第4図及び以下の説明では基板がp型であり、信
号電荷は電子の場合について扱うが、その逆の極性の場
合についても駆動電圧の極性を反転することにより同様
の説明をすることが可能である。さらに以下ではCCD
の場合について説明するが、BBDの場合にも特性上は
CCDに劣るものの動作に関しては同様に説明すること
が可能である。
号電荷は電子の場合について扱うが、その逆の極性の場
合についても駆動電圧の極性を反転することにより同様
の説明をすることが可能である。さらに以下ではCCD
の場合について説明するが、BBDの場合にも特性上は
CCDに劣るものの動作に関しては同様に説明すること
が可能である。
さてCCDは本質的に低ノイズの素子ではあるが、それ
でもなお信号電荷を生成・注入する入力部、転送部、検
出部及び増幅回路部それぞれにおいて若干ノイズが発生
し、CCDの信号対雑音比(S、/N値)を低下させる
。従って従来よりCCDのS/N値をさらに高めるだめ
の種々の手請が試みられている。特にCCDの出力信号
に対して処理を行なうことは素子外での対応を可能にし
、その例には相関二重サンプリング法(CDS法)とし
て良く知られた手法がある。
でもなお信号電荷を生成・注入する入力部、転送部、検
出部及び増幅回路部それぞれにおいて若干ノイズが発生
し、CCDの信号対雑音比(S、/N値)を低下させる
。従って従来よりCCDのS/N値をさらに高めるだめ
の種々の手請が試みられている。特にCCDの出力信号
に対して処理を行なうことは素子外での対応を可能にし
、その例には相関二重サンプリング法(CDS法)とし
て良く知られた手法がある。
CDS法の動作を第5図に示す。
この第5図において、O8信号は第4図のような出力回
路を持つCCDの出力信号であり、この場合CCDの最
終転送りロックφjが低レベルになる前にリセットクロ
ックφRが低レベルになって、この間の期間に黒レベル
が現われるよう駆動される。なお信号レベルは最終転送
りロックφjが低レベルになってからりセントクロック
φRが高レベルに々るまでの期間中塊われる。
路を持つCCDの出力信号であり、この場合CCDの最
終転送りロックφjが低レベルになる前にリセットクロ
ックφRが低レベルになって、この間の期間に黒レベル
が現われるよう駆動される。なお信号レベルは最終転送
りロックφjが低レベルになってからりセントクロック
φRが高レベルに々るまでの期間中塊われる。
さて、第5図において、O8信号はクラノブ容量(Cc
p)によるAC結合を介した後分岐され、一方はクラン
プスイッチ5へ他方のバッファアンプA1へ導かれる。
p)によるAC結合を介した後分岐され、一方はクラン
プスイッチ5へ他方のバッファアンプA1へ導かれる。
クランプスイッチ5はクランプクロック(Vcp)によ
って開閉され、O8信号を前記黒レベルの期間において
外部クランプ電位(Vcp)にクランプする。こうして
クランプされたO8信号は高入力インピーダンスを持つ
バッファアンプA1を介した後サンプルホールド回路−
\導かれる。即ちまずサンプルホールドクロック(φS
H)により開閉されるサンプルスイッチ6を通り、O8
信号抄前記信号レベル期間内でサンプリング動作を行な
った後、次段のホールド容量(C5H)へ導かれる。ホ
ールド容量C5Hでホールドされた電位は高入力インピ
ーダンスのバッファアンプA2を介して出力信号Vou
tとして取り出される。
って開閉され、O8信号を前記黒レベルの期間において
外部クランプ電位(Vcp)にクランプする。こうして
クランプされたO8信号は高入力インピーダンスを持つ
バッファアンプA1を介した後サンプルホールド回路−
\導かれる。即ちまずサンプルホールドクロック(φS
H)により開閉されるサンプルスイッチ6を通り、O8
信号抄前記信号レベル期間内でサンプリング動作を行な
った後、次段のホールド容量(C5H)へ導かれる。ホ
ールド容量C5Hでホールドされた電位は高入力インピ
ーダンスのバッファアンプA2を介して出力信号Vou
tとして取り出される。
第4図及び第5図において各クロック及び信号のタイミ
ング関係を第6図に示す。
ング関係を第6図に示す。
以上に述べた動作から明らかなように、結局V o u
を信号はO8信号中の信号レベルとその直前の黒レベ
ルとの電位差を転送周期毎に取った信号となる。従って
CCD出力(O8)中の信号値はサンプルホールドされ
た形でそのまま出力されるとともに、O8信号に乗った
ノイズは低域゛側で抑圧され第7図(a)のような応答
になる。ここでτはφcpパルスとφSHパルスの時間
