JPS61275855A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPS61275855A JPS61275855A JP11823785A JP11823785A JPS61275855A JP S61275855 A JPS61275855 A JP S61275855A JP 11823785 A JP11823785 A JP 11823785A JP 11823785 A JP11823785 A JP 11823785A JP S61275855 A JPS61275855 A JP S61275855A
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- layer
- photoreceptor
- germanium
- hydrogen
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
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- G03G5/08285—Carbon-based
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｍ業」ニブ４Ｌ不り］分」勺５
本発明は、電子写真用感光体、特にケイ素及びゲルマニ
ウムを主体とし、これにフッ素を含有する非晶質材料を
感光層に用いた電子写真用感光体に関する。
ウムを主体とし、これにフッ素を含有する非晶質材料を
感光層に用いた電子写真用感光体に関する。
！力４≦≧ヒトメイλヨＬ条Ｌ１小到
電子写真法は、感光体を帯電し、像露光により感光体面
に静電潜像を形成し、現像剤で現像した後、転写紙にト
ナー像を転写し、定着して複写物を得る方法として知ら
れている。この電子写真法に用いられる感光体は、基本
構成として導電性基層上に感光層を積層してなるもので
あり、感光層を構成する材料としてはセレンあるいはセ
レン合金、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機感光材料
あるいはポリビニルカルバゾール、トリニトロフルオレ
ノン、ビスアゾ顔料、フタロシアニン、ピラゾリン、ヒ
ドラゾンなどの有機感光材料が知られ、感光層を単層あ
るいは積層にして用いられている。
に静電潜像を形成し、現像剤で現像した後、転写紙にト
ナー像を転写し、定着して複写物を得る方法として知ら
れている。この電子写真法に用いられる感光体は、基本
構成として導電性基層上に感光層を積層してなるもので
あり、感光層を構成する材料としてはセレンあるいはセ
レン合金、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機感光材料
あるいはポリビニルカルバゾール、トリニトロフルオレ
ノン、ビスアゾ顔料、フタロシアニン、ピラゾリン、ヒ
ドラゾンなどの有機感光材料が知られ、感光層を単層あ
るいは積層にして用いられている。
近年、この感光層として非晶質ケイ素（アモルファスシ
リコン）を用いた感光体が知られ、種々その改善が試の
られている。この非晶質ケイ素を用いた感光体は導電性
基板−１二にシラン（Ｓｉｌ１４）ガスをグロー放電分
解法等によりケイ素の非晶質膜を形成したものであって
、非晶質ケイ素膜中に水素原子が取り込まれ光導電性を
呈するものである。
リコン）を用いた感光体が知られ、種々その改善が試の
られている。この非晶質ケイ素を用いた感光体は導電性
基板−１二にシラン（Ｓｉｌ１４）ガスをグロー放電分
解法等によりケイ素の非晶質膜を形成したものであって
、非晶質ケイ素膜中に水素原子が取り込まれ光導電性を
呈するものである。
非晶質ケイ素感光体は、感光層の表面硬度が高く傷つき
にくく摩耗にも強く、耐熱性も高く、機械的強度にすぐ
れ又高い光感度を有する如く感光特性もずくれたもので
ある。
にくく摩耗にも強く、耐熱性も高く、機械的強度にすぐ
れ又高い光感度を有する如く感光特性もずくれたもので
ある。
光朋プ」も友邊丈がとする間化（
しかしながら非晶質ケイ素感光体は、波長約４００ｎｍ
〜７ｏｏｎｍの光に対して高い光感度を有しているもの
の、波長７００ｎｍ以−ヒのより長波長光に対して、そ
の光感度が急激に低下する。
〜７ｏｏｎｍの光に対して高い光感度を有しているもの
の、波長７００ｎｍ以−ヒのより長波長光に対して、そ
の光感度が急激に低下する。
最近、半導体レーザを光源としたレーザビームプリンタ
用の感光体として８００ｎｍ（＝Ｊ近までの長波長に良
好な光感度を有する電子写真感光体が要求されているが
上記の欠陥を有したままでは非晶質ケイ素感光体は半ｍ
体レーザブリンク用としては実用に（Ｊｊすることがで
きない。非晶質ケイ素中にゲルマニラｌ、を適■加えて
非晶質ケイ素−ゲルマニウムとすることにより、光学的
バンドギートソプの減少化を図ることができることが知
