JPS61272930A - 微細パタン形成方法 - Google Patents
微細パタン形成方法Info
- Publication number
- JPS61272930A JPS61272930A JP60114080A JP11408085A JPS61272930A JP S61272930 A JPS61272930 A JP S61272930A JP 60114080 A JP60114080 A JP 60114080A JP 11408085 A JP11408085 A JP 11408085A JP S61272930 A JPS61272930 A JP S61272930A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- condensed
- tungstic acid
- etched
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 title abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 3
- -1 ion peroxide Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 claims abstract 5
- CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L tungstic acid Chemical compound O[W](O)(=O)=O CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 19
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 11
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 7
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910014235 MyOz Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011964 heteropoly acid Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- VLAPMBHFAWRUQP-UHFFFAOYSA-L molybdic acid Chemical compound O[Mo](O)(=O)=O VLAPMBHFAWRUQP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- VVRQVWSVLMGPRN-UHFFFAOYSA-N oxotungsten Chemical group [W]=O VVRQVWSVLMGPRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、微細パタン形成方法に係り、特に簡便で安価
な湿式塗布法により得られる縮合タングステン酸膜を中
間層に用いる多層レジスト法に関する。
な湿式塗布法により得られる縮合タングステン酸膜を中
間層に用いる多層レジスト法に関する。
微細パタン形成方法として、有機高分子膜下層。
無機膜中間層、および上層レジストの三層からなる三層
レジスト法が提案された当初は、無機中間層として、蒸
着法、スパッタ法あるいはプラズマＣＶＤ法が用いられ
てきた。このような真空技術に基づくドライプロセスに
よる膜形成は、高価な装置と煩雑な操作を必要とする上
１時間がかかり生産上も充分でなＮ１という欠点があっ
た。この欠点を解消するために、簡便で安価な湿式塗布
法により、いわゆるスピンイオン・ガラス＜５ｐｉｎ
−ｏｎ−ｇｌａｓｓ、 ５ＯＧ） やチタンなどの金
属アルコキシドの、溶液から中間層を形成することが提
案されてきた（例えば特開昭５９−６５４１） 、 Ｌ
かしながら、これらのＳＯＧや金属アルコキシドを二層
レジスト法の中間層として使用するためには、塗布後、
塗膜を２００℃程度の温度で加熱し、一部もしくは全部
を金属酸化物に変換せしめる必要があった。一方、これ
らの塗膜は、加熱しすぎるとクラックを生じやすいとい
う欠点を有していた。
レジスト法が提案された当初は、無機中間層として、蒸
着法、スパッタ法あるいはプラズマＣＶＤ法が用いられ
てきた。このような真空技術に基づくドライプロセスに
よる膜形成は、高価な装置と煩雑な操作を必要とする上
１時間がかかり生産上も充分でなＮ１という欠点があっ
た。この欠点を解消するために、簡便で安価な湿式塗布
法により、いわゆるスピンイオン・ガラス＜５ｐｉｎ
−ｏｎ−ｇｌａｓｓ、 ５ＯＧ） やチタンなどの金
