JPS61296549A - 光メモリ素子の製造方法 - Google Patents
光メモリ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS61296549A JPS61296549A JP13867685A JP13867685A JPS61296549A JP S61296549 A JPS61296549 A JP S61296549A JP 13867685 A JP13867685 A JP 13867685A JP 13867685 A JP13867685 A JP 13867685A JP S61296549 A JPS61296549 A JP S61296549A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- depth
- photosensitive layer
- guide tracks
- optical memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はレーザ光等の光学的手段により情報の記録・再
生・消去等を行う光メモリ素子の製造方法の改良に関す
るものである。
生・消去等を行う光メモリ素子の製造方法の改良に関す
るものである。
〈発明の技術的背景とその問題点〉
近年、大容量、高密度、高速アクセス化の可能な光メモ
リ素子への要望が高まる中で、アクリル樹脂等の合成樹
脂を基板とする光メモリ素子の研究開発が活発に行なわ
れている。
リ素子への要望が高まる中で、アクリル樹脂等の合成樹
脂を基板とする光メモリ素子の研究開発が活発に行なわ
れている。
従来このような合成樹脂基板の製造にはスタンパ−を必
要とした。この種のスタンパーハ多くの場合、次の２種
の方法で製造された。
要とした。この種のスタンパーハ多くの場合、次の２種
の方法で製造された。
第１の方法はガラス板上に感光層を形成し、その感光層
にレーザー光等で情報信号又はガイドトラックを記録し
た後、導電膜をコートし、次に電鋳法によりスタンパ−
を製造する方法である。又第２の方法は金属板上に感光
層を形成し、その感光層にレーザ光等で情報信号又はガ
イドトラックを記録した後、前記感光層をマスクとして
金属板をエツチングし、この金属板をスタンパ−とする
方法である。
にレーザー光等で情報信号又はガイドトラックを記録し
た後、導電膜をコートし、次に電鋳法によりスタンパ−
を製造する方法である。又第２の方法は金属板上に感光
層を形成し、その感光層にレーザ光等で情報信号又はガ
イドトラックを記録した後、前記感光層をマスクとして
金属板をエツチングし、この金属板をスタンパ−とする
方法である。
ところで、従来、基板に記録された情報を光学的に取り
出す場合、基板に形成された情報ピットの深さが重要な
要素となるが、この事は上記スタンパ−に形成される情
報ピット等の深さを厳密に管理せねばならない事を示し
ている。しかし、上記従来方法では情報ピット又はガイ
ドトラックの深さの厳密な管理は非常に難しいという欠
点があった。例えば、上記第１の方法では、スタンパ−
に形成される情報ピット又はガイドトラックの深さは、
ガラス板上に形成される感光層の厚みで決定されるが、
例えば、直径の大きなガラス円板において、この感光層
の厚みを管理することは非常に困難であった。
出す場合、基板に形成された情報ピットの深さが重要な
要素となるが、この事は上記スタンパ−に形成される情
報ピット等の深さを厳密に管理せねばならない事を示し
ている。しかし、上記従来方法では情報ピット又はガイ
ドトラックの深さの厳密な管理は非常に難しいという欠
点があった。例えば、上記第１の方法では、スタンパ−
に形成される情報ピット又はガイドトラックの深さは、
ガラス板上に形成される感光層の厚みで決定されるが、
例えば、直径の大きなガラス円板において、この感光層
の厚みを管理することは非常に困難であった。
〈発明の目的〉
本発明は上記従来の欠点を改善するためになされたもの
であり、スタンパ−の製造工程において、情報ピット、
ガイドトラック溝等の深さを容易に管理することを目的
とするものである。
であり、スタンパ−の製造工程において、情報ピット、
ガイドトラック溝等の深さを容易に管理することを目的
とするものである。
〈実施例〉
以下、本発明に係る光メモリ素子の製造方法の一実施例
を第１図乃至第４図の説明図を用いて詳細に説明する。
を第１図乃至第４図の説明図を用いて詳細に説明する。
０工程（１）・・・第１図
ガラス板又はＡ／等の金属板１の上にＮ４層２をスパッ
タ法等により形成する。そのＮｉ層層上上Ｔｉ層３を所
望の情報ピット又はガイドトラックの深さと同じ厚みに
スパッタ法等により形成する。そのＴｉ層層上上感光層
４をスピナー法、スプレー法又はディップ方式により形
成する。
タ法等により形成する。そのＮｉ層層上上Ｔｉ層３を所
望の情報ピット又はガイドトラックの深さと同じ厚みに
スパッタ法等により形成する。そのＴｉ層層上上感光層
４をスピナー法、スプレー法又はディップ方式により形
成する。
０工程（１１）・・・第２図
上記感光層４にレーザー光等で情報信号又はガイドトラ
ックを記録し、その後現像する。第２図は現像した後の
状態を示している。
ックを記録し、その後現像する。第２図は現像した後の
状態を示している。
０工程（ｉｎ）・・・第３図
次にＣＦ４又はＣＨＦ３のプラズマガスで感光層４をマ
スクとしてＴｉ層３をエツチングする。
スクとしてＴｉ層３をエツチングする。
この時Ｎｉ層２ばＣＦ４又はＣＨＦ３プラズマガスによ
ってはエツチングされないため、このエツチングにより
形成される情報ピット又はガイドトラックの深さは、Ｔ
ｉ層３の厚みにより容易に管理できる。エツチング終了
後、感光層４が１１層３上に残っていなければなら、な
いことはいうまでもない。第３図はエツチング終了後の
状態を示している。
ってはエツチングされないため、このエツチングにより
形成される情報ピット又はガイドトラックの深さは、Ｔ
ｉ層３の厚みにより容易に管理できる。エツチング終了
後、感光層４が１１層３上に残っていなければなら、な
いことはいうまでもない。第３図はエツチング終了後の