られている。ゲルマニウム量の増加と共に光学的ハント
ギャップは、非晶質ケイ素の］、７ｅＶからゲルマニウ
ムの］、、 １． ｅＶ程度まで連続的に減少させる
ことができる。
用の感光体として８００ｎｍ（＝Ｊ近までの長波長に良
好な光感度を有する電子写真感光体が要求されているが
上記の欠陥を有したままでは非晶質ケイ素感光体は半ｍ
体レーザブリンク用としては実用に（Ｊｊすることがで
きない。非晶質ケイ素中にゲルマニラｌ、を適■加えて
非晶質ケイ素−ゲルマニウムとすることにより、光学的
バンドギートソプの減少化を図ることができることが知
られている。ゲルマニウム量の増加と共に光学的ハント
ギャップは、非晶質ケイ素の］、７ｅＶからゲルマニウ
ムの］、、 １． ｅＶ程度まで連続的に減少させる
ことができる。
従ってａ （アモルファス） Ｓ＋１−ＸＧｅ）（を
光導電層とすることにより光感度特性を長波側に延ばす
ことが可能となり、８００ｎｍ（」近までの長波長光に
まで良好な光感度を有する電子写真用感光体を得ること
ができる。
光導電層とすることにより光感度特性を長波側に延ばす
ことが可能となり、８００ｎｍ（」近までの長波長光に
まで良好な光感度を有する電子写真用感光体を得ること
ができる。
しかし反面、この感光層は暗減衰が大きく、感光体を帯
電しても充分な帯電電位が得られないとう欠点を有する
。即ちケイ素、ゲルマニラＪ、を主体とする非晶質材料
からなる感光体を帯電し、像露光して静電潜像を形成し
、次いで現像する際、感光体−１−の表面電荷が像露光
まであるいは現像工程までの間に光照射を受けなかった
部分の電荷までも減衰してしまい、現像に必要な帯電電
位が得られにくいものである。
電しても充分な帯電電位が得られないとう欠点を有する
。即ちケイ素、ゲルマニラＪ、を主体とする非晶質材料
からなる感光体を帯電し、像露光して静電潜像を形成し
、次いで現像する際、感光体−１−の表面電荷が像露光
まであるいは現像工程までの間に光照射を受けなかった
部分の電荷までも減衰してしまい、現像に必要な帯電電
位が得られにくいものである。
この帯電電位の減衰は、環境条件の影響によっても変化
しやすく、特に高温高湿の環境では帯電電位が大幅に低
下してしまい、更に感光体を繰返し使用すると徐々に帯
電電位が低下してしまう。
しやすく、特に高温高湿の環境では帯電電位が大幅に低
下してしまい、更に感光体を繰返し使用すると徐々に帯
電電位が低下してしまう。
この様な帯電電位の暗減衰の大きな感光体を用いて複写
物を作製すると画像濃度が低く又中間調の再現性に乏し
い複写物となってしまう。
物を作製すると画像濃度が低く又中間調の再現性に乏し
い複写物となってしまう。
本発明１ｄこの様なケイ素、ゲルマニウムを主体とする
非晶質材料からなる感光体におジノる欠点を解消するこ
とを目的としてなされたものであり、帯電電位の暗減衰
の少ない非晶質ケイ素感光体を提供するものである。
非晶質材料からなる感光体におジノる欠点を解消するこ
とを目的としてなされたものであり、帯電電位の暗減衰
の少ない非晶質ケイ素感光体を提供するものである。
訓翅卓）消失するな始−９毛役
」−記目的を達成するため、ケイ素及びゲルマニウムを
主体とする非晶質材料から成る感光体の特性について研
究を行った。その結果、光導電層を、シランまたはシラ
ン３Ｋ ’Ｘ体と四フッ化ゲルマニウム（Ｇ（！Ｆ４）
ガスの放電分解生成物から構成した。そして、表面層を
５０原子％以下の水素を含む非晶質炭素で形成し、これ
により、上記欠点を解消した。
主体とする非晶質材料から成る感光体の特性について研
究を行った。その結果、光導電層を、シランまたはシラ
ン３Ｋ ’Ｘ体と四フッ化ゲルマニウム（Ｇ（！Ｆ４）
ガスの放電分解生成物から構成した。そして、表面層を
５０原子％以下の水素を含む非晶質炭素で形成し、これ
により、上記欠点を解消した。
更に、本発明による感光体の具体的構成について説明す
る。
る。
本発明の電子写真用感光体の構造は第１図に示す通りで
あり、図中、１ば５ｏ原了％以下の水素を含む非晶質炭
素から成る表面層、２は非晶質ケイ素とゲルマニウムを
主体としフッ素を含有する光導電層、３は導電性基層ま
たは基板である。
あり、図中、１ば５ｏ原了％以下の水素を含む非晶質炭
素から成る表面層、２は非晶質ケイ素とゲルマニウムを
主体としフッ素を含有する光導電層、３は導電性基層ま
たは基板である。
表面層】は帯電処理の際、光導電層２の表面部から内部
への電荷の注入を阻止する電荷ブロッキング層としての
役割の他に、酸素、水蒸気、空気中の水分、オゾン（０
３）といった環境雰囲気中に一般的に存在する分子種が
光導電層表面に直接接触あるいは吸着するのを防止する
表面像８Ｗ層としての役割を持たせることができる。同
時に、上記の表面層は、応力の付加、あるいは反応性化
学物質の（１着などの外部要因の作用によって、光導電
層目体の’４．’ｊ性が破壊されるのを防止する表面保
護層としての役割をも持たせることができる。
への電荷の注入を阻止する電荷ブロッキング層としての
