JPS6127641A - 集積回路装置の製造方法 - Google Patents
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集積回路装置の製造方法に関する。ここでは特
に絶縁物基板に半導体基板すなわち集積回路基板を取り
付けた半導体装置すなわち集積回路装置の製造方法につ
いて説明する。
に絶縁物基板に半導体基板すなわち集積回路基板を取り
付けた半導体装置すなわち集積回路装置の製造方法につ
いて説明する。
従来、ダイオード、トランジスタ、IC等の半導体素子
を絶縁物基板、例えばセラミック基板等に固着し、半導
体素子をセラミックパッケージによって封止することが
行なわれている。この際半導体素子ペレットをセラミッ
クに固着するには、セラミック基板の所望表面に金(A
u)層をスクリーン印刷あるいはドツティングしその金
(Au)層にシリコン等の半導体基板を溶着する。また
他の方法では低熔融ガラス層を同様にスクリーン印刷(
グレーズ法)しそのガラス層に半導体基板を溶着する。
を絶縁物基板、例えばセラミック基板等に固着し、半導
体素子をセラミックパッケージによって封止することが
行なわれている。この際半導体素子ペレットをセラミッ
クに固着するには、セラミック基板の所望表面に金(A
u)層をスクリーン印刷あるいはドツティングしその金
(Au)層にシリコン等の半導体基板を溶着する。また
他の方法では低熔融ガラス層を同様にスクリーン印刷(
グレーズ法)しそのガラス層に半導体基板を溶着する。
しかし乍らこのような技術によればこのシリコン基板の
溶着において金(Au)層形成はセラミック基板式を高
価なものにし、特にシリコン基板サイズの増大に伴ない
大きなものとなっている。また低熔融ガラス層形成法は
熱放散が悪いために高消費電力の製品に適用できない。
溶着において金(Au)層形成はセラミック基板式を高
価なものにし、特にシリコン基板サイズの増大に伴ない
大きなものとなっている。また低熔融ガラス層形成法は
熱放散が悪いために高消費電力の製品に適用できない。
本発明の目的は上述のごとき問題点を解決した半導体装
置の製造方法などを提供するものである。
置の製造方法などを提供するものである。
このような目的を達成するために本発明の一実施例の概
要は、絶縁物基板の一主表面に設けられたガラス層にべ
IJ lアを含有させ熱放散をよくしたことを特徴とす
るものである。
要は、絶縁物基板の一主表面に設けられたガラス層にべ
IJ lアを含有させ熱放散をよくしたことを特徴とす
るものである。
以下に本発明に係る一実施例を図面を参照して説明する
。第1図はセラミックデュアルインラインパッケージに
より封止した本発明に係る半導体装置を示す要部断面図
である。1がセラミック基板で、2がその基板の一表面
の凹部に設けられたベリリアを含むガラス層であり、こ
のガラス層2上に例えばシリコンからなる半導体素子ペ
レット3が設置され、熱処理されてセラミック基板1に
ガラス層2を介して固着されている。なお、同図におい
て5は外部ひき出しリード、5は半導体ペレットの電極
をリード部に接続するコネクターワイヤー、6はセラミ
ックケースであり、セラミック基板1に絶縁性ガラスを
介して接着されているものである。
。第1図はセラミックデュアルインラインパッケージに
より封止した本発明に係る半導体装置を示す要部断面図
である。1がセラミック基板で、2がその基板の一表面
の凹部に設けられたベリリアを含むガラス層であり、こ
のガラス層2上に例えばシリコンからなる半導体素子ペ
レット3が設置され、熱処理されてセラミック基板1に
ガラス層2を介して固着されている。なお、同図におい
て5は外部ひき出しリード、5は半導体ペレットの電極
をリード部に接続するコネクターワイヤー、6はセラミ
ックケースであり、セラミック基板1に絶縁性ガラスを
介して接着されているものである。
かかる半導体装置の製法を次に詳述する。
セラミック基板1の凹部内にベリリアを含んだガラスペ
ットをスクリーン印刷(グレーズ法)し、ベリリアを含
むガラス層を形成する。ガラスペーストは半導体ペレッ
ト付用ガラス粉末を酢酸アルミ、ベンゼン、トリクレン
等からなる有機溶媒中顛分散させ、0.1〜0.3μm
程度の粉末のみからなる懸濁液をつくる。次いで0.1
μm以下のベリリア粉末をガラス粉末の重量で40%程
混入させる。ここで作成されたベリリア人ガラスペース
トをスクリーン印刷(グレーズ法)によりセラミック基
板に被着する。これを乾燥したのち、通常4000前後
で焼成しセラミック基板に付着させる。このようにして
形成されたベリリア人ガラス層2はシリコンペレット4
をその上にのせて加熱処理(たとえば450C程度の加
熱温度)を施こしてベリリア入ガラス層を介してセラミ
ック基板にシリコンペレットを固着する。然るのちリー
ド線先端部と半導体ペレット上面の電極をコネクタワイ
ヤ4によって接続し、セラミックキャップ6を低融点ガ
ラスを介して封着する。
ットをスクリーン印刷(グレーズ法)し、ベリリアを含
むガラス層を形成する。ガラスペーストは半導体ペレッ
ト付用ガラス粉末を酢酸アルミ、ベンゼン、トリクレン
等からなる有機溶媒中顛分散させ、0.1〜0.3μm
程度の粉末のみからなる懸濁液をつくる。次いで0.1
μm以下のベリリア粉末をガラス粉末の重量で40%程
混入させる。ここで作成されたベリリア人ガラスペース
トをスクリーン印刷(グレーズ法)によりセラミック基
板に被着する。これを乾燥したのち、通常4000前後
で焼成しセラミック基板に付着させる。このようにして
形成されたベリリア人ガラス層2はシリコンペレット4
をその上にのせて加熱処理(たとえば450C程度の加
熱温度)を施こしてベリリア入ガラス層を介してセラミ
ック基板にシリコンペレットを固着する。然るのちリー
ド線先端部と半導体ペレット上面の電極をコネクタワイ
ヤ4によって接続し、セラミックキャップ6を低融点ガ
