JPS61275854A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPS61275854A JPS61275854A JP11823685A JP11823685A JPS61275854A JP S61275854 A JPS61275854 A JP S61275854A JP 11823685 A JP11823685 A JP 11823685A JP 11823685 A JP11823685 A JP 11823685A JP S61275854 A JPS61275854 A JP S61275854A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08285—Carbon-based
-
- G—PHYSICS
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- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業−ヒガ机几分国
本発明は、電子写真用感光体、特にケイ素及びゲルマニ
ウムを主体とし、これにフッ素を含有する非晶質材料を
感光層に用いた電子写真用感光体に関する。
ウムを主体とし、これにフッ素を含有する非晶質材料を
感光層に用いた電子写真用感光体に関する。
獲１びり腫
電子写真法は、感光体を帯電し、像露光により感光体面
に静電潜像を形成し、現像剤で現像した後、転写紙にト
ナー像を転写し、定着して複写物を得る方法として知ら
れている。この電子写真法に用いられる感光体は、基本
構成として導電性基層上に感光層を積層してなるもので
あり、感光層を構成する材料としてはセレンあるいはセ
レン合金、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機感光材料
あるいはポリビニルカルバゾール、トリニトロフルオレ
ノン、ビスアゾ顔料、フタロシアニン、ビラプリン、ヒ
ドラゾンなどの有機窓光材料が知られ、感光層を単層あ
るいは積層にして用いられている。
に静電潜像を形成し、現像剤で現像した後、転写紙にト
ナー像を転写し、定着して複写物を得る方法として知ら
れている。この電子写真法に用いられる感光体は、基本
構成として導電性基層上に感光層を積層してなるもので
あり、感光層を構成する材料としてはセレンあるいはセ
レン合金、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機感光材料
あるいはポリビニルカルバゾール、トリニトロフルオレ
ノン、ビスアゾ顔料、フタロシアニン、ビラプリン、ヒ
ドラゾンなどの有機窓光材料が知られ、感光層を単層あ
るいは積層にして用いられている。
近年、この感光層として非晶質ケイ素（アモルファスシ
リコン）を用いた感光体が知られ、種々その改善が試み
られている。この非晶質ケイ素を用いた感光体は導電性
基板上にシラン（Ｓｉｌ１４）ガスをグＩコー放電分解
法等によりケイ素の非晶質膜を形成したものであって、
非晶質ケイ素膜中に水素原子が取り込まれ光導電性を呈
するものである。
リコン）を用いた感光体が知られ、種々その改善が試み
られている。この非晶質ケイ素を用いた感光体は導電性
基板上にシラン（Ｓｉｌ１４）ガスをグＩコー放電分解
法等によりケイ素の非晶質膜を形成したものであって、
非晶質ケイ素膜中に水素原子が取り込まれ光導電性を呈
するものである。
非晶質ケイ素感光体しＪ、感光層の表面硬度が高く（Ｊ
Ｘつきにくく摩耗にも強く、耐熱性も高＜ 、ａ’ｖ＋
’ｉ的強度にずくれ又高い光感度を有する如く感光り、
）性もずくれたものである。
Ｘつきにくく摩耗にも強く、耐熱性も高＜ 、ａ’ｖ＋
’ｉ的強度にずくれ又高い光感度を有する如く感光り、
）性もずくれたものである。
発烟宏Ｊ１Ｋｋｒケ−ζす−る」ｊ薪＆し７かしながら
非晶質ケイ素感光体は、波長約４００ｎｍ〜７００ｎｍ
の光に対して高い光感度を有しているものの、波長７０
０ｎｍ以−１＝、のより長波長光に対して、その光感度
が急激に低下する。
非晶質ケイ素感光体は、波長約４００ｎｍ〜７００ｎｍ
の光に対して高い光感度を有しているものの、波長７０
０ｎｍ以−１＝、のより長波長光に対して、その光感度
が急激に低下する。
最近、半導体レーザを光源としたレーザビー１、プリン
タ用の感光体として８００ｎｍ（＝Ｊ近まての長波長に
良好な光感度を有する電子写真感光体が要求されている
が」二記の欠陥を有したままでは非晶質ケイ素感光体は
半導体レーザプリンタ用とし。
タ用の感光体として８００ｎｍ（＝Ｊ近まての長波長に
良好な光感度を有する電子写真感光体が要求されている
が」二記の欠陥を有したままでは非晶質ケイ素感光体は
半導体レーザプリンタ用とし。
では実用に（ＪＵするごとができない。非晶質ケイ素中
にゲルマニウムを適星加えて非晶質ケイ素 ゲルマニラ
１、とすることにより、光学的バンドギャップの減少化
を図ることかできることが知られている。ケルマニウム
星の増加と共に光学的パン１ギヤツブシ；１、非晶質ケ
