JPS61287016A - 磁気ヘツド - Google Patents

磁気ヘツド

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Publication number
JPS61287016A
JPS61287016A JP12720085A JP12720085A JPS61287016A JP S61287016 A JPS61287016 A JP S61287016A JP 12720085 A JP12720085 A JP 12720085A JP 12720085 A JP12720085 A JP 12720085A JP S61287016 A JPS61287016 A JP S61287016A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
specific resistance
thin film
layer
layers
Prior art date
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Pending
Application number
JP12720085A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroichi Goto
博一 後藤
Shuzo Abiko
安彦 修三
Masakazu Kuhara
正和 久原
Hideto Sano
佐野 秀人
Hisanori Hayashi
林 久範
Shinichi Inoue
真一 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Electronics Inc
Original Assignee
Canon Electronics Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Canon Electronics Inc filed Critical Canon Electronics Inc
Priority to JP12720085A priority Critical patent/JPS61287016A/ja
Publication of JPS61287016A publication Critical patent/JPS61287016A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3109Details

Landscapes

  • Magnetic Heads (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野] 本発明は磁気ヘッドに係り、さらに詳しくはVTR等の
高密度記録磁性媒体に対する記録再生を行なうための磁
気ヘッドに関するものである。
[従来技術] 高密度の磁気記録、再生を行なうために、ビデオディス
クやビデオテープの材料として高保磁力の素材が用いら
れている。
このような高保磁力の磁気記録媒体に磁気記録、再生を
行なうための磁気ヘッドの素材としては飽和磁束密度の
大きな1例えばセンダスト等の合金が用いられる。
このような磁性合金を用いた磁気コアは例えば非磁性基
板の側面にスパッタリング等の薄膜堆積法によって形成
される。
しかし、このような金属磁性膜を形成すると渦電流損失
が生じ、高周波特性が低下する。詳述すれば渦電流損失
による高周波慴域における実効透磁率の低下が生じてし
まう。
そこで、薄膜磁性層を5i02やA jl 20 A絶
縁層を介して積層し、渦電流損失を減少させる構造の磁
気ヘッドが提案された。
このような構造の磁気ヘッドの一例についてその製造工
程を第1図(A)〜(E)に示す。
第1図(A)において符号1で示すものは非磁性基板で
、その一方の側面にはセンダストやパーマロイ等からな
る軟磁性層2が5i02やAj1203等の絶縁層3を
介して積層される(第1図(B))。
これらの層を形成した後その上側に補強板を重ねるか、
あるいは重ねずに第1図(C)、(D)に示すように鎖
線1の部分から左右2つの磁気コア半休1a、laに分
割し、一方のコア半体1aに巻線溝1bを形成する。
そして、各々ヘア半体1a、laに巻線翻を施し、これ
らを突き合わせて第11(E)に示すように磁気コア素
体ICを形成する。
コア半休の突き合わせ、接合には低融点ガラス等の接着
剤が用いられる。
符号5で示すものはギャップ材料である。
このようにして得られた磁気ヘッドは前述したように高
保磁力の記録媒体に対して磁気記録再生を行なうのに適
するが1次のような欠点が生じる。
即ち、左右のコア半休を接合する時点において理想的に
は第2図に示すように薄膜磁性層(軟磁性層)2と絶縁
層3が同一平面内に配列されるが、実際には突き合せ位
置の精度の限界によりずれが生じてしまう。
なお、第2図においてWlは磁性薄膜の厚み。
W2は絶縁層の厚みを示す。
第3図は左右のコア半休の各々の層がずれてしまった状
態を示す。
第3図において磁性薄膜2の厚みWlをlOpLm、絶
縁層3の厚みW2をlpmとし、左右の暦の間にlIL
mのずれが発生した場合、一方のコア半休のトラック幅
W3は32JLmであるのが、突き合わせずれのため有
効トラック幅W4は311Lmとなってしまう。
この時、トラック幅311Lmのうち、磁気記録、再生
に関与しないデッドスペースはWIX4=41Lmとな
る。
そして、このように磁性薄膜と絶縁層とがずれた状態の
磁気ヘッドを用いて再生した場合、上述したようにデッ
ドスペースが4pmあるため、最悪の場合、トラック幅
31pmのうち、8ILmのデッドスペースが発生して
しまう。
従って、このデッドスペースによる出力減少は−2,8
dBに達する。
なお、図示の例にあっては磁性薄膜は3層であるが、こ
の総数が増加すればデッドスペースはさらに増加し、出
力減少がさらに増大する。
[目 的] 本発明は以上のような従来の欠点を除去するために成さ
れたもので、渦電流損失がなくかつ磁性薄膜のずれによ
る磁気不感部分を減少させ、磁気記録、再生の効率を向
上させることができるように構成した磁気ヘッドを提供
することを目的としている。
[実施例] 以下、図面に示す実施値に基づいて本発明の詳細な説明
する。
第4図(A)〜(E)は本発明の一実施例を説明するも
ので、製造工程の各段階が示されている。
