JPS63180277A - 固体撮像装置における出力回路 - Google Patents
固体撮像装置における出力回路Info
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- JPS63180277A JPS63180277A JP62011356A JP1135687A JPS63180277A JP S63180277 A JPS63180277 A JP S63180277A JP 62011356 A JP62011356 A JP 62011356A JP 1135687 A JP1135687 A JP 1135687A JP S63180277 A JPS63180277 A JP S63180277A
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 23
- 230000006870 function Effects 0.000 abstract description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C27/00—Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
- G11C27/02—Sample-and-hold arrangements
- G11C27/024—Sample-and-hold arrangements using a capacitive memory element
- G11C27/026—Sample-and-hold arrangements using a capacitive memory element associated with an amplifier
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C27/00—Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
- G11C27/04—Shift registers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明は、C0D(を萄結合デバイス)等の固体撮像装
置の信号出力部分に設けられる固体撮像装置における出
力回路に関する。
置の信号出力部分に設けられる固体撮像装置における出
力回路に関する。
B0発明の概要
固体撮像装置の信号出力部分に設けられる固体ti像装
置の出力回路において、増幅回路の少な(とも一方の端
子にDCCレベル一定で利得が略1となるバッファ回路
を接続することにより、低電圧下においても十分に動作
させ、且つ回路設計等の容易な構成とするものである。
置の出力回路において、増幅回路の少な(とも一方の端
子にDCCレベル一定で利得が略1となるバッファ回路
を接続することにより、低電圧下においても十分に動作
させ、且つ回路設計等の容易な構成とするものである。
C0従来の技術
一般に、CCD等の固体撮像装置の回路構成においては
、所定の増幅機能を有した増幅回路がその出力部に設け
られている。
、所定の増幅機能を有した増幅回路がその出力部に設け
られている。
第8図及び第9図は従来の固体撮像装置における出力回
路をそれぞれ示しており、第8図の例は、インバータ回
路構成の例であり、第9図の例はソースフォロワア回路
構成の例である。ここで、これらの出力回路について各
図を参照しながら簡単に説明する。
路をそれぞれ示しており、第8図の例は、インバータ回
路構成の例であり、第9図の例はソースフォロワア回路
構成の例である。ここで、これらの出力回路について各
図を参照しながら簡単に説明する。
先ず、第8図の出力回路は、MOS)ランリスタ81と
MOS)ランリスタ82とで構成されており、入力信号
はMOSトランジスタ82のゲートに人力して、能動負
荷となるようにゲートとドレインが接続されたMOSト
ランジスタ81と上記MO3)ランリスタ82のドレイ
ンとの接続点から出力信号が取り出されるようなインバ
ータ回路構成となっている。
MOS)ランリスタ82とで構成されており、入力信号
はMOSトランジスタ82のゲートに人力して、能動負
荷となるようにゲートとドレインが接続されたMOSト
ランジスタ81と上記MO3)ランリスタ82のドレイ
ンとの接続点から出力信号が取り出されるようなインバ
ータ回路構成となっている。
次に、第9図の出力回路は、MOS)ランリスタ91と
MOS)ランリスタ92とで構成されており、入力信号
は上記MOSトランジスタ91のゲートに入力し、その
MOS)ランリスタ91のソースから出力信号が取り出
されるソースフォロワア回路構成となっている。
MOS)ランリスタ92とで構成されており、入力信号
は上記MOSトランジスタ91のゲートに入力し、その
MOS)ランリスタ91のソースから出力信号が取り出
されるソースフォロワア回路構成となっている。
D0発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上述のようなインバータ回路構成の出力
回路や、ソースフォロワア回路構成の出力回路では、次
のような問題点を有することになる。
回路や、ソースフォロワア回路構成の出力回路では、次
のような問題点を有することになる。
まず第1に、従来の出力回路では、DCレベルの変動が
伴うことになる。即ち、入力DCCレベル出力DCレベ
ルと一致せず、これら出力回路にローパスフィルター(
LPF)回路やサンプルホールド(S/H)回路等を組
み合わせて行った場合には、このDCレベルの変動によ
って、電源電圧を高くする必要が生じ、また、回路設計
も複雑化することになる。
伴うことになる。即ち、入力DCCレベル出力DCレベ
ルと一致せず、これら出力回路にローパスフィルター(
LPF)回路やサンプルホールド(S/H)回路等を組
み合わせて行った場合には、このDCレベルの変動によ
って、電源電圧を高くする必要が生じ、また、回路設計
も複雑化することになる。
第2に、ソースフォロワア回路構成の出力回路にあって
は、その利得がOdB以下であり、多段に接続した場合
に利得は更に小さくなる。
は、その利得がOdB以下であり、多段に接続した場合
に利得は更に小さくなる。
第3に、インバータ回路構成の出力回路にあっては、製
造プロセスの条件に左右され、闇値電圧の変動等の問題
があり、闇値電圧が変動した場合には正確な動作を行う
ことが困難となる。
造プロセスの条件に左右され、闇値電圧の変動等の問題
があり、闇値電圧が変動した場合には正確な動作を行う
ことが困難となる。
最後に、従来、COD等の固体撮像装置の扱う信号はア
ナログ信号であり、MOS)ランリスタを多用したメモ
リ等の半導体装置と比較して高め電源電圧を使用し十分
な動作を確保することが行われていたが、最近の低電圧
化の傾向からCCD等の固体I最像装置においてもメモ
リ同様な低い電圧で駆動することが要求されている。こ
のような低電圧化を図った場合には、特にレベル上のマ