イ素の］、７ｅＶからゲルマニウムの１．１ｅＶ稈度ま
で連続的に減少さ・口ることができる。
にゲルマニウムを適星加えて非晶質ケイ素 ゲルマニラ
１、とすることにより、光学的バンドギャップの減少化
を図ることかできることが知られている。ケルマニウム
星の増加と共に光学的パン１ギヤツブシ；１、非晶質ケ
イ素の］、７ｅＶからゲルマニウムの１．１ｅＶ稈度ま
で連続的に減少さ・口ることができる。
従ってａ （アモルファス） −５ｉ１ ＸＧＱＸを光
導電層とすることにより光感度特性を長波側に延ばすこ
とが可能となり、８００ｎｍ（−Ｊ近までの長波長光に
まで良好な光感度を有する電子写真用感光体を得ること
ができる。
導電層とすることにより光感度特性を長波側に延ばすこ
とが可能となり、８００ｎｍ（−Ｊ近までの長波長光に
まで良好な光感度を有する電子写真用感光体を得ること
ができる。
しかし反面、この感光層は暗減衰が大きく、感光体を帯
電しても充分な帯電電位が得られないとう欠点を有する
。即ちケイ素、ゲルマニウムを主体とする非晶質月利か
らなる感光体を帯電し、像露光して静電潜像を形成し、
次いで現像する際、感光体」−の表面電荷が像露光まで
あるいは現像工程までの間に光照射を受りなかった部分
の電荷までも減衰してしまい、現像に必要な帯電電位が
得られにくいものである。
電しても充分な帯電電位が得られないとう欠点を有する
。即ちケイ素、ゲルマニウムを主体とする非晶質月利か
らなる感光体を帯電し、像露光して静電潜像を形成し、
次いで現像する際、感光体」−の表面電荷が像露光まで
あるいは現像工程までの間に光照射を受りなかった部分
の電荷までも減衰してしまい、現像に必要な帯電電位が
得られにくいものである。
この帯電電位の減衰は、環境条件の影響によっても変化
しやすく、特に高温高温の環境では帯電電位が大幅に低
下してしまい、更に感光体を繰返し使用すると徐々に帯
電電位が低下してしまう。
しやすく、特に高温高温の環境では帯電電位が大幅に低
下してしまい、更に感光体を繰返し使用すると徐々に帯
電電位が低下してしまう。
この様な帯電電位の暗減衰の大きな感光体を用いて複写
物を作製すると画像濃度が低く又中間調の再現性に乏し
い複写物となってしまう。
物を作製すると画像濃度が低く又中間調の再現性に乏し
い複写物となってしまう。
本発明はこの様なケイ素、ゲルマニウムを主体とする非
晶質月利からなる感光体における欠点を解消することを
目的としてなされたものであり、帯電電位の暗減衰の少
ない非晶質ケイ素感光体を提供するものである。
晶質月利からなる感光体における欠点を解消することを
目的としてなされたものであり、帯電電位の暗減衰の少
ない非晶質ケイ素感光体を提供するものである。
刑題力（」械を五たや一蛙段
」−記目的を達成するため、ケイ素及びゲルマニウムを
主体とする非晶質月利から成る感光体の特性について研
究を行った。その結果、光導電層を、シランマタばシラ
ン誘導体と四フフ化ゲルマニウム（Ｇｅｐ４）ガスの放
電分解生成物から構成した。そして、表面層が５０原子
％以下の水素を含み、約０．１ないし１．０原子％のリ
ン（Ｐ）またはホウ素（Ｂ）を含有する非晶質炭素から
構成され、これにより、■記欠点は解消した。
主体とする非晶質月利から成る感光体の特性について研
究を行った。その結果、光導電層を、シランマタばシラ
ン誘導体と四フフ化ゲルマニウム（Ｇｅｐ４）ガスの放
電分解生成物から構成した。そして、表面層が５０原子
％以下の水素を含み、約０．１ないし１．０原子％のリ
ン（Ｐ）またはホウ素（Ｂ）を含有する非晶質炭素から
構成され、これにより、■記欠点は解消した。
更に、本発明による感光体の具体的構成について説明す
る。
る。
本発明の電子写真用感光体の構造は第１図に示す通りで
あり、図中、■は５０原子％以下の水素を含み、約０．
１ないし１．０原子％のリン（Ｐ）及び／またはホウ素
（Ｂ）を含有する非晶質炭素から成る表面層、２は非晶
質ケイ素とゲルマニウムを主体としこれにフッ素を含有
する光導電層、３は導電性基層または基板である。
あり、図中、■は５０原子％以下の水素を含み、約０．
１ないし１．０原子％のリン（Ｐ）及び／またはホウ素
（Ｂ）を含有する非晶質炭素から成る表面層、２は非晶
質ケイ素とゲルマニウムを主体としこれにフッ素を含有
する光導電層、３は導電性基層または基板である。
表面Ｎ１は帯電処理の際、光導電層２の表面部から内部
への電荷の注入を阻止する電荷ブロッキング層としての
役割の他に、酸素、水蒸気、空気中の水分、オゾン（０
３）といった環境雰囲気中に−Ｉａ的に存在する分子種
が光導電層表面に直接接触あるいは吸着するのを防止す
る表面保護層としての役割を持たせることができる。同
時に、上記の表面層は、応力のイ【］加、あるいは反応
性化学物質のイに１着などの外部要因の作用によって、
光導重層自体の特性が破壊されるのを防上する表面保証
（層としての役割をも持たーＵることかできる。
への電荷の注入を阻止する電荷ブロッキング層としての
役割の他に、酸素、水蒸気、空気中の水分、オゾン（０
３）といった環境雰囲気中に−Ｉａ的に存在する分子種
が光導電層表面に直接接触あるいは吸着するのを防止す
