JPS61296034A - ポリイミドフイルム - Google Patents

ポリイミドフイルム

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JPS61296034A
JPS61296034A JP13997185A JP13997185A JPS61296034A JP S61296034 A JPS61296034 A JP S61296034A JP 13997185 A JP13997185 A JP 13997185A JP 13997185 A JP13997185 A JP 13997185A JP S61296034 A JPS61296034 A JP S61296034A
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JP
Japan
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film
polyimide
aromatic
formula
polyimide film
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Application number
JP13997185A
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English (en)
Inventor
Kazuhide Fujita
和秀 藤田
Ken Noda
謙 野田
Takashi Ishizuka
石塚 隆志
Toshio Nakajima
中島 登志雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、熱収縮率、線膨張率、吸湿膨張率が極めて
小さく、特に高密度磁気記録媒体用ベースフィルムとし
て好適なポリイミドフィルムに関するものである。
〔従来の技術〕
従来から磁気記録媒体用ベースフィルムとしては、二輪
延伸ポリエステルフィルムが広く用いられている。この
種の磁気記録媒体用ベースフィルムは、二軸延伸ポリエ
ステルフィルムの上に、磁性粉末をバインダーとともに
塗布し製造されている。しかしながら、最近では磁気記
録媒体用ベースフィルムの分野において磁気記録の高密
度化の要求に基づき、全く新しい磁気記録方式が開発さ
れている。すなわち、この磁気記録方式は、ベースフイ
ルム上に金属薄膜による磁性膜を、蒸着。
スパッタリング等の手段により形成するという方式であ
る。この方式では、磁性膜生成時に300℃以上の高温
になるため、ベースフィルムに対して、熱によって収縮
したり歪んだりしないという特性が要求される。また、
記録が高密度化されるため、記憶の読み出しや書き込み
の位置精度に対する要求が厳しくなり、気温や湿度の変
化に伴うわずかな寸法変化が重大な問題となってくる。
このように、高密度磁気記録媒体に用いられるベースフ
ィルムとしては、熱収縮率が著しく小さく、かつ線膨張
率や吸湿膨張率が可能なかぎり小さいことが要求される
ポリイミドフィルムは耐熱性に優れ、かつ機械強度や寸
法安定性などにも優れているため、上記高密度磁気記録
媒体用ベースフィルムへの応用が関心を集め、これを中
心に研究が重ねられている。しかしながら、熱収縮率、
線膨張率、吸湿膨張率のいずれもが極めて小さく、高密
度磁気記録媒体用ベースフィルムとして最適な特性を有
するポリイミドフィルムの開発は、いまだなされていな
いのが実情である。
(発明が解決しようとする問題点〕 上記のように、従来の技術では、高密度磁気記録媒体用
ベースフィルムとして最適な特性を有するポリイミドフ
ィルムが得られていないのが実情であり、この開発が強
く要望されている。
この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、熱
収縮率、線膨張率、吸湿膨張率がいずれも極めて小さく
、高密度磁気記録媒体用ベースフィルムとして最適の特
性を有するポリイミドフィルムの提供をその目的とする
ものである。
〔問題点を解決するための手段〕
上記の目的を達成するため、この発明のポリイミドフィ
ルムは、芳香族ポリイミド樹脂を主成分とし、延伸がな
されているポリイミドフィルムであって、上記芳香族ポ
リイミド樹脂が、下記の一般式(1)で表される繰返し
単位を主体とするという構成をとる。
(余白) 本発明者らは高密度磁気記録媒体用ベースフィルムとし
て最適のポリイミドフィルムを開発すべく一連の研究を
