JPS61271826A - 半導体装置製造方法 - Google Patents
半導体装置製造方法Info
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- JPS61271826A JPS61271826A JP11351685A JP11351685A JPS61271826A JP S61271826 A JPS61271826 A JP S61271826A JP 11351685 A JP11351685 A JP 11351685A JP 11351685 A JP11351685 A JP 11351685A JP S61271826 A JPS61271826 A JP S61271826A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関するものである。
絶縁膜をはさんで積層形成されたｐ型半導体層とｎ型半
導体層−間の電気的接触を行う従来の第１の方法を第２
図に示す。即ち、ｐ型半導体層３１上に絶縁膜３２が積
層され、その上にｎ型半導体層３３があり、さらに絶縁
膜具でおおわれている。この絶縁膜３２と具との一部ｔ
−ｐ型半導体層３１とｎ型半導体層３３とが露出するま
で開孔し、ｐ型半導体３１とｎ型半導体層３３の両者に
対してオーム接触が可能である導電体３５でｎ型、ｐ型
半導体層間を電気的に接続するものである。また従来の
第２の方法を第３図に示す、即ち、ｐ型半導体層４１上
に絶縁膜４２があり、まずその一部を開孔し、ｐ型半導
体層４１を露出させる。つぎに、ｎｇ半導体層４３を形
成し、ｐ型半導体層４１とｎ型半導体層４３との直接接
触により、両者を電気的に接続するものである。
導体層−間の電気的接触を行う従来の第１の方法を第２
図に示す。即ち、ｐ型半導体層３１上に絶縁膜３２が積
層され、その上にｎ型半導体層３３があり、さらに絶縁
膜具でおおわれている。この絶縁膜３２と具との一部ｔ
−ｐ型半導体層３１とｎ型半導体層３３とが露出するま
で開孔し、ｐ型半導体３１とｎ型半導体層３３の両者に
対してオーム接触が可能である導電体３５でｎ型、ｐ型
半導体層間を電気的に接続するものである。また従来の
第２の方法を第３図に示す、即ち、ｐ型半導体層４１上
に絶縁膜４２があり、まずその一部を開孔し、ｐ型半導
体層４１を露出させる。つぎに、ｎｇ半導体層４３を形
成し、ｐ型半導体層４１とｎ型半導体層４３との直接接
触により、両者を電気的に接続するものである。
しかしながら、前者の方法では１つの接続のために開孔
部を２ケ所開ける必要があり、面積効率が悪い、ま九ｐ
型半導体層３１への開孔部の深さはｎ型半導体層３３へ
のそれに較べて絶縁ｌＡ３２の厚さ分だけ深く、絶縁膜
３２の厚さによっては、導電体話が開孔部で断線するお
それがある。また、後者の方法では開孔部が１つであり
、面積効率は向上するが、ｐ型半導体層４１とｎ型半導
体層４３との直接接触により、ｐ−ｎ接合が形成され、
良好なオーム接触は得られないという欠点がある。
部を２ケ所開ける必要があり、面積効率が悪い、ま九ｐ
型半導体層３１への開孔部の深さはｎ型半導体層３３へ
のそれに較べて絶縁ｌＡ３２の厚さ分だけ深く、絶縁膜
３２の厚さによっては、導電体話が開孔部で断線するお
それがある。また、後者の方法では開孔部が１つであり
、面積効率は向上するが、ｐ型半導体層４１とｎ型半導
体層４３との直接接触により、ｐ−ｎ接合が形成され、
良好なオーム接触は得られないという欠点がある。
本発明の目的はこのような従来の欠点を除去し、面積効
率がよく、導電体が開口部で断線しない、かつ良好なオ
ーム接触を有する電気的接触を提供することにある・ 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は第１の伝導型をもつ半導体層と、第２の伝導型
をも、り半導体層と、その中間の絶縁層との３層構造讐
有する半導体装置において、前記第１の伝導型半導体層
上にそれと同一の伝導型を有する半導体層を形成し、そ
の一部のみをパターニングにより除去したのち、前記パ
ターニングされた部分と同一の厚さを有し、かつ表面が
平坦であるように絶縁層を形成し、さらに第２の伝導型
半導体層を形成し、前記第２の伝導型半導体層の一端が
前記パターニングされた第１の伝導型半導体層に一部で
もかかるように、前記第２の伝導型半導体層をパターニ
ングしたのち、第２の絶縁膜を形成し、つぎに前記パタ
ーニングされた部分およびその周囲に位置する前記第２
の伝導型半導体層が露出するように第２の絶縁膜を開孔
し、その開孔部に第１および第２の伝導型半導体層に対
