JPS6128212B2 - - Google Patents
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- JPS6128212B2 JPS6128212B2 JP3748578A JP3748578A JPS6128212B2 JP S6128212 B2 JPS6128212 B2 JP S6128212B2 JP 3748578 A JP3748578 A JP 3748578A JP 3748578 A JP3748578 A JP 3748578A JP S6128212 B2 JPS6128212 B2 JP S6128212B2
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- Japan
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- film
- organic resin
- resin insulating
- semiconductor device
- metal film
- Prior art date
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- Expired
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は表面保護膜を有する半導体装置とその
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
半導体装置の金属膜回路配線を機械的損傷から
防ぐために表面保護膜を被覆することが必要であ
る。通常、該表面保護膜は電気絶縁性のものが良
く、SiO2膜、Si3N4膜、Al2O3膜等の無機化合物
絶縁膜又はポリイミド膜、ホトレジスト膜、シリ
コーン樹脂膜等の有機樹脂絶縁膜が用いられてい
た。しかしながら、後者の有機樹脂絶縁膜は前者
の無機化合物絶縁膜より柔らかいために機械的損
傷を受け易く、表面保護が完全でなかつた。又、
両者とも絶縁膜上に電荷を局部的に帯電させ易い
ため、それが回路動作特性に悪影響を及ぼす欠点
があつた。
防ぐために表面保護膜を被覆することが必要であ
る。通常、該表面保護膜は電気絶縁性のものが良
く、SiO2膜、Si3N4膜、Al2O3膜等の無機化合物
絶縁膜又はポリイミド膜、ホトレジスト膜、シリ
コーン樹脂膜等の有機樹脂絶縁膜が用いられてい
た。しかしながら、後者の有機樹脂絶縁膜は前者
の無機化合物絶縁膜より柔らかいために機械的損
傷を受け易く、表面保護が完全でなかつた。又、
両者とも絶縁膜上に電荷を局部的に帯電させ易い
ため、それが回路動作特性に悪影響を及ぼす欠点
があつた。
本発明の目的は、上記の欠点を除去し、機械的
損傷を受けにくく、かつ電荷の局部的帯電を防止
できる表面保護膜を有する半導体装置およびその
製造方法を提供することである。
損傷を受けにくく、かつ電荷の局部的帯電を防止
できる表面保護膜を有する半導体装置およびその
製造方法を提供することである。
本発明の半導体装置は、半導体装置表面の外部
接続用端子部を除く配線領域に、有機樹脂絶縁膜
間に金属膜を周縁も露出することなく介在せしめ
た積層膜でなる表面保護膜を設けたものである。
接続用端子部を除く配線領域に、有機樹脂絶縁膜
間に金属膜を周縁も露出することなく介在せしめ
た積層膜でなる表面保護膜を設けたものである。
本発明の製造方法は、半導体装置表面に、第１
および第２の有機樹脂絶縁膜の間に金属膜を介在
せしめた積層膜を形成する工程と、前記第１およ
び第２の有機樹脂絶縁膜の端部よりも内側に前記
金属膜の端部が位置するようにエツチング加工す
る工程と、前記第１および第２の有機樹脂絶縁膜
の端部を互いに接着せしめる工程を含むものであ
る。
および第２の有機樹脂絶縁膜の間に金属膜を介在
せしめた積層膜を形成する工程と、前記第１およ
び第２の有機樹脂絶縁膜の端部よりも内側に前記
金属膜の端部が位置するようにエツチング加工す
る工程と、前記第１および第２の有機樹脂絶縁膜
の端部を互いに接着せしめる工程を含むものであ
る。
本発明によると、第１の有機樹脂絶縁膜が配線
部との接着性を維持し、中間層の硬い金属膜及び
最上層（第２の）有機樹脂絶縁膜が機械的損傷を
受け難くして、該種半導体装置の配線形状不良を
防止して半導体装置の信頼度特性を向上させ得る
とともに、金属膜の介在により、絶縁膜上に電荷
が帯電しても一様になるので、回路動作に対する
悪影響が大幅に緩和される。
部との接着性を維持し、中間層の硬い金属膜及び
最上層（第２の）有機樹脂絶縁膜が機械的損傷を
受け難くして、該種半導体装置の配線形状不良を
防止して半導体装置の信頼度特性を向上させ得る
とともに、金属膜の介在により、絶縁膜上に電荷
が帯電しても一様になるので、回路動作に対する
悪影響が大幅に緩和される。
次に本発明について、図面を用いて説明する。
尚、説明の都合上、半導体基板内の不純物拡散素
子領域は省略した。
尚、説明の都合上、半導体基板内の不純物拡散素
子領域は省略した。
第１図〜第４図は本発明の一実施例の積層表面
保護膜を有する半導体装置とその製造方法を示す
断面図である。先ず、すでに素子が形成され表面
に絶縁膜２（例えばSiO2膜やSi3N4膜等）を被覆
したシリコン基板１上に、Ti―Pt―Au膜で成る
内部回路配線３と外部接続用端子配線４を形成
し、ここへポリイミド膜５を第１の有機樹脂絶縁
膜として設ける（第１図）。
保護膜を有する半導体装置とその製造方法を示す
断面図である。先ず、すでに素子が形成され表面
に絶縁膜２（例えばSiO2膜やSi3N4膜等）を被覆
したシリコン基板１上に、Ti―Pt―Au膜で成る
内部回路配線３と外部接続用端子配線４を形成
し、ここへポリイミド膜５を第１の有機樹脂絶縁
膜として設ける（第１図）。
次のAl膜６を真空蒸着等で被着させ、前記外
部接続用端子配線領域外にホトレジスト膜７を第
２の有機樹脂絶縁膜として設ける（第２図）。
部接続用端子配線領域外にホトレジスト膜７を第
２の有機樹脂絶縁膜として設ける（第２図）。
続いて、前記ホトレジスト膜７をマスクにして
Al膜６とポリイミド膜５をエツチング除去して
外部接続用端子配線４を露出させる（第３図）。
Al膜６とポリイミド膜５をエツチング除去して
外部接続用端子配線４を露出させる（第３図）。