重ねた結果、特定の分子構造を有するポリイミドフィル
ムをつくり、これを延伸すると、所期の目的を達成しう
ろことを見いだしこの発明に到達したのである。
この発明のポリイミドフィルムに用いるポリイミドは、
前記の一般式(1)で表される繰返し単位を主体とする
ものであり、特定の芳香族テトラカルボン酸二無水物類
と特定の芳香族ジアミノ化合物とを反応させることによ
り得られる。
ここで、主体とするとは、全体が主体のみからなる場合
も含める趣旨である。
上記特定の芳香族テトラカルボン酸二無水物類としては
、下記の一般式(2) %式% で表される芳香族テトラカルボン酸二無水物ないしその
酸ハロゲン化物、ジエステル、モノエステル等の誘導体
があげられる。これらの化合物は、一種を用いてもよい
し二種以上を併用しても支障はない。上記一般式(2)
で表される芳香族テトラカルボン酸二無水物を例示する
と、3.3°、4゜4゛−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、2,3.3’、4’  −ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物があげられる。これらの化合物のな
かでも3.3’ 、4,4° −ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物を上記芳香族テトラカルボン酸二無水物
類全体の50モル%以上使用することが、得られるポリ
イミドフィルムの機械的強度の点から望ましい。
なお、必要に応じて上記芳香族テトラカルボン酸二無水
物類以外のその他のテトラカルボン酸二無水物類を、上
記芳香族テトラカルボン酸二無水物類の一部と置き換え
て使用することができる。
しかしながら、この種、その他のテトラカルボン酸二無
水物類の多量使用は、得られるポリイミドフィルムの熱
収縮率、線膨張率、吸湿膨張率を損なうこととなるため
、その使用量は、芳香族テトラカルボン酸二無水物類の
30モル%までの置換量に制限すべきである。上記その
他のテトラカルボン酸二無水物類としては、ピロメリッ
ト酸二無水物、3.3’ 、4.4’  −ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物、2,3.6.7−ナフ
タレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5.8−ナ
フタレンテトラカルボン酸二無水物、3.3’、4.4
” −ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物な
いしこれらの酸ハロゲン化物等の誘導体があげられ、こ
れらその他のテトラカルボン酸二無水物類についても二
種以上混合使用することができる。
上記特定の芳香族テトラカルボン酸二無水物類と反応さ
せる芳香族ジアミノ化合物としては、下記の一般式(3
) %式%(3 (R,およびAは前記の式(1)のとおりである。〕で
表される芳香族ジアミノ化合物があげられる。
上記芳香族ジアミノ化合物の代表例を例示するとつぎの
とおりである。4.4°−ビス(4−アミノフェノキシ
)ジフェニル、4,4′〜ビス(4−アミノフェノキシ
)ジフェニルスルホン、4゜4′−ビス(3−アミノフ
ェノキシ)ジフェニルスルホン、2.2”−ビス(4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2.2
’  −ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル
〕ヘキサフルオロプロパン。これらの化合物は、単独で
用いてもよいし、併せて用いてもよい。
なお、必要に応じて上記芳香族ジアミノ化合物の一部と
置き換えてその他のジアミノ化合物を使用することがで
きる。しかしながら、この種、その他のジアミノ化合物
の多量使用は、得られるポリイミドフィルムの熱収縮率
等を損なうこととなるため、その使用量は30モル%ま
での置換量に制限すべきである。
上記その他の芳香族ジアミノ化合物としては、p−フェ
ニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、4.4”−
ジアミノジフェニルスルホン、3.3”−ジアミノジフ
ェニルスルホン、4.4゛−ジアミノジフェニルメタン
、3,3° −ジアミノベンゾフェノン、1.4−ビス
(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1.3−ビス(3