属アルコキシドの、溶液から中間層を形成することが提
案されてきた（例えば特開昭５９−６５４１） 、 Ｌ
かしながら、これらのＳＯＧや金属アルコキシドを二層
レジスト法の中間層として使用するためには、塗布後、
塗膜を２００℃程度の温度で加熱し、一部もしくは全部
を金属酸化物に変換せしめる必要があった。一方、これ
らの塗膜は、加熱しすぎるとクラックを生じやすいとい
う欠点を有していた。
従って、簡便な湿式塗布法で膜形成できる無機酸化物材
料が、三層レジストプロセス用中間層として強く望まれ
ていた。
料が、三層レジストプロセス用中間層として強く望まれ
ていた。
本発明の目的は、簡便にして安価な湿式塗布法によって
均一な無機酸化物中間層を形成できる三層レジスト法の
パタン形成方法を提供することにある。
均一な無機酸化物中間層を形成できる三層レジスト法の
パタン形成方法を提供することにある。
〔発明の概要〕
この目的のため１本発明では、化学式Ｈｍ（Ｍ’ｘ
ＭｙＯｚ）（ここで、Ｍ’＝Ｓｉ、Ｐなど、Ｍ＝Ｗ、Ｍ
ｏなど）で表わされるヘテロポリ酸の湿式塗布による塗
膜形成能を調べたところ、化学式ｗｏ３−ｘｃｏ、−ｙ
Ｈ，ｏ＊−ｚＨ，Ｑで表わされるペルオキソを有する
、あるいは、炭素をヘテロ原子としてペルオキソを有す
る縮合タングステン酸の溶液が、湿式塗布法により良好
な非晶質薄膜を与えることを見い出した。この物質につ
いてはネーチアー（Ｎａｔｕｒｅ） ３１２巻＆５９９
４．５３７頁（１９８４）に報告しである。
ＭｙＯｚ）（ここで、Ｍ’＝Ｓｉ、Ｐなど、Ｍ＝Ｗ、Ｍ
ｏなど）で表わされるヘテロポリ酸の湿式塗布による塗
膜形成能を調べたところ、化学式ｗｏ３−ｘｃｏ、−ｙ
Ｈ，ｏ＊−ｚＨ，Ｑで表わされるペルオキソを有する
、あるいは、炭素をヘテロ原子としてペルオキソを有す
る縮合タングステン酸の溶液が、湿式塗布法により良好
な非晶質薄膜を与えることを見い出した。この物質につ
いてはネーチアー（Ｎａｔｕｒｅ） ３１２巻＆５９９
４．５３７頁（１９８４）に報告しである。
湿式塗布法という極めて簡便でかつ安価な方法で均一な
非晶質塗膜を与えるという性質は、従来広く知られてい
るヘテロポリ酸には認められない性質である。実際、リ
ンやケイ素をヘテロ原子とする縮合タングステン酸や縮
合モリブデン酸を水やエチルセロソルブなどの極性溶媒
に溶かし、回転塗布法を用いて塗膜形成すると、溶媒の
蒸発に伴ない、ヘテロポリ酸の結晶が基板上に析出し、
均一な薄膜とすることができない、一方、上述のごとく
、ペルオキソを有する、あるいは、炭素を ゛ヘテロ
原子としペルオキソを有する縮合タングステン酸は、湿
式塗布法により、均一の薄膜を形成することが見い出さ
れた。
非晶質塗膜を与えるという性質は、従来広く知られてい
るヘテロポリ酸には認められない性質である。実際、リ
ンやケイ素をヘテロ原子とする縮合タングステン酸や縮
合モリブデン酸を水やエチルセロソルブなどの極性溶媒
に溶かし、回転塗布法を用いて塗膜形成すると、溶媒の
蒸発に伴ない、ヘテロポリ酸の結晶が基板上に析出し、
均一な薄膜とすることができない、一方、上述のごとく
、ペルオキソを有する、あるいは、炭素を ゛ヘテロ
原子としペルオキソを有する縮合タングステン酸は、湿
式塗布法により、均一の薄膜を形成することが見い出さ
れた。
化学式ＷＯａ’ｘＣＯ，’ｙＨｚＯｉ”ｚＨ，Ｏで表わ
される縮合タングステン酸は、２の値が約４の場合には
、水やアルコールの如き極性溶媒に溶解しやすい、溶液
を基板上に塗布し、１００℃以上の温度で乾燥すると、
脱水縮合が進行し、水、アルコールなどの極性溶媒に溶
解し難くなる。こうして得られた綜合タングステン酸ｖ
ｌ膜は、その上に各種のレジストを塗布して形成するこ
とができ、また酸化タングステンユニットを有しており
、酸素プラズマに対する耐性も高い、従って、三層レジ
スト法における中間層に最適の性質を有することがわか
った。
される縮合タングステン酸は、２の値が約４の場合には
、水やアルコールの如き極性溶媒に溶解しやすい、溶液
を基板上に塗布し、１００℃以上の温度で乾燥すると、
脱水縮合が進行し、水、アルコールなどの極性溶媒に溶
解し難くなる。こうして得られた綜合タングステン酸ｖ
ｌ膜は、その上に各種のレジストを塗布して形成するこ
とができ、また酸化タングステンユニットを有しており
、酸素プラズマに対する耐性も高い、従って、三層レジ
スト法における中間層に最適の性質を有することがわか
った。
以下、本発明の詳細を具体的に実施例で示す。
実施例１
まず第１図（ａ）に示すごとく１表面に段差を有するＳ
ｉ基板１上に被加工膜であるＡＪ膜２を形成した。上記
段差を平坦化するための下層の有機高分子膜層３は、ノ
ボラック樹脂・ジアゾナフ。
ｉ基板１上に被加工膜であるＡＪ膜２を形成した。上記
段差を平坦化するための下層の有機高分子膜層３は、ノ
ボラック樹脂・ジアゾナフ。