役割の他に、酸素、水蒸気、空気中の水分、オゾン（０
３）といった環境雰囲気中に一般的に存在する分子種が
光導電層表面に直接接触あるいは吸着するのを防止する
表面像８Ｗ層としての役割を持たせることができる。同
時に、上記の表面層は、応力の付加、あるいは反応性化
学物質の（１着などの外部要因の作用によって、光導電
層目体の’４．’ｊ性が破壊されるのを防止する表面保
護層としての役割をも持たせることができる。
さらには、上記の表面層は、ケイ素、ゲルマニウムを主
体とし、これにフッ素を含有する非晶質材料を主体とす
る先導電層中に一般的に含まれている水素などの膜構成
原子が光導電層中から離脱していくのを防止する１１り
構成原子の離脱防止層としての役割も持たせることがで
きる。
体とし、これにフッ素を含有する非晶質材料を主体とす
る先導電層中に一般的に含まれている水素などの膜構成
原子が光導電層中から離脱していくのを防止する１１り
構成原子の離脱防止層としての役割も持たせることがで
きる。
表面層１は、グロー放電法、スパッタリング法、イオン
ブレーティング法、真空蒸着法、ＣＶＤ（ＣＩｌｅｍｉ
ｃａｌ Ｖａｐｏｒ ｌ１ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：化学蒸
着）などの方法によって形成することが出来る。中でも
、グロー放電法により、炭化水素化合物を分解して形成
した５０原子％以下の水素を含む非晶質炭素膜は、電子
写真感光体として要求される高暗抵抗を得ることができ
、また、ケイ素、ゲルマニウムを主体とし、これにフッ
素を含有する非晶質材料からなる感光体の特徴を１■な
・うことがなく、透明でかつ高硬度等の優れた特性を有
する。
ブレーティング法、真空蒸着法、ＣＶＤ（ＣＩｌｅｍｉ
ｃａｌ Ｖａｐｏｒ ｌ１ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：化学蒸
着）などの方法によって形成することが出来る。中でも
、グロー放電法により、炭化水素化合物を分解して形成
した５０原子％以下の水素を含む非晶質炭素膜は、電子
写真感光体として要求される高暗抵抗を得ることができ
、また、ケイ素、ゲルマニウムを主体とし、これにフッ
素を含有する非晶質材料からなる感光体の特徴を１■な
・うことがなく、透明でかつ高硬度等の優れた特性を有
する。
本発明の表面層を形成するのに使用される原料ば次のも
のが使用される。主体となる炭素の原料としては、メタ
ン、エタン、プロパン、ペンタン等のＣ，、■］２．．
。２ の一般式で示されるパラフィン系炭化水素：エチ
レン、プロピレン、ブチレン、ペンテン等のＣ，Ｈ２，
の一般式で示されるオレフィン系炭化水素アセチレン；
アリレン、ブチン等のＣ，、Ｉ］２．、−２の一般式で
示されるアセチレン系炭化水素等の脂肪族炭化水素；シ
クロプロパン、シクロブタン、シクロペンクン、シクロ
ブタン、シクロへブタン、シクロブテン、シクロペンテ
ン、シクロヘキセン等の脂環式炭化水素；ヘンゼン、ト
ルエン、キシレン、ナフタリン、アントラセン等の芳香
族化合物が挙げられる。
のが使用される。主体となる炭素の原料としては、メタ
ン、エタン、プロパン、ペンタン等のＣ，、■］２．．
。２ の一般式で示されるパラフィン系炭化水素：エチ
レン、プロピレン、ブチレン、ペンテン等のＣ，Ｈ２，
の一般式で示されるオレフィン系炭化水素アセチレン；
アリレン、ブチン等のＣ，、Ｉ］２．、−２の一般式で
示されるアセチレン系炭化水素等の脂肪族炭化水素；シ
クロプロパン、シクロブタン、シクロペンクン、シクロ
ブタン、シクロへブタン、シクロブテン、シクロペンテ
ン、シクロヘキセン等の脂環式炭化水素；ヘンゼン、ト
ルエン、キシレン、ナフタリン、アントラセン等の芳香
族化合物が挙げられる。
非晶質炭素膜中の水素の含有は、通常、原料炭化水素に
含まれる水素によってなされるが、必要に応じて、原料
炭化水素と同時に水素ガスを装置に導入しても良い。
含まれる水素によってなされるが、必要に応じて、原料
炭化水素と同時に水素ガスを装置に導入しても良い。
また、非晶質炭素表面層の暗抵抗の制御あるいはケイ素
、ゲルマニウムを主体とし、これにフ・ノ素を含有する
非晶質材料からなる光導電層との接合特性の制御を目的
として」−記のガス中にジボラン（Ｒｚｌ１６）ガス、
ボスフィン（ＰＨａ）ガスなどのドーパント・ガスを混
入させ、表面層中にホウ素（Ｂ）あるいはリン（Ｐ）な
どの不純物元素の添加（ドーピング）を行なうことがで
きる。
、ゲルマニウムを主体とし、これにフ・ノ素を含有する
非晶質材料からなる光導電層との接合特性の制御を目的
として」−記のガス中にジボラン（Ｒｚｌ１６）ガス、
ボスフィン（ＰＨａ）ガスなどのドーパント・ガスを混
入させ、表面層中にホウ素（Ｂ）あるいはリン（Ｐ）な
どの不純物元素の添加（ドーピング）を行なうことがで
きる。
原料気体のグロー放電分解は、直流あるいは交流放電の