−アミノフェノキシ)ベンゼン等があげられる。これら
も単独でもしくは併せて使用することができる。
上記のような芳香族テトラカルボン酸二無水物類および
芳香族ジアミノ化合物を用いて得られる芳香族ポリイミ
ド樹脂のなかでも特に好適なのは下記の一般式(4) %式%) 薗      − 呻 楡 で表される繰返し単位を主体とする芳香族ポリイミド樹
脂である。この場合、上記一般式(4)において、m、
  nの繰返し数が上記の範囲にはいっていることが重
要であり、mの値が30未満であって、nの値が70を
超えると、得られる芳香族ポリイミド樹脂のガラス転移
点が低くなり、熱収縮率の大きなフィルムしか得られな
くなるため好ましくない。逆に上記mの値が90を上ま
わり、nの値が10を下まわると、得られるポリイミド
フィルムが硬くなり延伸工程において必要な伸びが不足
し所望の延伸フィルムが得られなくなる。したがって、
上記m、nの値は上記の範囲内に設定されていることが
好ましいのである。
また、上記一般式(4)で表される繰返し単位を主体と
するポリイミド樹脂と同様、優れたポリイミドフィルム
を形成しうる芳香族ポリイミド樹脂としては下記の一般
式(5) %式%) ■−−半一一ノ で表される繰返し単位を主体とする芳香族ポリイミド樹
脂があげられる。この場合も、優れたポリイミドフィル
ムを得るために、上記一般式(5)における繰返し数に
、7!は上記のように設定することが好ましいのである
この発明のポリイミドフィルムは、例えばつぎのように
して製造することができる。すなわち、有機極性溶媒中
において、上記芳香族テトラカルボン酸二無水物類と、
芳香族ジアミノ化合物とを略等モル反応させてポリアミ
ド酸等のポリイミド前駆体化しポリイミド前駆体溶液を
得る。
つぎに、このポリイミド前駆体溶液をガラス板、ステン
レス板、アルミニウム板、銅板等の平滑な平板上に流延
して皮膜を形成し、加熱によりこの皮膜から徐々に溶媒
を除去してポリイミド前駆体皮膜を形成する。あるいは
エンドレスステンレスベルト上に上記溶液を流して皮膜
を形成したのち、加熱炉に導き、徐々に溶媒を除去して
ポリイミド前駆体皮膜を形成する。つぎに、上記のよう
にして得られたポリイミド前駆体の皮膜を、100〜2
00℃で30分ないし300分程度加熱して残存溶媒を
除去し、さらに200〜300℃で30〜300分程度
加熱してポリイミドフィルム化する。このようにしてこ
の発明のポリイミドフィルムが得られる。上記溶媒の除
去およびイミド化反応のための加熱は連続して行っても
よいし、また溶媒除去の後半とイミド化反応の前半とが
同時に行われるようにしてもよい。特にこのポリイミド
フィルム形成工程において、塵埃、異物等の混入を徹底
して排除することかつぎの延伸工程におけて極めて重要
な問題となる。したがって、上記ポリイミドフィルムの
形成工程はクリーンルーム内で行うことが好結果をもた
らす。
なお、前記の有機極性溶媒としては、N−メチル−2−
ピロリドン、N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−
ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、テトラ
メチル尿素、m−クレゾール、m −p−クレゾールの
混合物、キシレノール、フェノール等をあげることがで
き、単独でもしくは併せて使用することができる。場合
によってはキシレン、トルエン、ナフサ、ベンゼン等の
非極性溶媒を上記の極性溶媒と混合して用いてもよい。
特に上記の溶媒中においてポリイミド前駆体を合成する
場合、得られるポリイミド前駆体は、その対数粘度(得
られたポリイミド前駆体溶液をN−メチル−2−ピロリ
ドン中0.5g/100m1の濃度に希釈して30℃で
測定)が0.5ないし4.5の範囲内にあることが好ま
しい。特に好ましいのは1.0ないし3.5の範囲内で
ある。この対数粘度が低すぎると、得られるポリイミド
フィルムの機械的強度が低くなるため好ましくない。逆
に対数粘度が高すぎると、ポリイミド前駆体溶液をガラ
ス板等に流延させにくくなり、皮膜形成のための作業が
困難となるため好ましくない。
上記対数粘度とはつぎの式で計算されるものであり、式
中の落下時間は毛細管粘度計により測定されるものであ
る。
なお、この発明のポリイミドフィルムは、上記の方法だ
けでなく、つぎのような方法によっても製造することが
できる。すなわち、上記と同様にして得られたポリイミ
ド前駆体溶液をガラス板等の平板上に流延し、100〜