トキノン系ホトレジスト（商品名ＡＺ１３５０Ｊ）
を回転塗布し、２００℃において、１時間加熱するこし とにより形成した。一方炭素をヘテロ原子と〆ペルオキ
ソを含有する縮合タングステン酸を以下に示す方法で合
成した。１６ｇの炭化タングステンを１５％過酸化水素
水２００ｍｆｉに溶解したのち、不溶および未溶成分を
ろ過によって取り除き、黄色水溶液を得た。この水溶液
から過剰の過酸化水素を白金網で除いたのち、室温〜５
０℃の温度で乾燥させ黄色無定形固体を得た。本物質は
、組成分析、酸化還元滴定および熱重量分析によって、
一般式ＷＯ，・ｘＣＯ，・ｙＨ，Ｏ，・ｚＨ２０のＸ＋
ｙ＊２がそれぞれ０．０８≦Ｘ≦０．２５．０．０５≦
ｙ≦１．０゜３≦２≦４であることがわかった。Ｘｅ）
’＋Ｚにはばか見られるのは、黄色水溶液を得るときの
過酸化水素水の加え方や、過剰の過酸化水素の除去のし
方、そして大気の湿度の変化等によるものと考えている
。
を回転塗布し、２００℃において、１時間加熱するこし とにより形成した。一方炭素をヘテロ原子と〆ペルオキ
ソを含有する縮合タングステン酸を以下に示す方法で合
成した。１６ｇの炭化タングステンを１５％過酸化水素
水２００ｍｆｉに溶解したのち、不溶および未溶成分を
ろ過によって取り除き、黄色水溶液を得た。この水溶液
から過剰の過酸化水素を白金網で除いたのち、室温〜５
０℃の温度で乾燥させ黄色無定形固体を得た。本物質は
、組成分析、酸化還元滴定および熱重量分析によって、
一般式ＷＯ，・ｘＣＯ，・ｙＨ，Ｏ，・ｚＨ２０のＸ＋
ｙ＊２がそれぞれ０．０８≦Ｘ≦０．２５．０．０５≦
ｙ≦１．０゜３≦２≦４であることがわかった。Ｘｅ）
’＋Ｚにはばか見られるのは、黄色水溶液を得るときの
過酸化水素水の加え方や、過剰の過酸化水素の除去のし
方、そして大気の湿度の変化等によるものと考えている
。
し
このようにして得た。′炭素をヘテロ原子とｙペルオキ
ソを含む縮合タングステン酸２重量部を水１重量部に溶
かした溶液を回転塗布し、１２０℃にて３０分加熱して
厚さ約０．３μｍの縮合タングステン酸塗膜から中間層
４を形成した。さらにその上に、ポジ型ホトレジスト（
商品名ＡＺ１３５０Ｊ）を塗布し、ホトレジスト層５を
形成した。しかる後、第１図（ｂ）に示すごとく、通常
のホトリソグラフィ法によって、所望のレジストパタン
５′を形成した。その後、レジストパタン５′をマスク
として、縮合タングステン酸塗膜中間層４をＣＦ、ガス
を用いた反応性エツチングしてマスクパタン４′を形成
し、さらに下層の有機高分子膜層３の露出部分を、酸素
ガスを用いた反応性スパッタエツチングによって除去し
た。その結果、第１図（ｃ）に示すごとく、寸法精度の
高い良好な形状のパタン３’ 、４’ を形成させるこ
とができた。
ソを含む縮合タングステン酸２重量部を水１重量部に溶
かした溶液を回転塗布し、１２０℃にて３０分加熱して
厚さ約０．３μｍの縮合タングステン酸塗膜から中間層
４を形成した。さらにその上に、ポジ型ホトレジスト（
商品名ＡＺ１３５０Ｊ）を塗布し、ホトレジスト層５を
形成した。しかる後、第１図（ｂ）に示すごとく、通常
のホトリソグラフィ法によって、所望のレジストパタン
５′を形成した。その後、レジストパタン５′をマスク
として、縮合タングステン酸塗膜中間層４をＣＦ、ガス
を用いた反応性エツチングしてマスクパタン４′を形成
し、さらに下層の有機高分子膜層３の露出部分を、酸素
ガスを用いた反応性スパッタエツチングによって除去し
た。その結果、第１図（ｃ）に示すごとく、寸法精度の
高い良好な形状のパタン３’ 、４’ を形成させるこ
とができた。
実施例２
上記中間層３として、実施例１で用いた。炭素をヘテロ
原子としペルオキソを有する縮合タングステン酸の代り
に、タングステン、金属粉を過酸化水素に溶解すること
によって、炭素を含まないペルオキソを含有する縮合タ
ングステン酸を合成した０合成の詳細は実施例１と同様
である。得られた黄色無定形固体の組成は、実施例１に
示した一般式の！、）’ｓ Ｚで示すと、Ｘ：０，０．
０５≦ｙ≦１．０．３≦２≦４であることがわかった。
原子としペルオキソを有する縮合タングステン酸の代り
に、タングステン、金属粉を過酸化水素に溶解すること
によって、炭素を含まないペルオキソを含有する縮合タ
ングステン酸を合成した０合成の詳細は実施例１と同様
である。得られた黄色無定形固体の組成は、実施例１に
示した一般式の！、）’ｓ Ｚで示すと、Ｘ：０，０．
０５≦ｙ≦１．０．３≦２≦４であることがわかった。
このようにして得た、ヘテロ原子を含まない、ペルオキ
ソを有する縮合タングステン酸を用いても実施例１に記
じ′た方法で、良好な形状のパタン３′。
ソを有する縮合タングステン酸を用いても実施例１に記
じ′た方法で、良好な形状のパタン３′。
４′を形成させることができた。
