JPS61287292A - 電子装置および方法 - Google Patents
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- JPS61287292A JPS61287292A JP61130025A JP13002586A JPS61287292A JP S61287292 A JPS61287292 A JP S61287292A JP 61130025 A JP61130025 A JP 61130025A JP 13002586 A JP13002586 A JP 13002586A JP S61287292 A JPS61287292 A JP S61287292A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の背景〕
〔発明の分野〕
本発明は、印刷回路基板、集積回路アセンブリ(IC)
、及び減結合コンデンサを含む複合電子アセンブリに関
するものである。
、及び減結合コンデンサを含む複合電子アセンブリに関
するものである。
更に、本発明は、最大の集積度と高い減衰効率を達成す
ることを可能とする形の装置を製造する方法に関するも
のである。
ることを可能とする形の装置を製造する方法に関するも
のである。
必ずしもそれに限定するものではないが電子計算機産業
分野を含む現状技術に従えば、印刷回路(PC)基板を
用いて電子装置を組上げるのが一般的である。従来のP
C基板は、絶縁性の基板を含んでおり、外側の表面上ま
たは絶縁層にはさまれた内部基板上に複数の導電性経路
を有している。
分野を含む現状技術に従えば、印刷回路(PC)基板を
用いて電子装置を組上げるのが一般的である。従来のP
C基板は、絶縁性の基板を含んでおり、外側の表面上ま
たは絶縁層にはさまれた内部基板上に複数の導電性経路
を有している。
現在ではPC基板は、過去の点と点を線でつなぐ方法に
とってかわるほとんど万能的な手段となっている。
とってかわるほとんど万能的な手段となっている。
最大の集積度を達成するために、従来からPC基板と共
に、それ自身が複数の回路及び副回路を含むシリコンの
チップを1個または複数個含むIC装置を用いている。
に、それ自身が複数の回路及び副回路を含むシリコンの
チップを1個または複数個含むIC装置を用いている。
1Gチツプには、PC基板上の孔またははんだ付はパッ
ドと対応する位置に配置した複数個の端子または突出し
た接触指が含まれている。IC装置をPC基板へ組込む
ことは、IC装置の端子を対応する位置に設けられたP
C基板中の孔へ通すことによるか、または端子を基板の
はんだ付はパッドと位置を合せた後に、端子と対応する
導電性経路との間にはんだ接続を行う(貫通孔型のPC
基板採用の場合)か、または孔なしのPC基板を用いた
場合には端子とはんだ付はパッドとの間にはんだ接続を
行うことによって行われる。
ドと対応する位置に配置した複数個の端子または突出し
た接触指が含まれている。IC装置をPC基板へ組込む
ことは、IC装置の端子を対応する位置に設けられたP
C基板中の孔へ通すことによるか、または端子を基板の
はんだ付はパッドと位置を合せた後に、端子と対応する
導電性経路との間にはんだ接続を行う(貫通孔型のPC
基板採用の場合)か、または孔なしのPC基板を用いた
場合には端子とはんだ付はパッドとの間にはんだ接続を
行うことによって行われる。
従来の方法では、特に電子計算機分野ではIC装置の電
源リードの両端子間に分路コンデンサを接続する。この
コンデンサの役割は、除去されずにシステム中へ送られ
た場合当業者には「ソフトエラー」として知られる事象
を発生させる電源中のパルスやスパイクを減衰させるこ
とである。
源リードの両端子間に分路コンデンサを接続する。この
コンデンサの役割は、除去されずにシステム中へ送られ
た場合当業者には「ソフトエラー」として知られる事象
を発生させる電源中のパルスやスパイクを減衰させるこ
とである。
これまで、必要な減衰コンデンサを供給する従来の手段
としては、分路コンデンサの突出したリードを、PC基
板上の導電性経路によってICの電源端子へつながれた
、PC基板の適切にとりつけられたグロメット(はと目
)またはパッドへはんだ付けする方法が用いられてきて
いる。その後、コンデンサとICチップの電源リードと
の間にはかなりの長さの導電経路が存在するためにかな
りのインダクタンスを生ぜしめることが明らかとなって
きた。そのようなインダクタンスのために、望みの電源
減衰効果を達成するためには比較的大きいコンデンサ容
量を用いることが必要となる。
としては、分路コンデンサの突出したリードを、PC基