いずれの場合でも可能であり、周波数は０〜３０ＭＨ２
、好適には５〜２０ Ｍｌ’ｌｚである。放電時の真空
度は０．１〜５ Ｔｏｒｒ、基板加熱温度は１００〜４
００℃で行なわれる。
いずれの場合でも可能であり、周波数は０〜３０ＭＨ２
、好適には５〜２０ Ｍｌ’ｌｚである。放電時の真空
度は０．１〜５ Ｔｏｒｒ、基板加熱温度は１００〜４
００℃で行なわれる。
表面層の膜厚は任意に設定されるが、１０μｍ以下特に
１μｍ以下が好適である。
１μｍ以下が好適である。
非晶質ケイ素−ゲルマニウム光導電層２の中に含まれる
フッ素は光導電層の熱的安定性、酸素、水蒸気、オゾン
に対する化学的安定性を増し、同時に電子写真感光体と
しての使用に適する高い暗抵抗と光感度を実現する。
フッ素は光導電層の熱的安定性、酸素、水蒸気、オゾン
に対する化学的安定性を増し、同時に電子写真感光体と
しての使用に適する高い暗抵抗と光感度を実現する。
本発明においてケイ素、ゲルマニウムを主体としてこれ
にフッ素を含有する非晶質材料から成る光導電層はプラ
ズマＣＶＤ装置の反応室内にシラン（Ｓ ｉ ｔｌ ４
）またはシラン誘導体と四フッ化ゲルマニウムガス（Ｇ
ｅＦｔ）を導入し、これらの混合ガスをグロー放て分解
することによって反応室内所定の位置に設定された導電
性基板上に形成される。
にフッ素を含有する非晶質材料から成る光導電層はプラ
ズマＣＶＤ装置の反応室内にシラン（Ｓ ｉ ｔｌ ４
）またはシラン誘導体と四フッ化ゲルマニウムガス（Ｇ
ｅＦｔ）を導入し、これらの混合ガスをグロー放て分解
することによって反応室内所定の位置に設定された導電
性基板上に形成される。
本発明の特徴の１つはゲルマニウム及びフッ素の原料ガ
スとして四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦｔ）を使用する
ことであり、非晶質ケイ素中にゲルマニウム及びフッ素
を同時にかつ効果的に含有させることができる。本発明
の光導電層形成に用いるシランまたはシラン誘導体とし
てば、５ｉｌ１４．５ｉ２１１．、、Ｓｉ、１ｌｌａ
、Ｓｉ＜ｌＩ＋ｏ、 ５ｉ（１４，５ｉ１１（１３，５
ｉｌｌｚＣ７！２、Ｓｉ （ＣＨ３） ４等のガスを用
いることができる。
スとして四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦｔ）を使用する
ことであり、非晶質ケイ素中にゲルマニウム及びフッ素
を同時にかつ効果的に含有させることができる。本発明
の光導電層形成に用いるシランまたはシラン誘導体とし
てば、５ｉｌ１４．５ｉ２１１．、、Ｓｉ、１ｌｌａ
、Ｓｉ＜ｌＩ＋ｏ、 ５ｉ（１４，５ｉ１１（１３，５
ｉｌｌｚＣ７！２、Ｓｉ （ＣＨ３） ４等のガスを用
いることができる。
また非晶質ケイ素−ゲルマニウム光導電層膜の暗抵抗の
制御あるいは帯電極性の制御を目的として、さらに上記
のガス中にジボラン（ｎ ｚ ｎ ｂ ）ガス、ホスフ
ィン（ＰＩ＋３）ガスなどのドーパント・ガスを混入さ
せ、光導電層膜中へのホウ素（Ｂ）あるいはリン（Ｐ）
などの不純物元素の添加（ドーピング）を行なうごとも
できる。またさらには、膜の暗抵抗の増加、光感度の増
加あるいは帯電能（単位■ジ厚あたりの帯電能力あるい
は帯電電位）の増加を目的として、非晶質ケイ素−ゲル
マニウム膜中に炭素原子、酸素原子、窒素原子などを含
イラさせてもよい。
制御あるいは帯電極性の制御を目的として、さらに上記
のガス中にジボラン（ｎ ｚ ｎ ｂ ）ガス、ホスフ
ィン（ＰＩ＋３）ガスなどのドーパント・ガスを混入さ
せ、光導電層膜中へのホウ素（Ｂ）あるいはリン（Ｐ）
などの不純物元素の添加（ドーピング）を行なうごとも
できる。またさらには、膜の暗抵抗の増加、光感度の増
加あるいは帯電能（単位■ジ厚あたりの帯電能力あるい
は帯電電位）の増加を目的として、非晶質ケイ素−ゲル
マニウム膜中に炭素原子、酸素原子、窒素原子などを含
イラさせてもよい。
以−にのプラズマＣＶＤ法によりシランまたＣまシラン
誘導体と四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４）カスラグロ
ー放電分解する非晶質ケイ素光導電層膜形成法において
有効な放電条件ずなわらケイ素、ゲルマニウムを主体と
しこれにフッ素を含有する非晶質膜の生成条件は、例え
ば交流放電の場合を例とすると、次の通りである。周波
数は通常０．１〜３０Ｍ１ｌｚ、好適には５〜２０ＭＩ
Ｉｚ 、放電時の真空度は０ 、 １〜５Ｔｏｒｒ、基
板加熱温度は１ｏｏ〜４００℃である。非晶質ケイ素と
ゲルマニウムを主体とする光導電層の膜厚は任意に設定
されるが、１μｍ〜２００μｍ、特に１０μｍ〜１００
１！ｍが好適である。
誘導体と四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４）カスラグロ
ー放電分解する非晶質ケイ素光導電層膜形成法において
有効な放電条件ずなわらケイ素、ゲルマニウムを主体と
