JPS6129053B2 - - Google Patents

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JPS6129053B2
JPS6129053B2 JP54064553A JP6455379A JPS6129053B2 JP S6129053 B2 JPS6129053 B2 JP S6129053B2 JP 54064553 A JP54064553 A JP 54064553A JP 6455379 A JP6455379 A JP 6455379A JP S6129053 B2 JPS6129053 B2 JP S6129053B2
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JP
Japan
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layer
lacquer
information recording
substrate
recording element
Prior art date
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JP54064553A
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English (en)
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Yohanesu Kibitsu Petorasu
Reinerusu Yoanesu De Bonto Marinusu
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics NV
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Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips Electronics NV
Publication of JPS554793A publication Critical patent/JPS554793A/ja
Publication of JPS6129053B2 publication Critical patent/JPS6129053B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、基板を有し、該基板の一方の面上に
合成樹脂の遮蔽層を設け、この遮蔽層に情報記録
層を設けて成り、情報を光学的に書込みおよび読
出しすることができる情報記録素子に関するもの
である。
上述したような記録素子はフランス国特許出願
第7510447号明細書に記載されており、この場
合、ポリエステル基板と、ビスマスより成る或い
はビスマスおよびセレンより成る記録層との間に
設けたプラスチツク合成樹脂の層を遮蔽
（screening）層として用いている。上記のフラン
ス国特許出願明細書によればプラスチツク合成樹
脂の遮蔽層を使用することにより基板の不純物が
記録層に悪影響を及ぼさなくなるという利点が得
られる。更にレーザ光によつて記録層に孔を形成
することにより情報を記録する場合、必要とする
レーザエネルギーが少なくてすむという利点が得
られる。
この後者の利点は、プラスチツク合成樹脂の熱
伝導率が低く、従つてレーザエネルギーが熱エネ
ルギーの形態で基板に流れ出る量を少なくする為
に得られるものと思われる。
前記のフランス国特許出願明細書によれば、記
録層に形成される孔は６μｍの直径を有してい
る。
本発明の目的は、記録層に形成される孔の直径
を約0.5〜１μｍとしうる上述した種類の改善し
た情報記録素子を提供せんとするにある。このよ
うにして得た情報密度は極めて大きくなる。本発
明の他の目的は、１秒当り106〜108情報ビツト
（記録層中の孔の個数）の速度で情報を極めて高