第4図(A)に示すように結晶化ガラス等からなる非磁
性基板lを用意し、この一方の側面に第4図(B)に示
すようにセンダスト等の磁性薄膜2をスパッタリング等
の薄膜堆積法により形成する。
続いて第4図(C)に示すように磁性薄膜2上に比抵抗
の高い層、即ち高比抵抗層素材6を形成する。
この高比抵抗層素材6を形成するにはまずターゲットと
してNi、Fe、Zn合金を用いてアルゴン−酸、素の
雰囲気(Al170%、0230%)中で反応性スパッ
タリングを行ない、磁性薄膜2上にNiO,ZnO,F
e2O3、Fe3O4からなる暦を形成する。
続いて、今度は窒素雰囲気中で酸素濃度を適当に制御し
ながら700℃以上例えば750℃に加熱。
保持することによりN1xZnl−xFe204の組成
をもつNi−Znフェライトの高比抵抗層7を形成する
この工程が第4図CD)に示す工程である。
なお、Ni−Znフェライトの高比抵抗層7はターゲッ
トの組成、熱処理条件を適当に制御することにより、ホ
ットプレスさ令たNi−Znフェライトと同程度の磁気
特性を有するものとすることができる。
また、Ni−Znフェライトの磁性薄膜の非抵信 抗のターゲットの組成、熱処理条件等によりコントロー
ルすることができる。
続いて第4図(B)〜(D)に示す工程を繰り返し薄膜
磁性層2と高比抵抗層7とを複数層形成し、第4図(E
)に示すような磁気コアブロック8を得る。
第1表にセンダストとN1−Znフェライトの各々の薄
膜の磁気特性を示す。
第1表 このようにして得られた磁気コアブロックを従来と同様
に左右1組の磁気コア半休とし、巻線溝を形成し、ギャ
ップ材料を介して両者を接合し磁気ヘッド素体とする。
このような構造を採用した場合、Ni−Znフェライト
の電気比抵抗は、103〜10’「ΩcmJ程度あり、
十分にセンダストからなる渦電流損失を防止することが
できる。
しかし、磁気記録媒体としてメタルテープ等の高抗磁力
のものを用いた場合Ni−Znフェライトでは飽和磁束
密度が小さく、記録ができないために記録時にデッドス
ペースが生じるが、再生時においてはNi−Znフェラ
イトでも再生を行なうことができる。
従って、少なくとも再生時におけるデッドスペースをな
くすことができ、記録時においてのみのデッドスペース
分に磁気不感部を縮小させ、再生出力の減少を半分に押
えることができる。
なお、上述した実施例にあっては高比抵抗の層の材質と
してNi−Znフェライトを用いたが高比抵抗の材質で
、かつ磁性材であるならば比抵抗が103「Ωc+mJ
以上のものであることを条件に採用することができる。
また、VT’R用の磁気ヘッドとしてばかりではなく磁
気ディスク用の磁気ヘッドとしても適用することができ
ることはもちろんである。
[効 果] 以上の説明から明らかなように、本発明によれば、低比
抵抗軟磁性薄膜と高比抵抗軟磁性薄膜を交互に積層して
構成した積層膜を磁気コア材として用いているため、電
気比抵抗が小さい軟磁性薄膜の渦電流損失を減少させる
ことができ、磁気記録媒体の抗磁力が小さければ記録、
再生時における磁気ヘッドのデッドスペースをなくすこ
とができる。
また、磁気記録媒体の抗磁力が大きい場合には磁気ヘッ
ドの再生時のデッドスペースをなくすことができ、磁気
ヘッドの記録、再生特性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第3図は従来構造を説明するもので第1図(A
)〜(E)は製造工程を説明する斜視図、第2図は薄膜
磁性層と絶縁層とが正しく対向した状態を説明する正面
図、第3図は薄膜磁性層と絶縁層とがずれた状態の正面
図、第4図(A)〜(E)は本発明の一実施例を説明す
る製造工程図である。 1・・・非磁性基板   2・・・薄膜磁性層3・・・
絶縁層     4・・・巻線5・・・ギャップ材料 
 6・・・高比抵抗層素材7・・・高比抵抗層   8
・・・磁気コアブロック第1図(A) 第111(D) 第1図(E) 第2図 第3図 第4図 (A) (E) 手続補正書(圃 昭和60年 8月14!日

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)低比抵抗の軟磁性膜と、高比抵抗の軟磁性膜とを交
    互に積層した積層膜を磁気コア材として用いたことを特
    徴とする磁気ヘッド。 2)低比抵抗の軟磁性膜の比抵抗は100μΩcm以下
    とし、高比抵抗の軟磁性膜の比抵抗は10^3Ωcm以
    上としたことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載
    の磁気ヘッド。
JP12720085A 1985-06-13 1985-06-13 磁気ヘツド Pending JPS61287016A (ja)

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JP12720085A JPS61287016A (ja) 1985-06-13 1985-06-13 磁気ヘツド

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JPS61287016A true JPS61287016A (ja) 1986-12-17

Family

ID=14954181

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JP12720085A Pending JPS61287016A (ja) 1985-06-13 1985-06-13 磁気ヘツド

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS566020B2 (ja) * 1972-12-29 1981-02-09
JPS59167817A (ja) * 1983-03-15 1984-09-21 Hitachi Metals Ltd 磁気ヘツド

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS566020B2 (ja) * 1972-12-29 1981-02-09
JPS59167817A (ja) * 1983-03-15 1984-09-21 Hitachi Metals Ltd 磁気ヘツド

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