板上の導電性経路によってICの電源端子へつながれた
、PC基板の適切にとりつけられたグロメット(はと目
)またはパッドへはんだ付けする方法が用いられてきて
いる。その後、コンデンサとICチップの電源リードと
の間にはかなりの長さの導電経路が存在するためにかな
りのインダクタンスを生ぜしめることが明らかとなって
きた。そのようなインダクタンスのために、望みの電源
減衰効果を達成するためには比較的大きいコンデンサ容
量を用いることが必要となる。
明らかに、大容量のコンデンサを用いることは、その電
子アセンブリのコスト高の原因になるのみでなく、必要
な大容量のための物理的寸法のために集積度をあげるこ
とを困難とする原因となる。
子アセンブリのコスト高の原因になるのみでなく、必要
な大容量のための物理的寸法のために集積度をあげるこ
とを困難とする原因となる。
米国特許第3.617,817号、第4,249.19
6号に示されたように、より最近の技術に従えば、IC
装置の内に多重層セラミックコンデンサ(MLC’)を
直接用いることが提案されている。MLCをICパッケ
ージ中へ組み入れることによって、分路コンデンサをt
Cの電源端子間へ接続するリードは非常に短かくできる
。短かいリードを使用することで達成されるインダクタ
ンスの減少のために、それ以前に可能であった十分な減
衰効果を達成するために必要な容量を十分小さくするこ
とができ、従って物理的により小さいコンデンサですま
せることができることがわかった。IC基板内にコンデ
ンサを封入することで集積度を^めることかできるとい
うもう一つの利点も得られる。
6号に示されたように、より最近の技術に従えば、IC
装置の内に多重層セラミックコンデンサ(MLC’)を
直接用いることが提案されている。MLCをICパッケ
ージ中へ組み入れることによって、分路コンデンサをt
Cの電源端子間へ接続するリードは非常に短かくできる
。短かいリードを使用することで達成されるインダクタ
ンスの減少のために、それ以前に可能であった十分な減
衰効果を達成するために必要な容量を十分小さくするこ
とができ、従って物理的により小さいコンデンサですま
せることができることがわかった。IC基板内にコンデ
ンサを封入することで集積度を^めることかできるとい
うもう一つの利点も得られる。
不利な側面としては、Ic基板内へMLCを取込むこと
によって、数多くの製造及び柔軟性の問題が生ずる。製
造の観点からは、異なる熱膨張係数を有する要素を同一
装置内へ封入することから電気的及び機械的性質におけ
る信頼性の問題が増大する。柔軟性の観点からは、与え
られたICチップを各種の回路構成、応用途、電源条件
のもとで使用することから、含まれる容量が減衰のため
の理想的な容量の近似値でしかないという状況が発生す
る。このように、概念的にはMLCをICパッケージ内
へ用いることは技術的な進歩をもたらすものではあるが
、そのような複合装置はいまだ広範囲で使用されるに至
っていない。
によって、数多くの製造及び柔軟性の問題が生ずる。製
造の観点からは、異なる熱膨張係数を有する要素を同一
装置内へ封入することから電気的及び機械的性質におけ
る信頼性の問題が増大する。柔軟性の観点からは、与え
られたICチップを各種の回路構成、応用途、電源条件
のもとで使用することから、含まれる容量が減衰のため
の理想的な容量の近似値でしかないという状況が発生す
る。このように、概念的にはMLCをICパッケージ内
へ用いることは技術的な進歩をもたらすものではあるが
、そのような複合装置はいまだ広範囲で使用されるに至
っていない。
上述の背景に留意すると、本発明の目的は、PC基板、
IC装置、MLCを含み、それらを特定の回路応用途に
おいて集積度を低下させることなくMLCの減衰効果を
最適化するように組合せた理想的な回路形状を得ること
である。
IC装置、MLCを含み、それらを特定の回路応用途に
おいて集積度を低下させることなくMLCの減衰効果を
最適化するように組合せた理想的な回路形状を得ること
である。
本発明の更に別の目的は、従来の大量生産されたIC装
置をPC基板及びMLGと組合せて、そこにMLCを用
いることによってICの製造を複雑化することなく、ま
たMLCと■cとの間に長1いリードの使用を必要とせ
ずに、MLCの減衰値を最適化することである。
置をPC基板及びMLGと組合せて、そこにMLCを用
いることによってICの製造を複雑化することなく、ま
たMLCと■cとの間に長1いリードの使用を必要とせ
ずに、MLCの減衰値を最適化することである。
〔問題点を解決するための手段と作用〕更に詳細には、
本発明を要約すれば、PC基板とICとMLCを組合せ
て、集積度を犠牲とすることなくコンデンサの最も効果