速に書込み得る記録素子を提供せんとするにあ
る。
更に、記録に必要とするレーザ光エネルギーを
極めて低くし、25mWの最大光出力、好適には５
〜10mWの光出力を有するレーザを用いるように
する。
上述した目的を達成する為に、前記のフランス
国特許出願明細書によりプラスチツク合成樹脂を
溶液として、例えばメチルエチルケトンの溶液と
して被着することよつては最適な結果が得られな
いということを確かめた。
例えば、使用した溶剤は蒸発させ、次に凝縮に
より回収する必要がある。所要の安全および保護
手段を講じる必要がある蒸着および凝縮処理は高
価であるとともに時間がかかるという事実以外
に、形成すべきプラスチツク合成樹脂の層が凝固
する瞬時が明確に定まらない。このことは、形成
すべきプラスチツク合成樹脂の層の厚さの相違を
無くす為に基板を長い期間の間正確に位置させて
おく必要があるということを意味する。また、実
際には溶剤をすべて除去することは不可能である
為、残存する溶剤により記録層が悪影響を受ける
おそれがある。基板により記録層が化学的に侵食
されるのは基板および記録層の種類に著るしく依
存する。
前記のフランス国特許出願明細書に記載されて
いるように、ポリエステル基板やビスマス記録層
を用いると、ビスマスが部分的に且つ徐々に透明
な酸化ビスマスに変換される化学的侵食が大きく
なる。他の基板および記録層の場合には、化学的
侵食が著るしく少なくなるか或いは全く生じない
為、この場合には、プラスチツク合成樹脂の溶剤
含有遮蔽層を基板と記録層との間に介在させるこ
とはかえつて有害となる。
本発明は、前述した目的を達成でき、前述した
欠点を減少させ、記録された情報の特性を優れた
ものとしうる前述した種類の情報記録素子を提供
する。
本発明は、基板を有し、該基板の一方の面上に
合成樹脂の遮蔽層を設け、この遮蔽層に情報記録
層を設けて成り、情報を光学的に書込みおよび読
出しすることができる情報記録素子において、前
記の遮蔽層を放射で硬化させたラツカーの層とし
たことを特徴とする。
硬化されたラツカー層は、基板に液体の放射硬
化性ラツカーの層を設け、次にこのラツカーを放
射、例えば紫外光に当てて、硬化させることによ
り得られる。
放射硬化性ラツカーは溶剤を含んでおらず、粘
性が低く、気泡を含むことなく基板表面上を良好
に流れる。硬化時間は短かく、ほぼ数秒から数分
の範囲で変化する。また、硬化は周囲温度で行な
うことができる。硬化したラツカー層は基板に良
好に固着され、良好に規定された表面を有し、更
に架橋構造の為に温度や湿気に全く或いはほとん
ど感応しない。
一例では、１分子当り少くとも１つのエテン基
（−CH＝CH−）を含む放射結合性エテン系不飽
和化合物を放射硬化性ラツカーが有するようにす
るのが好適である。このラツカーには放射感応性
開始剤をも有する。開始剤の一例としては紫外光
感応性開始剤、例えばベンゾイン−イソブチルエ
ーテルのようなベンゾイルがあり、これを硬化性
ラツカー内に0.5〜３重量％の量だけ入れる。
容易に用いうるラツカーは特に、アクリル酸の
モノエステル、ジエステル、トリエステルおよび
テトラエステルに基づくモノマおよびオリゴマの
双方またはいずれか一方の混合液とし、この混合
液は肉薄の液体層として被着しうる。
このラツカーは特に、モノアクリレートを40〜
90重量％、ジアクリレート、トリアクリレートお
よびテトラアクリレートのうちの１種以上を５〜
50重量％および開始剤を0.5〜３重量％含むラツ
カーとする。
ラツカーに入れたアクリル酸エステルの平均分
子量は比較的少なく、多くとも500とするのが好
適である。
容易に用いうるアクリル酸エステルの好適例
は、モノアクリレート、例えばエチルアクリレー
ト、ｎ−ブチルアクリレート、ヘキシルアクリレ
ート、オクチルアクリレート、２−エチルヘキシ
ルアクリレート、オクタデシルアクリレート、エ
トキシエチル アクリレートおよびフエノキシエ
チルアクリレートのようなアルキルアクリレー
ト、アルコキシアルキルアクリレート、フエノキ
