JPS61277119A - 微細加工法 - Google Patents
微細加工法Info
- Publication number
- JPS61277119A JPS61277119A JP11902385A JP11902385A JPS61277119A JP S61277119 A JPS61277119 A JP S61277119A JP 11902385 A JP11902385 A JP 11902385A JP 11902385 A JP11902385 A JP 11902385A JP S61277119 A JPS61277119 A JP S61277119A
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- JP
- Japan
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- transparent conductive
- oxide containing
- conductive layer
- etching
- argon
- Prior art date
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- Pending
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は近来、電場発光素子や液晶表示素子に広く使わ
れている透明導電層の微細加工法に関するものである。
れている透明導電層の微細加工法に関するものである。
従来の技術
錫を含む酸化インジウムからなる透明導電層、或いはア
ンチモンを含む酸化錫からなる透明導電層の微細加工法
は公知であり、産業界でも広く用いられている。しかし
ながら、日本学術振興会薄膜第１３１委員会編二Ｗ１膜
ハンドブックや、日本化学会編：化学便覧等においても
、以下の公知の方法の記述がない。又、（ジョン・エル
・フォラセン）（Ｊｏｈ ｎ Ｌ、Ｖｏｓｓｅｎ）と
（ウニルナ−・ケルン）（Ｗｅｒｎｅｒ ）（ｅｒｎ
）共編、アカデミツク・プレス発刊のｒＴｈｉｎ Ｆ
ｉｌｍ ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ」には、これについて若
干の記載がある。
ンチモンを含む酸化錫からなる透明導電層の微細加工法
は公知であり、産業界でも広く用いられている。しかし
ながら、日本学術振興会薄膜第１３１委員会編二Ｗ１膜
ハンドブックや、日本化学会編：化学便覧等においても
、以下の公知の方法の記述がない。又、（ジョン・エル
・フォラセン）（Ｊｏｈ ｎ Ｌ、Ｖｏｓｓｅｎ）と
（ウニルナ−・ケルン）（Ｗｅｒｎｅｒ ）（ｅｒｎ
）共編、アカデミツク・プレス発刊のｒＴｈｉｎ Ｆ
ｉｌｍ ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ」には、これについて若
干の記載がある。
錫を含む酸化インジウムからなる透明導電層は、従来透
明導電層上に所望のパターンを有する有機レジスト層を
形成し、次に塩化第２鉄 （ＦｅＣ１３）水溶液と塩酸の混液に浸漬して微細加工
される。又、アンチモンを含む酸化錫からなる透明導電
層の微細加工法として良く知られているのは、前記透明
導電層上に所望のパターンを有する有機レジスト層を形
成し、次にこの上に亜鉛やアルミニウムの層を蒸着等で
堆積させるか亜鉛粉末又はアルミニウム粉末を塗布等の
方法で沈積させ、更にこれを塩酸に浸漬する方法である
。
明導電層上に所望のパターンを有する有機レジスト層を
形成し、次に塩化第２鉄 （ＦｅＣ１３）水溶液と塩酸の混液に浸漬して微細加工
される。又、アンチモンを含む酸化錫からなる透明導電
層の微細加工法として良く知られているのは、前記透明
導電層上に所望のパターンを有する有機レジスト層を形
成し、次にこの上に亜鉛やアルミニウムの層を蒸着等で
堆積させるか亜鉛粉末又はアルミニウム粉末を塗布等の
方法で沈積させ、更にこれを塩酸に浸漬する方法である
。
このとき、浸漬することにより発生期の水素が発生し、
この水素により前記酸化錫が還元される。
この水素により前記酸化錫が還元される。
この還元された生成物が更に前記塩酸に溶解し、微細加
工を完了するのである。
工を完了するのである。
尚、産業上広く使用されている透明導電層は錫を含む酸
化インジウムから形成されるか、アンチモンを含む酸化
錫から形成されるものに限られている。
化インジウムから形成されるか、アンチモンを含む酸化
錫から形成されるものに限られている。
発明が解決しようとする問題点
しかし、前述の錫を含む酸化インジウムからなる透明導
電層の微細加工法はナイド・エッチが大きく、精細なパ
ターンの導電層の形成には難がある。前記サイド・エッ
チとは、前述の有機レジスト・パターンより微細加工の
結果の導Ｎ層のパターンが小さくなること、即ち前記有
機レジスト・パターンの端より更に有機レジスト側へ、
前記導電層が微細加工の際腐蝕されることを言う。工業
的な生産の場合、前記サイド・エッチの量は約２〜５μ
ｍ程度は覚悟すべきであろう。又、前述のアンチセンを
含む酸化錫からなる透明ＩＩｔ層の微細加工法もサイド
・エッチが大きく、精細なパターンの前記導電層の形成
は困難である。サイド・エッチの量としては５μｍは覚
悟する必要がある。
電層の微細加工法はナイド・エッチが大きく、精細なパ
ターンの導電層の形成には難がある。前記サイド・エッ
チとは、前述の有機レジスト・パターンより微細加工の
結果の導Ｎ層のパターンが小さくなること、即ち前記有
機レジスト・パターンの端より更に有機レジスト側へ、