ージンが小さくなって、上述の如きDCレベルの変動等
によっては正確な動作を行うことが困難となり、また、
その回路設計も容易でない。
ナログ信号であり、MOS)ランリスタを多用したメモ
リ等の半導体装置と比較して高め電源電圧を使用し十分
な動作を確保することが行われていたが、最近の低電圧
化の傾向からCCD等の固体I最像装置においてもメモ
リ同様な低い電圧で駆動することが要求されている。こ
のような低電圧化を図った場合には、特にレベル上のマ
ージンが小さくなって、上述の如きDCレベルの変動等
によっては正確な動作を行うことが困難となり、また、
その回路設計も容易でない。
そこで、本発明は上述の問題点に鑑み、低電圧下におい
ても十分に動作し且つ回路設計等も容易に行うことがで
き、また、製造上のばらつきにも強い構成の固体撮像装
置における出力回路の提供を目的とする。
ても十分に動作し且つ回路設計等も容易に行うことがで
き、また、製造上のばらつきにも強い構成の固体撮像装
置における出力回路の提供を目的とする。
E0問題点を解決するための手段
本発明は、増幅回路と、該増幅回路の入出力側の少なく
とも一方に接続されDCレベルが一定で利得が略lとな
るバッファ回路とを有してなる固体撮像装置における出
力回路により上述の問題点を解決する。
とも一方に接続されDCレベルが一定で利得が略lとな
るバッファ回路とを有してなる固体撮像装置における出
力回路により上述の問題点を解決する。
ここで、上記増幅回路は、インバータ回路やソースフォ
ロワア回路を用いることができる。また、上述のような
バッファ回路としては、オペアンプとインバータ若しく
はソースフォロワアを組み合わせ、そのインバータ(ソ
ースフォロワア)の出力がオペアンプに帰還(負帰還)
される回路構成の所謂バートン回路を用いることができ
る。
ロワア回路を用いることができる。また、上述のような
バッファ回路としては、オペアンプとインバータ若しく
はソースフォロワアを組み合わせ、そのインバータ(ソ
ースフォロワア)の出力がオペアンプに帰還(負帰還)
される回路構成の所謂バートン回路を用いることができ
る。
F0作用
DC,レベルが一定で利得が略1となるバッファ回路を
増幅回路と接続して行くことで、出力回路の各部におけ
るレベルの上下変動を抑えることができ、単一のDCレ
ベルを基準にして容易に回路設計を行うことが可能とな
って、特に低電圧化を図った場合や出力回路の一部にサ
ンプルホールド回路やローパスフィルター回路等を組み
込んだ場合に有効である。
増幅回路と接続して行くことで、出力回路の各部におけ
るレベルの上下変動を抑えることができ、単一のDCレ
ベルを基準にして容易に回路設計を行うことが可能とな
って、特に低電圧化を図った場合や出力回路の一部にサ
ンプルホールド回路やローパスフィルター回路等を組み
込んだ場合に有効である。
G、実施例
本発明の好適な実施例を図面を参照しながら説明する。
第1の実施例
本発明の第1の実施例は、第1図及び第3図に示すよう
に、増幅回路としてソースフオロワア構成の回路を有し
、DCレベルが一定で利得が略1となるバッファ回路と
してバートン回路構成の回路を接続してなるものである
。
に、増幅回路としてソースフオロワア構成の回路を有し
、DCレベルが一定で利得が略1となるバッファ回路と
してバートン回路構成の回路を接続してなるものである
。
まず、その基本的構成について、第1図に基づき説明す
ると、例えばCCDの70−ティングゲートから出力さ
れる出力信号が入力するソースフォロワア回路10と、
出力DCレベルを一定にするためのバートン回路20と
を有しており、ソースフォロワア回路IOの出力部にバ
ートン回路20の入力部が接続され、DCレベルの変動
の抑えた出力が可能な回路構成となっている。
ると、例えばCCDの70−ティングゲートから出力さ
れる出力信号が入力するソースフォロワア回路10と、
出力DCレベルを一定にするためのバートン回路20と
を有しており、ソースフォロワア回路IOの出力部にバ
ートン回路20の入力部が接続され、DCレベルの変動
の抑えた出力が可能な回路構成となっている。
ここで、第2図を参照しながら、上記バートン回路20
について説明すると、バートン回路20は、オペアンプ
20Aとソースフォロワア回路20Bとからなり、その
ソースフォロワ1回路20Bの出力が上記オペアンプ2
0Aに負帰還される構成となっている。このバートン回
路20全体としては、ボルーテージホロワとして機能し
、高い入力インピーダンスを有し、低い出力インピーダ
ンスを有することになる。したがって、当該固体盪像装
置の出力回路のDCレベルの変動は抑制され、且つ次段
に各種信号処理回路を設けた場合でも有効に駆動できる
ことになる。
について説明すると、バートン回路20は、オペアンプ
20Aとソースフォロワア回路20Bとからなり、その
ソースフォロワ1回路20Bの出力が上記オペアンプ2
0Aに負帰還される構成となっている。このバートン回
路20全体としては、ボルーテージホロワとして機能し
、高い入力インピーダンスを有し、低い出力インピーダ
ンスを有することになる。したがって、当該固体盪像装
置の出力回路のDCレベルの変動は抑制され、且つ次段
に各種信号処理回路を設けた場合でも有効に駆動できる
ことになる。
なお、上記ソースフォロワア回路10やバートン回路2
0のソースフォロワア回路20Bは、それぞれインバー
タ回路としても良く、特にバートン回路20にインバー
タ回路を用いた場合には、そのインパーク回路は帰還ル
ープ中の回路であることから、プロセス条件によるトラ
ンジスタ特性等の変動があった時でも、その回路動作へ
の影響は小さなものとなる。なお、インバータ回路とし
た場合の帰還ループは正帰還ループとなる。
0のソースフォロワア回路20Bは、それぞれインバー
タ回路としても良く、特にバートン回路20にインバー
タ回路を用いた場合には、そのインパーク回路は帰還ル
ープ中の回路であることから、プロセス条件によるトラ
ンジスタ特性等の変動があった時でも、その回路動作へ
の影響は小さなものとなる。なお、インバータ回路とし
た場合の帰還ループは正帰還ループとなる。
第3図は、第1の実施例の固体撮像装置における出力回
路の具体的な回路図であり、まず、ソースフォロワア回
路10を構成するように、電源電圧と接地電圧の間に直
列にNMOSトランジスタ11とNMO3)ランリスタ
12が配設されている。人力部となるNMO3)ランリ
スタ11のゲートは、例えばCODのフローティングゲ
ートFGと接続して入力信号を受けて動作し、そのNM
O3)ランリスタ11のソースから出力信号が次段のバ
ートン回路20のNMO3)ランリスタ21のゲートに
供給される。上記NMOSトランジスタ12は負荷とし
て用いられている。
路の具体的な回路図であり、まず、ソースフォロワア回
路10を構成するように、電源電圧と接地電圧の間に直
列にNMOSトランジスタ11とNMO3)ランリスタ
12が配設されている。人力部となるNMO3)ランリ