シアルキル アクリレートおよびフエニルアクリ
レートや、ジアクリレート、例えば１，３−プロ
パンジオールジアクリレート、ジエチレングリコ
ールジアクリレートおよびテトラエチレングリコ
ールジアクリレートのようなアルカンジオールジ
アクリレートおよびケルケングリコールジアクリ
レートや、トリアクリレート、例えばトリメチロ
ールプロパントリアクリレートおよびペンタエリ
トリトールトリアクリレートや、テトラアクリレ
ート、例えばペンタエリトリトールテトラアクリ
レートや、オリゴマのアクリル酸エステル、例え
ばポリエチレングリコールアクリレートおよびエ
ポキシアクリレートである。
同様に容易に用いうるラツカーは、１分子当り
２つ或いは数個のエテン基（−CH＝CH−）を含
有する放射結合性ポリエン化合物と、１分子当り
２つ以上のチオール基（−SH）を含有するポリ
チオール化合物との混合物を有するものである。
ポリチオール化合物およびポリエン化合物は文
献から既知であり、市販されている。例えば米国
特許第3697395号、第3697396号、第3697397号お
よび第4008341号明細書を参照しうる。
特に、ポリチオールおよびポリエンより成る粘
性が比較的低い混合液、例えば粘度が100cPより
も低い、好適には20cPよりも低い混合液を用い
て良好な結果が得られる。これに相当するポリチ
オールおよびポリエンの混合物は一般に、ポリチ
オール化合物が1000の最大分子量を有し、ポリエ
ン化合物が500の最大分子量を有するようにする
のが好適な低分子量化合物を有する。
極めて好適なラツカーは、ジチオール、トリチ
オール或いはテトラチオール化合物と、ジエン、
トリエン或いはテトラエン化合物との混合物を有
するものである。
この混合物は特に、ジエン化合物とトリチオー
ル或いはテトラチオール化合物とを２：１〜１：
２の当量比とした混合物や、トリエン化合物とジ
チオール或いはトリチオール化合物とを同様に
２：１〜１：２の当量比とした混合物とするのが
好適である。
ここに当量比とは、“エン化合物”（−CH＝CH
−基）のグラム当量とチオール化合物（−SH
基）のグラム当量との比を意味するものとする。
２：１よりも高い或いは１：２よりも低い当量
比“エン−チオール”の場合、ラツカーを硬化さ
せる露光時間は一層長くなり、しばしば30分以上
となる。
約１：１の当量比“エン−チオール”の場合特
に多くとも５分の短かい露光時間を用いうる。
極めて好適な放射硬化性ラツカーは、トリチオ
ール化合物とトリエン化合物との混合を含むもの
である。また、２：１〜１：２の当量比“エン−
チオール”の場合、数分の極めて短かい露光時間
でも充分である。
有効なポリチオール化合物の例はチオグリコー
ル酸、２−メルカプトプロピオン酸または３−メ
ルカプトプロピオン酸と、ポリヒドロキシ化合物
とのエステルである。特に適したボリチオール化
合物は、ペンタエリトリトールテトラチオグリコ
レート、ペンタエリトリトールテトラ（３−メル
カプトプロピオネート）、トリメチロールプロパ
ントリ（３−メルカプトプロピオネート）、トリ
メチロールプロパントリチオグリコレート、エチ
レングリコールジメルカプトプロピオネート、エ
チレングリコールジメルカプトアセテートおよび
エチレングリコールジチオグリコレートである。
適当なポリエン化合物の例は、ポリヒドロキシ
化合物と多塩基性アクリル酸とのエステル、特に
アリルエステルか、或いは多塩基酸またはポリヒ
ドロキシ化合物のそれぞれのアリルエーテルであ
る。適当なポリエンの特別な例としては、１，３
−ブタンジオールアクリレートおよび１，３−ヘ
キサンジオール ジアクリレートのようなアルケ
ンジオール ジアクリレートや、テトラエチレン
グリコールジアクリレートや、トリプロピレング
リコールジアクリレートや、トリメチロールプロ
パントリアクリレートや、ジアリルオキサレート
や、ジアリルジグリコールカーボネートや、ジア
リルマレイネートや、ジアリル ジグリコレート
や、ジアリルマロネートや、トリアリルトリメリ
