JPS61264355A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS61264355A JPS61264355A JP10732785A JP10732785A JPS61264355A JP S61264355 A JPS61264355 A JP S61264355A JP 10732785 A JP10732785 A JP 10732785A JP 10732785 A JP10732785 A JP 10732785A JP S61264355 A JPS61264355 A JP S61264355A
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- JP
- Japan
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- film
- diamond
- carbon
- insulating layer
- long life
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08285—Carbon-based
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/047—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure characterised by the charge-generation layers or charge transport layers
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
近年、セレン（Ｓｓ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫化カド
ミウム（ＣｄＳ）などの光導電体が実用化されるにつれ
て、電子写真方式の複写機が発達してきた。
ミウム（ＣｄＳ）などの光導電体が実用化されるにつれ
て、電子写真方式の複写機が発達してきた。
複写機の重要な性能である、コピー速度、消費電力、大
きさ、コスト、コピー質の維持性、色の再現性等は、感
光体の持っている特性で直接法まってしまうため、電子
写真方式の中で感光体の占める役割は非常に重要である
。
きさ、コスト、コピー質の維持性、色の再現性等は、感
光体の持っている特性で直接法まってしまうため、電子
写真方式の中で感光体の占める役割は非常に重要である
。
本発明は電子写真方式に用いる感光体に関するものであ
る。
る。
従来の技術
従来の電子写真用感光体（以下感光体と称す）の構成例
を以下に示す。第２．３図は感光体の従来列を示す要部
断面図である。感光体の構成は方式により異なり、ゼロ
グラフィ一方式では第２図で示す感光体が、またＭＰ方
式では第３図に示す構成の感光体が使用される。第２図
において、４は導電性材料の基材、６は光導電体で、一
般に蒸着法で形成したＳｓ 、 Ｓｅ−ムｓ 、 ５ｅ
−Ｔｏ 、 （１−８ｉなどが用いられている。先に述
べたように第３図はＮＰ方式で使用される感光体の構成
を示すもので、６は導電性材料からなる基材、７は光導
電体で一般に導電材を結合剤に混入して基材上に塗布形
成され無機光導電体・有機光導電体に分類される。無機
光導電体としてはＣｄ 、 Ｈｇ 、 Ｓｂ 、 Ｓｉ
。
を以下に示す。第２．３図は感光体の従来列を示す要部
断面図である。感光体の構成は方式により異なり、ゼロ
グラフィ一方式では第２図で示す感光体が、またＭＰ方
式では第３図に示す構成の感光体が使用される。第２図
において、４は導電性材料の基材、６は光導電体で、一
般に蒸着法で形成したＳｓ 、 Ｓｅ−ムｓ 、 ５ｅ
−Ｔｏ 、 （１−８ｉなどが用いられている。先に述
べたように第３図はＮＰ方式で使用される感光体の構成
を示すもので、６は導電性材料からなる基材、７は光導
電体で一般に導電材を結合剤に混入して基材上に塗布形
成され無機光導電体・有機光導電体に分類される。無機
光導電体としてはＣｄ 、 Ｈｇ 、 Ｓｂ 、 Ｓｉ
。
Ｂｉ 、 Ｔｉ 、 Ｍｏ 、ムｌ ＋ Ｐｂ＋ ”等
の酸化物・硫化物・セレン化物・テルル化物等が、有機
光導電体としてはアントラセンのような多環芳香族化合
物、フタロシアニン、ポリーＮ−ビニールカルノくゾー
ル等が使用されている。６は絶縁層で一般にＰＥＴが使
用されている。
の酸化物・硫化物・セレン化物・テルル化物等が、有機
光導電体としてはアントラセンのような多環芳香族化合
物、フタロシアニン、ポリーＮ−ビニールカルノくゾー
ル等が使用されている。６は絶縁層で一般にＰＥＴが使
用されている。
発明が解決しようとする問題点
ゼログラフィ一方式、ＮＰ方式いずれの場合も感光体上
にトナーを用いて現像し、その後コピー用紙に転写・定
着させる。この時、トナーの一部は転写されずに感光体
