JPS61296762A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS61296762A JPS61296762A JP60137930A JP13793085A JPS61296762A JP S61296762 A JPS61296762 A JP S61296762A JP 60137930 A JP60137930 A JP 60137930A JP 13793085 A JP13793085 A JP 13793085A JP S61296762 A JPS61296762 A JP S61296762A
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Links
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は固体撮像装置の電極構造に関する。
この技術は互いに感知波長領域の異なる複数の感光ｍｌ
が積層形成された積層型固体撮像装置の画素電極ニー関
する。
が積層形成された積層型固体撮像装置の画素電極ニー関
する。
従来の積層型固体撮像装置においてはｋｌ等の金属によ
り画素電極を形成していた。しかし、積層光導電膜で可
視光を感知するだけでなく、半導体基板上に信号電荷を
読み出すための垂直ＣＣＤチャネルｎ十ｎ色層外光：二
感度がある第１の感光部を形成した後（二可視光に感度
のある光導電膜を用いた積層型の固体撮像装置の製造を
行なえば、赤外光と可視光の２波長帯の撮像が可能で、
かつ画素の高密度化が可能な積層型固体撮像装置を得る
ことができる。このとき可視感光部は画素電極により定
義される。
り画素電極を形成していた。しかし、積層光導電膜で可
視光を感知するだけでなく、半導体基板上に信号電荷を
読み出すための垂直ＣＣＤチャネルｎ十ｎ色層外光：二
感度がある第１の感光部を形成した後（二可視光に感度
のある光導電膜を用いた積層型の固体撮像装置の製造を
行なえば、赤外光と可視光の２波長帯の撮像が可能で、
かつ画素の高密度化が可能な積層型固体撮像装置を得る
ことができる。このとき可視感光部は画素電極により定
義される。
この画素電極Ｉ：は従来人１等の金属電極を用いていた
が、上記の２波長帯撮像のためには画素電極：：赤外透
過性が必要であり薄くすると断切れを起こし易く、電極
材料に問題があった。
が、上記の２波長帯撮像のためには画素電極：：赤外透
過性が必要であり薄くすると断切れを起こし易く、電極
材料に問題があった。
本技術は、上記の条件を満たす画素電極材料を採用する
ことを目的とする。
ことを目的とする。
８ｉ 例えばａ−８ｉは０．７絢以上の波長領域におい
て良好な透過性を示すので画素電極による赤外感度の低
下はない。
て良好な透過性を示すので画素電極による赤外感度の低
下はない。
また、ａ−８ｉは低温のプラズマＣＶＤＩ：より形成可
能であり、その形成温度は各種金属シリサイド形成のた
めのシンタ一温度より低い。したがって画素電極形成に
よる赤外感光部の劣化はない。
能であり、その形成温度は各種金属シリサイド形成のた
めのシンタ一温度より低い。したがって画素電極形成に
よる赤外感光部の劣化はない。
本発明（二よれば、良好な赤外撮像特性を持ち、かつ画
素の高密度化が可能な、２波長帯撮像型の積層型面体操
像装置を得ることができる。
素の高密度化が可能な、２波長帯撮像型の積層型面体操
像装置を得ることができる。
第１図は２波長帯撮像型の積層型固体撮像装置の構造説
明図であり（ａ）は平面図、（ｂ）は人−Ａ′に沿った
断面図、（Ｃ）はＢ −ＢＰ に沿った断面図である。
明図であり（ａ）は平面図、（ｂ）は人−Ａ′に沿った
断面図、（Ｃ）はＢ −ＢＰ に沿った断面図である。
先ず、Ｐ型Ｓｆ基板１ζ：垂直ＣＣＤのｎ型チャネル２
が形成される。そしてゲート酸化膜３を介してポリシリ
コン転送電極４（第１層ポリシリコン）及び５（第２層
ポリシリコン）が形成される。この電極対はセルから可
視及び赤外の信号を読み出し、その電荷をチャネル中で
転送する。次Ｃ１層６．７が形成される。１層６は可視
光の信号読出し部である。ｎ層７は、ガードリングであ
る。その後、Ｐｔを蒸着し、５５０℃、２０分の熱処理
を行なってＰｔ Ｓｔ ８よりなるショットキバリアダ
イオードを形成する。これが赤外光検出部である。次Ｅ
。
が形成される。そしてゲート酸化膜３を介してポリシリ
コン転送電極４（第１層ポリシリコン）及び５（第２層
ポリシリコン）が形成される。この電極対はセルから可
視及び赤外の信号を読み出し、その電荷をチャネル中で
転送する。次Ｃ１層６．７が形成される。１層６は可視
光の信号読出し部である。ｎ層７は、ガードリングであ
る。その後、Ｐｔを蒸着し、５５０℃、２０分の熱処理
を行なってＰｔ Ｓｔ ８よりなるショットキバリアダ
イオードを形成する。これが赤外光検出部である。次Ｅ
。
ＣＱＤ ｓｉｏ、ｇ （，１） ルイハ、ｙ、 ハラＩ
ｔ ５ｉＯＪ（） ９ テ被覆し、１層６に達するコン
タクトホールを開け、人ｌ電極１０を形成する。この後
、４５０℃でシンタゾ リングし、更にＣｆＤ ｓｔｏ、膜（又はスパッタ８ｉ
０．膜）１１を被覆し、エッチバックを行なって平担化
