JPS6126367A - 画像読取装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は画像読取装置に係り、特に入射した光の情報を
蓄積する手段を有する画像読取装置に関する。

本発明はファクシミリ等の画像読取部に適用される。

［従来技術］ 第６図は従来の画像読取装置の回路図である。

ただし、ここでは９個の光センサを有する光センサアレ
イの場合を一例として取り上げる。

同図において、光センサＥ１〜Ｅ９は、３個で１ブロッ
クを構成し、３ブロックで光センサアレイを構成してい
る。光センサＥ１〜Ｅ９に各々対応しているコンデンサ
Ｃｌ−Ｃ９、スイッチングトランジスタＴ１〜Ｔ９も同
様である。

各光センサＥ１〜Ｅ９の一方の電極（共通電極）は電源
１０１に接続され、他方の電極（個別電極）は各々コン
デンサＣｌ−Ｃ９を介して接地されているや また、光センサＥｌ−Ｅ９の各ブロック内で同一順番を
有する個別電極は、各々スイッチングトランジスタＴＩ
−Ｔ９を介して、共通線１０２〜１０４のひとつに接続
されている。

詳細に言えば、各ブロックの第１のスイッチングトラン
ジスタＴ１、Ｔ４、Ｔ７が共通線１０２に、各ブロック
の第２のスイッチングトランジスタＴ２、Ｔ５、Ｔ８が
共通線１０３に、そして各プロ・ンクの第３のスイッチ
ングトランジスタＴ３、Ｔ６、Ｔ９が共通線１０４に、
それぞれ接続されている。

共通線１０２〜１０４は、各々スイッチングトランジス
タＳＴＩ〜ＳＴ３を介して、アンプ１０５に接続されて
いる。

またスイッチングトランジスタＴ１〜Ｔ９（７）ゲート
電極はブロック毎に共通に接続され、それぞれシフトレ
ジスタ１０６の並列出力端子に接続されている。シフト
レジスタ１０６の並列出力端子からは所定のタイミング
で順次ハイレベルが出力されるから、スイッチングトラ
ンジスタＴｌ〜Ｔ９はブロック毎に順次オン状態となる
。

また、スイッチングトランジスタＳＴＩ〜ＳＴ３の各ゲ
ート電極はシフトレジスタ１０７の並列出力端子に各々
接続され、この並列出力端子からハイレベルが所定のタ
イミングで順次出力されることで、スイッチングトラン
ジスタ５ＴＩＮＳＴ３が順次オン状態となる。

さらに、スイッチングトランジスタＳＴＩ〜ＳＴ３の共
通に接続された端子は放電用のスイッチングトランジス
タＣＴＩを介して接地され一スイッチングトランジスタ
ＣＴｌのゲート電極は端子１０８に接続されている。

このような構成を有する従来の画像読取装置の動作を簡
単に説明する。

光センサＥｌ−Ｅ９に光が入射すると、その強度に応じ
て電源１０１からコンデンサ０１〜Ｃ９に電荷が蓄積さ
れる。

続いて、シフトレジスタ１０６および１０７からそれぞ
れのタイミングで順次ハイレベルが出力されるが、いま
両レジスタの第１の並列出力端子からハイレベルが出力
されたとする。

すると、第１のブロックのスイッチングトランジスタＴ
１〜Ｔ３と共通線１０２に接続されたスイッチングトラ
ンジスタＳＴＩがオン状態となり、コンデンサＣ１に蓄
積されている電荷が、スイッチングトランジスタＴ１、
共通線１０２、そしてスイッチングトランジスタＳＴＩ
を通って、アンプ１０５へ入力し、画像情報として出力
される。

コンデンサＣ１に蓄積されている電荷が読み出されると
、端子ｌＯ８にハイレベルが印加され、スイッチングト
ランジスタＣＴＩがオン状態となる。これによって、コ
ンデンサＣ１の残留電荷は、スイッチングトランジスタ
Ｔ１、共通線１０２、スイッチングトランジスタＳＴＩ
、そしてスイッチングトランジスタＣＴＩを通して完全
に放電される。