テートや、トリアリルイソシアヌレートがある。
前述したように、放射硬化性ラツカーは前述し
た結合性化合物に加えて感光性開始剤或いは活性
剤をも有し、これにより所望の基の形成やその後
の重合を開始させる。適当な開始剤はフエノン化
合物、キノン化合物、キサンテノン化合物、アン
トラセノン化合物或いはナフトン化合物のような
プロトン引抜き剤、例えばベンゾフエノン或いは
ベンゾインイソブチルエーテルである。開始剤の
量は約0.5〜３重量％とする。またラツカーには
通常の添加剤、例えば、イオノール（商品名）と
して既知の２，６−ジ第三ブチル−４−メチルフ
エノールのような酸化防止剤を0.05〜0.5重量
％、亜リン酸の30％水溶液のような安定化剤を亜
リン酸として0.05〜0.5重量％の量だけ加えるこ
とができる。
特別なラツカー組成に関しては、オランダ国特
許出願第7611395号（特開昭53−86756号）明細書
およびオランダ国特許出願第7804036号明細書を
参照しうる。
情報記録層はいわゆる融蝕性層であり、この融
蝕性層は、記録すべき情報に応じて変調されたレ
ーザ光が照射された際にその照射スポツト上で溶
融し、次に表面活性力の影響の下で溶融材料が縁
状に収縮し、これにより直立縁を有する孔を記録
層中に形成するような層である。融蝕性層自体は
既知であり、例えば1977年６月20日に公告された
オランダ国特許出願第7607997号明細書に記載さ
れている。
本発明による情報記録層に用いるのに適した記
録層は、Bi，Te，Se，Sn，As，Sb，Ge，Ga，
Ir，Tl，ＳおよびSiの元素群から選択した１種以
上の元素を有する約10〜100nm（ナノメートル）
の肉薄層である。特にBi，Teを有する記録層或
いはハロゲン化物ガラスを有する記録層が好適で
ある。記録層の放射により硬化した層上に蒸着処
理により容易に設けることができる。
情報は、この情報に応じて変調され10-6〜10-8
秒のパルス幅を有するレーザ光ビームを記録層上
に集束させることにより、本発明の情報記録素子
に記録する。このレーザ光ビームは記録層上で最
大25mW、一般に５〜10mWの光出力を有する
850nmの発光波長のAl Ga As（アルミニウム、
ガリウム、砒素）レーザ光のようなレーザから取
出す。パルス状の照射の為に、約0.5mmの直径を
有する孔が記録層に形成される。パルセ幅が短か
く、孔の直径が小さい為、情報を高密度で且つ極
めて高速度で記録しうる。
記録層に形成された孔は光学的に読取ることが
できる。読取りビームもレーザ光ビームであり、
このレーザ光ビームのエネルギーは書込みレーザ
光ビームのエネルギーよりも著るしく小さいこと
勿論である。従つて、読取りに用いるレーザの光
出力は低い。
情報の読取りおよび書込みは双方共基板を介し
て記録層を読取ることにより行なうのが好適であ
る。この場合には、基板およびラツカー層を、使
用するレーザ光に対し透明とする必要がある。基
板は透明な合成樹脂、例えばポリメチルメタクリ
レート、ポリズルフオン、ポリカーボネート、ポ
リビニルクロライドおよびビニルクロライドとビ
ニルアセテートとの共重合体とするのが好適であ
る。ガラスは透水性が極めて小さい為にガラスも
極めて好適な透明基板材料である。放射により硬
化された前述したようなラツカーの層はレーザ光
に対し透明である。基板を介して照射する場合、
基板の表面上に存在する傷或いはちりの粒子が記
録層上にレーザ光を集束させる対物レンズの焦点
深度外に位置するという利点が得られる。更に、
記録された情報の読取りは反射で行なうのが好適
である。この場合、走査し反射する読取り光ビー
ムの大部分が同じ光学通路を通る為、対物レンズ
のような必要とする光学素子の個数が透過読取り
の場合に比べて少なくなる。前述した記録層の材
料は、満足な反射読取りを実現するのに充分な反
射率を有する。
基板を介して書込みおよび読取りを行なう場
合、レーザ光ビームが基板と硬化したラツカー層
との間の界面を横切る。この界面は対物レンズの
焦点深度内に位置するも、記録素子に用いたラツ