的な使用を行うことであると言える。
本発明を要約すれば、PC基板とICとMLCを組合せ
て、集積度を犠牲とすることなくコンデンサの最も効果
的な使用を行うことであると言える。
更に詳細には、本発明に従えば、PC基板であって、通
常の内部導電性経路を有し、それの露出した表面上に一
連のはんだ付はパッドを有しており、それらに対してI
Cの端子が固定されるようになった、PC基板が得られ
る。このPC基板と組合せられるIC装置が得られ、そ
れにはICの下面から下方へ突出する脚で構成される端
子が含まれている。本発明の新規な点は、IC本体で占
められる空間の下方に直接とりつけられた1対のはんだ
付はパッドを設けることを含み、上記はんだ付はパッド
はPC基板の電源端子へつながる導電性経路を含み、そ
れがICの電源供給端子へつながるようになっているこ
とを含む。
常の内部導電性経路を有し、それの露出した表面上に一
連のはんだ付はパッドを有しており、それらに対してI
Cの端子が固定されるようになった、PC基板が得られ
る。このPC基板と組合せられるIC装置が得られ、そ
れにはICの下面から下方へ突出する脚で構成される端
子が含まれている。本発明の新規な点は、IC本体で占
められる空間の下方に直接とりつけられた1対のはんだ
付はパッドを設けることを含み、上記はんだ付はパッド
はPC基板の電源端子へつながる導電性経路を含み、そ
れがICの電源供給端子へつながるようになっているこ
とを含む。
ICの使用の前に、ICによって占められるべき領域の
下の空間にとりつけられたはんだ付はパッドへMLCが
接続される。MLCの厚み寸法は、ICの下面下でPC
基板上の領域中へMLCが配置できる程度であるため、
そのような空間はIC装置の下方へ延びる端子の長さに
よって供給できる。
下の空間にとりつけられたはんだ付はパッドへMLCが
接続される。MLCの厚み寸法は、ICの下面下でPC
基板上の領域中へMLCが配置できる程度であるため、
そのような空間はIC装置の下方へ延びる端子の長さに
よって供給できる。
本発明の重要な特長は、各ICが、それの特殊な機能を
発揮する用途で使用される場合に、特定の温度でまたは
特定の温度笥囲内で動作するということを考えることに
よって、生まれてくる。更に、与えられたICが動作す
る温度は用途毎に異なるであろうことが考えられる。ま
た、そのMLCが動作する温度または温度範囲が知れて
いれば、MLCを製造するために用いる誘電体物質の処
方を、最大の誘電率を与えるものに選ぶことができると
いうことが考えられる。
発揮する用途で使用される場合に、特定の温度でまたは
特定の温度笥囲内で動作するということを考えることに
よって、生まれてくる。更に、与えられたICが動作す
る温度は用途毎に異なるであろうことが考えられる。ま
た、そのMLCが動作する温度または温度範囲が知れて
いれば、MLCを製造するために用いる誘電体物質の処
方を、最大の誘電率を与えるものに選ぶことができると
いうことが考えられる。
このようにして、MLCをICの下へ直接的に、熱交換
関係をもってとりつけ、ICによって発生する熱がML
Cを特定の温度または予測される動作温度範囲内に保つ
ようにすることによって、最適の回路形状を得ることが
できることがわかる。
関係をもってとりつけ、ICによって発生する熱がML
Cを特定の温度または予測される動作温度範囲内に保つ
ようにすることによって、最適の回路形状を得ることが
できることがわかる。
従って、PC基板とICとの間の空間内の動作温度を測
定することによって、または特定の回路構成中でのIC
の既知の動作パラメータからそのような特性を見積るこ
とによって、そしてMLCを上記空間中へICと熱交換
関係を持たせてとりつけることによって、MLCの誘電
体成分を調整して、MLCの値を理想的な減衰効果を得
るために最適な値に保つことが可能である。
定することによって、または特定の回路構成中でのIC
の既知の動作パラメータからそのような特性を見積るこ
とによって、そしてMLCを上記空間中へICと熱交換
関係を持たせてとりつけることによって、MLCの誘電
体成分を調整して、MLCの値を理想的な減衰効果を得
るために最適な値に保つことが可能である。
更に詳細には、もし与えられたICがPC基板とIC装
置の下面との間の空間が例えば約65゛から約70℃の
温度範囲に保たれるような回路構成に用いられたとする
と、そのような環境では誘電体物質を処方するのに、そ
の材料の誘電率がそのような温度範囲内で最も高くなる
ように選ぶことができる。このようにして、コンデンサ
の寸法は望みの容量値を達成するために必要な最も小さ
いものに保たれる。