スタ11のゲートは、例えばCODのフローティングゲ
ートFGと接続して入力信号を受けて動作し、そのNM
O3)ランリスタ11のソースから出力信号が次段のバ
ートン回路20のNMO3)ランリスタ21のゲートに
供給される。上記NMOSトランジスタ12は負荷とし
て用いられている。
次に、DCレベルが一定で利得が略1となるバッファ回
路であるバートン回路20は、差動トランジスタ対を構
成するNMOSトランジスタ21゜22とカレントミラ
ーに接続されたPMO3)ランリスタ23,24及び定
電流源としてのNMOSトランジスタ25からなる演算
増幅回路と、電源電圧と接地電圧の間に直列に配設され
たNMOSトランジスタ26.27からなるソースフォ
ロワア回路とからなっている。上記NMO3I−ランジ
スタ22のドレインより取り出された演算増幅回路の出
力信号は、上記NMO3)ランリスタ26のゲートに入
力し、ソースフォロワア回路の出力信号は、マイナス入
力のNMO3)ランリスタ22のゲートに入力して負帰
還ループを構成している。そして、当該出力回路の出力
は、上記ソースフォロワア回路のNMO3)ランリスタ
26のソースから取り出される構成となっている。
路であるバートン回路20は、差動トランジスタ対を構
成するNMOSトランジスタ21゜22とカレントミラ
ーに接続されたPMO3)ランリスタ23,24及び定
電流源としてのNMOSトランジスタ25からなる演算
増幅回路と、電源電圧と接地電圧の間に直列に配設され
たNMOSトランジスタ26.27からなるソースフォ
ロワア回路とからなっている。上記NMO3I−ランジ
スタ22のドレインより取り出された演算増幅回路の出
力信号は、上記NMO3)ランリスタ26のゲートに入
力し、ソースフォロワア回路の出力信号は、マイナス入
力のNMO3)ランリスタ22のゲートに入力して負帰
還ループを構成している。そして、当該出力回路の出力
は、上記ソースフォロワア回路のNMO3)ランリスタ
26のソースから取り出される構成となっている。
このような回路構成とすることで、本実施例の固体fi
像装置における出力回路は、出力低インピーダンスとな
り、DCレベルの変動は抑制され、次段に各種信号処理
回路を設けた場合でも有効に駆動できることになる。そ
して、特に固体撮像装置の低電圧化を図った場合でも、
DCレベルを定めて回路設計が可能となり、レベル上の
マージンを大きくとることができ、信号のダイナミック
レンジを大きくすることができる。さらに、プロセス上
の原因による特性のばらつきも吸収される。
像装置における出力回路は、出力低インピーダンスとな
り、DCレベルの変動は抑制され、次段に各種信号処理
回路を設けた場合でも有効に駆動できることになる。そ
して、特に固体撮像装置の低電圧化を図った場合でも、
DCレベルを定めて回路設計が可能となり、レベル上の
マージンを大きくとることができ、信号のダイナミック
レンジを大きくすることができる。さらに、プロセス上
の原因による特性のばらつきも吸収される。
なお、バートン回路20!、lt/j1N増幅回路とイ
ンバータ回路の組み合わせによるものでも良い。また、
上記ソースフォロワア回路lOの入力側にDCレベルが
一定で利得が略lとなるバッファ回路を配置しても良い
。
ンバータ回路の組み合わせによるものでも良い。また、
上記ソースフォロワア回路lOの入力側にDCレベルが
一定で利得が略lとなるバッファ回路を配置しても良い
。
第2の実施例
本発明の第2の実施例は、第4図及び第5図に示すよう
に、増幅回路としてソースフォロワ1回路の回路を有し
、DCCレベル一定で利得が略lとなるバッファ回路と
してバートン回路構成の回路を接続し、さらに、その出
力側にローパスフィルター回路及びバッファ回路を配設
させたものである。
に、増幅回路としてソースフォロワ1回路の回路を有し
、DCCレベル一定で利得が略lとなるバッファ回路と
してバートン回路構成の回路を接続し、さらに、その出
力側にローパスフィルター回路及びバッファ回路を配設
させたものである。
まず、その基本的構成について、第4図に基づき説明す
ると、例えばCCDのフローティングゲートから出力さ
れる出力信号が入力するソースフォロワア回路10と、
出力DCレベルを一定にするためのバートン回路20と
を有しており、このバートン回路20の出力側にはアク
ティブローパスフィルター回路50が接続され、さらに
そのアクティブローパスフィルター回路50の出力側に
はバートン回路60が接続されている。
ると、例えばCCDのフローティングゲートから出力さ
れる出力信号が入力するソースフォロワア回路10と、
出力DCレベルを一定にするためのバートン回路20と
を有しており、このバートン回路20の出力側にはアク
ティブローパスフィルター回路50が接続され、さらに
そのアクティブローパスフィルター回路50の出力側に
はバートン回路60が接続されている。
このような本実施例の固体撮像装置における出力回路は
、上記アクティブローパスフィルター回路500Å内側
のみならず出力側にもDCレベルが一定で利得が略1と
なるバートン回路20.60を配していることから、D
CCレベル変動を抑え且つ利得を維持することができ、
回路設計を容易なものとすることができる。
、上記アクティブローパスフィルター回路500Å内側
のみならず出力側にもDCレベルが一定で利得が略1と
なるバートン回路20.60を配していることから、D
CCレベル変動を抑え且つ利得を維持することができ、
回路設計を容易なものとすることができる。
第5図は、このような本実施例の一具体例であって、ま
ず、ソースフォロワア回路10として、電源電圧と接地
電圧の間に直列にNMOSトランジスタ11とNMOS
トランジスタ12が配設されている。NMOSトランジ
スタ11のゲートは、例えばCCDのフローティングゲ
ートと接続して人力信号を受けて動作し、そのNMO5
)ランリスタ11のソースから出力信号が次段のバート
ン回路20のN M OS )ランリスタ21のゲート
に供給される。上記NMOSトランジスタ12は負荷と
して用いられている。
ず、ソースフォロワア回路10として、電源電圧と接地
電圧の間に直列にNMOSトランジスタ11とNMOS
トランジスタ12が配設されている。NMOSトランジ
スタ11のゲートは、例えばCCDのフローティングゲ
ートと接続して人力信号を受けて動作し、そのNMO5
)ランリスタ11のソースから出力信号が次段のバート
ン回路20のN M OS )ランリスタ21のゲート
に供給される。上記NMOSトランジスタ12は負荷と
して用いられている。
次に、DCレベルが一定で利得が略1となるバッファ回
路であるバートン回路20は、差動トランジスタ対を構
成するNMOSトランジスタ21゜22とカレントミラ
ーに接続されたPMOSトランジスタ23.24及び定
電流源としてのNMOSトランジスタ25からなる演算
増幅回路と、電源電圧と接地電圧の間に直列に配設され
たNMOSトランジスタ26.27からなるソースフオ
ロワア回路とからなっている。上記NMO5IMOSト