る表面保護層としての役割を持たせることができる。同
時に、上記の表面層は、応力のイ【］加、あるいは反応
性化学物質のイに１着などの外部要因の作用によって、
光導重層自体の特性が破壊されるのを防上する表面保証
（層としての役割をも持たーＵることかできる。
さらには、」−記の表面層は、ケイ素、ゲルマニウムを
主体とし、これにフッ素を含有する非晶質４．１利を主
体とする先導電層中に一般的に含まれている水素などの
膜構成原子が先導電層中から面（脱していくのを防止す
る膜＋１４成原子の離脱防止層としての役割も持たせる
ことができる。
主体とし、これにフッ素を含有する非晶質４．１利を主
体とする先導電層中に一般的に含まれている水素などの
膜構成原子が先導電層中から面（脱していくのを防止す
る膜＋１４成原子の離脱防止層としての役割も持たせる
ことができる。
表面層１ば、グロー放電法、スパッタリング法、イオン
ブレーティング法、真空蒸着法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｌ、ｉｏｎ：化学蒸着
）などの方法によって形成することが出来る。中でも、
グロー放電法により、炭化水素化合物を分解して形成し
た５０原子％１以下の水素を含む非晶質炭素膜は、電子
写真感光体として要求される高暗抵抗を得ることができ
、また、ケイ素、ゲルマニラ１、を主体とし、これにフ
ッ素を含有する非晶質月利からなる感光体の特徴を損な
うことがなく、透明でかつ高硬度等のイ２れた特性を有
する。
ブレーティング法、真空蒸着法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｌ、ｉｏｎ：化学蒸着
）などの方法によって形成することが出来る。中でも、
グロー放電法により、炭化水素化合物を分解して形成し
た５０原子％１以下の水素を含む非晶質炭素膜は、電子
写真感光体として要求される高暗抵抗を得ることができ
、また、ケイ素、ゲルマニラ１、を主体とし、これにフ
ッ素を含有する非晶質月利からなる感光体の特徴を損な
うことがなく、透明でかつ高硬度等のイ２れた特性を有
する。
本発明の表面層を形成するのに使用される原料は次のも
のが使用される。主体となる炭素の原料としては、メタ
ン、エタン、プロパン、ペンタン等のＣ、１１２，、。
のが使用される。主体となる炭素の原料としては、メタ
ン、エタン、プロパン、ペンタン等のＣ、１１２，、。
２ の一般式で示されるパラフィン系炭化水素；エチレ
ン、プロピレン、ブチレン、ペンテン等のＣ，、Ｉｌ、
、の一般式で示されるオレフィン系炭化水素アセチレン
；アリレン、ブチン等のＣ１Ｈ２ｎ−２の一般式で示さ
れるアセチレン系炭化水素等の脂肪族炭化水素；シクロ
プロパン、シクロブタン、シクロベンクン、シクロブタ
ン、シクロブタン、シクロブテン、シクロペンテン、シ
クロヘキセン等の脂環式炭化水素；ヘンゼン、１〜ルエ
ン、キシレン、ナフタリン、アントラセン等の芳香族化
合物が挙げられる。
ン、プロピレン、ブチレン、ペンテン等のＣ，、Ｉｌ、
、の一般式で示されるオレフィン系炭化水素アセチレン
；アリレン、ブチン等のＣ１Ｈ２ｎ−２の一般式で示さ
れるアセチレン系炭化水素等の脂肪族炭化水素；シクロ
プロパン、シクロブタン、シクロベンクン、シクロブタ
ン、シクロブタン、シクロブテン、シクロペンテン、シ
クロヘキセン等の脂環式炭化水素；ヘンゼン、１〜ルエ
ン、キシレン、ナフタリン、アントラセン等の芳香族化
合物が挙げられる。
非晶質炭素膜中の水素の含有は、通常、原料炭化水素に
含まれる水素によってなされるが、必要に応じて、原料
炭化水素と同時に水素ガスを装置に導入しても良い。
含まれる水素によってなされるが、必要に応じて、原料
炭化水素と同時に水素ガスを装置に導入しても良い。
また、非晶質炭素表面層の暗抵抗の制御を目的として、
−１−記のガス中にジポラン（Ｂ２１１６）ガス及び／
またはボスフィンガス（ＰＨ３）を上記炭化水素化合物
に対し０．１乃至１．０原子％混入させてホウ素（Ｆ３
）及び／またはリン（Ｐ）を添力■する。
−１−記のガス中にジポラン（Ｂ２１１６）ガス及び／
またはボスフィンガス（ＰＨ３）を上記炭化水素化合物
に対し０．１乃至１．０原子％混入させてホウ素（Ｆ３
）及び／またはリン（Ｐ）を添力■する。
原料気体のグロー放電分解は、直流あるいは交流放電の
いずれの場合でも可能であり、周波数は０−３０Ｍｌ１
ｚ 、好適には５〜２０ Ｍｌｌｚである。放電時の真
空度は０．１〜５ Ｔｏｒｒ、基板加熱温度は１００〜
４００℃で行なわれる。
いずれの場合でも可能であり、周波数は０−３０Ｍｌ１
ｚ 、好適には５〜２０ Ｍｌｌｚである。放電時の真
空度は０．１〜５ Ｔｏｒｒ、基板加熱温度は１００〜
４００℃で行なわれる。
表面層の膜厚は任意に設定されるが、１０μｍ以下特に
ＩＩ珪以下が好適である。
ＩＩ珪以下が好適である。
非晶質ケイ素−ゲルマニウム光導電層２の中に含まれる
フッ素は光導電層の熱的安定性、酸素、水蒸気、オゾン
に対する化学的安定性を増し、同時に電子写真感光体と
しての使用に適する高い暗抵抗と光感度を実現する。