このパタンをマスクとして基板上のＡＱ膜を通常の方法
でエツチングすることができた。
でエツチングすることができた。
以上に詳述したように、本発明によれば、多層レジスト
法の中間層として、“簡便にしてかつ安価な湿式塗布法
により、無機酸化物薄膜を用いることができ、その工業
的価値は高い。
法の中間層として、“簡便にしてかつ安価な湿式塗布法
により、無機酸化物薄膜を用いることができ、その工業
的価値は高い。
第１図は本発明による多層レジスト法のプロセスを説明
するための工程図である。
するための工程図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、表面に段差を有する基板上に、有機高分子膜を形成
して表面を平坦化し、該有機高分子膜上に、ペルオキソ
もしくは過酸化物イオンを有する縮合タングステン酸を
含有する溶液を湿式塗布し、次いで該縮合タングステン
酸塗布膜上にレジスト膜を形成する工程と、リソグラフ
ィ技術を用いて前記レジスト膜に所望のパタンを形成し
、該パタンが形成された前記レジスト膜をマスクとして
前記縮合タングステン酸膜をエッチングした後、エッチ
ングされずに残つた該縮合タングステン酸膜をマスクと
して、前記有機高分子膜をドライエッチングし、次にド
ライエッチングされずに残つた前記有機高分子膜をマス
クとして前記基板をエッチングする工程とを有すること
を特徴とする微細パタン形成方法。 ２、縮合タングステン酸が、タングステン、もしくは炭
化タングステンと過酸化水素の反応によつて合成された
ものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の微細パタン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60114080A JPS61272930A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 微細パタン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60114080A JPS61272930A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 微細パタン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61272930A true JPS61272930A (ja) | 1986-12-03 |
Family
ID=14628557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60114080A Pending JPS61272930A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 微細パタン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61272930A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5178989A (en) * | 1989-07-21 | 1993-01-12 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Pattern forming and transferring processes |
| JP2013023407A (ja) * | 2011-07-20 | 2013-02-04 | Jsr Corp | 金属酸化物膜形成用組成物 |
| WO2015053194A1 (ja) * | 2013-10-07 | 2015-04-16 | 日産化学工業株式会社 | ポリ酸を含むメタル含有レジスト下層膜形成組成物 |
| JP2015219246A (ja) * | 2014-05-13 | 2015-12-07 | Jsr株式会社 | パターン形成方法 |
| JPWO2015012177A1 (ja) * | 2013-07-24 | 2017-03-02 | Jsr株式会社 | パターン形成方法 |
-
1985
- 1985-05-29 JP JP60114080A patent/JPS61272930A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5178989A (en) * | 1989-07-21 | 1993-01-12 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Pattern forming and transferring processes |