150℃で30〜120分間加熱乾燥して皮膜を形成し
、この皮膜をピリジンと無水酢酸の混合溶液に浸漬して
脱溶剤とイミド化反応を同時に行い、上記のポリイミド
前駆体を対数粘度(濃硫酸中0.5g/100m7!濃
度において30℃で測定)が1.0ないし3.5のポリ
イミドとすることによっても製造することができる。こ
の方法によって得られるポリイミドフィルムは、加熱の
みによるイミド化によって得られた前記方法のものに比
べ一般に弾性率が高く強靭である。
この発明は、上記のようにして得られたポリイア ミドフィルムに対して延伸を施し、熱収縮率、線膨張率
、吸湿膨張率を極めて小さなものとするものである。上
記延伸は公知の方法を適用することができる。すなわち
、上記ポリイミドフィルムをそのガラス転移点以上の温
度に加熱し、所定の延伸を施す。ついで延伸温度以上の
温度で上記延伸状態を保持しながら熱処理を行う。上記
熱処理は必須のものではないが、この熱処理を行うこと
により延伸を短時間ですますことができるようになる。
特に上記延伸において、縦方向(MD)に15〜50%
、横方向(TD)に20〜80%延伸することが好適で
ある。このような延伸は、特に上記一般式(4)および
(5)で表される繰返し単位を主成分とするポリイミド
フィルムについて好結果をもたらす。この延伸はまず縦
方向に対する延伸を行い、ついで横方向に対する延伸を
行うといういわゆる逐次二軸延伸でもよく、縦方向およ
び横方向の延伸を同時に行ういわゆる同時二軸延伸でも
よい。しかし、ポリイミドの延伸は極めて高温で行うた
め、実際においては、操業上の制約から逐次二軸延伸が
採用される。上記縦方向および横方向の延伸倍率が上記
の範囲を下まわると延伸による寸法安定性効果が充分発
揮されず、また上記範囲を上まわると延伸時にフィルム
の破断が多発し、実質的に連続したフィルムの製造が難
しくなる。
特に、上記縦方向および横方向の延伸倍率は、縦方向の
延伸による機械特性2寸法安定性と、横方向の延伸によ
る機械特性2寸法安定性とのバランスがとれるように上
記の範囲内で適宜に選択する必要がある。すなわち、同
時二軸延伸では横方向および縦方向の延伸倍率が略等し
いときにMD。
TDの特定値も略等しくなるが、逐次二軸延伸において
は、通常、MDの延伸倍率よりも、TDの延伸倍率を少
し大きくすることによってMD、TDの特性値が略等し
くなるため、予め実験によってこれらの延伸倍率を調べ
ておき、実際の操業に際してはそれを基準にして上記延
伸倍率を定めることが好適である。
〔発明の効果〕
この発明のポリイミドフィルムは、特定の芳香族テトラ
カルボン酸二無水物類と特定のジアミノ化合物を組み合
わせることによって得られた芳香族ポリイミド樹脂であ
って、前記一般式(1)で表される繰返し単位を主体と
するものを用いて構成されており、かつ延伸がなされて
いるため、結晶配向の高い状態になっている。したがっ
て、熱収縮率、線膨張率、吸湿膨張率が極めて小さくな
っており、高密度磁気記録媒体用ベースフィルムとして
の要求特性を充分備えているのである。
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。
〔実施例1〕 500mj2のセパラブルフラスコにN−メチル−2−
ピロリドン220g、p−フェニレンジアミン5.2g
(0,05モル)、2.2−ビス〔4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル〕プロパン20.5g(0,05モ
ル)を加え、アミノ化合物が溶解したのち、急激に攪拌
しながら3.3’ 、4゜4° −ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物29゜4g(0,1モル)を徐々に加
えた。そして、粘度が上昇したのち、40〜60℃の温
度に加温し約12時間ゆっくりと攪拌してポリアミド酸
溶液を合成した。
つぎに、上記ポリアミド酸溶液をガラス板上に流延して
皮膜を形成し、熱風乾燥機中において150℃、30分
、180℃、90分、250℃。
30分と段階的に加熱し、40μ厚のポリイミドフィル
ムを得た。
上記のようにして得られたポリイミドフィルムを二軸延
伸実験機(若木製作所製)に掛け、350℃でMD、T
Dともに各30%の同時二輪延伸を行い、その拘束状態
のまま温度を380℃に上昇させて2分間保持した。そ
して、その後冷却し、目的とするポリイミドフィルムを
得た。
〔実施例2〕 p−フェニレンジアミン728g(7,0モル)、2.