状態を示している。
Ｏ工程ｑＶ）・・・第４図
Ｔｉ層層上上感光層４を酸素プラズマ等で取り除きスタ
ンパ−を得る。
ンパ−を得る。
上記製造工程においてエツチング時に使用するプラズマ
ガス（又はエツチング液）によりエツチングされないＮ
１層２上に、所望の情報ピット又はガイドトラックの深
さに相等する厚みを有する、エツチングされやすいＴｉ
層３を形成する事により、情報ピット又はガイドトラッ
クの深さを管理する事ができるものである。
ガス（又はエツチング液）によりエツチングされないＮ
１層２上に、所望の情報ピット又はガイドトラックの深
さに相等する厚みを有する、エツチングされやすいＴｉ
層３を形成する事により、情報ピット又はガイドトラッ
クの深さを管理する事ができるものである。
尚、Ｎ４層２のかわりに、Ｎｉの中に他の元素を含ませ
た膜（例えばＰ等を含むＮｉＰ層）を用いてもよく、Ｃ
ｒ、Ａｕ、ＡＩ！、ＧａＡｓ、Ｃｒ２Ｏ３等の金属層あ
るいは酸化膜層でもよい。又Ｔｉ層３のかわりにＳｉ
、５ｉ０２ 、Ｓｉ３Ｎ４．Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ等の層を用
いてもよい。また上記各層２，３．４の作成法も上記実
施例に限定されず、メッキや蒸着法でも良い。更に情報
信号やガイドトラックを記録するのはレーザ光以外に紫
外線を用いても良い〇〈効果〉 以上の本発明によれば光メモリの情報ピット。
た膜（例えばＰ等を含むＮｉＰ層）を用いてもよく、Ｃ
ｒ、Ａｕ、ＡＩ！、ＧａＡｓ、Ｃｒ２Ｏ３等の金属層あ
るいは酸化膜層でもよい。又Ｔｉ層３のかわりにＳｉ
、５ｉ０２ 、Ｓｉ３Ｎ４．Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ等の層を用
いてもよい。また上記各層２，３．４の作成法も上記実
施例に限定されず、メッキや蒸着法でも良い。更に情報
信号やガイドトラックを記録するのはレーザ光以外に紫
外線を用いても良い〇〈効果〉 以上の本発明によれば光メモリの情報ピット。
ガイドトラック溝等の深さを容易に管理し得るものであ
る。
る。
第１図乃至第４図は本発明に係る光メモリ素子基板用ス
タンパ−の製造方法の一実施例を示す説明図である。 図中、１：基板 ２ ：Ｎｉ層 ３：Ｔｉ層 ４：感光層
タンパ−の製造方法の一実施例を示す説明図である。 図中、１：基板 ２ ：Ｎｉ層 ３：Ｔｉ層 ４：感光層
Claims (1)
- １、基板上に、エッチングがなされない第１の金属層及
びエッチングが行なわれる第２の金属層をこの順に被覆
し、上記第２の金属層上に感光層を被覆し該感光層を露
光・現像した後に該感光層をマスクとして前記第２の金
属層のみをエッチングし、光メモリ素子の基板のスタン
パーを形成したことを特徴とする光メモリ素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13867685A JPS61296549A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 光メモリ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13867685A JPS61296549A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 光メモリ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61296549A true JPS61296549A (ja) | 1986-12-27 |
Family
ID=15227502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13867685A Pending JPS61296549A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 光メモリ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61296549A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002071150A3 (en) * | 2001-03-02 | 2003-07-24 | Motorola Inc | Lithographic template |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54164103A (en) * | 1978-06-16 | 1979-12-27 | Pioneer Electronic Corp | Method of manufacturing information recording carrier |
| JPS613339B2 (ja) * | 1979-07-06 | 1986-01-31 | Fuji Photo Film Co Ltd |
-
1985
- 1985-06-24 JP JP13867685A patent/JPS61296549A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54164103A (en) * | 1978-06-16 | 1979-12-27 | Pioneer Electronic Corp | Method of manufacturing information recording carrier |
| JPS613339B2 (ja) * | 1979-07-06 | 1986-01-31 | Fuji Photo Film Co Ltd |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002071150A3 (en) * | 2001-03-02 | 2003-07-24 | Motorola Inc | Lithographic template |
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