フッ素は光導電層の熱的安定性、酸素、水蒸気、オゾン
に対する化学的安定性を増し、同時に電子写真感光体と
しての使用に適する高い暗抵抗と光感度を実現する。
本発明においてケイ素、ゲルマニウムを主体としてこれ
にフッ素を含有する非晶質月利から成る光導電層はプラ
スマＣＶＤ）装置の反応室内にシラン（Ｓｉｌ１４）ま
たはシラン誘導体と四フッ化ゲルマニウムガス（ＧｅＦ
４）を導入し、これらの混合ガスをグロー放犯分解する
ことによって反応室内所定の位置に設定された導電性基
板」−に形成される。
にフッ素を含有する非晶質月利から成る光導電層はプラ
スマＣＶＤ）装置の反応室内にシラン（Ｓｉｌ１４）ま
たはシラン誘導体と四フッ化ゲルマニウムガス（ＧｅＦ
４）を導入し、これらの混合ガスをグロー放犯分解する
ことによって反応室内所定の位置に設定された導電性基
板」−に形成される。
本発明の特徴の１つはゲルマニウム及びフッ素の原料ガ
スとして四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４）を使用する
ことであり、非晶質ケイ素中にゲルマニウム及びフッ素
を同時にかつ効果的に含有させることができる。本発明
の光導電層形成に用いるシランまたはシラン誘導体とし
ては、Ｓ ｉ ＩＩ ４．５ｉｚｌｌ＋、、５ｉ３Ｈ，
，５ｉ４Ｉ＋、。、ＳｉＣＩＩ ４．５ｉｌｌＣり、
、５ｉｌｌ□Ｃ７！２、Ｓｉ （ＣＩ＋３） ４等のガ
スを用いることができる。
スとして四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４）を使用する
ことであり、非晶質ケイ素中にゲルマニウム及びフッ素
を同時にかつ効果的に含有させることができる。本発明
の光導電層形成に用いるシランまたはシラン誘導体とし
ては、Ｓ ｉ ＩＩ ４．５ｉｚｌｌ＋、、５ｉ３Ｈ，
，５ｉ４Ｉ＋、。、ＳｉＣＩＩ ４．５ｉｌｌＣり、
、５ｉｌｌ□Ｃ７！２、Ｓｉ （ＣＩ＋３） ４等のガ
スを用いることができる。
また非晶質ケイ素−ゲルマニウム光導電層膜の暗抵抗の
制御あるいは帯電極性の制御を目的として、さらに上記
のガス中にシボラン（Ｂ２！１６）ガス、ホスフィン（
ＰＨ３）ガスなどのドーハント・ガスを混入させ、光導
電層膜中へのホウ素（Ｂ）あるいはリン（Ｐ）などの不
純物元素の添加（ドーピング）を行なうこともできる。
制御あるいは帯電極性の制御を目的として、さらに上記
のガス中にシボラン（Ｂ２！１６）ガス、ホスフィン（
ＰＨ３）ガスなどのドーハント・ガスを混入させ、光導
電層膜中へのホウ素（Ｂ）あるいはリン（Ｐ）などの不
純物元素の添加（ドーピング）を行なうこともできる。
またさらには、膜の暗抵抗の増加、光感度の増加あるい
は帯電能（単位膜厚あたりの帯電能力あるいは帯電電位
）の増加を目的として、非晶質ケイ素−ゲルマニラＪ、
＋１５＞中に炭素原子、酸素原子、窒素原子などを含有
させてもよい。
は帯電能（単位膜厚あたりの帯電能力あるいは帯電電位
）の増加を目的として、非晶質ケイ素−ゲルマニラＪ、
＋１５＞中に炭素原子、酸素原子、窒素原子などを含有
させてもよい。
以」−のプラズマＣＶＤ法によりシランまたはシラン誘
導体と四フフ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４）ガスをグロー
放電分解する非晶質ケイ素光導電層膜形成法において有
効な放電条件すなわちケイ素、ゲルマニウムを主体とし
これにフッ素を含有する非晶質膜の生成条件は、例えば
交流放電の場合を例とすると、次の通りである。周波数
は通常０．１〜３０ＭＩＩｚ 、好適には５〜２０Ｍｌ
１ｚ 、放電時の真空度は０． １〜５Ｔｏｒｒ、基板
加熱温度は１００〜４００℃である。非晶質ケイ素とゲ
ルマニウムを主体とする光Ｎ電層の膜厚は任意に設定さ
れるが、１μｍ〜２００μｍ、特に１０μｍ〜１００μ
ｍが好適である。
導体と四フフ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４）ガスをグロー
放電分解する非晶質ケイ素光導電層膜形成法において有
効な放電条件すなわちケイ素、ゲルマニウムを主体とし
これにフッ素を含有する非晶質膜の生成条件は、例えば
交流放電の場合を例とすると、次の通りである。周波数
は通常０．１〜３０ＭＩＩｚ 、好適には５〜２０Ｍｌ
１ｚ 、放電時の真空度は０． １〜５Ｔｏｒｒ、基板
加熱温度は１００〜４００℃である。非晶質ケイ素とゲ
ルマニウムを主体とする光Ｎ電層の膜厚は任意に設定さ
れるが、１μｍ〜２００μｍ、特に１０μｍ〜１００μ
ｍが好適である。
添付図面中３の導電性基板としてはＡ（！、Ｎｉ、Ｃｒ
、、Ｐｅｓステンレス鋼、黄銅などの金属からなる基板
、あるいはＩｎｚ０３．５ｎｕ２、Ｃｕｌ 、 ＣｒＯ
２などの金属間化合物からなる基板などを用いることが
できる。また基板の形状は円筒状、平板状、エンドレス
ベルト状等任意の形状として得ることがｉｉＪ能である
。
、、Ｐｅｓステンレス鋼、黄銅などの金属からなる基板
、あるいはＩｎｚ０３．５ｎｕ２、Ｃｕｌ 、 ＣｒＯ