差である。しかしながら実際には上記回路中後段のサン
プリング動作によってf c /2 (即ちナイキスト
周波数fN)以上の高域信号は低域へ折り返され(第7
図(b))、さらにホールド動作により周波数特性を持
って、結局第7図(c)のような応答特性となる。従っ
てもしO8信号においてfc付近のノイズレベルが高い
と低域側へ折り返されるから、CDS法を採用したにも
かかわらず低域ノイズは低減されないことになる。
を信号はO8信号中の信号レベルとその直前の黒レベ
ルとの電位差を転送周期毎に取った信号となる。従って
CCD出力(O8)中の信号値はサンプルホールドされ
た形でそのまま出力されるとともに、O8信号に乗った
ノイズは低域゛側で抑圧され第7図(a)のような応答
になる。ここでτはφcpパルスとφSHパルスの時間
差である。しかしながら実際には上記回路中後段のサン
プリング動作によってf c /2 (即ちナイキスト
周波数fN)以上の高域信号は低域へ折り返され(第7
図(b))、さらにホールド動作により周波数特性を持
って、結局第7図(c)のような応答特性となる。従っ
てもしO8信号においてfc付近のノイズレベルが高い
と低域側へ折り返されるから、CDS法を採用したにも
かかわらず低域ノイズは低減されないことになる。
この対策として例えば、O8信号を低域通過フィルタ(
LPF)に通し、fc付近及びそれより高域の応答を低
くすることが考えられる。しかしながらこの場合第6図
のO8信号の形状より明らかなように、fc付近での応
答低下はそのま呼信号レーベルでの低下となって、結局
S/N値の向上にはならない。
LPF)に通し、fc付近及びそれより高域の応答を低
くすることが考えられる。しかしながらこの場合第6図
のO8信号の形状より明らかなように、fc付近での応
答低下はそのま呼信号レーベルでの低下となって、結局
S/N値の向上にはならない。
〈発明の目的〉
本発明は以上のような問題点に鑑みて成されたものであ
り、信号レベルの低下をほとんどもたらすことなく、f
c付近のノイズを大幅に低下することを可能にし、従っ
て低域へ折り返されるノイズを大幅に低下せしめること
を可能にした電荷転送素子の出力信号処理回路を提供す
ることを目的とし、この目的を達成するため、本発明は
一転送周期毎に黒レベルと信号レベルを形成する電荷検
出部を有し、上記の黒レベルでクランプした後、信号レ
ベルでサンプリングするクランプ手段及びサンプリング
手段の付加された電荷転送素子の出力信号処理回路にお
いて、上記のクランプ手段とサンプリング手段の間、も
しくはクランプ手段の前に積分平均手段を備え、この積
分平均手段の積分平均期間を各転送周期内で上記信号レ
ベル期間を含んだ充分長い期間に設定して、高域ノイズ
を抑圧して低域へ折り返される成分を低減せしめるよう
に成されている。
り、信号レベルの低下をほとんどもたらすことなく、f
c付近のノイズを大幅に低下することを可能にし、従っ
て低域へ折り返されるノイズを大幅に低下せしめること
を可能にした電荷転送素子の出力信号処理回路を提供す
ることを目的とし、この目的を達成するため、本発明は
一転送周期毎に黒レベルと信号レベルを形成する電荷検
出部を有し、上記の黒レベルでクランプした後、信号レ
ベルでサンプリングするクランプ手段及びサンプリング
手段の付加された電荷転送素子の出力信号処理回路にお
いて、上記のクランプ手段とサンプリング手段の間、も
しくはクランプ手段の前に積分平均手段を備え、この積
分平均手段の積分平均期間を各転送周期内で上記信号レ
ベル期間を含んだ充分長い期間に設定して、高域ノイズ
を抑圧して低域へ折り返される成分を低減せしめるよう
に成されている。
〈発明の実施例〉
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
第1図は本発明の動作概念を説明するだめの図であり、
同図(a)は積分平均の開口幅をポー同図(b)は同図
(a)の処理をした場合の周波数応答を示し、同図(c
)は同図(b)の関係を上記した第7図(c)の場合に
適用したときのノイズの周波数応答を示したものである
。
同図(a)は積分平均の開口幅をポー同図(b)は同図
(a)の処理をした場合の周波数応答を示し、同図(c
)は同図(b)の関係を上記した第7図(c)の場合に
適用したときのノイズの周波数応答を示したものである
。
寸ず第1図(a)に示すように時間軸tに対し開口幅T
APを持つアパーチャ回路を考える。即ちこの回路では
開口幅TAP内の時間変動信号の積分平均操作を行なう