置の下面との間の空間が例えば約65゛から約70℃の
温度範囲に保たれるような回路構成に用いられたとする
と、そのような環境では誘電体物質を処方するのに、そ
の材料の誘電率がそのような温度範囲内で最も高くなる
ように選ぶことができる。このようにして、コンデンサ
の寸法は望みの容量値を達成するために必要な最も小さ
いものに保たれる。
上述の要約から明らかなように、本発明は、適切な接続
パッドと内部導体を有するPC基板、IC装置であって
IC装置の下面に基板上にあらかじめ定められた距離を
占める端子を有するIC装置、IC装置の下面とPC基
板の間にとりつけられたMLCであってIC装置の電源
供給端子を分路するようにとりつけられたMLC,を含
み、上記MLCがIC装置へ熱交換関係をもってとりつ
けられ、それによってIC装置とMLGとがMLCの容
量を望みの値または望みの範囲内に保つように相互作用
するようになった、製造物品を与えるものに属すると考
えられる。
パッドと内部導体を有するPC基板、IC装置であって
IC装置の下面に基板上にあらかじめ定められた距離を
占める端子を有するIC装置、IC装置の下面とPC基
板の間にとりつけられたMLCであってIC装置の電源
供給端子を分路するようにとりつけられたMLC,を含
み、上記MLCがIC装置へ熱交換関係をもってとりつ
けられ、それによってIC装置とMLGとがMLCの容
量を望みの値または望みの範囲内に保つように相互作用
するようになった、製造物品を与えるものに属すると考
えられる。
本発明は更に理想的な回路減衰形状を達成する方法に関
するものと考えられ、その方法は、MLCで占められる
領域におけるIC(及びその他の存在する隣接回路)の
加熱効果の結果の温度を測定する工程、上述の空間へ誘
電体材料でできたMLCを挿入する工程を含み、その誘
電体の誘電率は出現すると予測される動作温度において
最適化されており、能動性部品はPC基板上に熱交換関
係をもってとりつけられている。
するものと考えられ、その方法は、MLCで占められる
領域におけるIC(及びその他の存在する隣接回路)の
加熱効果の結果の温度を測定する工程、上述の空間へ誘
電体材料でできたMLCを挿入する工程を含み、その誘
電体の誘電率は出現すると予測される動作温度において
最適化されており、能動性部品はPC基板上に熱交換関
係をもってとりつけられている。
以上の目的やその他以下にあられれる目的を達成するた
めには図面を参照するのが望ましい。
めには図面を参照するのが望ましい。
図面を参照すると、第1図には代表的なPC基板区分1
oが示されており、それは重合体で強化されたファイバ
ガラス材や同等材でできている。
oが示されており、それは重合体で強化されたファイバ
ガラス材や同等材でできている。
基板10は、複数個の表面はんだ付はパッド11へつな
がった複数個の内部(サブ表面)導電性経路を含んでい
る。
がった複数個の内部(サブ表面)導電性経路を含んでい
る。
当業者には明らかなように、第1図に示されたPC基板
の区分は、例示の目的で、数多くのくりかえしまたは修
正構造を含む大型の基板構成の小さい部分を表わしてい
る。はんだ付はパッド11は、第2図により詳細に示さ
れたIC装置13から突出した端子12に対する接続点
を構成するように位置している。第2図に示されたIC
装置はそれ自身知られているので、それの構成詳細は本
発明の解釈に必要な範囲で説明される。
の区分は、例示の目的で、数多くのくりかえしまたは修
正構造を含む大型の基板構成の小さい部分を表わしてい
る。はんだ付はパッド11は、第2図により詳細に示さ
れたIC装置13から突出した端子12に対する接続点
を構成するように位置している。第2図に示されたIC
装置はそれ自身知られているので、それの構成詳細は本
発明の解釈に必要な範囲で説明される。
更に詳細には、IC装置13はその中に複数個の回路が
彫り込まれ定義されたシリコンチップを含むのが代表的
であり、そのシリコンチップはエポキシや同等の重合体
母材14内に封じ込められている。端子12は母材を通
って延びて封じ込められたシリコンチップの回路と電気
的に接触している。IC装@13の母材14は下方を向
いた下面15を含んでいる。
彫り込まれ定義されたシリコンチップを含むのが代表的
であり、そのシリコンチップはエポキシや同等の重合体
母材14内に封じ込められている。端子12は母材を通
って延びて封じ込められたシリコンチップの回路と電気
的に接触している。IC装@13の母材14は下方を向
いた下面15を含んでいる。
第2図かられかるように、母材14の下面は、端子12
のベース部分16の上のレベルにとりつけられている。
のベース部分16の上のレベルにとりつけられている。