カー層は基板材料に完全に固着され且つこの基板
材料と同じ或いはほぼ同じ屈折率を有し、従つて
複屈折が生じない為、上記の界面は光学的に見る
ことができない。この点は、偏光させたレーザ光
を用いて反射読取りをする場合に特に重要なこと
である。
前述したラツカーは前述した透明基板材料の屈
折率に相当する約1.5の屈折率を有する。
放射により硬化されたラツカー層の、基板に対
する固着性はラツカーおよび基板の種類に依存す
る。ラツカーおよび基板は互いに適合したものに
する必要がある。
非プロトン性ラツカー層は合成樹脂基板に良好
に固着するものである。前述した特定の化合物に
基づくラツカー層は硬化後に非プロトン性とな
る。結合性ポリチオール化合物を含むラツカーは
プロトン性チオール基の為に未硬化状態でプロト
ン性の特性を有する。硬化すると、チオール基の
プロトンが分離し、硬化したラツカーが非プロト
ン性の特性を有し、従つて合成樹脂基板に容易に
固着する。
プロトン性の特性を有する硬化ラツカー層の場
合、合成樹脂基板に対するよりもガラス基板に容
易に固着する。適当なラツカーは、前述した結合
性化合物のような結合性化合物を水酸基或いはア
ミノ基のような非反応性プロトン基で変性させた
ものからつくることができる。このプロトン性化
合物の例は１または数個の水酸基で置換したアク
リル酸エステル、例えばヒドロキシアルキルアク
リレート或いはアミノアルキルアクリレートであ
る。
ラツカーは、例えば型成形、射出成形或いはス
ピニング処理を用いることにより従来のようにし
て基板上に設けることができ、次にこのラツカー
を光で露光して硬化させることができる。
記録素子を製造する一方法では、ラツカーを設
けるのに母型を用いる。
本発明によれば、前述した情報記録素子を製造
する方法を提供する。本発明は、情報記録素子を
製造するに当り、正確に製造した母型の面に放射
硬化性のラツカーの液層を設け、このラツカーの
液層上に基板を設け、放射によりこの基板或いは
前記の母型を介して前記のラツカーの液層を硬化
させ、前記の基板と、硬化されたこの基板に固着
された前記のラツカー層とのアセンブリを前述の
母型から除去し、このアセンブリには前述のラツ
カー層の側に情報記録層を設けることを特徴とす
る。
本発明によれば、基板とは反対側の硬化ラツカ
ー層の表面が母型の面により完全に決まり、母の
面の精度を有するようにする。更に、母型と基板
との間に囲まれている上述した方法のラツカー層
は極めて容易に放射で硬化させることができ、酸
素妨害のおそれなく均一な硬化を生ぜしめること
ができる。
使用する母型は金属或いはガラスから造るのが
好適である。これらの材料を特に機械的に処理す
ることにより母型の面を容易に正確に造ることが
できる。非プロトン性の硬化ラツカー層は調製し
た金属或いはガラスの母型面には固着しないか或
いはほとんど固着しない為、前述したアセンブリ
は母型面から容易に分離させることができる。非
プロトン性ラツカーは前述したように合成樹脂に
容易に固着する、合成樹脂基板が上述した処理に
用いるのに極めて適している。このような非プロ
ント性の層は一般にガラス基板に満足に固着しな
い。上述した方法の一例においては、非プロトン
性のラツカー層をガラスで造つた基板に良好に固
着するようにする。この例によれば、ガラスで造
つた基板を用い、この基板の表面上に、ラツカー
層と接触さすべき有機シラン化合物を前処理で設
けるようにすることができる。
放射硬化性ラツカーと反応しうる反応基を含む
適当なシラン化合物はエテン系不飽和シラン、特
にγ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラ
ンのようなメタクリロキシアルキルシランであ
る。
基板を介してラツカー層を照射する場合、基板
は使用する放射、例えば紫外光に対し透明とする
必要がある。ラツカー層を放射により母型を介し
て硬化させる場合には、この母型に対しても上述
したことと同様なことがいえる。
情報記録素子の他の例においては、硬化ラツカ