してオーム接触可能な材料を埋め込むことを特徴とする
半導体装置製造方法である。
率がよく、導電体が開口部で断線しない、かつ良好なオ
ーム接触を有する電気的接触を提供することにある・ 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は第１の伝導型をもつ半導体層と、第２の伝導型
をも、り半導体層と、その中間の絶縁層との３層構造讐
有する半導体装置において、前記第１の伝導型半導体層
上にそれと同一の伝導型を有する半導体層を形成し、そ
の一部のみをパターニングにより除去したのち、前記パ
ターニングされた部分と同一の厚さを有し、かつ表面が
平坦であるように絶縁層を形成し、さらに第２の伝導型
半導体層を形成し、前記第２の伝導型半導体層の一端が
前記パターニングされた第１の伝導型半導体層に一部で
もかかるように、前記第２の伝導型半導体層をパターニ
ングしたのち、第２の絶縁膜を形成し、つぎに前記パタ
ーニングされた部分およびその周囲に位置する前記第２
の伝導型半導体層が露出するように第２の絶縁膜を開孔
し、その開孔部に第１および第２の伝導型半導体層に対
してオーム接触可能な材料を埋め込むことを特徴とする
半導体装置製造方法である。
次に第１図を参照して本発明の実施例について説明する
。
。
本実施例中では、半導体としてＳｌ、絶縁層として５ｉ
０２１導電体としてＭを用いた例である。
０２１導電体としてＭを用いた例である。
第１図（ｃｌ）に示すように、ｎ型Ｓ１層１上にリンを
ドープしたｎ型多結晶Ｓｔ層２を８０００人形成したの
ち、フォトレジスト工程を用いてパターニングし、一部
分のｎ型多結晶Ｓ１層２を残し、あとの部分をＨＰ−Ｈ
ＮＯ，系エツチング液にて除去した。その後、５ｉｌｌ
膜３をｎ型多結晶Ｓ１層２と同一の厚さ形成し、有機膜
塗布とドライエツチング法を併用した表面平坦化法によ
り、ｎ型多結晶Ｓ１層２と５ｉｏｓ膜３の表面を平坦化
した０次いで、５０００人の厚さを有する多結晶Ｓｔ層
をＬＰＣＶＤ法により形成し、イオン注入によりボロン
を多結晶Ｓｔ層に導入し、ｐ型番結晶Ｓｔ層化した。つ
ぎにｐ型多結晶Ｓｉ層の一部がｎ型多結晶８１層２の一
部におおいかぶさるように、フォトレジスト工程を用い
てパターニングし、第１図（ｂ）に示すようにｐ型多結
晶Ｓ１層４ｔ−形成した。
ドープしたｎ型多結晶Ｓｔ層２を８０００人形成したの
ち、フォトレジスト工程を用いてパターニングし、一部
分のｎ型多結晶Ｓ１層２を残し、あとの部分をＨＰ−Ｈ
ＮＯ，系エツチング液にて除去した。その後、５ｉｌｌ
膜３をｎ型多結晶Ｓ１層２と同一の厚さ形成し、有機膜
塗布とドライエツチング法を併用した表面平坦化法によ
り、ｎ型多結晶Ｓ１層２と５ｉｏｓ膜３の表面を平坦化
した０次いで、５０００人の厚さを有する多結晶Ｓｔ層
をＬＰＣＶＤ法により形成し、イオン注入によりボロン
を多結晶Ｓｔ層に導入し、ｐ型番結晶Ｓｔ層化した。つ
ぎにｐ型多結晶Ｓｉ層の一部がｎ型多結晶８１層２の一
部におおいかぶさるように、フォトレジスト工程を用い
てパターニングし、第１図（ｂ）に示すようにｐ型多結
晶Ｓ１層４ｔ−形成した。
その後、厚さ８０００人のＳｉｎｇ膜５をＬＰＣＶＤ法
により形成し、つぎにｎ型多結晶Ｓ１層２の上でかつｐ
型多結晶Ｓｔ層４の一端が露出するように、フォトレジ
スト工程およびＨＦを使りてｓｉｏ、膜５を開孔した。
により形成し、つぎにｎ型多結晶Ｓ１層２の上でかつｐ
型多結晶Ｓｔ層４の一端が露出するように、フォトレジ
スト工程およびＨＦを使りてｓｉｏ、膜５を開孔した。
つぎにこの開孔部にＡ／６を埋め込み、第１図（ｃ）に
示す構造を得た。
示す構造を得た。
以上の実施例では半導体としてＳｌ、絶縁膜として５１
０８、導電体としてＭを使用したが、他の材料でも可能
な事は明らかである。
０８、導電体としてＭを使用したが、他の材料でも可能
な事は明らかである。
以上のように本発明によれば、ｐ型とｎ型半導体の一つ
の接点をｌりの開孔部により形成しているので、第１の
従来の方法にくらべて面積効率が約半分となり、またｐ
型とｎ型半導体の接点を直接接触させるだけでなく、両
鰍導型に対してオーム接触可能なＭ’ｆ：も両者の接続
に使用しているので、ｐ型とｎ警手導体間に良好なオー
ム接触を形成できる効果を有するものである。
の接点をｌりの開孔部により形成しているので、第１の
従来の方法にくらべて面積効率が約半分となり、またｐ
型とｎ型半導体の接点を直接接触させるだけでなく、両
鰍導型に対してオーム接触可能なＭ’ｆ：も両者の接続
に使用しているので、ｐ型とｎ警手導体間に良好なオー
ム接触を形成できる効果を有するものである。