２などの金属間化合物からなる基板などを用いることが
できる。また基板の形状は円筒状、平板状、エンドレス
ベルト状等任意の形状として得ることがｉｉＪ能である
。
また、第２図に示すように、必要により、光導電層２と
導電性基板３との間に電荷注入■止層４を設げるごとが
てきる。この層を構成する材料としては、感光体の使用
される帯電符号に応じ、例えば微量のホウ素を添加した
水素化非晶質ケイ素あるいは微量のリンを添加した水素
化非晶質ケイ素等が用いられる。
導電性基板３との間に電荷注入■止層４を設げるごとが
てきる。この層を構成する材料としては、感光体の使用
される帯電符号に応じ、例えば微量のホウ素を添加した
水素化非晶質ケイ素あるいは微量のリンを添加した水素
化非晶質ケイ素等が用いられる。
以下、具体的な実施例により本発明を具体的に説明する
。
。
ル較准「Ｌ
円筒状基板」二への非晶質ケイ素膜の生成が可能な容量
結合型プラズマＣＶＤ装置を用いて、シラン（Ｓ ｉ
Ｈ４）ガスと１０％の四フフ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４
）ガスの混合ガスをグロー放電分解することにより、円
筒型へ〇基層上に水素とｆｉｉｋ ｌｉｔのホウ素を含
む高暗抵抗でいわゆる１型（真性）のケイ素１ つ とゲルマニウムを主体とし、フッ素を含有する非晶質光
導電膜を生成した。ごの時の非晶質光導電膜の生成条件
は次のようであった。
結合型プラズマＣＶＤ装置を用いて、シラン（Ｓ ｉ
Ｈ４）ガスと１０％の四フフ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４
）ガスの混合ガスをグロー放電分解することにより、円
筒型へ〇基層上に水素とｆｉｉｋ ｌｉｔのホウ素を含
む高暗抵抗でいわゆる１型（真性）のケイ素１ つ とゲルマニウムを主体とし、フッ素を含有する非晶質光
導電膜を生成した。ごの時の非晶質光導電膜の生成条件
は次のようであった。
プラズマＣＶＤ装置の反応室内の所定の位置に円筒状へ
ρ基板を設置し、基板温度を所定の温度である２５０°
Ｃに維持し、反応室内にシラン（Ｓｊｌ１４）ガスと１
０％の四フッ化ケルマニウム（ＧｅＦｔ）ガスの混合ガ
スを毎分１２０ ｃｃ、水素希釈の１１００ｐｐシボラ
ン（８２Ｈ６）ガスを毎分２０ｃｃ、さらに１００％水
素（ｌｌｚ）ガスを毎分９０ｃｃで流入させ、反応槽内
を０ 、 ５ Ｔｏｒｒの内圧に維持した後、１３、
５６ＭＩＩｚの高周波電力を供給して、グロー放電を生
じせしめ、高周波電源の出力を８５Ｗに維持した。この
ようにして円筒状のへβ基板上に厚さ２５μｍの水素と
極ｆｌｉｔのホウ素を含む高暗抵抗でいわゆるｉ型（真
性）のケイ素とゲルマニウムを主体とし、フッ素を含有
する非晶質光導電体からなる感光体を得た。
ρ基板を設置し、基板温度を所定の温度である２５０°
Ｃに維持し、反応室内にシラン（Ｓｊｌ１４）ガスと１
０％の四フッ化ケルマニウム（ＧｅＦｔ）ガスの混合ガ
スを毎分１２０ ｃｃ、水素希釈の１１００ｐｐシボラ
ン（８２Ｈ６）ガスを毎分２０ｃｃ、さらに１００％水
素（ｌｌｚ）ガスを毎分９０ｃｃで流入させ、反応槽内
を０ 、 ５ Ｔｏｒｒの内圧に維持した後、１３、
５６ＭＩＩｚの高周波電力を供給して、グロー放電を生
じせしめ、高周波電源の出力を８５Ｗに維持した。この
ようにして円筒状のへβ基板上に厚さ２５μｍの水素と
極ｆｌｉｔのホウ素を含む高暗抵抗でいわゆるｉ型（真
性）のケイ素とゲルマニウムを主体とし、フッ素を含有
する非晶質光導電体からなる感光体を得た。
このようにして得られた感光体は、表面硬度が高く、耐
摩耗性、耐熱性に優れ、高暗抵抗かつ高１乙 光感度を有し、電子写真用感光体特性のイ憂れたもので
あった。また正帯電、負帯電いずれの帯電も可能であり
両極性帯電性を有していた。
摩耗性、耐熱性に優れ、高暗抵抗かつ高１乙 光感度を有し、電子写真用感光体特性のイ憂れたもので
あった。また正帯電、負帯電いずれの帯電も可能であり
両極性帯電性を有していた。
この感光体を正帯電させ初期電位を５５０■にした。こ
れを７８０ ｎｍの波長の光で露光する操作を毎分４０
回の速度で繰返した。この時の残留電位ばＯＶで安定し
ていたが、帯電電位は繰返し数の増加とともに減少する
傾向が見られ、１０００回の繰返し操作の後においてそ
の帯電電位は初期帯電電位の７５％の値まで減少してい
た。
れを７８０ ｎｍの波長の光で露光する操作を毎分４０
回の速度で繰返した。この時の残留電位ばＯＶで安定し
ていたが、帯電電位は繰返し数の増加とともに減少する
傾向が見られ、１０００回の繰返し操作の後においてそ
の帯電電位は初期帯電電位の７５％の値まで減少してい
た。
またこの感光体を負帯電さセ、同様の操作を行なったと
ころ、正帯電の場合と同様の現象が見られた。更に、複
写操作を繰り返すうぢに徐々に画像の解像度が低下した
。
ころ、正帯電の場合と同様の現象が見られた。更に、複
写操作を繰り返すうぢに徐々に画像の解像度が低下した
。
失施炎上
比較例１と同一方法、同一条件にてケイ素とゲルマニウ
ムを主体とし、フッ素を含有する非晶質光導電層を形成