ー層の、基板とは反対側の表面上に活性化層を設
け、この活性化層を情報記録層により被覆する。
活性化層は、記録層における孔の形成を励起す
る或いは記録層に他の化学的または物理的に変化
を与えやすくする材料を有するようにする。例え
ば、活性化層がSeまたはCdのような容易に蒸発
しうる材料或いはレーザ光により照射されると分
解し気体生成物を形成する有機化合物を有するよ
うにすることができる。活性化層の厚さは例えば
30〜150nmのように薄くし、この活性化層は蒸着
処理により放射硬化ラツカー層上に設けることが
できる。
他の好適例においては、記録素子に硬化ラツカ
ー層を設け、この硬化ラツカー層の、基板とは反
対側の表面上に、光学的に読取りうるサーボトラ
ツクを設け、記録したサーボデータに相当し高レ
ベル位置および低レベル位置に交互に位置するサ
ーボ領域の起伏構造を前記のサーボトラツクが少
くとも部分的に有するようにする。
サーボトラツクは一般にらせん状とするか或い
は同心円の形状とし、高および低レベル位置に交
互に位置ししばしばそれぞれブロツクおよびピツ
トと称するサーボ領域により情報トラツクに凹凸
分布を与えるようにする。
ブロツクおよびピツトの長手方向寸法はほぼ
0.5〜３μｍとする。ブロツクとピツトとの間の
高さの差は、サーボトラツクおよびサーボデータ
を光学的に読取るレーザ光の波長のほぼ４分の１
とする。
サーボデータは書込みおよび走査装置の作動に
関するデータ、例えばデータを記録する速度やデ
ータを書込むべき記録層上の位置に関するデータ
を有する。
サーボトラツクを設けた情報記録素子は、記録
層への情報の記録をサーボトラツクに存在するサ
ーボデータにより正確に制御しうるという重要な
利点を有する。サーボトラツクを走査するレーザ
光ビーム（以後サーボレーザ光ビームと称する）
はサーボデータを制御機構に供給し、この制御機
構によりレーザを高強度に切換え、所望の情報を
記録層に書込みうるようにする。
情報の書込みは、記録層のうちサーボデータ間
のサーボトラツク上に位置する部分に行なうのが
好適である。
硬化ラツカー層上にサーボトラツクを設けた情
報記録素子は、母型を用いる前述した方法により
簡単に製造しうる。
この方法においては、サーボトラツクを有する
母型の面上に液体の放射硬化性ラツカーの肉薄層
を設け、このラツカー層上に基板を配置し、この
ラツカー層を基板或いは母型を介して放射により
硬化させ、基板とこれに固着された硬化ラツカー
層とのアセンブリを母型の前記の面から分離さ
せ、このアセンブリには前記のラツカー層の側に
情報記録層を設ける。
上記の記録層はラツカー層上に直接設けること
ができる。ラツカー層はサーボトラツクの側で前
述した活性化層で被覆し、この活性層に記録層を
設けるようにすることもできる。
サーボトラツクは基板を介して反射で読取るよ
うにするのが好適であり、この場合、読取りレー
ザ光は基板および硬化ラツカー層を通り、記録層
により部分的に反射される。
記録層の厚さは一般に100〜1000Åの範囲、例
えば450Åとし、この記録層がサーボトラツクの
輪郭を容易にたどるようにする。従つて、サーボ
データの読取りは記録素子の上側、すなわち基板
とは反対側から行なうか、或いは基板を介して行
なうことができる。しかし、基板を介する読取り
の方が好適である。この場合、基板およびラツカ
ー層はサーボレーザ光ビームに対し透明とする必
要があること勿論である。
大きな厚さ、例えば0.2μｍの放射反射層を用
いる場合には、サーボトラツクは透明基板を介し
て読取る必要がある。
記録層への情報の書込み（孔の形成）は記録層
の厚さに無関係に上側から（空気を介する入射）
行なうか或いは好適には基板を介して行なうこと
ができる。
40nmの厚さを有するCdの蒸着層のような反射
性活性化層を硬化ラツカー層と記録層との間に存
在させる場合には、サーボトラツクを、上記の活
性化層に対するサーボレーザ光ビームの反射によ
り基板を介して容易に読取ることができる。
図面につき本発明を説明する。