これかられかるように、tCがとりつけられると、PC
基板の上表面18と母材14の下面との間に空間17が
できる。このようにつくられる空間17内にあらかじめ
MLC19がとりつけられている。このコンデンサは多
重層セラミックコンデンサのようなものでよく、それの
高さ寸法は本発明の場合的0.56am(0,022”
)から約0.6611 (0,026’Mの範囲内のものであることが望ましい
。このMLC19は、通常の互に逆橿性の内部コンデン
サN極へつながった端子20.21を含んでいる。この
端子20.21は端部をおおうような薄い金属のバンド
の形であるのが望ましく、更に端部に隣接するMLC本
体の重なり部分を有するのが望ましい。端子20.21
は、母材14の下面15の直下に位置する領域内のPC
基板上に形成されたはんだ付はパッド22.23へそれ
ぞれはんだ接着される。PC基板は内部導電性経路22
’ 、23’を含み、それらはMLC19の端子をはん
だ付はパッド24.25へ電気的に接続するように働き
、パッド24.25はM LCの電源供給端子に接触す
るパッドとして示されている。
基板の上表面18と母材14の下面との間に空間17が
できる。このようにつくられる空間17内にあらかじめ
MLC19がとりつけられている。このコンデンサは多
重層セラミックコンデンサのようなものでよく、それの
高さ寸法は本発明の場合的0.56am(0,022”
)から約0.6611 (0,026’Mの範囲内のものであることが望ましい
。このMLC19は、通常の互に逆橿性の内部コンデン
サN極へつながった端子20.21を含んでいる。この
端子20.21は端部をおおうような薄い金属のバンド
の形であるのが望ましく、更に端部に隣接するMLC本
体の重なり部分を有するのが望ましい。端子20.21
は、母材14の下面15の直下に位置する領域内のPC
基板上に形成されたはんだ付はパッド22.23へそれ
ぞれはんだ接着される。PC基板は内部導電性経路22
’ 、23’を含み、それらはMLC19の端子をはん
だ付はパッド24.25へ電気的に接続するように働き
、パッド24.25はM LCの電源供給端子に接触す
るパッドとして示されている。
上述のことから明らかなように、コンデンサ19のとり
つけと、それにつづくはんだ付は等の方法によるICl
3のとりつけの後では、MLCI9は、ICの電源供給
端子へつながれたパッド24.25を分路するようにと
りつけられることになる。MLCI9は更に、下面15
に近接しているために、IC装置13に対して熱交換関
係をもってとりつけられることになる。
つけと、それにつづくはんだ付は等の方法によるICl
3のとりつけの後では、MLCI9は、ICの電源供給
端子へつながれたパッド24.25を分路するようにと
りつけられることになる。MLCI9は更に、下面15
に近接しているために、IC装置13に対して熱交換関
係をもってとりつけられることになる。
MLCfi:IC装置に対して熱交換関係をもたせて組
合せることによって、MLCの誘電体材料の誘電率を選
んでその特定の装置の動作温度範囲において最大の容量
を得るようにすることが可能である。
合せることによって、MLCの誘電体材料の誘電率を選
んでその特定の装置の動作温度範囲において最大の容量
を得るようにすることが可能である。
第5図を参照すると、チタン酸バリウム誘電体の誘電率
変化を示すグラフが示されている。このグラフでY軸は
、X軸にそった温度変化に従う容量の変化の割合を示し
ている。このグラフかられかるように、このコンデンサ
が約55°から60℃の温度範囲で動作するとき、容量
は25℃における基準値から20%増大する。例えばI
Cの下における温度を測定することによって、特定の回
路応用において、与えられたICが動作する温度を計算
することは容易に可能であるので、その温度範囲におい
て誘電率が最大となる誘電体を用いたコンデンサを選ぶ
ことが可能である。このようにして選ばれた誘電体を最
適化することによって、より小型なコンデンサを作製す
ることおよび/または容量を最大化することが可能であ
り、従って選ばれたコンデンサのパルス減衰効果を最大
化することが可能である。次に第3図を参照すると、本
発明の実施例が示されており、それはすべての点で第2
図の実施例と似ているが、シェル14′の下面15′が
MLCI 9の部分をとりかこむ大きさの下方をむいた
へこみ部30を含む点が異なっている。この構成によっ
てコンデンサとIC装置との間の熱交換関係は促進され
、最大の熱転送が保証される。更に、IC装置をへこま
せてMLCの部分をそこにとりこむことによって最大の
小型化と集積度が得られる。 4