しこれにフッ素を含有する非晶質膜の生成条件は、例え
ば交流放電の場合を例とすると、次の通りである。周波
数は通常０．１〜３０Ｍ１ｌｚ、好適には５〜２０ＭＩ
Ｉｚ 、放電時の真空度は０ 、 １〜５Ｔｏｒｒ、基
板加熱温度は１ｏｏ〜４００℃である。非晶質ケイ素と
ゲルマニウムを主体とする光導電層の膜厚は任意に設定
されるが、１μｍ〜２００μｍ、特に１０μｍ〜１００
１！ｍが好適である。
添付図面中３の導電性基板としてはＡρ、旧、Ｃｒ、
Ｆｅ、ステンレス鋼、黄銅などの金属からなる基板、あ
るいはＩｎ２Ｏ３、ＳｎＯ□、ＣｕＩ 、、 Ｃｒ（ｈ
などの金属間化合物からなる基板などを用いることがで
きる。また基板の形状は円筒状、平板状、エントレスヘ
ルＩ・状等任意の形状として得ることが可能である。
Ｆｅ、ステンレス鋼、黄銅などの金属からなる基板、あ
るいはＩｎ２Ｏ３、ＳｎＯ□、ＣｕＩ 、、 Ｃｒ（ｈ
などの金属間化合物からなる基板などを用いることがで
きる。また基板の形状は円筒状、平板状、エントレスヘ
ルＩ・状等任意の形状として得ることが可能である。
また、第２図に示すよ・うに、必要により、光導電層２
と導電性基板３との間に電荷注入阻止層４を設けること
ができる。この層を構成する祠料としては、感光体の使
用される帯電符ぢに応じ、例えば微量のホウ素を添加し
た水素化非晶質ケイ素あるいは微量のリンを添加した水
素化非晶質ケイ素等が用いられる。
と導電性基板３との間に電荷注入阻止層４を設けること
ができる。この層を構成する祠料としては、感光体の使
用される帯電符ぢに応じ、例えば微量のホウ素を添加し
た水素化非晶質ケイ素あるいは微量のリンを添加した水
素化非晶質ケイ素等が用いられる。
以下、具体的な実施例により本発明を具体的に説明する
。
。
比較■よ
円筒状基板上への非晶質ケイ素膜の生成が可能な容量結
合型プラズマＣＶＤ装置を用いて、シラン（Ｓ ＋ Ｉ
Ｉ ４）ガスと１０％の四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ
ｔ）ガスの混合ガスをグロー放電分解することにより、
円筒型ｉ基層上に水素と極微量のホウ素を含む高暗抵抗
でいわゆるｉ型（真性）のケイ素とゲルマニウムを主体
とし、フッ素を含有する非晶質光導電膜を生成した。こ
の時の非晶質光導電膜の生成条件は次のようであった。
合型プラズマＣＶＤ装置を用いて、シラン（Ｓ ＋ Ｉ
Ｉ ４）ガスと１０％の四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ
ｔ）ガスの混合ガスをグロー放電分解することにより、
円筒型ｉ基層上に水素と極微量のホウ素を含む高暗抵抗
でいわゆるｉ型（真性）のケイ素とゲルマニウムを主体
とし、フッ素を含有する非晶質光導電膜を生成した。こ
の時の非晶質光導電膜の生成条件は次のようであった。
プラズマＣＶＤ装置の反応室内の所定の位置に円筒状Ｉ
ｆ基板を設置し、裁板／Ｉｖ度を所定の温度である２５
０°Ｃに維持し、反応室内にシラン（Ｓ ｉ Ｉｔ ａ
）ガスと１０％の四フフ化ゲルマニウｌ、（ＧｅＦ４
）ガスの混合ガスを毎分１２０ｃｃ、水素希釈の１１０
０ｐｐジボラン（８２＋１６）ガスを毎分２０ｃｃ、さ
らに１００％水素（１１□）ガスを毎分９０ｃｃで流入
させ、反応槽内を０ 、 ５ Ｔｏｒｒの内圧に維持し
た後、］、 ３ 、 ５６ＭＩＩｚの高周波電力を供給
して、グロー放電を生じせしめ、高周波電源の出力を８
５Ｗに維持した。このようにして円筒状のΔβ基板上に
厚さ２５μｍの水素と極微量のホウ素を含む高暗抵抗で
いわゆるｉ型（真性）のケイ素とゲルマニウムを主体と
し、フッ素を含有する非晶質光導電体からなる感光体を
得た。
ｆ基板を設置し、裁板／Ｉｖ度を所定の温度である２５
０°Ｃに維持し、反応室内にシラン（Ｓ ｉ Ｉｔ ａ
）ガスと１０％の四フフ化ゲルマニウｌ、（ＧｅＦ４
）ガスの混合ガスを毎分１２０ｃｃ、水素希釈の１１０
０ｐｐジボラン（８２＋１６）ガスを毎分２０ｃｃ、さ
らに１００％水素（１１□）ガスを毎分９０ｃｃで流入
させ、反応槽内を０ 、 ５ Ｔｏｒｒの内圧に維持し
た後、］、 ３ 、 ５６ＭＩＩｚの高周波電力を供給
して、グロー放電を生じせしめ、高周波電源の出力を８
５Ｗに維持した。このようにして円筒状のΔβ基板上に
厚さ２５μｍの水素と極微量のホウ素を含む高暗抵抗で
いわゆるｉ型（真性）のケイ素とゲルマニウムを主体と
し、フッ素を含有する非晶質光導電体からなる感光体を
得た。
このようにして得られた感光体は、表面硬度が高く、耐
摩耗性、耐熱性に優れ、高暗抵抗かつ高光感度を有し、
電子写真用感光体特性の優れたものであった。また正帯
電、負帯電いずれの帯電も可能であり両極性帯電性を有
していた。
摩耗性、耐熱性に優れ、高暗抵抗かつ高光感度を有し、
電子写真用感光体特性の優れたものであった。また正帯
電、負帯電いずれの帯電も可能であり両極性帯電性を有
していた。
この感光体を正帯電させ初期電位を５５０Ｖにした。こ