ランジスタレインより取り出された演算増幅回路の出力
信号は、上記NMOSトランジスタ26のゲートに入力
し、そのNMO3I−ランリスタ26のソースより取り
出されるソースフオロワア回路の出力信号は、マイナス
入力のNMOSトランジスタ22のゲートに入力して負
帰還ループを構成している。
路であるバートン回路20は、差動トランジスタ対を構
成するNMOSトランジスタ21゜22とカレントミラ
ーに接続されたPMOSトランジスタ23.24及び定
電流源としてのNMOSトランジスタ25からなる演算
増幅回路と、電源電圧と接地電圧の間に直列に配設され
たNMOSトランジスタ26.27からなるソースフオ
ロワア回路とからなっている。上記NMO5IMOSト
ランジスタレインより取り出された演算増幅回路の出力
信号は、上記NMOSトランジスタ26のゲートに入力
し、そのNMO3I−ランリスタ26のソースより取り
出されるソースフオロワア回路の出力信号は、マイナス
入力のNMOSトランジスタ22のゲートに入力して負
帰還ループを構成している。
そして、このバートン回路20の出力部である上記NM
O3)ランリスタ26のソースには、アクティブローパ
スフィルター回路50が接続する。
O3)ランリスタ26のソースには、アクティブローパ
スフィルター回路50が接続する。
このアクティブローパスフィルター回路50は、抵抗と
して機能するMOS)ランリスタ51aに接続され、そ
の他端には正帰還ループにおけるキャパシタ52aと第
2の抵抗として機能するMOSトランジスタ51J)が
接続し、そのMOSトランジスタ51bの他端には、第
2のキャパシタ52bが接続する。これらMOS)ラン
リスタ51a、51b及びキャパシタ52a、52bに
よって当該アクティブローパスフィルター回路50の時
定数特性を定めることができる。そして、上記MOSト
ランジスタ51bの他端からは、さらに演算増幅回路が
接続されており、この演算増幅回路は、差動トランジス
タ対を構成するNMOSトランジスタ53.54とカレ
ントミラーに接続されたPMO3l−ランリスタ55,
56及び定電流源としてのNMO3)ランリスタ57と
により構成されている。この演算増幅回路の出力は、上
記NMO3)ランリスタ54のドレインより取り出され
てソースフォロワ1回路のNMOSトランジスタ58の
ゲートに接続され、負荷であるNMOSトランジスタ5
9の接続点である当該NMOSトランジスタ58のソー
スから上記演算増幅回路のNMOSトランジスタ54の
ゲートに接続する負帰還ループが形成されている。そし
て、その負帰還ループが形成されたNMO3I−ランリ
スタ58のソースから上記キャパシタ52aを有した正
帰還ループが接続され、さらに、そこから次段のハード
ン回路60に接続されるように構成されている。
して機能するMOS)ランリスタ51aに接続され、そ
の他端には正帰還ループにおけるキャパシタ52aと第
2の抵抗として機能するMOSトランジスタ51J)が
接続し、そのMOSトランジスタ51bの他端には、第
2のキャパシタ52bが接続する。これらMOS)ラン
リスタ51a、51b及びキャパシタ52a、52bに
よって当該アクティブローパスフィルター回路50の時
定数特性を定めることができる。そして、上記MOSト
ランジスタ51bの他端からは、さらに演算増幅回路が
接続されており、この演算増幅回路は、差動トランジス
タ対を構成するNMOSトランジスタ53.54とカレ
ントミラーに接続されたPMO3l−ランリスタ55,
56及び定電流源としてのNMO3)ランリスタ57と
により構成されている。この演算増幅回路の出力は、上
記NMO3)ランリスタ54のドレインより取り出され
てソースフォロワ1回路のNMOSトランジスタ58の
ゲートに接続され、負荷であるNMOSトランジスタ5
9の接続点である当該NMOSトランジスタ58のソー
スから上記演算増幅回路のNMOSトランジスタ54の
ゲートに接続する負帰還ループが形成されている。そし
て、その負帰還ループが形成されたNMO3I−ランリ
スタ58のソースから上記キャパシタ52aを有した正
帰還ループが接続され、さらに、そこから次段のハード
ン回路60に接続されるように構成されている。
このようなアクティブローパスフィルター回路50の次
には、DCレベルが一定で利得が略lとなるバッファ回
路であるバートン回路60が接続している。このバート
ン回路60は、上記バートン回路20と同様に、差動ト
ランジスタ対を構成するNMOSトランジスタ61.6
2とカレントミラーに接続されたPMOSトランジスタ
63゜64及び定電流源としてのNMo5トランジスタ
65からなる演算増幅回路と、電源電圧と接地電圧の間
に直列に配設されたNMO3)ランジスタロ6.67か
らなるソースフォロワア回路とからなっている。上記N
MOSトランジスタ62のドレインより取り出された演
算増幅回路の出力信号は、上記NMOSトランジスタ6
6のゲートに入力し、そのNMO3トランジスタ66の
ソースからは、マイナス入力のNMO3)ランジスタロ
2のゲートに入力する負帰還ループが設けられている。
には、DCレベルが一定で利得が略lとなるバッファ回
路であるバートン回路60が接続している。このバート
ン回路60は、上記バートン回路20と同様に、差動ト
ランジスタ対を構成するNMOSトランジスタ61.6
2とカレントミラーに接続されたPMOSトランジスタ
63゜64及び定電流源としてのNMo5トランジスタ
65からなる演算増幅回路と、電源電圧と接地電圧の間
に直列に配設されたNMO3)ランジスタロ6.67か
らなるソースフォロワア回路とからなっている。上記N
MOSトランジスタ62のドレインより取り出された演
算増幅回路の出力信号は、上記NMOSトランジスタ6
6のゲートに入力し、そのNMO3トランジスタ66の
ソースからは、マイナス入力のNMO3)ランジスタロ
2のゲートに入力する負帰還ループが設けられている。
そして上記NMO3I−ランジスタロ6のソースからは
、さらに出力信号が取り出され、この出力信号は当該ア
クティブローパスフィルターを有した出力回路の出力信
号として、他の信号処理装置へと伝送されることになる
。
、さらに出力信号が取り出され、この出力信号は当該ア
クティブローパスフィルターを有した出力回路の出力信
号として、他の信号処理装置へと伝送されることになる
。
このような構成を有した本実施例の固体撮像装置におけ
る出力回路は、上記アクティブローパスフィルター回路
50を、DCレベルが一定で利得が略lとされるバート
ン回路20及びバートン回路60で挟んで存在させてい
る。即ち、バートン回路20.60でDCレベルの変動
なく該アクティブローパスフィルター回路50が配され
ることになり、このようにバートン回路を配することで
回路設計上困難なく出力回路自体を多機能化できること
になる。
る出力回路は、上記アクティブローパスフィルター回路
50を、DCレベルが一定で利得が略lとされるバート
ン回路20及びバートン回路60で挟んで存在させてい