した後、入ｌ電極１０に達するコンタクトホールを開け
、ｐＨ，＋ＳｉＨ，のグロー放電分解（：よりｎ型）ａ
−８ｉ（アモルファスシリコン）電極層１２を形成する
。
ｔ ５ｉＯＪ（） ９ テ被覆し、１層６に達するコン
タクトホールを開け、人ｌ電極１０を形成する。この後
、４５０℃でシンタゾ リングし、更にＣｆＤ ｓｔｏ、膜（又はスパッタ８ｉ
０．膜）１１を被覆し、エッチバックを行なって平担化
した後、入ｌ電極１０に達するコンタクトホールを開け
、ｐＨ，＋ＳｉＨ，のグロー放電分解（：よりｎ型）ａ
−８ｉ（アモルファスシリコン）電極層１２を形成する
。
加熱温度は２５０℃とした。そしてこのａ−８ｉ層を面
素を覆うようｊニパターニングして画素電極とした。こ
の後は、可視光の光電変換層としてアンドープのａ−８
ｉ層１３を同様にＳｉＨ，のグロー放電分解、２５０℃
で形成し、透明導電膜１４を対向電極として形成した。
素を覆うようｊニパターニングして画素電極とした。こ
の後は、可視光の光電変換層としてアンドープのａ−８
ｉ層１３を同様にＳｉＨ，のグロー放電分解、２５０℃
で形成し、透明導電膜１４を対向電極として形成した。
ａ−８ｉ電極層１２は赤外光を透過し十分な赤外感度が
得られ、しかもカバレージも良い。
得られ、しかもカバレージも良い。
第２図は他の実施例を示している。
ここではＰＨ，＋８１Ｈ，のグロー放電分解によりｎ＋
型のａ−８ｉ層１２を形成後、更（：アンドープのａ−
８ｉ層１２′を形成し、それから画素電極にバターニン
グしている。本構造では光電変換層１３の被着時に画素
電極から該層へのオートドーピングが防がれる。
型のａ−８ｉ層１２を形成後、更（：アンドープのａ−
８ｉ層１２′を形成し、それから画素電極にバターニン
グしている。本構造では光電変換層１３の被着時に画素
電極から該層へのオートドーピングが防がれる。
尚、上記実施例ではショットキバリア層としてＰｔＳｉ
を用いたがＷＳｉでもよい。又、画素電極としではａ−
８１が上記シリサイド反応温度より低温で気相成長でき
るので適している。しかしながら、シリサイド反応温度
より生成温度が高くてもよく、また人ｌ電極１０の代わ
り（＝ポリシリコンや高融点金属を用いれば、画素電極
１２又は１２．１２’はポリシリコンの熱分解法で形成
する事も可能である。ポリシリコンは、１．１μ以上で
充分な透過性を有する。
を用いたがＷＳｉでもよい。又、画素電極としではａ−
８１が上記シリサイド反応温度より低温で気相成長でき
るので適している。しかしながら、シリサイド反応温度
より生成温度が高くてもよく、また人ｌ電極１０の代わ
り（＝ポリシリコンや高融点金属を用いれば、画素電極
１２又は１２．１２’はポリシリコンの熱分解法で形成
する事も可能である。ポリシリコンは、１．１μ以上で
充分な透過性を有する。
その他主旨を逸脱しない限り種々変更して実施できる。
第１図及び第２図は本発明の実施例の図である。
代理人弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）８”Ｍ
Ａ二 第 １ °図
Ａ二 第 １ °図
Claims (1)
- 走査回路基板上に画素電極を介して光電変換層が積層さ
れ、画素電極下に赤外光検出用の光電変換層が設けられ
た固体撮像装置において、画素電極としてシリコン膜を
用いた事を特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60137930A JPS61296762A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60137930A JPS61296762A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61296762A true JPS61296762A (ja) | 1986-12-27 |
Family
ID=15210007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60137930A Pending JPS61296762A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61296762A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000133792A (ja) * | 1998-10-19 | 2000-05-12 | Hewlett Packard Co <Hp> | 相互接続構造を含む能動画素センサ |
-
1985
- 1985-06-26 JP JP60137930A patent/JPS61296762A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000133792A (ja) * | 1998-10-19 | 2000-05-12 | Hewlett Packard Co <Hp> | 相互接続構造を含む能動画素センサ |
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