。この場合の周波数特性は第1図(a)の波形をフーリ
エ変換することにより容易に求められ、第1図(b)の
ような特性となる。即ち応答間及びその整数倍の周波数
で応答がOとなるLPF様の特性となる。以上の特性か
ら開口幅TAPをまノイズの高域成分を除去することが
可能となる。
APを持つアパーチャ回路を考える。即ちこの回路では
開口幅TAP内の時間変動信号の積分平均操作を行なう
。この場合の周波数特性は第1図(a)の波形をフーリ
エ変換することにより容易に求められ、第1図(b)の
ような特性となる。即ち応答間及びその整数倍の周波数
で応答がOとなるLPF様の特性となる。以上の特性か
ら開口幅TAPをまノイズの高域成分を除去することが
可能となる。
従って前記CDS法と組合わせれば低域へ折り返される
ノイズ成分を大幅に抑圧することが可能となる。それを
第1図(c)に示す。
ノイズ成分を大幅に抑圧することが可能となる。それを
第1図(c)に示す。
第2図は以上の関係を示すタイミング図である。
この第2図において、まず第6図と同様にして得られる
O8信号のうち、黒レベル期間でパルスφCPによりク
ランプする。このクランプされだ信号は信号レベル期間
を含む十分長い期間TAPにわたりパルスφAPにより
積分平均された後、次の積分平均期間までの間保持され
る。こうして保持されだ一転送周期毎の積分平均値はパ
ルスφSHによりサンプルホールドされ、第1図(C)
に示すノイズ応答特性の信号Voutが出力される。
O8信号のうち、黒レベル期間でパルスφCPによりク
ランプする。このクランプされだ信号は信号レベル期間
を含む十分長い期間TAPにわたりパルスφAPにより
積分平均された後、次の積分平均期間までの間保持され
る。こうして保持されだ一転送周期毎の積分平均値はパ
ルスφSHによりサンプルホールドされ、第1図(C)
に示すノイズ応答特性の信号Voutが出力される。
第1図(b)より明らかなように、期間TAPが転送周
期1/fcに近い程fcでのノイズ応答は低くなる。従
って期間TAPは転送周期内で、できる限シ長い程良い
。
期1/fcに近い程fcでのノイズ応答は低くなる。従
って期間TAPは転送周期内で、できる限シ長い程良い
。
一方、期間TAPが信号レベル期間より長くなると積分
平均された信号値は小さくなる。従って信号レベル期間
も転送周期内でできる限り長い程良い。そのため第6図
より明らかなように、パルスφRの高レベル期間、即ち
リセットスイッチの閉期間は極力短くし、まだφRの立
下りからφJの立下Vtでの黒レベル期間もφCPによ
るクランプが可能な範囲内で極力短くするのが望ましい
。
平均された信号値は小さくなる。従って信号レベル期間
も転送周期内でできる限り長い程良い。そのため第6図
より明らかなように、パルスφRの高レベル期間、即ち
リセットスイッチの閉期間は極力短くし、まだφRの立
下りからφJの立下Vtでの黒レベル期間もφCPによ
るクランプが可能な範囲内で極力短くするのが望ましい
。
第3図は第2図の動作を実施するだめの本発明の一実施
例としての回路ブロック図を示したものである。第3図
において、第4図のような回路により得られだCCD出
力信号O8は第5図前半部同様のクランプ回路11を経
た後、積分平均回路12へ導かれる。即ちパルスφAP
により転送周期毎にTAP期間だけ閉じられるスイッチ
21を介して抵抗RAPと容量CAPで構成される積分
回路22へ導かれる。積分時定数τAp=RAr”CA
pの値はTAPとの関係により定められる。この回路は
サンプルホールド回路ともなっており、TAP期間積分
平均された信号は次に積分平均を開始するまでの期間容
量CAPに保持される。こうして得られた信号は入力イ
ンピーダンスの高いバッフ7アンプA3を介して最終段
のサンプルホールド回路13へ導かれる。サンプルホー
ルド回路は第5図後半部の場合と同様の構成であるが、
パルスφSHのタイミングは前段回路において積分平均
値が保持されている期間でサンプリングする点が異なる
。
例としての回路ブロック図を示したものである。第3図
において、第4図のような回路により得られだCCD出
力信号O8は第5図前半部同様のクランプ回路11を経
た後、積分平均回路12へ導かれる。即ちパルスφAP
により転送周期毎にTAP期間だけ閉じられるスイッチ
21を介して抵抗RAPと容量CAPで構成される積分
回路22へ導かれる。積分時定数τAp=RAr”CA
pの値はTAPとの関係により定められる。この回路は
サンプルホールド回路ともなっており、TAP期間積分
平均された信号は次に積分平均を開始するまでの期間容