上に残存するため、次の複写にそなえて残存トナーをと
シ除く必要がある。
にトナーを用いて現像し、その後コピー用紙に転写・定
着させる。この時、トナーの一部は転写されずに感光体
上に残存するため、次の複写にそなえて残存トナーをと
シ除く必要がある。
とシ除く方法は種々考えられているが、一般にはゴムの
プレートを感光体表面に押しつけるゴムプレート方式が
多い。この場合感光体表面（ゼログラフィ一方式では光
導電体６、ＮＰ方式では絶縁層８）の耐摩耗性（以後寿
命と称す）が大きな問題点となる。ゼログラフィ一方式
で使用される蒸着タイプの光導電体はＳｅ系が主流で、
これは寿命が〜１００，０００コピーと比較的長く無機
系光導電体の中では最も感度が高い。しかしながら結合
剤タイプの光導電体に比ベコストが高く熱安定性に欠け
るなどの問題がある他、今後性能上大幅な改善は期待で
きないという見方が強い。
プレートを感光体表面に押しつけるゴムプレート方式が
多い。この場合感光体表面（ゼログラフィ一方式では光
導電体６、ＮＰ方式では絶縁層８）の耐摩耗性（以後寿
命と称す）が大きな問題点となる。ゼログラフィ一方式
で使用される蒸着タイプの光導電体はＳｅ系が主流で、
これは寿命が〜１００，０００コピーと比較的長く無機
系光導電体の中では最も感度が高い。しかしながら結合
剤タイプの光導電体に比ベコストが高く熱安定性に欠け
るなどの問題がある他、今後性能上大幅な改善は期待で
きないという見方が強い。
ＮＰ方式で使用される感光体（主として結合剤タイプ）
では前に述べたように絶縁層８の寿命が問題となシ、現
在一般に使用されているＰＥＴでは２〜３０，０００
コピーとＳｅ系よりも短かい。
では前に述べたように絶縁層８の寿命が問題となシ、現
在一般に使用されているＰＥＴでは２〜３０，０００
コピーとＳｅ系よりも短かい。
しかしＳｅ系に比ベコストが安い、感度が高い、熱安定
性・耐湿性に優れるなどの利点が多い。したがって、こ
の方式による寿命の長い絶縁層を用いた電子写真用感光
体が望まれている。そこで、本発明は長寿命の電子写真
用感光体を提供することを目的とする。
性・耐湿性に優れるなどの利点が多い。したがって、こ
の方式による寿命の長い絶縁層を用いた電子写真用感光
体が望まれている。そこで、本発明は長寿命の電子写真
用感光体を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は導電性の基板上に光の照射により導電性を示す
光導電性薄膜を有し、この光導電性薄膜上に炭素を主成
分とする高硬度絶縁層が形成され次電子写真感光体であ
る。
光導電性薄膜を有し、この光導電性薄膜上に炭素を主成
分とする高硬度絶縁層が形成され次電子写真感光体であ
る。
作用
本発明の電子写真用感光体は絶縁層として炭素を主成分
とする高硬度絶縁層を用いたので長寿命の電子写真用感
光体を得ることができる。
とする高硬度絶縁層を用いたので長寿命の電子写真用感
光体を得ることができる。
実施例
第１図に本発明の実施列を示す。この実施例の構成は基
本的には第３図に示した従来列と同じであシ、導電性の
基材１の上に光の照射により導電性を示す薄膜状の光導
電体が形成されている。光導電体２の上には透明で硬く
長寿命な高硬度絶縁膜３が形成されている。
本的には第３図に示した従来列と同じであシ、導電性の
基材１の上に光の照射により導電性を示す薄膜状の光導
電体が形成されている。光導電体２の上には透明で硬く
長寿命な高硬度絶縁膜３が形成されている。
長寿命が要求される高硬度絶縁膜３として、ダイヤモン
ドを考えることができる。ダイヤモンドは物質中で最高
の硬さを示すものであシ、また化学的にも極めて安定で
絶縁性も高く、耐摩耗性・耐環境性を必要とする絶縁膜
としては理想的である。ダイヤモンドの薄膜としては、
ダイヤモンド結晶膜、ダイヤモンド結晶粒が点在する炭
素膜、イオンビームスパッタ法で形成された非晶質炭素
膜：（ダイヤモンド構造ＳＰ５ を局部的に含むアモル
ファス状炭素膜で通常１−カーボン膜と呼ばれている）
、水素を含んだアモルファス状炭素膜、などが考えられ
ておシ、総じてダイヤモンド状炭素膜（ＤＬＣ膜）と呼
ばれている。本実施例の高硬度絶縁膜３はいずれのダイ
ヤモンド状炭素膜であってもかまわない。
ドを考えることができる。ダイヤモンドは物質中で最高
の硬さを示すものであシ、また化学的にも極めて安定で
絶縁性も高く、耐摩耗性・耐環境性を必要とする絶縁膜
としては理想的である。ダイヤモンドの薄膜としては、
ダイヤモンド結晶膜、ダイヤモンド結晶粒が点在する炭
素膜、イオンビームスパッタ法で形成された非晶質炭素
膜：（ダイヤモンド構造ＳＰ５ を局部的に含むアモル
ファス状炭素膜で通常１−カーボン膜と呼ばれている）
、水素を含んだアモルファス状炭素膜、などが考えられ
ておシ、総じてダイヤモンド状炭素膜（ＤＬＣ膜）と呼
ばれている。本実施例の高硬度絶縁膜３はいずれのダイ
ヤモンド状炭素膜であってもかまわない。