| JP2013023407A (ja) * | 2011-07-20 | 2013-02-04 | Jsr Corp | 金属酸化物膜形成用組成物 |
| JPWO2015012177A1 (ja) * | 2013-07-24 | 2017-03-02 | Jsr株式会社 | パターン形成方法 |
| WO2015053194A1 (ja) * | 2013-10-07 | 2015-04-16 | 日産化学工業株式会社 | ポリ酸を含むメタル含有レジスト下層膜形成組成物 |
| JPWO2015053194A1 (ja) * | 2013-10-07 | 2017-03-09 | 日産化学工業株式会社 | ポリ酸を含むメタル含有レジスト下層膜形成組成物 |
| US9725618B2 (en) | 2013-10-07 | 2017-08-08 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Metal-containing resist underlayer film-forming composition containing polyacid |
| JP2015219246A (ja) * | 2014-05-13 | 2015-12-07 | Jsr株式会社 | パターン形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI463652B (zh) | 溶液處理薄膜及積層板，包含該薄膜及積層板之裝置，以及彼等之使用和製造方法 | |
| TW201007391A (en) | Within-sequence metrology based process tuning for adaptive self-aligned double patterning | |
| EP0096596B1 (en) | Microelectronic device manufacture | |
| US4770977A (en) | Silicon-containing polymer and its use as a masking resin in a lithography process | |
| JPS5916978A (ja) | 金属被膜の選択的エツチング方法 | |
| JP3516815B2 (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液および被膜付基材 | |
| JPS61272930A (ja) | 微細パタン形成方法 | |
| US4427713A (en) | Planarization technique | |
| US5061599A (en) | Radiation sensitive materials | |
| JPS63241542A (ja) | レジスト組成物 | |
| JPS62256804A (ja) | レジスト材料 | |
| JP2516207B2 (ja) | 放射線感応性材料 | |
| CN100428415C (zh) | 基于氮化硅镂空掩模的纳米电极制备方法 | |
| JPS596541A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| US20020135001A1 (en) | Crosslinked resin and method for making oxides using same | |
| JPS61273539A (ja) | 放射線感応性材料 | |
| JPS58110044A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS59208542A (ja) | レジスト材料 | |
| CA1293146C (en) | Fabrication of devices involving lithographic procedures | |
| JPS62220949A (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| Gupta et al. | Trilayer Resist Processing Using Spin-On Glass Intermediate Layers | |
| JP2572073B2 (ja) | パターン形成材料 | |
| JP2522087B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| Ting-Ao et al. | Reactive ion etching of sol-gel derived PZT thin film and Pt/Ti bottom electrode for FRAM | |
| JPS6091351A (ja) | レジスト材料 |