した後、反応槽を真空にした。次に、メタン（Ｃ１１，
）ガスと０．５％のジボラン（８２１１６）ガスを含ん
だ混合ガスを毎分５Ｑｃｃ流入し、反応（；１１内をＱ
、 ２Ｔｏｒｒにした後、グロー放電分解すイ）こ
とにより４０％の水素を含む非晶質炭素からなる表面層
を０．３μｍ設りた。
ムを主体とし、フッ素を含有する非晶質光導電層を形成
した後、反応槽を真空にした。次に、メタン（Ｃ１１，
）ガスと０．５％のジボラン（８２１１６）ガスを含ん
だ混合ガスを毎分５Ｑｃｃ流入し、反応（；１１内をＱ
、 ２Ｔｏｒｒにした後、グロー放電分解すイ）こ
とにより４０％の水素を含む非晶質炭素からなる表面層
を０．３μｍ設りた。
この表面層は表面硬度が高（耐摩耗性に優れ、透明性に
優れまた耐熱性に優れたＩＩジであった。
優れまた耐熱性に優れたＩＩジであった。
この感光体を正帯電させ初１０１電位を５５０■にした
。これを７８０ ｎ ｒｎの波長の光で露光する操作を
毎分４０回の速度で繰り返した。この時の残留電位は１
．０Ｖで安定しており、帯電電位も１０００凹の繰り返
し操作の後でも初］υ１帯電電位の９８％を保持してい
た。
。これを７８０ ｎ ｒｎの波長の光で露光する操作を
毎分４０回の速度で繰り返した。この時の残留電位は１
．０Ｖで安定しており、帯電電位も１０００凹の繰り返
し操作の後でも初］υ１帯電電位の９８％を保持してい
た。
また、１０００回の複写操作後も画像の濃度、解像度に
優れたコピーが１１１られた。
優れたコピーが１１１られた。
比較１次
比較例１と同様な装置を用いて、円筒型１１基板上に水
素と微量のホウ素を含む、いわゆるＰ型の非晶質ケイ素
膜と、ケイ素とゲルマニウムを１一体とし、水素、フッ
素及び極微量のホウ素を含むいわゆるｉ型（真性）の非
晶質光導電膜を順次形成した。この時の生成条件は次の
よってあった。
素と微量のホウ素を含む、いわゆるＰ型の非晶質ケイ素
膜と、ケイ素とゲルマニウムを１一体とし、水素、フッ
素及び極微量のホウ素を含むいわゆるｉ型（真性）の非
晶質光導電膜を順次形成した。この時の生成条件は次の
よってあった。
プラズマＣＶＤ装置の反応室内の所定の位置に円筒状へ
７！基板を設置し、基板温度を所定の温度である２５０
°Ｃに維持し、反応室内に１００％シラン（Ｓ ｉ Ｉ
Ｉ ａ ）ガスを毎分１．２０ ｃｃ、水素希釈の１１
００ｐｐジポラン（Ｂ２１１６）ガスを毎分１００ ｃ
ｃ、さらに１００％水素（１１□）ガスを毎分９０ｃｃ
で流入させ、反応槽内を０ 、 ５ Ｔｏｒｒの内圧に
維持した後、１３ 、 ５６Ｍ１ｌｚの高周波電力を供
給して、グロー放電を生じせしめ高周波電源の出力を８
５Ｗに維持した。このようにして円筒状のｌ基板」二に
厚さ０．２μｍの、水素と微量のホウ素を含む、いわゆ
るＰ型の非晶質ケイ素膜を形成した。
７！基板を設置し、基板温度を所定の温度である２５０
°Ｃに維持し、反応室内に１００％シラン（Ｓ ｉ Ｉ
Ｉ ａ ）ガスを毎分１．２０ ｃｃ、水素希釈の１１
００ｐｐジポラン（Ｂ２１１６）ガスを毎分１００ ｃ
ｃ、さらに１００％水素（１１□）ガスを毎分９０ｃｃ
で流入させ、反応槽内を０ 、 ５ Ｔｏｒｒの内圧に
維持した後、１３ 、 ５６Ｍ１ｌｚの高周波電力を供
給して、グロー放電を生じせしめ高周波電源の出力を８
５Ｗに維持した。このようにして円筒状のｌ基板」二に
厚さ０．２μｍの、水素と微量のホウ素を含む、いわゆ
るＰ型の非晶質ケイ素膜を形成した。
次に、反応室内にシラン（Ｓ ｉ ＩＩ ｔ）ガスと１
０％四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４）ガスの混合ガス
を毎分１２０ ｃｃ、水素希釈の］ＯＯｐｐｍジボラン
（８２Ｈ６）ガスを毎分２０ｃｃ、さらに１００％水素
（１１□）ガスを毎分９０ｃｃで流入させ、反応槽内を
０ 、 ５ Ｔｏｒｒの内圧に維持した後、Ｐ層と同様
に放電を行ない厚さ２５μｍのケイ素とゲルマニウムを
主体とじフッ素と微量のホウ素を含有するいわゆるｉ型
層が積層された感光体を得た。
０％四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４）ガスの混合ガス
を毎分１２０ ｃｃ、水素希釈の］ＯＯｐｐｍジボラン
（８２Ｈ６）ガスを毎分２０ｃｃ、さらに１００％水素
（１１□）ガスを毎分９０ｃｃで流入させ、反応槽内を
０ 、 ５ Ｔｏｒｒの内圧に維持した後、Ｐ層と同様
に放電を行ない厚さ２５μｍのケイ素とゲルマニウムを
主体とじフッ素と微量のホウ素を含有するいわゆるｉ型
層が積層された感光体を得た。
このようにして得られた感光体は表面硬度が高く、耐摩
耗性、耐熱性に優れ高暗抵抗かつ高光感度を有し、電子
写真用感光体特性の優れたものであった・ この感光体を複写機に入れ、正のコロナ帯電方式で画質
を評価したところ、初ｊｌ１時では実用上問題のない画
像濃度が得られたが、複写操作を繰り返すうちに徐々に
画像濃度は低下した。
耗性、耐熱性に優れ高暗抵抗かつ高光感度を有し、電子
写真用感光体特性の優れたものであった・ この感光体を複写機に入れ、正のコロナ帯電方式で画質