ダイヤモンド状炭素膜を形成する技術に関しては従来か
ら数多くの報告がなされている。
ら数多くの報告がなされている。
（参考文献）
（１）瀬高信雄：ダイヤモンドの低圧合成９日本産業技
術振興協会、技術資料／ａ １３８ 。
術振興協会、技術資料／ａ １３８ 。
（２）難波義捷：ダイヤモンド薄膜の低圧合成の研究、
応用機械工学、１９８４年７月号 （３）松本精一部：ダイヤモンドの低圧合成、現代化学
１９８４年９月号 しかしながら、いずれの場合もまだ研究段階で成膜時又
は成膜中に基板温度が著しく高くなる、成膜速度が遅い
など−の問題点から実用化には至っていない。
応用機械工学、１９８４年７月号 （３）松本精一部：ダイヤモンドの低圧合成、現代化学
１９８４年９月号 しかしながら、いずれの場合もまだ研究段階で成膜時又
は成膜中に基板温度が著しく高くなる、成膜速度が遅い
など−の問題点から実用化には至っていない。
我々は、ダイヤモンドに近い特性を示す高硬度炭素膜の
形成法を開発した（黒用他、プラズマ・インジェクショ
ンＣｖＤ法による高硬度炭素膜の形成及び評価、昭和６
０年精機学会春季大会学術講演論文集４４２２）。こ九
は、メタンガスを材料ガスとし１０〜２０ Ｐｄの低圧
力でプラズマ化して、プラズマもしくはプラズマ中の一
部イオンを加速電界によって基板に噴射し、基板を加速
することなく最高５０００人／分程度の高速で成膜する
ことが可能で、我々はプラズマ・インジェクションｃｖ
ｎ法と称している（以下ＰＩ−ＣＶＤ法と略す）。
形成法を開発した（黒用他、プラズマ・インジェクショ
ンＣｖＤ法による高硬度炭素膜の形成及び評価、昭和６
０年精機学会春季大会学術講演論文集４４２２）。こ九
は、メタンガスを材料ガスとし１０〜２０ Ｐｄの低圧
力でプラズマ化して、プラズマもしくはプラズマ中の一
部イオンを加速電界によって基板に噴射し、基板を加速
することなく最高５０００人／分程度の高速で成膜する
ことが可能で、我々はプラズマ・インジェクションｃｖ
ｎ法と称している（以下ＰＩ−ＣＶＤ法と略す）。
ｐｚ−ｃｖｎ法テ形成シタ膜は、ＳＦ３及びＳＦ３の電
子配置を含むダイヤモンドに近い結合状態のアモルファ
ス状炭素膜で、ビッカース硬さは２０００〜３０００
ｋｇ／ｍ２．体積抵抗率は１０１０〜１Ｑ１３Ωαを示
し、高耐摩耗、絶縁性が必要とされる電子写真感光体の
絶縁層３としては最適なものである。
子配置を含むダイヤモンドに近い結合状態のアモルファ
ス状炭素膜で、ビッカース硬さは２０００〜３０００
ｋｇ／ｍ２．体積抵抗率は１０１０〜１Ｑ１３Ωαを示
し、高耐摩耗、絶縁性が必要とされる電子写真感光体の
絶縁層３としては最適なものである。
以上のようにＰＩ−ｃｖｎ法で形成したアモルファス状
炭素膜を高硬度絶縁層３に使用すると、長寿命な電子写
真感光体を得ることができ、しかもその実用化は容易で
ある。
炭素膜を高硬度絶縁層３に使用すると、長寿命な電子写
真感光体を得ることができ、しかもその実用化は容易で
ある。
発明の効果
以上のように本発明の電子写真用感光体は絶縁層として
炭素を主成分とする高硬度絶縁層を用いたので長寿命の
電子写真用感光体を得ることができ、工業的に極めて有
用なものである。
炭素を主成分とする高硬度絶縁層を用いたので長寿命の
電子写真用感光体を得ることができ、工業的に極めて有
用なものである。
第１図は本発明の実施例における電子写真用感光体の拡
大断面図、第２図はゼログラフィ一方式で使用される電
子写真用感光体の拡大断面図、第３図はＭＰ方式で使用
される電子写真用感光体の拡大断面図である。 １・・・・・・基材、２・・・・・・光導電体、３・・
・・・・ＰＩ−ＣＶＤ法により形成したダイヤモンド状
炭素膜。
大断面図、第２図はゼログラフィ一方式で使用される電
子写真用感光体の拡大断面図、第３図はＭＰ方式で使用
される電子写真用感光体の拡大断面図である。 １・・・・・・基材、２・・・・・・光導電体、３・・
・・・・ＰＩ−ＣＶＤ法により形成したダイヤモンド状
炭素膜。
Claims (3)
- （１）導電性の基板上に光の照射により導電性を示す光
導電性薄膜を有し、この光導電性薄膜上に炭素を主成分
とする高硬度絶縁層が形成された電子写真用感光体。 - （２）絶縁層がダイヤモンド状炭素である特許請求の範
囲第１項記載の電子写真用感光体。 - （３）ダイヤモンド状炭素を、プラズマ又はイオンを使
用して低温低圧で形成した電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10732785A JPS61264355A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10732785A JPS61264355A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61264355A true JPS61264355A (ja) | 1986-11-22 |