れを７８０ｎｍの波長の光で露光する操作を毎分４０回
の速度で繰返した。この時の残留電位は０■で安定して
いたが、帯電電位は繰返し数の増加とともに減少する傾
向が見られ、１０００回の繰返し操作の後においてその
帯電電位は初期帯・電電位の７５％の値まで減少してい
た。
れを７８０ｎｍの波長の光で露光する操作を毎分４０回
の速度で繰返した。この時の残留電位は０■で安定して
いたが、帯電電位は繰返し数の増加とともに減少する傾
向が見られ、１０００回の繰返し操作の後においてその
帯電電位は初期帯・電電位の７５％の値まで減少してい
た。
またこの感光体を負帯電させ、同様の操作を行なったと
ころ、正帯電の場合と同様の現象が見られた。更に、複
写操作を繰り返すうちに徐々に画像の解像度が低下した
。
ころ、正帯電の場合と同様の現象が見られた。更に、複
写操作を繰り返すうちに徐々に画像の解像度が低下した
。
勘■
比較例１と同一方法、同一条件にてケイ素とゲルマニウ
ムを主体とし、フッ素を含有する非晶質光導電層を形成
した後、反応槽を真空にした。次に、メタン（ＣＩ＋４
．）ガスを毎分５Ｑｃｃ流入し、反応槽内を０ 、 ２
Ｔｏｒｒにした後、グロー放電分解することにより４
０％の水素を含む非晶質炭素からなる表面層を０．３μ
ｍ設しＪだ。
ムを主体とし、フッ素を含有する非晶質光導電層を形成
した後、反応槽を真空にした。次に、メタン（ＣＩ＋４
．）ガスを毎分５Ｑｃｃ流入し、反応槽内を０ 、 ２
Ｔｏｒｒにした後、グロー放電分解することにより４
０％の水素を含む非晶質炭素からなる表面層を０．３μ
ｍ設しＪだ。
この表面層１４表面硬度が高く耐摩耗性に優れ、透明性
にイμれまた耐熱性に優れた膜であった。
にイμれまた耐熱性に優れた膜であった。
この感光体を正帯電さ−Ｕ初朋電荀を５５０■にした。
これを７８０ｎｍの波長の光で露光する操作を毎分４０
回の速度で繰り返した。この時の残留電位はＩＯＶで安
定しており、帯電電位も１０００回の繰り返し操作の後
でも初期帯電量イ◇の９８％を保持していた。
回の速度で繰り返した。この時の残留電位はＩＯＶで安
定しており、帯電電位も１０００回の繰り返し操作の後
でも初期帯電量イ◇の９８％を保持していた。
また、１０００回の複写操作後も画像の濃度、解像度に
イ憂れたコピーが得られた。
イ憂れたコピーが得られた。
几１交例−２−
比較例１と同様な装造゛を用いて、円筒型へＩ２恭板上
に水素と微量のホウ素を含む、いわゆるＰ型の非晶質ケ
イ素膜と、ケイ素とゲルマニウムを主体とし、水素、フ
ッ素及び極微量のホウ素を含むいわゆるｉ型（真性）の
非晶質光導電膜を順次形成した。この時の生成条件は次
のようであった。
に水素と微量のホウ素を含む、いわゆるＰ型の非晶質ケ
イ素膜と、ケイ素とゲルマニウムを主体とし、水素、フ
ッ素及び極微量のホウ素を含むいわゆるｉ型（真性）の
非晶質光導電膜を順次形成した。この時の生成条件は次
のようであった。
プラズマＣＶ Ｄ装置の反応室内の所定の位置に円筒状
Ａρ基板を設置し、基板温度を所定の温度である２５０
°Ｃに維持し、反応室内に１００％シラン（Ｓ ｉ ｉ
ｔ ａ ）カスを毎分１２０ ｃｃ、水素希釈の１１０
０ｐｐシホラン（Ｂ２１１６）ガスを毎分１００ｃｃ、
さらに１００％水素（１１□）ガスを毎分９Ｑｃｃで流
入さセ、反応槽内を０ 、 ５ Ｔｏｒｒの内圧に維持
した後、１３、 ５６Ｍｌ１ｚの高周波電力をイＪ（給
して、グロー放電を生しせしめ高周波電源の出力を８５
Ｗに維持した。このようにして円筒状のへ７２基板上に
厚さ０．２μｍの、水素と’＋８に、 ｆＪのホウ素を
含む、いわゆるＰ型の非晶質ケイ素膜を形成した。
Ａρ基板を設置し、基板温度を所定の温度である２５０
°Ｃに維持し、反応室内に１００％シラン（Ｓ ｉ ｉ
ｔ ａ ）カスを毎分１２０ ｃｃ、水素希釈の１１０
０ｐｐシホラン（Ｂ２１１６）ガスを毎分１００ｃｃ、
さらに１００％水素（１１□）ガスを毎分９Ｑｃｃで流
入さセ、反応槽内を０ 、 ５ Ｔｏｒｒの内圧に維持
した後、１３、 ５６Ｍｌ１ｚの高周波電力をイＪ（給
して、グロー放電を生しせしめ高周波電源の出力を８５
Ｗに維持した。このようにして円筒状のへ７２基板上に
厚さ０．２μｍの、水素と’＋８に、 ｆＪのホウ素を
含む、いわゆるＰ型の非晶質ケイ素膜を形成した。
次に、反応室内にシラン（Ｓ ｉ ＩＩ ４ ）ガスと
１０％四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４）ガスの混合ガ
スを毎分１２０ ｃｃ、水素希釈の１１００ｐｐジボラ
ン（Ｂ２１１６）ガスを毎分２０ｃｃ、さらに１００％
水素（ＩＩ ｚ ）ガスを毎分９０ｃｃで流入させ、反
応槽内を０ 、 ５ Ｔｏｒｒの内圧に維持した後、Ｐ
層と同様に放電を行ない厚さ２５μｍのケイ素とゲルマ
ニウムを主体とじフッ素と極微量のホウ素を含有するい
わゆるｉ型層が積層された感光体を得た。
１０％四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４）ガスの混合ガ