本発明による情報記録素子の一例を示す第１図
において、符号１は合成樹脂例えばポリメチルメ
タクリレートより成る１mm厚の透明基板を示し、
この一方の面上に、60重量％のエチルヘキシルア
クリレート、20重量％のトリメチロールプロパン
トリアクリレート、18重量％のブタンジオールジ
アクリレートおよび２重量％のベンゾイン−ｎ−
ブチルエーテルを含有する紫外光硬化（硬化し
た）ラツカー層２を設ける。ラツカー層２は10μ
ｍの厚さとし、このラツカー層にケルマニウム−
テルリウム合金の記録層３を0.04μｍの厚さに設
ける。第１図に示す記録素子を、書込むべき情報
に応じてパルス化したレーザ光で露光する。パル
ス幅は500ナノ秒とする。露光は矢印４で示す方
向で基板１を介して行なうが、矢印５で示す方向
で記録素子の上側から（上側面を介して）行なう
ことができる。この露光の結果、記録層３に0.5
μｍの直径の孔６が形成される（第２図参照）。
第２図の符号は第１図の符号に相当する。
本発明による記録素子の他の例を示す第３図に
おいて、符号７は透明合成樹脂より成る１mm厚の
基板７を示し、この基板７に上述した紫外光硬化
ラツカー層８を設ける。基板７とは反対側のラツ
カー層８の面には0.15μｍの厚さの連続的な活性
化層９を設ける。ラツカー層８とは反対側の活性
化層９の面上には0.04μｍの厚さの連続的なビス
マス記録層１０を設ける。この記録素子をパルス
化されたレーザ光で露光する。この場合、露光は
上側から或いは合成樹脂の基板７を介して行なう
ことができ、記録層１０およびその下側の活性化
層９の双方に孔１１を形成する。露光後に除去さ
れた活性化層９および記録層１０のそれぞれの部
分１２および１３を第３図に破線で示す。書込ま
れた情報は記録素子の上側から或いは合成樹脂の
基板７を介してレーザ光により読取ることができ
る。読取りレーザ光ビームの光出力は書込みレー
ザ光ビームの光出力よりも著るしく低くでき、例
えば読取り光出力を書込み光出力の1/10にするこ
とができる。書込み光出力の値は種々のフアク
タ、例えばパルス幅や、記録層および活性化層の
特性および厚さに依存する。記録層には一般に少
くとも4mWの書込み光出力が必要となる。
本発明による記録素子の更に他の例を示す第４
図において、符号１４は一方の面上にγ−メタク
リロキシ−プロピルトリメトキシシラン（図示せ
ず）を設けた１mm厚のガラス基板を示し、この基
板にはシラン化合物の側の上に前述した紫外光硬
化ラツカー層１５を設ける。基板１４とは反対側
のラツカー層１５の面上には、長手方向の寸法が
0.5μｍ〜３μｍであるピツト１８およびブロツ
ク１９の形態でサーボデータ１７を部分的に有す
るサーボトラツク１６を設ける。ブロツクおよび
ピツト間の高さの差は約0.2〜0.4μｍである。ラ
ツカー層１５にはサーボトラツク１６の側で
Te33Sb33Se34の記録層２０を0.04μｍの厚さに被
覆する。この記録素子を上側から或いは基板１４
を介してパルス化レーザ光で露光し、サーボデー
タ１７が与えられていない溝１６の部分を被覆す
る記録層２０の部分においてこの記録層２０を局
部的に溶融および蒸発させることにより孔２１を
形成する。これらの孔の直径は約0.5〜１μｍと
する。露光後に除去された記録層の部分を第４図
に破線で示す。書込まれた情報およびサーボデー
タの、レーザ光による読取りは上側から或いは基
板を介して行なうことができる。サーボデータは
書込みレーザ光ビームの制御命令を有し、これら
の制御命令により特に書込み速度や位置、従つて
記録層における孔の形成速度や位置が決定され
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による情報記録素子の一例を示
す断面図、第２図は情報を書込んだ後の第１図の
情報記録素子を示す断面図、第３図は活性層を有
する本発明による情報記録素子の他の例を示す断
面図、第４図はサーボトラツクを有する本発明に
よる情報記録素子の更に他の例を示す接線方向の