゜上述の説明から明らかなように、本発明はPC基板、
IC装置とIC装置の下に配置されてIC装置と熱交換
関係にあるMLCとを含む新規な装置に関するものであ
る。更に本発明はIC装置下の空間の最も有効な使用を
保証する新規な方法に関するものである。
変化を示すグラフが示されている。このグラフでY軸は
、X軸にそった温度変化に従う容量の変化の割合を示し
ている。このグラフかられかるように、このコンデンサ
が約55°から60℃の温度範囲で動作するとき、容量
は25℃における基準値から20%増大する。例えばI
Cの下における温度を測定することによって、特定の回
路応用において、与えられたICが動作する温度を計算
することは容易に可能であるので、その温度範囲におい
て誘電率が最大となる誘電体を用いたコンデンサを選ぶ
ことが可能である。このようにして選ばれた誘電体を最
適化することによって、より小型なコンデンサを作製す
ることおよび/または容量を最大化することが可能であ
り、従って選ばれたコンデンサのパルス減衰効果を最大
化することが可能である。次に第3図を参照すると、本
発明の実施例が示されており、それはすべての点で第2
図の実施例と似ているが、シェル14′の下面15′が
MLCI 9の部分をとりかこむ大きさの下方をむいた
へこみ部30を含む点が異なっている。この構成によっ
てコンデンサとIC装置との間の熱交換関係は促進され
、最大の熱転送が保証される。更に、IC装置をへこま
せてMLCの部分をそこにとりこむことによって最大の
小型化と集積度が得られる。 4
゜上述の説明から明らかなように、本発明はPC基板、
IC装置とIC装置の下に配置されてIC装置と熱交換
関係にあるMLCとを含む新規な装置に関するものであ
る。更に本発明はIC装置下の空間の最も有効な使用を
保証する新規な方法に関するものである。
更に詳細には、本方法は、IC装置の下の動作温度範囲
を決定する工程、IC装置下の空間に発生する温度範囲
に従ってMLC中に採用すべき誘電体を選定する工程を
含んでいる。セラミックコンデンサ工業分野においては
誘電率の温度変化はよく知られているため、当業者は特
定の動作温度を知れば、既知のセラミック組成を調節し
て選ばれた温度範囲内で誘電率を最大化することは容易
である。
を決定する工程、IC装置下の空間に発生する温度範囲
に従ってMLC中に採用すべき誘電体を選定する工程を
含んでいる。セラミックコンデンサ工業分野においては
誘電率の温度変化はよく知られているため、当業者は特
定の動作温度を知れば、既知のセラミック組成を調節し
て選ばれた温度範囲内で誘電率を最大化することは容易
である。
当業者にとっては構成の詳細に関して数多くの変形が可
能であることが明らかであろう。従って、ここに述べた
本発明は特許請求の範囲内で広く解釈されるべきもので
ある。
能であることが明らかであろう。従って、ここに述べた
本発明は特許請求の範囲内で広く解釈されるべきもので
ある。
第1図はPC基板の一部分の断片的平面図であって、I
C装置とMLCによって占有されるべき部分を破線で示
しである。 第2図は、本発明に従ったPC基板、IC装置、MLC
を通る断片的垂直断面図である。 第3図は、第2図に似た図であって、本発明の実施例を
示している。 第4図は、本発明の装置に用いられる型の従来のIC装
置の縮小形の外観図である。 第5図は、約50°から約70℃の温度範囲内で使用す
るように最適化された誘電体を採用した1o・・・印刷
回路(PC)基板 11・・・はんだ付はパッド 12・・・端子 13・・・IC装置 1A・・・重合体母材 14′・・・シェル 15・・・下面 15′・・・下面 16・・・ベース部分 17・・・空間 18・・・上表面 19・・・多重層セラミックコンデンサ(MLC)20
.21・・・端子 22.23・・・はんだ付はパッド 22’ 、23’ ・・・内部導電性経路24.25・
・・はんだ付はパッド 30・・・へこみ部分
C装置とMLCによって占有されるべき部分を破線で示
しである。 第2図は、本発明に従ったPC基板、IC装置、MLC
を通る断片的垂直断面図である。 第3図は、第2図に似た図であって、本発明の実施例を
示している。 第4図は、本発明の装置に用いられる型の従来のIC装
置の縮小形の外観図である。 第5図は、約50°から約70℃の温度範囲内で使用す
るように最適化された誘電体を採用した1o・・・印刷
回路(PC)基板 11・・・はんだ付はパッド 12・・・端子 13・・・IC装置 1A・・・重合体母材 14′・・・シェル 15・・・下面 15′・・・下面 16・・・ベース部分 17・・・空間 18・・・上表面 19・・・多重層セラミックコンデンサ(MLC)20