スを毎分１２０ ｃｃ、水素希釈の１１００ｐｐジボラ
ン（Ｂ２１１６）ガスを毎分２０ｃｃ、さらに１００％
水素（ＩＩ ｚ ）ガスを毎分９０ｃｃで流入させ、反
応槽内を０ 、 ５ Ｔｏｒｒの内圧に維持した後、Ｐ
層と同様に放電を行ない厚さ２５μｍのケイ素とゲルマ
ニウムを主体とじフッ素と極微量のホウ素を含有するい
わゆるｉ型層が積層された感光体を得た。
このようにして得られた感光体は表面硬度が高（、耐摩
耗性、耐熱性に優れ高暗抵抗かつ高光感度を有し、電子
写真用感光体特性の優れたものであった・ この感光体を複写機に入れ、正のコロナ帯電方式で画質
を評価したところ、初期時では実用上問題のない画像濃
度が得られたが、複写操作を繰り返すうぢに徐々に画像
濃度は低下した。
耗性、耐熱性に優れ高暗抵抗かつ高光感度を有し、電子
写真用感光体特性の優れたものであった・ この感光体を複写機に入れ、正のコロナ帯電方式で画質
を評価したところ、初期時では実用上問題のない画像濃
度が得られたが、複写操作を繰り返すうぢに徐々に画像
濃度は低下した。
失２１１４
比較例２と同一方法、同一条件、同一手続きに従ってケ
イ素とゲルマニウムを主体とする光導電層を形成した後
、反応槽を真空にした。次に、エタン（Ｃ２１１５）ガ
スを毎分２０ｃｃ流入して反応槽内を０ 、 Ｉ Ｔ
ｏｒｒにした後、グロー放電分解することにより３０％
の水素を含む非晶質炭素からなる表面層を０． １μｍ
設りた。
イ素とゲルマニウムを主体とする光導電層を形成した後
、反応槽を真空にした。次に、エタン（Ｃ２１１５）ガ
スを毎分２０ｃｃ流入して反応槽内を０ 、 Ｉ Ｔ
ｏｒｒにした後、グロー放電分解することにより３０％
の水素を含む非晶質炭素からなる表面層を０． １μｍ
設りた。
この表面層は表面硬度が高く耐摩耗性に優れ、透明性に
優れまた耐熱性に優れた膜であった。
優れまた耐熱性に優れた膜であった。
このようにして得られた感光体を複写機に入れ、正のコ
ロナ帯電方式で画質評価したところ、初期Ｊ、 ０ 時では実用−１−問題のない画像濃度が得られた。また
、複写操作を５万回繰り返したが画像濃度の低下はみら
れなかった。
ロナ帯電方式で画質評価したところ、初期Ｊ、 ０ 時では実用−１−問題のない画像濃度が得られた。また
、複写操作を５万回繰り返したが画像濃度の低下はみら
れなかった。
一実−施伽工
比較例２と同一方法、同一条件、同一手続きに従ってケ
イ素とゲルマニウムを主体とする光ｍ−電層を形成した
後、反応槽を真空にした。次に、エチレン（Ｃ２１１４
）ガスを毎分３Ｑｃｃ流入して反応槽内を０ 、 １
Ｔｏｒｒにした後、グロー放電分解することにより３０
％の水素を含む非晶質炭素からなる表面層を０．２μｍ
設けた。
イ素とゲルマニウムを主体とする光ｍ−電層を形成した
後、反応槽を真空にした。次に、エチレン（Ｃ２１１４
）ガスを毎分３Ｑｃｃ流入して反応槽内を０ 、 １
Ｔｏｒｒにした後、グロー放電分解することにより３０
％の水素を含む非晶質炭素からなる表面層を０．２μｍ
設けた。
この表面層は表面硬度が高く耐摩耗性に優れ、透明性に
優れまた耐熱性に優れた膜であった。
優れまた耐熱性に優れた膜であった。
このようにして得られた感光体を複写機に入れ、正のコ
ロナ帯電方式で画質評価したところ、初期時では事実上
問題のない画像濃度が得られた。また、複写操作を５万
回繰り返したが画像濃度の低下はめられなかった。
ロナ帯電方式で画質評価したところ、初期時では事実上
問題のない画像濃度が得られた。また、複写操作を５万
回繰り返したが画像濃度の低下はめられなかった。
光ユΔ軌釆
以上の通り、本発明によれば、非晶質ケイ素感光体の特
性をそのまま維持しながら、帯電電荷の暗減衰の少ない
感光体が提供され、また四フフ化ゲルマニウムガスを用
いて非晶質ケイ素中にケルマニウム及びフッ素を効果的
に含有させることができ、これにより、感光体の受光波
長領域を拡げることかできる。
性をそのまま維持しながら、帯電電荷の暗減衰の少ない
感光体が提供され、また四フフ化ゲルマニウムガスを用
いて非晶質ケイ素中にケルマニウム及びフッ素を効果的
に含有させることができ、これにより、感光体の受光波
長領域を拡げることかできる。
第１図は本発明による感光体の１つの構成例を示す図、
第２図は他の構成例を示す図である。 １・・・表面層、２・・・光導電層、３・・・導電性基
層（板）、４・・・電荷注入■止層。 第１図 第２図
第２図は他の構成例を示す図である。 １・・・表面層、２・・・光導電層、３・・・導電性基
層（板）、４・・・電荷注入■止層。 第１図 第２図
Claims (1)
- 導電性基層上に光導電層及び表面層を順次積層して成る
電子写真用感光体において、前記光導電層がシランまた
はシラン誘導体と四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ＿４）
ガスの放電分解生成物から成り、前記表面層は５０原子