断面図である。 １，７，１４……基板、２，８，１５……ラツ
カー層、３，１０，２０……記録層、６，１１，
２０……孔、９……活性化層、１６……サーボト
ラツク、１７……サーボデータ、１８……ピツ
ト、１９……ブロツク。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 基板を有し、該基板の一方の面上に合成樹脂
    の遮蔽層を設け、この遮蔽層に情報記録層を設け
    て成り、情報を光学的に書込みおよび読出しする
    ことができる情報記憶素子において、前記の遮蔽
    層を反射で硬化させたラツカーの層としたことを
    特徴とする情報記録素子。 ２ 特許請求の範囲１記載の情報記録素子におい
    て、前記ラツカーが１分子当り少くとも１つのエ
    テン基（−CH＝CH−）を含有する放射結合性エ
    テン系不飽和化合物を有するようにしたことを特
    徴とする情報記録素子。 ３ 特許請求の範囲２記載の情報記録素子におい
    て、前記ラツカーがアクリル酸のモノエステル、
    ジエステル、トリエステル或いはテトラエステル
    に基づくモノマおよびオリゴマの双方またはいず
    れか一方の混合液を含み、肉薄の液体層として被
    着しうるようにしたことを特徴とする情報記録素
    子。 ４ 特許請求の範囲３記載の情報記録素子におい
    て、前記ラツカーが、モノアクリレートを40〜90
    重量％含み、ジアクリレートおよびトリアクリレ
    ートおよびテトラアクリレートの１種以上を５〜
    50重量％含み、開始剤を0.5〜３重量％含むよう
    にしたことを特徴とする情報記録素子。 ５ 特許請求の範囲２記載の情報記録素子におい
    て、１分子当り少くとも２つのエテン基を含有す
    る放射結合性ポリエン化合物と、１分子当り２つ
    以上のチオール基を含有するポリチオール化合物
    との混合物を前記のラツカーが有するようにした
    ことを特徴とする情報記録素子。 ６ 特許請求の範囲５記載の情報記録素子におい
    て、前記のラツカーがジチオール或いはトリチオ
    ール或いはテトラチオールと、ジエン化合物或い
    はトリエン化合物或いはテトラエン化合物との混
    合物を有するようにしたことを特徴とする情報記
    録素子。 ７ 特許請求の範囲１記載の情報記録素子におい
    て、前記の硬化したラツカーの層の、前記の基板
    とは反対側の面上に活性化層を設け、この活性化
    層を前記の情報記録層で被覆したことを特徴とす
    る情報記録素子。 ８ 特許請求の範囲１記載の情報記録素子におい
    て、前記の硬化したラツカーの層の、前記の基板
    とは反対側の面上に光学的に読取りうるサーボト
    ラツクを設け、記録したサーボデータに相当し高
    レベル位置および低レベル位置に交互に位置する
    サーボ領域の起伏構造を前記サーボトラツクが少
    くとも部分的に有するようにしたことを特徴とす
    る情報記録素子。 ９ 情報記録素子を製造するに当り、正確に製造
    した母型の面に放射硬化性のラツカーの液層を設
    け、このラツカーの液層上に基板を設け、放射に
    よりこの基板或いは前記の母型を介して前記のラ
    ツカーの液層を硬化させ、前記の基板と、硬化さ
    れたこの基板に固着された前記のラツカー層との
    アセンブリを前記の母型から除去し、このアセン
    ブリには前記のラツカー層の側に情報記録層を設
    けることを特徴とする情報記録素子の製造方法。 １０ 特許請求の範囲９記載のの情報記録素子の
    製造方法において、ガラスで造つた基板を用い、
    この基板の、ラツカー層と接触さすべき面上に前
    処理で有機シラン化合物を設けることを特徴とす
    る情報記録素子の製造方法。
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