る。即ち、バートン回路20.60でDCレベルの変動
なく該アクティブローパスフィルター回路50が配され
ることになり、このようにバートン回路を配することで
回路設計上困難なく出力回路自体を多機能化できること
になる。
また、DCレベルを一定に保つことができるため、CC
D等の低電圧化の傾向に従って出力回路の電源電圧自体
を低電圧にしたときであっても、レベルのマージンを大
きく確保することができ、ダイナミックレンジを大きく
とって十分な動作をさせるようにすることができる。
D等の低電圧化の傾向に従って出力回路の電源電圧自体
を低電圧にしたときであっても、レベルのマージンを大
きく確保することができ、ダイナミックレンジを大きく
とって十分な動作をさせるようにすることができる。
また、バートン回路は、帰還系を存しており、仮にこの
帰還系を構成するトランジスタの特性がプロセス条件に
よって変動したとしても、直接に駆動するためのトラン
ジスタではなく帰還系内で動作するものであることから
、製造プロセス条件の変動による悪影響を十分に小さく
することができる。
帰還系を構成するトランジスタの特性がプロセス条件に
よって変動したとしても、直接に駆動するためのトラン
ジスタではなく帰還系内で動作するものであることから
、製造プロセス条件の変動による悪影響を十分に小さく
することができる。
なお、上述のソースフォロワア構成となるNMOSトラ
ンジスタ11.12.26.27.58゜59.66.
67は、それぞれインバータ構成としても良く、また、
ソースフォロワア回路10を無い構成とし、バートン回
路20.アクティブローパスフィルター回iW50.バ
ートン回路60が直列に接続される回路構成としても良
い。
ンジスタ11.12.26.27.58゜59.66.
67は、それぞれインバータ構成としても良く、また、
ソースフォロワア回路10を無い構成とし、バートン回
路20.アクティブローパスフィルター回iW50.バ
ートン回路60が直列に接続される回路構成としても良
い。
第3の実施例
固体撮像装置における出力回路の第3の実施例は、第6
図及び第7図に示すように、増幅回路としてソースフォ
ロワア構成の回路を有し、DCレベルが一定で利得が略
1となるバッファ回路としてバートン回路構成の回路を
接続し、これにサンプルホールド回路を接続して同様に
DCレベルが一定で利得が略1となるバッファ回路を接
続し、さらに、その出力側にローパスフィルター回路及
びバッフ1回路を配設させたものである。
図及び第7図に示すように、増幅回路としてソースフォ
ロワア構成の回路を有し、DCレベルが一定で利得が略
1となるバッファ回路としてバートン回路構成の回路を
接続し、これにサンプルホールド回路を接続して同様に
DCレベルが一定で利得が略1となるバッファ回路を接
続し、さらに、その出力側にローパスフィルター回路及
びバッフ1回路を配設させたものである。
まず、その基本的構成について、第6図に基づき説明す
ると、例えばCODのフローティングゲートから出力さ
れる出力信号が入力するソースフォロワア回路10に出
力DCレベルを一定にするためのバートン回路20が接
続されている。このバートン回路20の出力側には一定
時間レベルを保持して動作するサンプルホールド回路3
0が接続され、さらにそのサンプルホールド回路30の
出力側にはDCレベルが一定とされ利得が略1であるバ
ッファ回路としてバートン回路40が接続されている。
ると、例えばCODのフローティングゲートから出力さ
れる出力信号が入力するソースフォロワア回路10に出
力DCレベルを一定にするためのバートン回路20が接
続されている。このバートン回路20の出力側には一定
時間レベルを保持して動作するサンプルホールド回路3
0が接続され、さらにそのサンプルホールド回路30の
出力側にはDCレベルが一定とされ利得が略1であるバ
ッファ回路としてバートン回路40が接続されている。
このバートン回路40の出力側にはアクティブローパス
フィルター回路50が接続され、さらにそのアクティブ
ローパスフィルター回路50の出力側にはバートン回路
60が接続されている。
フィルター回路50が接続され、さらにそのアクティブ
ローパスフィルター回路50の出力側にはバートン回路
60が接続されている。
このような本実施例の固体撮像装置における出力回路は
、上記ソースフォロワア回路10、上記サンプルホール
ド回路30及び上記アクティブローパスフィルター回路
50が、それぞれDCレヘルが一定で利得が略1となる
バートン回路20゜40.60でそれぞれ区切られる構
成となっており、このためDCレベルの変動を抑え且つ
利得を維持することができ、その回路設計を容易なもの
とすることができる。即ち、上記バートン回路20.4
0.60はそれぞれ高入力低出力インピーダンスである
ことから、レベルのマージンを確保し、低電圧化を図っ
た場合であっても十分に動作させることが可能となる。
、上記ソースフォロワア回路10、上記サンプルホール
ド回路30及び上記アクティブローパスフィルター回路
50が、それぞれDCレヘルが一定で利得が略1となる
バートン回路20゜40.60でそれぞれ区切られる構
成となっており、このためDCレベルの変動を抑え且つ
利得を維持することができ、その回路設計を容易なもの
とすることができる。即ち、上記バートン回路20.4
0.60はそれぞれ高入力低出力インピーダンスである
ことから、レベルのマージンを確保し、低電圧化を図っ
た場合であっても十分に動作させることが可能となる。
第7図は、このような固体撮像装置における出力回路の
具体的な一例であって、まず、ソースフォロワア回路1
0として、電源電圧と接地電圧の間に直列にNMOSト
ランジスタ11とNMOSトランジスタ12が配設され
ている。NMOSトランジスタ11のゲートは、例えば
CODのフローティングゲートと接続して入力信号を受
けて動作し、そのNMO3)ランリスタ11のソースか
ら出力信号が次段のバートン回路20のNMOSトラン
ジスタ21のゲートに供給される。上記NMO3I−ラ
ンジスタ12は負荷として用いられている。
具体的な一例であって、まず、ソースフォロワア回路1
0として、電源電圧と接地電圧の間に直列にNMOSト
ランジスタ11とNMOSトランジスタ12が配設され
ている。NMOSトランジスタ11のゲートは、例えば
CODのフローティングゲートと接続して入力信号を受
けて動作し、そのNMO3)ランリスタ11のソースか
ら出力信号が次段のバートン回路20のNMOSトラン
ジスタ21のゲートに供給される。上記NMO3I−ラ
ンジスタ12は負荷として用いられている。
次に、DCレベルが一定で利得が略1となるバッファ回
路であるバートン回路20は、差動トランジスタ対を構
成するNMOSl−ランジスク21゜22とカレントミ
ラーに接続されたPMO3トランジスタ23.24及び
定電流源としてのNMOSトランジスタ25からなる演
算増幅回路と、電源電圧と接地電圧の間に直列に配設さ
れたNMOSトランジスタ26.27からなるソースフ