量CAPに保持される。こうして得られた信号は入力イ
ンピーダンスの高いバッフ7アンプA3を介して最終段
のサンプルホールド回路13へ導かれる。サンプルホー
ルド回路は第5図後半部の場合と同様の構成であるが、
パルスφSHのタイミングは前段回路において積分平均
値が保持されている期間でサンプリングする点が異なる
。
なお、第2図及び第3図においては積分平均回路12を
クランプ回路11とサンプルホールド回路13の間に挿
入した場合について述べだが、別の構成でも可能である
。例えば積分平均回路12が、O8信号中信号レベル期
間で積分平均した後にその積分平均信号と未処理の黒レ
ベル信号とを転送周期毎に存在せしめるような回路構成
であるならば、積分平均回路→クランプ回路→サンプル
ホールド回路としても第2図及び第3図の場合と全く同
様の特性が得られることは明らかである。
クランプ回路11とサンプルホールド回路13の間に挿
入した場合について述べだが、別の構成でも可能である
。例えば積分平均回路12が、O8信号中信号レベル期
間で積分平均した後にその積分平均信号と未処理の黒レ
ベル信号とを転送周期毎に存在せしめるような回路構成
であるならば、積分平均回路→クランプ回路→サンプル
ホールド回路としても第2図及び第3図の場合と全く同
様の特性が得られることは明らかである。
要するに本発明の特徴は、黒レベルでクランプ動作を行
なうことと、信号レベルで積分平均を取った後サンプル
ホールド動作を行なうこととを、組合せることにある。
なうことと、信号レベルで積分平均を取った後サンプル
ホールド動作を行なうこととを、組合せることにある。
〈発明の効果〉
以上述べてきたように、本発明によれば電荷転送素子の
出力信号処理回路の一部に簡単な積分平均手段を付加す
るのみで、高域ノイズ及びそれが低域へ折り返されるノ
イズを大幅に低減することが可能となる。
出力信号処理回路の一部に簡単な積分平均手段を付加す
るのみで、高域ノイズ及びそれが低域へ折り返されるノ
イズを大幅に低減することが可能となる。
第1図は本発明の動作概念を示しだ図で、(a)は積分
平均の開口幅、(b)は(a)の処理をした場合の周波
数応答、(C)は(b)の関係を第7図(c)の場合に
適用したときのノイズの周波数応答を示し、第2図は本
発明の動作タイミング図、第3図は第2図の動作を実施
するための本発明の一実施例としての回路ブロック図を
それぞれ示し、 第4図は一般的な電荷転送素子の出力回路、第5図は従
来のノイズ低減回路、第6図は第5図の動作タイミング
図、第7図は第5図及び第6図の場合におけるノイズの
周波数応答を示す図で、(a)はτなる時間間隔を持つ
信号間で差を取った場合、(b)は(a)の信号をfc
でサンプリングした場合、(c)は(b)の信号をさら
にホールドした場合を示す図である0 11・・・クランプ回路、12・・・積分平均回路、1
3・サンプルホールド回路、21・・クランプスイッチ
。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)第2図 第3図 第4図 φ町 第6図
平均の開口幅、(b)は(a)の処理をした場合の周波
数応答、(C)は(b)の関係を第7図(c)の場合に
適用したときのノイズの周波数応答を示し、第2図は本
発明の動作タイミング図、第3図は第2図の動作を実施
するための本発明の一実施例としての回路ブロック図を
それぞれ示し、 第4図は一般的な電荷転送素子の出力回路、第5図は従
来のノイズ低減回路、第6図は第5図の動作タイミング
図、第7図は第5図及び第6図の場合におけるノイズの
周波数応答を示す図で、(a)はτなる時間間隔を持つ
信号間で差を取った場合、(b)は(a)の信号をfc
でサンプリングした場合、(c)は(b)の信号をさら
にホールドした場合を示す図である0 11・・・クランプ回路、12・・・積分平均回路、1
3・サンプルホールド回路、21・・クランプスイッチ
。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)第2図 第3図 第4図 φ町 第6図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一転送周期毎に黒レベルと信号レベルを形成する電
荷検出部を有し、上記黒レベルでクランプした後、信号
レベルでサプリングするクランプ手段及びサンプリング
手段の付加された電荷転送素子の出力信号処理回路にお
いて、 上記サンプリング手段の前段に積分平均手段を備え、該