ラスを介して封着する。
以上のべたように、本発明の一実施例によれば熱伝導度
が従来のガラス埋込に比べ少なくとも1桁以上よくなる
ため、消費電力の大きい半導体素子にも採用できるので
金(Au)層形成が必要なくなり、部材を安価なものに
することができる。
が従来のガラス埋込に比べ少なくとも1桁以上よくなる
ため、消費電力の大きい半導体素子にも採用できるので
金(Au)層形成が必要なくなり、部材を安価なものに
することができる。
またAu層を用いてとりつける場合のように半導体素子
ペレット固着時にスクラブする必要がなくなり、歩留り
よく自動組立ができる利点がある。
ペレット固着時にスクラブする必要がなくなり、歩留り
よく自動組立ができる利点がある。
また半導体素子の固着法が統一されるので部品の標準化
もはかれる。
もはかれる。
第1図は本発明の一実施例に係る半導体装置の要部断面
図である。 】・・・セラミック基板、2・・・ガラス層、3・・・
半導体ペレット、4・・・コネクターワイヤ、5・・・
外部引出しリード、6・・・セラミックキャップ。 第 1 図
図である。 】・・・セラミック基板、2・・・ガラス層、3・・・
半導体ペレット、4・・・コネクターワイヤ、5・・・
外部引出しリード、6・・・セラミックキャップ。 第 1 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(a)絶縁物基板の一主表面に熱伝導性が良好な物
質を含有したガラス層を形成する工程と (b)上記ガラス層の上に集積回路基板をのせ、上記絶
縁物基板と上記集積回路基板とを固着させる工程と からなることを特徴とする集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13771785A JPS6127641A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13771785A JPS6127641A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 集積回路装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7468279A Division JPS55166933A (en) | 1979-06-15 | 1979-06-15 | Semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6127641A true JPS6127641A (ja) | 1986-02-07 |
Family
ID=15205173
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13771785A Pending JPS6127641A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6127641A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009083068A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Eguro:Kk | コイル状ワークを使用したnc旋盤加工システムおよびコイル状ワークを使用したnc旋盤加工方法 |
DE102013102058B4 (de) | 2012-03-01 | 2024-05-29 | Infineon Technologies Ag | Chipanordnungen und Verfahren zum Bilden einer Chipanordnung |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5046484A (ja) * | 1973-08-30 | 1975-04-25 | ||
JPS5013554B1 (ja) * | 1968-03-24 | 1975-05-20 | ||
JPS535981A (en) * | 1976-07-06 | 1978-01-19 | Toyoda Chuo Kenkyusho Kk | Method of producing semiconductor device |
-
1985
- 1985-06-26 JP JP13771785A patent/JPS6127641A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5013554B1 (ja) * | 1968-03-24 | 1975-05-20 | ||
JPS5046484A (ja) * | 1973-08-30 | 1975-04-25 | ||
JPS535981A (en) * | 1976-07-06 | 1978-01-19 | Toyoda Chuo Kenkyusho Kk | Method of producing semiconductor device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009083068A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Eguro:Kk | コイル状ワークを使用したnc旋盤加工システムおよびコイル状ワークを使用したnc旋盤加工方法 |
DE102013102058B4 (de) | 2012-03-01 | 2024-05-29 | Infineon Technologies Ag | Chipanordnungen und Verfahren zum Bilden einer Chipanordnung |
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