前記導電層が微細加工の際腐蝕されることを言う。工業
的な生産の場合、前記サイド・エッチの量は約２〜５μ
ｍ程度は覚悟すべきであろう。又、前述のアンチセンを
含む酸化錫からなる透明ＩＩｔ層の微細加工法もサイド
・エッチが大きく、精細なパターンの前記導電層の形成
は困難である。サイド・エッチの量としては５μｍは覚
悟する必要がある。
更に、この場合の微細加工では、亜鉛粉末やアルミニウ
ム粉末の塗布や、亜鉛やアルミニウムの蒸着等の手間を
有するという問題点がある。
ム粉末の塗布や、亜鉛やアルミニウムの蒸着等の手間を
有するという問題点がある。
本発明はこのような問題点を解決するもので、サイド・
エッチ量の減少を計り、又亜鉛やアルミニウムの蒸着等
の手間を省くことを目的とするものである。
エッチ量の減少を計り、又亜鉛やアルミニウムの蒸着等
の手間を省くことを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、錫を含む酸化イ
ンジウムからなるか、又はアンチモンを含む酸化錫から
なる透明導電層上に有機レジスト層を形成し、この後ア
ルゴンイオン又は水素とアルゴンの混合ガスのイオンを
照射するものである。
ンジウムからなるか、又はアンチモンを含む酸化錫から
なる透明導電層上に有機レジスト層を形成し、この後ア
ルゴンイオン又は水素とアルゴンの混合ガスのイオンを
照射するものである。
作用
この構成により、サイド・エッチ量を減少させ得ると共
に亜鉛やアルミニウムの蒸着等の手間を省略できる。
に亜鉛やアルミニウムの蒸着等の手間を省略できる。
実施例
以下、本発明の実施例について説明する。
錫を含む酸化インジウム又はアンチモンを含む酸化錫か
らなる透明ＩＪｌ電層がアルゴンのイオンの照射で削れ
るのは物理的なスパッター・エッチに由来すると思われ
る。本発明のＦｒ規性は、アルゴンのイオンの照射によ
る前記透明導電層のエッチ速度が生産において用実的価
値を有する程大ぎいこと、前記エッチ速度は有機レジス
ト層のアルゴン・イオンの照射によ、るエッチ速度より
一桁近く大きいことを見い出したことに根本がある。尚
、アルゴン・イオンの照射の際、有機レジスト層は冷却
に意を用いる必要がある。さもなくば、この際のイオン
の衝撃により有機レジスト層の温度が上昇し、あげくに
は炭化が進行することになる。
らなる透明ＩＪｌ電層がアルゴンのイオンの照射で削れ
るのは物理的なスパッター・エッチに由来すると思われ
る。本発明のＦｒ規性は、アルゴンのイオンの照射によ
る前記透明導電層のエッチ速度が生産において用実的価
値を有する程大ぎいこと、前記エッチ速度は有機レジス
ト層のアルゴン・イオンの照射によ、るエッチ速度より
一桁近く大きいことを見い出したことに根本がある。尚
、アルゴン・イオンの照射の際、有機レジスト層は冷却
に意を用いる必要がある。さもなくば、この際のイオン
の衝撃により有機レジスト層の温度が上昇し、あげくに
は炭化が進行することになる。
又、前記透明導Ｔｉ層をアルゴンのイオンの照射で削る
より、水素とアルゴンの混合ガスのイオンを照射して削
る方がエッチ速度がはるかに早くなることを本発明者等
は見い出した。このことは前記イオン中の水素・イオン
で前記透明導電層の表層が還元され、その後前記イオン
中のアルゴン・イオンで削れることによると思われる。
より、水素とアルゴンの混合ガスのイオンを照射して削
る方がエッチ速度がはるかに早くなることを本発明者等
は見い出した。このことは前記イオン中の水素・イオン
で前記透明導電層の表層が還元され、その後前記イオン
中のアルゴン・イオンで削れることによると思われる。
又、本発明はドライ・エッチしかも一方向に走るイオン
流によりエッチされる故に、前述のサイド・エッチ量は
実験の結果０．５μｍ以下となった。
流によりエッチされる故に、前述のサイド・エッチ量は
実験の結果０．５μｍ以下となった。
以下具体実施例について説明する。
具体実施例１
ソーダ・ガラス上全面に錫を含む酸化インジウムからな
る透明導電層を有する基板、ソーダ・ガラス上全面にア
ンチモンを含む酸化錫からなる透明導電層を有する基板
を購入した。次に、前記２種の基板上に東京応化製ポジ
・レジストを用い、通常のフォト・リソグラフィー法で
もって所望のレジスト・パターンを形成した。この有機
レジスト層の厚みは約１．５μｍであった。かくて、試
料を得た。次に、日型アネルバ製対向電極型プラズマ・
エツチング装置ＯＥＭ−４５１を用いて、アルゴン・イ
オンを前記２種の基板に照射した。図面に対向電極型プ
ラズマ・エツチング装置の概略を示す。図において、１
はアルゴンガス導入口、２はエツチング室、３は上方電
極、４はアース、５は下方電極、６は試料、７はマツチ
ング回路、８は高周波電源、９はアルゴンガス排気口で
ある。
る透明導電層を有する基板、ソーダ・ガラス上全面にア
ンチモンを含む酸化錫からなる透明導電層を有する基板
を購入した。次に、前記２種の基板上に東京応化製ポジ
・レジストを用い、通常のフォト・リソグラフィー法で
もって所望のレジスト・パターンを形成した。この有機
レジスト層の厚みは約１．５μｍであった。かくて、試
料を得た。次に、日型アネルバ製対向電極型プラズマ・
エツチング装置ＯＥＭ−４５１を用いて、アルゴン・イ
オンを前記２種の基板に照射した。図面に対向電極型プ
ラズマ・エツチング装置の概略を示す。図において、１
はアルゴンガス導入口、２はエツチング室、３は上方電
極、４はアース、５は下方電極、６は試料、７はマツチ
ング回路、８は高周波電源、９はアルゴンガス排気口で
ある。
エツチング室２の内部の真空度を２ ｘ １０−’ Ｔ
ｏｒｒとし、アルゴン・プラズマを生起させるための