を評価したところ、初ｊｌ１時では実用上問題のない画
像濃度が得られたが、複写操作を繰り返すうちに徐々に
画像濃度は低下した。
犬負側１夕
比較例２と同一方法、同一条件、同一手続きに従ってケ
イ素とゲルマニウムを主体とする光導電層を形成した後
、反応槽を真空にした。次に、エタン（ｃ２Ｉｔｓ）ガ
スと０．３％のボスフィン（ＰＨ３）ガスを含んだ混合
ガスを毎分２０ｃｃ流入して反応槽内を０ 、 １ Ｔ
ｏｒｒにした後、グロー放電分解することにより３０％
の水素を含む非晶質炭素からなる表面層を０．１μｍ設
けた。
イ素とゲルマニウムを主体とする光導電層を形成した後
、反応槽を真空にした。次に、エタン（ｃ２Ｉｔｓ）ガ
スと０．３％のボスフィン（ＰＨ３）ガスを含んだ混合
ガスを毎分２０ｃｃ流入して反応槽内を０ 、 １ Ｔ
ｏｒｒにした後、グロー放電分解することにより３０％
の水素を含む非晶質炭素からなる表面層を０．１μｍ設
けた。
この表面層は表面硬度が高く耐摩耗性に優れ、透明性に
優れまた耐熱性に優れた膜であった。
優れまた耐熱性に優れた膜であった。
ｂ
このようにして得られた感光体を複写機に入れ、正のコ
ロナ帯電方式で画質評価したところ、初期時では実用上
問題のない画像濃度が得られた。また、複写操作を５万
回繰り返したが画像濃度の低下ばみられなかった。
ロナ帯電方式で画質評価したところ、初期時では実用上
問題のない画像濃度が得られた。また、複写操作を５万
回繰り返したが画像濃度の低下ばみられなかった。
実施例３
比較例２と同一方法、同一条件、同一手続きに従ってケ
イ素とゲルマニウムを主体とする光導電層を形成した後
、反応槽を真空にした。次に、エチレン（Ｃ２Ｈ４，）
ガスと０．３％のジボラン（Ｂ２Ｈ２）ガスを含んだ混
合ガスを毎分３Ｑｃｃ流入して反応槽内を０ 、 Ｉ
Ｔｏｒｒにした後、グロー放電分解することにより３
０％の水素を含む非晶質炭素からなる表面層を０．２μ
Ｍ設けた。
イ素とゲルマニウムを主体とする光導電層を形成した後
、反応槽を真空にした。次に、エチレン（Ｃ２Ｈ４，）
ガスと０．３％のジボラン（Ｂ２Ｈ２）ガスを含んだ混
合ガスを毎分３Ｑｃｃ流入して反応槽内を０ 、 Ｉ
Ｔｏｒｒにした後、グロー放電分解することにより３
０％の水素を含む非晶質炭素からなる表面層を０．２μ
Ｍ設けた。
この表面層は表面硬度が高く耐摩耗性に優れ、透明性に
優れまた耐熱性に優れた膜であった。
優れまた耐熱性に優れた膜であった。
このようにして得られた感光体を複写機に入れ、正のコ
ロナ帯電方式で画質評価したところ、初期時では事実上
問題のない画像濃度が得られた。また、複写操作を５万
回繰り返したが画像濃度の低下はみられなかった。
ロナ帯電方式で画質評価したところ、初期時では事実上
問題のない画像濃度が得られた。また、複写操作を５万
回繰り返したが画像濃度の低下はみられなかった。
発里■四来
以上の通り、本発明によれば、非晶質ケイ素感光体の特
性をそのまま糾持しながら、帯電電荷の暗減衰の少ない
感光体が提供され、また四フッ化ゲルマニウムガスを用
いて非晶質ケイ素中にゲルマニウム及びフッ素を効果的
に含有させることができ、これにより、感光体の受光波
長領域を拡げることができる。
性をそのまま糾持しながら、帯電電荷の暗減衰の少ない
感光体が提供され、また四フッ化ゲルマニウムガスを用
いて非晶質ケイ素中にゲルマニウム及びフッ素を効果的
に含有させることができ、これにより、感光体の受光波
長領域を拡げることができる。
第１図は本発明による感光体の１つの構成例を示す図、
第２図は他の構成例を示す図である。 ■・・・表面層、２・・・光導電層、３・・・導電性基
層（板）、４・・・電荷注入阻止層。 第１図 幣２図
第２図は他の構成例を示す図である。 ■・・・表面層、２・・・光導電層、３・・・導電性基
層（板）、４・・・電荷注入阻止層。 第１図 幣２図
Claims (3)
- （１）導電性基層上に光導電層及び表面層を順次積層し
て成る電子写真用感光体において、前記光導電層がシラ
ンまたはシラン誘導体と四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ
＿４）ガスの放電分解生成物から成り、前記表面層は５
０原子％以下の水素及びリン（Ｐ）若しくはホウ素（Ｂ
）を含む非晶質炭素から成ることを特徴とする電子写真
用感光体。 - （２）前記表面層が約０．１ないし１．０原子％のリン
を含有することを特徴とする特許請求の範囲１項記載の
電子写真用感光体。 - （３）前記表面層が約０．１ないし１．０原子％のホウ
素を含有することを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
たは第２項記載の電子写真用感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60118236A JPH0695216B2 (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 電子写真用感光体 |