.21・・・端子 22.23・・・はんだ付はパッド 22’ 、23’ ・・・内部導電性経路24.25・
・・はんだ付はパッド 30・・・へこみ部分
Claims (5)
- (1)装置であつて、複数個の導電性経路を有する印刷
回路基板を含み、上記基板の表面上に複数個の導電性マ
ウントパッドを含み、上記パッドが上記パッドの選ばれ
たものと電気的に導通しており、上記基板上にとりつけ
られた複数個の内部回路手段を含む集積回路チップアセ
ンブリを含み、上記アセンブリが絶縁性シェルと上記シ
ェルを通つてそれの下表面下の位置へ延びる突出したリ
ード要素とを含んでおり、上記リード要素が上記基板の
上記パッドの選ばれたものへ電気的及び機械的に接着さ
れており、上記シェルの上記表面が、上記リードとパッ
ドの接続状態のもとで上記基板の上記表面に対して間隔
を置いてとりつけられており、上記基板が上記集積回路
アセンブリの上記下表面と上記基板の上記表面との間の
空間にとりつけられたすくなくとも1対のマウントパッ
ドを含んでおり、上記基板上の上記表面から離れた位置
にあつて上記パッド対を上記他のパッドの選ばれたもの
とを電気的に接続する導体手段を含み、上記パッド対の
間隔に従つて間隔を置いて配置された端子対を有するM
LCを含み、上記MLCが上記基板と上記シェルの上記
下表面との間の空間に挿入されており、上記MLCの上
記端子の各々が上記パッド対の各々へ電気的及び機械的
に接着されているようになつた、装置。 - (2)特許請求の範囲第1項の装置であつて、上記シェ
ルの上記下表面が上方へ延びるへこみ部を含み、上記M
LCが上記へこみ部へすくなくとも部分的につつみこま
れている、装置。 - (3)特許請求の範囲第1項の装置であつて、上記ML
Cの上表面が上記シェルの上記下表面に対して近接して
熱交換関係を保つてとりつけられている、装置。 - (4)特許請求の範囲第1項の装置であつて、上記ML
Cが上記集積回路アセンブリと上記基板との間の空間に
、上記アセンブリと熱交換関係を保つてとりつけられて
おり、上記MLCを構成するセラミック材料の誘電率が
上記PC基板の上記表面と上記ICアセンブリの上記下
表面との間の空間に発生する通常の動作温度範囲におい
てその最大値をとるようになつた、装置。 - (5)印刷回路基板に対して近接してとりつけられた集
積回路装置の電源供給ライン上のMLCによる効果的な
パルス減衰を最大化する方法であつて、上記集積回路装
置の下面と上記PC基板の上面との間の空間における平
均的な通常動作温度を確める工程、構成セラミック誘電
体の誘電率が上記の通常の動作温度範囲において最も高
くなるようなMLCを用いる工程、上記MLCの端子を
PC基板の表面上の電極へ固定する工程、その後IC装
置をPC基板へ固定し、上記MLCに対し熱交換関係を
保つような位置関係で固定し、上記集積回路装置の電源
供給端子を、上記MLCで分路された上記基板上の電極
へ接続するように固定する工程、を含む方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US74297485A | 1985-06-11 | 1985-06-11 | |
US742974 | 1985-06-11 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61287292A true JPS61287292A (ja) | 1986-12-17 |
Family
ID=24986997
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61130025A Pending JPS61287292A (ja) | 1985-06-11 | 1986-06-04 | 電子装置および方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61287292A (ja) |
KR (1) | KR900003311B1 (ja) |
CN (1) | CN86103388A (ja) |
DE (1) | DE3618590A1 (ja) |
FR (1) | FR2583251A1 (ja) |
GB (1) | GB2176654B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6232693A (ja) * | 1985-08-03 | 1987-02-12 | 株式会社 ニフコ | プリント基板への回路部品実装方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4882656A (en) * | 1986-12-12 | 1989-11-21 | Menzies Jr L William | Surface mounted decoupling capacitor |