第１図（α）〜（ｅ）は本発明の一実施例を工程順に示
す断面図、第２図、第３図は従来例を示す断面図である
。 １、−ｎ型Ｓｉ層、２− ｎ型多結晶ｓｉ層、３．５−
Ｓ１０＊膜、４・・・ｐ型番結晶りｔ層、６・・・Ｍ
（ｂ） ＜Ｇ） 第１図 第２図 第３図
す断面図、第２図、第３図は従来例を示す断面図である
。 １、−ｎ型Ｓｉ層、２− ｎ型多結晶ｓｉ層、３．５−
Ｓ１０＊膜、４・・・ｐ型番結晶りｔ層、６・・・Ｍ
（ｂ） ＜Ｇ） 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- （１）第１の伝導型をもつ半導体層と、第２の伝導型を
もつ半導体層と、その中間の絶縁層との３層構造を有す
る半導体装置において、前記第１の伝導型半導体層上に
それと同一の伝導型を有する半導体層を形成し、その一
部のみをパターニングにより除去したのち、前記パター
ニングされた部分と同一の厚さを有し、かつ表面が平坦
であるように絶縁層を形成し、さらに第２の伝導型半導
体層を形成し、前記第２の伝導型半導体層の一端が前記
パターニングされた第１の伝導型半導体層に一部でもか
かるように、前記第２の伝導型半導体層をパターニング
したのち、第２の絶縁膜を形成し、つぎに前記パターニ
ングされた部分およびその周囲に位置する前記第２の伝
導型半導体層が露出するように第２の絶縁膜を開孔し、
その開孔部に第１および第２の伝導型半導体層に対して
オーム接触可能な材料を埋め込むことを特徴とする半導
体装置製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11351685A JPS61271826A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | 半導体装置製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11351685A JPS61271826A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | 半導体装置製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61271826A true JPS61271826A (ja) | 1986-12-02 |
Family
ID=14614319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11351685A Pending JPS61271826A (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | 半導体装置製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61271826A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6425468A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-27 | Nec Corp | Semiconductor device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5837934A (ja) * | 1981-08-28 | 1983-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5978573A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-05-27 JP JP11351685A patent/JPS61271826A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5837934A (ja) * | 1981-08-28 | 1983-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5978573A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6425468A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-27 | Nec Corp | Semiconductor device |
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