2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プ
ロパン1230g(3,0モル)をN−メチル−2−ピ
ロリドン19.6 kgに溶解し、急激に攪拌しながら
3. 3’ 、  4. 4° −ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物2940 gを徐々に加えて粘度が上
昇したのち、60〜80°Cの温度に加温して20時間
ゆっくり攪拌を続はポリアミド酸溶液を合成した。
上記ポリアミド酸溶液を、濾過機を経由させてTダイよ
りエンドレスベルト上に流延し、乾燥塔を通して乾燥さ
せ、長尺のポリアミド酸フィルムを得た。ついでこのポ
リアミド酸フィルムをビンテンパーで幅方向を拘束しな
がら300℃の温度で連続イミド化し、ポリイミドフィ
ルム原反を得た。
つぎに、上記ポリイミドフィルム原反をロール延伸機に
掛け、380℃でMDに30%延伸し、ついでテンパー
により同温度でTDに50%延伸し、テンパー延長部で
400℃の温度で熱処理を施し目的とするポリイミドフ
ィルムを得た。
〔実施例3〕 p−フェニレンジアミン5.2g(0,05モル)、2
.2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕
プロパン20.5g(0,05モル)、N−メチル−2
−ピロリドン214g、3.3’ 。
4.4゛  −ビフェニルテトラカルボン酸二無水物2
3.5g(0,08モル)、ピロメリット酸二無水Th
4.4 g (0,02モル)を用いた。それ以外は実
施例1と同様にして、目的とするポリイミドフィルムを
得た。
〔実施例4〕 p−フェニレンジアミン728g(7,0モル)、2,
2−ビス(4,(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プ
ロパン1230g(3,0モル)、N−メチル−2−ピ
ロリドンl 9.Okg、  3. 3’ 。
4.4゛ −ビフェニルテトラカルボン酸二無水物23
52g(8,0モル)、ピロメリット酸二無水物436
g(2,0モル)を用いた。それ以外は実施例1と同様
にして、目的とするポリイミドフィルムを得た。
〔実施例5〕 2.2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル
〕プロパン41.0g(0,1モル)、N−メチル−2
−ピロリドン282g、3.3’ 、4.4′  −ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物29.4g(0,1
モル)を用いた。それ以外は実施例1と同様にして、目
的とするポリイミドフィルムを得た。
〔比較例〕
p−フェニレンジアミン1040104O,0モル)、
N−メチル−2−ピロリドン15.9 kg、3.3’
、4.4° −ビフェニルテトラカルボン酸二無水物2
940g(10,0モル)を用いた。それ以外は実施例
2と同様にしてポリイミドフィルム原反を得た。しかし
ながら、この原反フィルムは伸びが小さいため、延伸中
に裂け、延伸フィルムが得られなかった。
以上の実施例1〜5ないし比較例で得られたポリイミド
フィルムの熱収縮率、線膨張率、吸湿膨張率を測定し、
下記の表に示した。
(以下余白) なお、上記の表において、熱収縮率、線膨張率、吸湿膨
張率は下記のようにして測定した。
(熱収縮率) フィルムを100M100mmのサイズに切断し、各辺
の長さくaO)を測定する。そして、このフィルムを3
00℃のオーブン中に入れて30分間熱処理し、長さC
Iりを測定する。このようにして得られた値から熱収縮
率を次式□により求めた。
O (線膨張係数) セイコー電子工業社製光熱機械分析計TMA−20を用
い、昇温速度5℃/分で測定した。
(吸湿膨張率) フィルムを10X1001の短冊に切断し、乾燥剤入り
のデシケータ−内で24時間以上乾燥させ、その長さく
XO)を測定する。ついで純水を入れたデシケータ−で
24時間以上吸湿させ、その長さくff1)を測定する
。このようにして得られた値から吸湿膨張率を次式によ
り求めた。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)芳香族ポリイミド樹脂を主成分とし、延伸がなさ
    れているポリイミドフィルムであつて、上記芳香族ポリ
    イミド樹脂が、下記の一般式(1)で表される繰返し単
    位を主体とすることを特徴とするポリイミドフィルム。 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) 〔上記式(1)において、R_1はO、S、SO_2、
    CONH、COO、CO、CH_2、C(CH_3)_
    2またはC(CF_3)_2であり、Aは▲数式、化学
    式、表等があります▼または▲数式、化学式、表等があ
    ります▼〔RxはO、S、SO_2、CONH、CO、
    CO、CH_2、C(CH_3)_2またはC(CF_
    3)_2〕である。ただし、2個のR_1は同一であつ
    ても異なつていてもよく、R_1とRxとは同一であつ
    ても異なつていてもよい。またAおよびR_1に隣接す
    る芳香環の水素はハロゲン元素、アルキル基またはアリ
    ール基で置換されていてもよい。〕
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62214927A (ja) * 1986-03-14 1987-09-21 Ube Ind Ltd 高物性ポリイミド延伸成形体およびその製法
JPWO2006112286A1 (ja) * 2005-04-14 2008-12-11 三菱瓦斯化学株式会社 ポリイミドフィルムの製造方法

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