ォロワア回路とからなっている。上記NMOSトランジ
スタ22のドレインより取り出された演算増幅回路の出
力信号は、上記NMO3)ランリスタ26のゲートに入
力し、そのNMOSトランジ、スタ26のソースより取
り出されるソースフォロワア回路の出力信号は、マイナ
ス人力のNMOSトランジスタ22のゲートに人力して
負帰還ループを構成している。
路であるバートン回路20は、差動トランジスタ対を構
成するNMOSl−ランジスク21゜22とカレントミ
ラーに接続されたPMO3トランジスタ23.24及び
定電流源としてのNMOSトランジスタ25からなる演
算増幅回路と、電源電圧と接地電圧の間に直列に配設さ
れたNMOSトランジスタ26.27からなるソースフ
ォロワア回路とからなっている。上記NMOSトランジ
スタ22のドレインより取り出された演算増幅回路の出
力信号は、上記NMO3)ランリスタ26のゲートに入
力し、そのNMOSトランジ、スタ26のソースより取
り出されるソースフォロワア回路の出力信号は、マイナ
ス人力のNMOSトランジスタ22のゲートに人力して
負帰還ループを構成している。
そして、このバートン回路20の出力部である上記NM
O3)ランリスタ26のソースには、本実施例ではサン
プルホールド回路30が接続する。
O3)ランリスタ26のソースには、本実施例ではサン
プルホールド回路30が接続する。
このサンプルホールド回路30は、サンプリンク信号が
ゲートに伝達されるスイッチングトランジスタ31と、
サンプルホールドキャパシタ32とからなっている。こ
のサンプルホールド回路30の動作は、上記スイッチン
グトランジスタ31のゲートに供給されるサンプルホー
ルドパルスに応じてスイッチングトランジスタ31がオ
ン・オフ動作し、その動作によって、信号のあるレベル
が上記サンプルホールドキャパシタ32に蓄積される。
ゲートに伝達されるスイッチングトランジスタ31と、
サンプルホールドキャパシタ32とからなっている。こ
のサンプルホールド回路30の動作は、上記スイッチン
グトランジスタ31のゲートに供給されるサンプルホー
ルドパルスに応じてスイッチングトランジスタ31がオ
ン・オフ動作し、その動作によって、信号のあるレベル
が上記サンプルホールドキャパシタ32に蓄積される。
次に、このようなサンプルホールド回路30の出力側に
は、上記バートン回路20と略同−のバートン回路40
が接続する。このバートン回路40によって、上記サン
プルホールド回路30と次のアクティブローパスフィル
ター回路50との間のDCレベルの変動が抑制され、利
得の低下もない、このバートン回路40は、差動トラン
ジスタ対を構成するNMo5トランジスタ41.42と
カレントミラーに接続されたPMOSトランジスタ43
.44及び定電流源としてのNMO3)ランリスタ45
からなる演算増幅回路と、電源電圧と接地電圧の間に直
列に配設されたNMOSl−ランリスタ46,47から
なるソースフオロワア回路とからなっている。上記NM
O3)ランリスタ42のドレインより取り出された演算
増幅回路の出力信号は、上記NMO5I−ランジスタ4
6のゲートに入力し、そのNMOSl−ランリスタ46
のソースより取り出されるソースフオロワア回路の出力
信号は、マイナス入力のNMO3)ランリスタ42のゲ
ートに入力して負帰還ループを構成している。
は、上記バートン回路20と略同−のバートン回路40
が接続する。このバートン回路40によって、上記サン
プルホールド回路30と次のアクティブローパスフィル
ター回路50との間のDCレベルの変動が抑制され、利
得の低下もない、このバートン回路40は、差動トラン
ジスタ対を構成するNMo5トランジスタ41.42と
カレントミラーに接続されたPMOSトランジスタ43
.44及び定電流源としてのNMO3)ランリスタ45
からなる演算増幅回路と、電源電圧と接地電圧の間に直
列に配設されたNMOSl−ランリスタ46,47から
なるソースフオロワア回路とからなっている。上記NM
O3)ランリスタ42のドレインより取り出された演算
増幅回路の出力信号は、上記NMO5I−ランジスタ4
6のゲートに入力し、そのNMOSl−ランリスタ46
のソースより取り出されるソースフオロワア回路の出力
信号は、マイナス入力のNMO3)ランリスタ42のゲ
ートに入力して負帰還ループを構成している。
次に、このバートン回路40の出力側に配置されるアク
ティブローパスフィルター回路50については、上述の
第2の実施例のものと同様に、上記バートン回路40の
NMOSトランジスタ46のソースが抵抗として機能す
るMOSトランジスタ51aに接続され、その他端には
正帰還ループにおけるキャパシタ52aと第2の抵抗と
して機能するMOS)ランリスタ51bが接続し、その
MOS)ランジスク51bの他端には、第2のキャパシ
タ52bが接続する構成となっている。そして、上記M
O3)ランリスタ51bの他端からは、さらに演算増幅
回路が接続されており、この演算増幅回路は、差動トラ
ンジスタ対を構成するNMOSトランジスタ53.54
とカレントミラーに接続されたPMO3)ランリスタ5
5,56及び定ti源としてのNMOSトランジスタ5
7とにより構成されている。この演算増幅回路の出力は
、上記NMO3)ランリスタ54のドレインより取り出
されてソースフォロワア回路のNMOSトランジスタ5
8のゲートに接続され、負荷であるNMO3)ランリス
タ59の接続点である当該N M OS トランジスタ
58のソースから上記演算増幅回路のNMO3)ランリ
スタ54のゲートに接続する負帰還ループが形成されて
いる。そして、その負帰還ループが形成されたNMO3
I−ランリスタ58のソースから上記キャパシタ52a
を有した正帰還ループが接続され、さらに、そこから次
段のバートン回路60に接続されるように構成されてい
る。
ティブローパスフィルター回路50については、上述の
第2の実施例のものと同様に、上記バートン回路40の
NMOSトランジスタ46のソースが抵抗として機能す
るMOSトランジスタ51aに接続され、その他端には
正帰還ループにおけるキャパシタ52aと第2の抵抗と
して機能するMOS)ランリスタ51bが接続し、その
MOS)ランジスク51bの他端には、第2のキャパシ
タ52bが接続する構成となっている。そして、上記M
O3)ランリスタ51bの他端からは、さらに演算増幅
回路が接続されており、この演算増幅回路は、差動トラ
ンジスタ対を構成するNMOSトランジスタ53.54
とカレントミラーに接続されたPMO3)ランリスタ5
5,56及び定ti源としてのNMOSトランジスタ5
7とにより構成されている。この演算増幅回路の出力は
、上記NMO3)ランリスタ54のドレインより取り出
されてソースフォロワア回路のNMOSトランジスタ5
8のゲートに接続され、負荷であるNMO3)ランリス
タ59の接続点である当該N M OS トランジスタ
58のソースから上記演算増幅回路のNMO3)ランリ
スタ54のゲートに接続する負帰還ループが形成されて
いる。そして、その負帰還ループが形成されたNMO3