FR2622346B1 (fr) * | 1987-10-23 | 1993-05-28 | Eurofarad | Condensateur pour micro-circuit electronique et montage incorporant un tel condensateur |
KR100277314B1 (ko) | 1996-11-08 | 2001-01-15 | 모기 쥰이찌 | 박막콘덴서 및 이를탑재한반도체장치 |
US6408090B1 (en) * | 1998-09-28 | 2002-06-18 | Siemens Production And Logistics System Aktiengesellschaft | Method for position recognition of components equipped on a substrate in an automatic equipping unit |
US6404649B1 (en) | 2000-03-03 | 2002-06-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Printed circuit board assembly with improved bypass decoupling for BGA packages |
JP4186589B2 (ja) * | 2002-10-30 | 2008-11-26 | 松下電器産業株式会社 | シート形電子部品モジュール |
CN1589093A (zh) * | 2004-08-13 | 2005-03-02 | 广州金升阳科技有限公司 | 改善点焊中细微漆包线焊点强度的方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4502101A (en) * | 1982-07-30 | 1985-02-26 | Rogers Corporation | Decoupled integrated circuit package |
FR2576448B1 (fr) * | 1985-01-22 | 1989-04-14 | Rogers Corp | Condensateur de decouplage pour assemblage avec disposition a grille de broches |
-
1986
- 1986-04-14 GB GB08609059A patent/GB2176654B/en not_active Expired
- 1986-05-13 KR KR1019860003693A patent/KR900003311B1/ko active IP Right Grant
- 1986-05-17 CN CN198686103388A patent/CN86103388A/zh active Pending
- 1986-06-03 DE DE19863618590 patent/DE3618590A1/de not_active Withdrawn
- 1986-06-04 JP JP61130025A patent/JPS61287292A/ja active Pending
- 1986-06-11 FR FR8608455A patent/FR2583251A1/fr not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6232693A (ja) * | 1985-08-03 | 1987-02-12 | 株式会社 ニフコ | プリント基板への回路部品実装方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2583251A1 (fr) | 1986-12-12 |
DE3618590A1 (de) | 1986-12-11 |
CN86103388A (zh) | 1986-12-10 |
KR900003311B1 (ko) | 1990-05-14 |
GB8609059D0 (en) | 1986-05-21 |
GB2176654A (en) | 1986-12-31 |
KR870000849A (ko) | 1987-02-20 |
GB2176654B (en) | 1988-08-10 |
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