％以下の水素を含む非晶質炭素から成ることを特徴とす
る電子写真用感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60118237A JPH0695217B2 (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 電子写真用感光体 |
| US07/215,151 US4932859A (en) | 1985-05-31 | 1988-07-05 | Electrophotographic photoreceptor having doped and/or bilayer amorphous silicon photosensitive layer |
| US07/767,751 US5262262A (en) | 1985-05-31 | 1991-09-30 | Electrophotographic photoreceptor having conductive layer and amorphous carbon overlayer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60118237A JPH0695217B2 (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61275855A true JPS61275855A (ja) | 1986-12-05 |
| JPH0695217B2 JPH0695217B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=14731626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60118237A Expired - Lifetime JPH0695217B2 (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0695217B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58187944A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-02 | Canon Inc | 光導電部材 |
| JPS58187932A (ja) * | 1982-04-27 | 1983-11-02 | Canon Inc | レーザー光を用いる光導電部材 |
| JPS6059367A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-04-05 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 調整した無定形ケイ素を含む電子写真装置 |
| JPS6061761A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS61208056A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Toray Ind Inc | 電子写真感光体 |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP60118237A patent/JPH0695217B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58187932A (ja) * | 1982-04-27 | 1983-11-02 | Canon Inc | レーザー光を用いる光導電部材 |
| JPS58187944A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-02 | Canon Inc | 光導電部材 |
| JPS6059367A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-04-05 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 調整した無定形ケイ素を含む電子写真装置 |
| JPS6061761A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS61208056A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Toray Ind Inc | 電子写真感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0695217B2 (ja) | 1994-11-24 |
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