I−ランリスタ58のソースから上記キャパシタ52a
を有した正帰還ループが接続され、さらに、そこから次
段のバートン回路60に接続されるように構成されてい
る。
このようなアクティブローパスフィルター回路50の次
には、DCレベルが一定で利得が略lとなるバッファ回
路であるバートン回路60が接続している。このバート
ン回路60は、上記バートン回路20と同様に、差動ト
ランジスタ対を構成するNMO3)ランジスタロ1,6
2とカレントミラーに接続されたPMOSトランジスタ
63゜64及び定電流源としてのNMO3)ランジスタ
ロ5からなる演算増幅回路と、電源電圧と接地電圧の間
に直列に配設されたNMOSトランジスタ66.67か
らなるソースフォロワア回路とからなっている。上記N
Mo5トランジスタ62のドレインより取り出された演
算増幅回路の出力信号は、上記NMO3)ランジスタロ
6のゲートに入力し、そのNMO3)ランジスタロ6の
ソースからは、マイナス入力のNMO3トランジスタ6
2のゲートに入力する負帰還ループが設けられている。
には、DCレベルが一定で利得が略lとなるバッファ回
路であるバートン回路60が接続している。このバート
ン回路60は、上記バートン回路20と同様に、差動ト
ランジスタ対を構成するNMO3)ランジスタロ1,6
2とカレントミラーに接続されたPMOSトランジスタ
63゜64及び定電流源としてのNMO3)ランジスタ
ロ5からなる演算増幅回路と、電源電圧と接地電圧の間
に直列に配設されたNMOSトランジスタ66.67か
らなるソースフォロワア回路とからなっている。上記N
Mo5トランジスタ62のドレインより取り出された演
算増幅回路の出力信号は、上記NMO3)ランジスタロ
6のゲートに入力し、そのNMO3)ランジスタロ6の
ソースからは、マイナス入力のNMO3トランジスタ6
2のゲートに入力する負帰還ループが設けられている。
そして上記NMO3)ランジスタロ6のソースからは、
さらに出力信号が取り出され、この出力信号は当該アク
ティブローパスフィルターを有した出力回路の出力信号
として、他の信号処理装置へと伝送されることになる。
さらに出力信号が取り出され、この出力信号は当該アク
ティブローパスフィルターを有した出力回路の出力信号
として、他の信号処理装置へと伝送されることになる。
このような構成を有した本実施例の固体橢像装置におけ
る出力回路は、上記サンプルホールド回路30と、上記
アクティブローパスフィルター回路50とは、それぞれ
DCレベルが一定で利得が略1とされるバートン回路2
0,40.60により挟まれて配置されている。したが
って、これら各バートン回路20.40.60でDCレ
ベルの変動を有効に抑えることができ、上記サンプルホ
ールド回路30や上記アクティブローパスフィルター回
路50を回路設計上困難なく配置することが可能となる
。
る出力回路は、上記サンプルホールド回路30と、上記
アクティブローパスフィルター回路50とは、それぞれ
DCレベルが一定で利得が略1とされるバートン回路2
0,40.60により挟まれて配置されている。したが
って、これら各バートン回路20.40.60でDCレ
ベルの変動を有効に抑えることができ、上記サンプルホ
ールド回路30や上記アクティブローパスフィルター回
路50を回路設計上困難なく配置することが可能となる
。
また、COD等の低電圧化の傾向に従って出力回路の電
源電圧自体を低電圧にしたときであっても、レベルのマ
ージンを大きく確保することができ、グイナミソクレン
ジを大きくとって十分な動作をさせるようにすることが
でき、さらにトランジスタの特性等がプロセス条件によ
って変動したとしても、帰還系においては製造プロセス
条件の変動による悪影響を十分に小さくすることができ
る。また、上記バートン回路20,40.60及びアク
ティブローパスフィルター回路50の各バートン回路構
成は略同−の構成となり、回路配置作業上やプロセス上
においてその取り扱いに便宜である。
源電圧自体を低電圧にしたときであっても、レベルのマ
ージンを大きく確保することができ、グイナミソクレン
ジを大きくとって十分な動作をさせるようにすることが
でき、さらにトランジスタの特性等がプロセス条件によ
って変動したとしても、帰還系においては製造プロセス
条件の変動による悪影響を十分に小さくすることができ
る。また、上記バートン回路20,40.60及びアク
ティブローパスフィルター回路50の各バートン回路構
成は略同−の構成となり、回路配置作業上やプロセス上
においてその取り扱いに便宜である。
なお、上述のソースフォロワア構成となるNMOSトラ
ンジスタ11,12.26,27.46゜47.5B、
59.66.67は、それぞれインバータ構成としても
良く、また、ソースフオロワア回路10を無い構成とし
ても良い。
ンジスタ11,12.26,27.46゜47.5B、
59.66.67は、それぞれインバータ構成としても
良く、また、ソースフオロワア回路10を無い構成とし
ても良い。
また、上述の実施例では、増幅回路にバートン回路をバ
ッファ回路として接続し、さらにアクティブローパスフ
ィルター回路やサンプルホールド回路を加えたものにつ
いて説明したが、これらアクティブローパスフィルター
回路やサンプルホールド回路を加えたものに限定されず
、さらに他の信号処理回路をバートン回路等のDCレベ
ルが一定で利得が略lとされるバッファ回路で挟むよう
な構成とすることも可能である。
ッファ回路として接続し、さらにアクティブローパスフ
ィルター回路やサンプルホールド回路を加えたものにつ
いて説明したが、これらアクティブローパスフィルター
回路やサンプルホールド回路を加えたものに限定されず
、さらに他の信号処理回路をバートン回路等のDCレベ
ルが一定で利得が略lとされるバッファ回路で挟むよう
な構成とすることも可能である。
H0発明の効果
本発明の固体撮像装置における出力回路は、DCレベル
が一定で利得が略1とされるバッファ回路を用い、この
バッファ回路によって、DCレベルの変動を抑制して、
レベルのマージンを大きくし、当該出力回路のダイナミ
ックレンジを大きくすることができる。このため低電圧
化を図ったときでも容易に回路設計することが可能であ
り、多機能化を図った場合に有利である。
が一定で利得が略1とされるバッファ回路を用い、この
バッファ回路によって、DCレベルの変動を抑制して、
レベルのマージンを大きくし、当該出力回路のダイナミ
ックレンジを大きくすることができる。このため低電圧
化を図ったときでも容易に回路設計することが可能であ
り、多機能化を図った場合に有利である。
また、帰還系におけるトランジスタの特性が変動した場
合であっても、本発明の出力回路ではそのプロセス上の
悪影響を十分に小さくすることができる。
合であっても、本発明の出力回路ではそのプロセス上の
悪影響を十分に小さくすることができる。
第1図は本発明の固体撮像装置における出力回路の第1
の実施例にかかるブロック図、第2図はその出力回路の
バートン回路の具体的構成を示すブロック図、第3図は