前記状態において、中間層のAl膜６はエツチ
ング後のマスクパターン端部でその断面が露出し
ているので、次に再度Alエツチング処理を追加
して過剰エツチングさせ、該表面を100〜200℃の
温度で熱圧着処理してポリイミド膜とホトレジス
ト膜を接着固定させ、該Al膜側面を封止させる
ことにより本発明の特徴とする積層表面保護膜を
有する半導体装置を形成させせる（第４図）。
ング後のマスクパターン端部でその断面が露出し
ているので、次に再度Alエツチング処理を追加
して過剰エツチングさせ、該表面を100〜200℃の
温度で熱圧着処理してポリイミド膜とホトレジス
ト膜を接着固定させ、該Al膜側面を封止させる
ことにより本発明の特徴とする積層表面保護膜を
有する半導体装置を形成させせる（第４図）。
上記実施例において、Al膜の代りに他の金属
膜や他の絶縁膜を用いても良く、ポリイミド膜や
ホトレジスト膜の代りに他の有機樹脂絶縁膜を用
いても良い。又、金属膜配線材料や配線施設構造
等には限定されないものである。
膜や他の絶縁膜を用いても良く、ポリイミド膜や
ホトレジスト膜の代りに他の有機樹脂絶縁膜を用
いても良い。又、金属膜配線材料や配線施設構造
等には限定されないものである。
本発明の上記実施例によると、金属膜回路配線
であるAl膜との接着性を前記第１の有機樹脂絶
縁膜であるポリイミド膜が維持し、又、Al膜が
中間材として挿入され、且つ最表面に第２の有機
樹脂絶縁膜である硬化したホトレジスト膜が在る
ために、配線部への機械的損傷を受け難くさせる
ことができ、又、金属膜の介在により局部的な帯
電が防止され、半導体装置特性を維持して信頼度
の向上した装置となりうる。
であるAl膜との接着性を前記第１の有機樹脂絶
縁膜であるポリイミド膜が維持し、又、Al膜が
中間材として挿入され、且つ最表面に第２の有機
樹脂絶縁膜である硬化したホトレジスト膜が在る
ために、配線部への機械的損傷を受け難くさせる
ことができ、又、金属膜の介在により局部的な帯
電が防止され、半導体装置特性を維持して信頼度
の向上した装置となりうる。
尚、本発明の製造方法において、第１の有機樹
脂絶縁膜を先にパターン化処理し、次に中間層と
しての金属膜を設け、第２の有機樹脂絶縁膜をマ
スクにして該中間金属膜をエツチング除去し、か
つ、過剰エツチング処理して後、前記実施例の第
４図に示した工程を行なつてもよい。
脂絶縁膜を先にパターン化処理し、次に中間層と
しての金属膜を設け、第２の有機樹脂絶縁膜をマ
スクにして該中間金属膜をエツチング除去し、か
つ、過剰エツチング処理して後、前記実施例の第
４図に示した工程を行なつてもよい。
第１図〜第４図は本発明の一実施例の積層表面
保護膜を有する半導体装置とその製造方法を示す
断面図である。 １…シリコン基板、２…SiO2膜、３…Ti―Pt
―Au内部回路配線、４…外部端子配線、５…ポ
リイミド膜、６…Al膜、７…ホトレジスト膜。
保護膜を有する半導体装置とその製造方法を示す
断面図である。 １…シリコン基板、２…SiO2膜、３…Ti―Pt
―Au内部回路配線、４…外部端子配線、５…ポ
リイミド膜、６…Al膜、７…ホトレジスト膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体装置表面の外部接続用端子部を除く配
線領域上に、２つの有機樹脂絶縁膜間に金属膜を
介在せしめかつ前記金属膜の周囲部では前記２つ
の有機樹脂絶縁膜を直接接着せしめた表面保護膜
を設けた半導体装置。 ２ 半導体装置表面に、第１および第２の有機樹
脂絶縁膜の間に金属膜を介在せしめた積層膜を形
成する工程と、前記積層膜を順次所定形状にエツ
チング加工する工程と、前記第１および第２の有
機樹脂絶縁膜の端部よりも内側に前記金属膜の端
部が位置するようにエツチング加工する工程と、
前記第１および第２の有機樹脂絶縁膜の端部を互
いに接着せしめる工程を含む半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3748578A JPS54128687A (en) | 1978-03-30 | 1978-03-30 | Semiconductor device and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3748578A JPS54128687A (en) | 1978-03-30 | 1978-03-30 | Semiconductor device and its manufacture |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54128687A JPS54128687A (en) | 1979-10-05 |
| JPS6128212B2 true JPS6128212B2 (ja) | 1986-06-28 |
Family
ID=12498814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3748578A Granted JPS54128687A (en) | 1978-03-30 | 1978-03-30 | Semiconductor device and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54128687A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020059525A1 (ja) | 2018-09-21 | 2020-03-26 | 東洋製罐グループホールディングス株式会社 | ナノセルロース及びその製造方法 |
-
1978
- 1978-03-30 JP JP3748578A patent/JPS54128687A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020059525A1 (ja) | 2018-09-21 | 2020-03-26 | 東洋製罐グループホールディングス株式会社 | ナノセルロース及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54128687A (en) | 1979-10-05 |
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