JPS61287265A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ｃ産業上の利用分野） この発明は半導体装置の電極配線に関するものである。

（従来の技術） 半導体集積回路装置の配線材には、現在アルミニウムが
広く使われている。アルミニウムはかなυ導電度が高く
、ガラスもしくは他の安定化層に良好に接着し、付着お
よびエツチングが比較的容易であり、そしてシリコンと
直接オーミック接点を形成するといった利点がある。

一方、アルミニウムの欠点としてシリコンに拡散しやす
いことがあげられる。温度が２００℃以上になると、コ
ンタクト領域のアルミニウムがシリコンに拡散し接合突
き抜けを起こす。

この接合突き抜けを防ぐ方法としては、微量のシリコン
を含有するアルミニウム合金を用いるのが一般的である
。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら上記の方法では、最近の浅い接合に対して
は突き抜けを防ぎきれない場合がある。

（問題点を解決するための手段） 上記の問題点を解決するため本発明の半導体装置の製造
方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、該絶
縁膜上にアルミニウム層を形成する工程と、該アルミニ
ウム層および絶縁膜を選択的に開孔し該半導体基板表面
を露出させる工程と。

該アルミニウム層、絶縁膜および半導体基板露出面上に
高融点金属層を形成する工程と、該高融点金属層および
アルミニウム層を所望の形状に選択エツチングする工程
とを備える。

（作用） 本発明の半導体装置の製造方法は、電極配線材が半導体
基板材料に拡散するという現象を回避し、半導体基板の
接合突き抜けを防止する。

（実施例） 第１図は本発明の実施例を示す工程説明図である。

まず、Ｎ形のシリコン基板１０にＰ形不純物を選択的に
拡散し、Ｐ影領域１１を形成する。そして、シリコン基
板１０の上に、絶縁膜となるシリコン酸化膜１２を被着
形成する。さらにその上からアルミニウムを被着させ、
厚さ０．５μｍ程度のアルミニウム層１４を形成する。

（第１図（ａ））次にアルミニウム層１４およびシリコ
ン酸化膜１２をエツチングして選択的に開孔２０を設げ
、シリコン基板１０の表面を露出させる。（第１図（ｂ
）） 次にこの上から高融点金属のチタンを被着させ、厚さ０
．５μｍ程度のチタン層１６を形成する。（第１図（Ｃ
））　　そして、チタン層１６およびアルミニウム層１
４を所望の形状に選択エツチングし、配線領域を形成す
る。

（発明の効果） 以上のように本発明の半導体装置の製造方法は、開孔部
を高融点金属で覆う。従って１例えば０．１μｍ程度の
浅い接合であっても突き抜ける心配がなＸ、肩。

また、アルミニウム層の上を高融点金属で覆うので熱処
理時にアルミニウム粒子の流動を抑制し、ヒロックと称
される突起の発生をおさえる。従って、アルミニウムの
２層配線を行う場合に層間耐圧を向上させる効果がある
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す工程説明図である。 １０・・・シリコン基板、１２・・・シリコン酸化膜、
１４・・・アルミニウム層、１６・・・チタン層、２ｏ
・・・開孔。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上に
   アルミニウム層を形成する工程と、該アルミニウム層お
   よび絶縁膜を選択的に開孔し該半導体基板表面を露出さ
   せる工程と、該アルミニウム層、絶縁膜および半導体基
   板露出面上に高融点金属層を形成する工程とを備えた半
   導体装置の製造方法。