上記第1の実施例にかかる出力回路の回路構成を示す回
路図、第4図は本発明の固体撮像装置における出力回路
の第2の実施例にかかるブロック図、第5図は上記第2
の実施例にかかる出力回路の回路構成を示す回路図、第
6図は本発明の固体撮像装置における出力回路の第3の
実施例にかかるブロック図、第7図は上記第3の実施例
にかかる出力回路の回路構成を示す回路図である。 また、第8図は従来の固体撮像装置における出力回路の
一例を示す回路図、第9図は従来の固体撮像装置におけ
る出力回路の他の一例を示す回路図である。 lO・・・ソースフォロワア回路 20・・・バートン回路 30・・・サンプルホールド回路 40・・・バートン回路 50・・・アクティブローパスフィルター回路60・・
・バートン回路 第1図 = 第3図 /を束例 従来伊」 第8図 第9図
の実施例にかかるブロック図、第2図はその出力回路の
バートン回路の具体的構成を示すブロック図、第3図は
上記第1の実施例にかかる出力回路の回路構成を示す回
路図、第4図は本発明の固体撮像装置における出力回路
の第2の実施例にかかるブロック図、第5図は上記第2
の実施例にかかる出力回路の回路構成を示す回路図、第
6図は本発明の固体撮像装置における出力回路の第3の
実施例にかかるブロック図、第7図は上記第3の実施例
にかかる出力回路の回路構成を示す回路図である。 また、第8図は従来の固体撮像装置における出力回路の
一例を示す回路図、第9図は従来の固体撮像装置におけ
る出力回路の他の一例を示す回路図である。 lO・・・ソースフォロワア回路 20・・・バートン回路 30・・・サンプルホールド回路 40・・・バートン回路 50・・・アクティブローパスフィルター回路60・・
・バートン回路 第1図 = 第3図 /を束例 従来伊」 第8図 第9図
Claims (1)
- 増幅回路と、該増幅回路の入出力側の少なくとも一方に
接続されDCレベルが一定で利得が略1となるバッファ
回路とを有してなる固体撮像装置における出力回路。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62011356A JP2812939B2 (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | 電荷転送装置における出力回路 |
KR1019870013429A KR0148997B1 (ko) | 1987-01-22 | 1987-11-27 | 전하전송장치에 있어서의 출력회로 |
US07/145,292 US4990862A (en) | 1986-02-24 | 1988-01-19 | Output stage for solid-state image pick-up device |
DE3856063T DE3856063T2 (de) | 1987-01-22 | 1988-01-22 | Ausgangsstufe für Festkörperbildaufnahmevorrichtung |
EP88100963A EP0276020B1 (en) | 1987-01-22 | 1988-01-22 | Output stage for solid-state image pick-up device |
AT88100963T ATE160249T1 (de) | 1987-01-22 | 1988-01-22 | Ausgangsstufe für festkörperbildaufnahmevorrichtung |
KR1019960030212A KR0150401B1 (en) | 1987-01-22 | 1996-07-25 | Output circuit of ccd |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62011356A JP2812939B2 (ja) | 1987-01-22 | 1987-01-22 | 電荷転送装置における出力回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63180277A true JPS63180277A (ja) | 1988-07-25 |
JP2812939B2 JP2812939B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=11775749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62011356A Expired - Fee Related JP2812939B2 (ja) | 1986-02-24 | 1987-01-22 | 電荷転送装置における出力回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2812939B2 (ja) |
KR (1) | KR0148997B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63165959U (ja) * | 1987-06-30 | 1988-10-28 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6134798A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-19 | Sharp Corp | 電荷転送素子の出力信号処理回路 |
-
1987
- 1987-01-22 JP JP62011356A patent/JP2812939B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1987-11-27 KR KR1019870013429A patent/KR0148997B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6134798A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-19 | Sharp Corp | 電荷転送素子の出力信号処理回路 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63165959U (ja) * | 1987-06-30 | 1988-10-28 | ||
JPH0533098Y2 (ja) * | 1987-06-30 | 1993-08-24 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR0148997B1 (ko) | 1998-12-15 |
JP2812939B2 (ja) | 1998-10-22 |
KR880009482A (ko) | 1988-09-15 |
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