| US07/215,151 US4932859A (en) | 1985-05-31 | 1988-07-05 | Electrophotographic photoreceptor having doped and/or bilayer amorphous silicon photosensitive layer |
| US07/767,751 US5262262A (en) | 1985-05-31 | 1991-09-30 | Electrophotographic photoreceptor having conductive layer and amorphous carbon overlayer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60118236A JPH0695216B2 (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61275854A true JPS61275854A (ja) | 1986-12-05 |
| JPH0695216B2 JPH0695216B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=14731600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60118236A Expired - Lifetime JPH0695216B2 (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0695216B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61275852A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS61275853A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58187944A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-02 | Canon Inc | 光導電部材 |
| JPS58187932A (ja) * | 1982-04-27 | 1983-11-02 | Canon Inc | レーザー光を用いる光導電部材 |
| JPS6059367A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-04-05 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 調整した無定形ケイ素を含む電子写真装置 |
| JPS61208056A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Toray Ind Inc | 電子写真感光体 |
| JPS61275852A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS61275853A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP60118236A patent/JPH0695216B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58187932A (ja) * | 1982-04-27 | 1983-11-02 | Canon Inc | レーザー光を用いる光導電部材 |
| JPS58187944A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-02 | Canon Inc | 光導電部材 |
| JPS6059367A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-04-05 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 調整した無定形ケイ素を含む電子写真装置 |
| JPS61208056A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Toray Ind Inc | 電子写真感光体 |
| JPS61275852A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS61275853A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61275852A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS61275853A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0695216B2 (ja) | 1994-11-24 |
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