積分平均手段の積分平均期間を各転送周期内で上記信号
レベル期間を含んだ充分長い期間に設定されて成り、 高域ノイズを抑圧して低域へ折り返される成分を低減せ
しめるように成したことを特徴とする電荷転送素子の出
力信号処理回路。 2、前記積分平均手段はサンプリング手段の前段である
上記クランプ手段の前に設けられて成ることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の電荷転送素子の出力信号
処理回路。 3、前記積分平均手段はサンプリング手段の前段である
上記クランプ手段とサンプリング手段の間に挿入されて
成ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電荷
転送素子の出力信号処理回路。 4、前記電荷検出部はリセットスイッチ付浮遊容量構造
に構成され、該リセットスイッチの閉期間を一転送周期
に比して短く、かつ上記リセットスイッチが開いてから
上記浮遊容量へ信号電荷が転送され始めるまでの期間を
短くすることにより、前記信号レベル期間を充分長くし
て、前記積分平均手段による信号の積分平均値を充分大
きくせしめるように成したことを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の電荷転送素子の出力信号処理回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15785284A JPS6134798A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 電荷転送素子の出力信号処理回路 |
| US06/757,176 US4886986A (en) | 1984-07-25 | 1985-07-22 | Output signal processor circuit of charge transfer device |
| DE8585305306T DE3585397D1 (de) | 1984-07-25 | 1985-07-25 | Ausgangssignalprozessorschaltung einer ladungsgekoppelten anordnung. |
| EP85305306A EP0169740B1 (en) | 1984-07-25 | 1985-07-25 | Output signal processor circuit of charge transfer device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15785284A JPS6134798A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 電荷転送素子の出力信号処理回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6134798A true JPS6134798A (ja) | 1986-02-19 |
| JPH0313678B2 JPH0313678B2 (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=15658776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15785284A Granted JPS6134798A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 電荷転送素子の出力信号処理回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4886986A (ja) |
| EP (1) | EP0169740B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6134798A (ja) |
| DE (1) | DE3585397D1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62213484A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-19 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置の信号読み出し装置 |
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