入射波電力を４００Ｗとした。又、下方電極５は水冷し
、試料６と下方電極５との密着を計り、試料６の放熱に
留意した。このとき、前記２種の透明導電層のエツチン
グ速度は約０．０５μｍ／分であり、有機レジストのエ
ツチング速度は前記のそれの数分の１であった。
ｏｒｒとし、アルゴン・プラズマを生起させるための
入射波電力を４００Ｗとした。又、下方電極５は水冷し
、試料６と下方電極５との密着を計り、試料６の放熱に
留意した。このとき、前記２種の透明導電層のエツチン
グ速度は約０．０５μｍ／分であり、有機レジストのエ
ツチング速度は前記のそれの数分の１であった。
具体実施例２
日型アネルバ製ＥＣＲイオン・ビーム・エツチング装＠
ＲＩ、Ｂ−３１０を用いて、アルゴン３０６ｃｃＭ、水
素７ｓ ｃ ｃ Ｍを使用してエツチングをした。この
ときも試料の冷却には留意した。試料としては前記具体
実施例１と同様のものであった。
ＲＩ、Ｂ−３１０を用いて、アルゴン３０６ｃｃＭ、水
素７ｓ ｃ ｃ Ｍを使用してエツチングをした。この
ときも試料の冷却には留意した。試料としては前記具体
実施例１と同様のものであった。
このとき、前記２種の透明導電層のエツチング速度は約
０．１μｍ／分であり、有機レジストのエツチング速度
は前記のそれの約半分以下であった。
０．１μｍ／分であり、有機レジストのエツチング速度
は前記のそれの約半分以下であった。
発明の効果
以上のように本発明によれば、透明導電層をアルゴンの
イオン流、又はアルゴンと水素の混合ガスのイオン流で
微細加工することにより、サイド・エッチ伍を減らすこ
とができ、しかも亜鉛やアルミニウムの蒸着等の手間も
不要であると共に有機レジストのエツチング速度も早く
、産業的価値は大なるものがある。
イオン流、又はアルゴンと水素の混合ガスのイオン流で
微細加工することにより、サイド・エッチ伍を減らすこ
とができ、しかも亜鉛やアルミニウムの蒸着等の手間も
不要であると共に有機レジストのエツチング速度も早く
、産業的価値は大なるものがある。
図面は対向電極型プラズマ・エツチング装置の概略を示
す構成断面図である。 １・・・アルゴンガス導入口、２・・・エツチング室、
３・・・上方電極、４・・・アース、５・・・下方電極
、６・・・試料、７・・・マツチング回路、８・・・高
周波電源、９・・・アルゴンガス排気口
す構成断面図である。 １・・・アルゴンガス導入口、２・・・エツチング室、
３・・・上方電極、４・・・アース、５・・・下方電極
、６・・・試料、７・・・マツチング回路、８・・・高
周波電源、９・・・アルゴンガス排気口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、錫を含む酸化インジウムからなるか、又はアンチモ
ンを含む酸化錫からなる透明導電層上に有機レジスト層
を形成し、この後アルゴンのイオンを照射する微細加工
法。 ２、錫を含む酸化インジウムからなるか、又はアンチモ
ンを含む酸化錫からなる透明導電層上に有機レジスト層
を形成し、この後水素とアルゴンの混合ガスのイオンを
照射する微細加工法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11902385A JPS61277119A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 微細加工法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11902385A JPS61277119A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 微細加工法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61277119A true JPS61277119A (ja) | 1986-12-08 |
Family
ID=14751069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11902385A Pending JPS61277119A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 微細加工法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61277119A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0375066A1 (en) * | 1988-12-22 | 1990-06-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A method of etching thin indium tin oxide films |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP11902385A patent/JPS61277119A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0375066A1 (en) * | 1988-12-22 | 1990-06-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A method of etching thin indium tin oxide films |
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