Family
ID=14456241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10732785A Pending JPS61264355A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61264355A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01189658A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 感光体およびその作製方法 |
| US4987004A (en) * | 1988-02-05 | 1991-01-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing method and apparatus |
| JPH03273259A (ja) * | 1990-03-22 | 1991-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 感光体ドラム |
| US5168023A (en) * | 1990-07-04 | 1992-12-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photosensitive element used in electrophotography |
| US5242775A (en) * | 1988-01-25 | 1993-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photosensitive device and manufacturing method for the same |
| JPH06280022A (ja) * | 1993-04-26 | 1994-10-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機感光体の作製方法 |
| JPH06280021A (ja) * | 1993-04-26 | 1994-10-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 感光体の作製方法 |
| JPH075718A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機感光体 |
| JPH0766436A (ja) * | 1993-08-24 | 1995-03-10 | Ricoh Co Ltd | 有機光起電力素子 |
-
1985
- 1985-05-20 JP JP10732785A patent/JPS61264355A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01189658A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 感光体およびその作製方法 |
| US5098812A (en) * | 1988-01-25 | 1992-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photosensitive device and manufacturing method for the same |
| US5242775A (en) * | 1988-01-25 | 1993-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photosensitive device and manufacturing method for the same |
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| JPH06280022A (ja) * | 1993-04-26 | 1994-10-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機感光体の作製方法 |
| JPH06280021A (ja) * | 1993-04-26 | 1994-10-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 感光体の作製方法 |
| JPH0766436A (ja) * | 1993-08-24 | 1995-03-10 | Ricoh Co Ltd | 有機光起電力素子 |
| JPH075718A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機感光体 |
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