続いて、シフトレジスタ１０６の第１の並列出力をハイ
レベルにしたままで、シフトレジスタ１０７を順次シフ
トさせスイッチングトランジスタＳＴ２、Ｓｒ１を順に
オン状態とする。これによって、コンデンサＣ２および
Ｃ３に関して上記の読み出しおよび放電動作を行ない、
それらに蓄積されている情報を順次読み出す。

こうして、第１ブロックの情報の読み出しが終了すると
、シフトレジスタ１０６を順次シフトさせ、第２そして
第３プロ・ンクの情報の読み出しを上記と同様に行なう
。

このように、コンデンサ０１〜Ｃ９に蓄積された情報は
シリアルに読み出され、アンプ１０５から画像情報とし
て出力される。

第６図に示される従来の画像読取装置は、電荷蓄積用の
コンデンサ０１〜Ｃ９を有しているために、出力信号を
大きくすることができる。

また、光センサＥ１〜Ｅ９、コンデンサＣ１〜Ｃ９およ
びスイッチングトランジスタＴ１〜Ｔ９を、薄膜半導体
によって同一基板上に形成した場合、外部回路との接続
点の数を少なくすることができる等の利点を有している
。

しかしながら、薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）はオン状態
での抵抗が高い、という特性を有している。そのために
、コンデンサ０１〜Ｃ９の容量とそれに対応するスイッ
チングトランジスタＴ１〜Ｔ９の抵抗値によって決定さ
れる時定数が大きくなり、さらに共通線１０２〜１０４
およびスイッチングトランジスタＳＴＩ〜ＳＴ３の寄生
容量や抵抗等によって、コンデンサＣｌ−Ｃ９の放電時
間がながくなる。したがって、このような従来の画像読
取装置では、情報の読み取り動作に時間がかかる、いう
問題点を有していた。

さらに、従来の画像読取装置は、コンデンサＣ１〜Ｃ９
の各々について、その都度、読み取り後の放電動作を必
要とするために、十分な高速動作が行なえないという問
題点も有していた。

［発明の目的］ 本発明は上記従来の問題点に鑑み成されたものであり、
その目的は構成が簡単で、高速動作が可能な画像読取装
置を提供することにある。

［発明の概要］ 上記目的を達成するために、本発明は 充電流蓄積用の第１のコンデンサの各々と並列に接続さ
れた第１の放電用スイッチングトランジスタと、複数ブ
ロック分の情報を蓄積できる第２のコンデンサと、第２
のコンデンサの各々と並列に接続されブロック毎に動作
する放電用スイッチングトランジスタと、第２のコンデ
ンサからブロック毎の情報を時系列的に取り出すスイッ
チングトランジスタと、を有することを特徴とする。

［発明の実施例］ 以下９本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。

第１図は、本発明による画像読取装置の一実施例の回路
図である。ただし、ここでは１２個の光センサを有する
場合を一例として取り上げる。

同図において、光センサＥｌ−Ｅ１２は、後述するよう
に、３個で１ブロックを構成し、２プロ・ンクで１グル
ープを構成している。たとえば、光センサＥ１〜Ｅ３は
第１ブロック、光センサＥ４〜Ｅ６は第２ブロックであ
り、光センサＥ１〜Ｅ６は第１グループである。

光センサＥｌ−Ｅ１２の各々対応して接続されている充
電流蓄積用のコンデンサ０１〜Ｃ１２、放電用のスイッ
チングトランジスタＤＴ１〜ＤＴ１２、そしてスイッチ
ングトランジスタＴ１〜Ｔ１２も同様である。

各光センサＥ１〜Ｅ１２の一方の電極（共通電極）は電
源１０１に接続され、一定の電圧が印加されている。

光センサＥｌ−Ｅ１２の他方の電極（個別電極）は、各
々スイッチングトランジスタＴｌ−Ｔ１２の一方の主電
極に接続されるとともに、各々コンデンサ０１〜Ｃ１２
を介して接地され、さらに放電用のスイッチングトラン
ジスタＤＴＩ〜ＤＴ１２を介して接地されている。

スイッチングトランジスタＤＴＩＮＤＴ１２のゲート電
極は、３個ずつ、すなわちブロック毎に共通に接続され
、各々がシフトレジスタ２１０の並列出力端子３１３〜
Ｓ１６に接続されている。

並列出力端子３１〜Ｓ４からは所定のタイミングで順次
ハイレベルが出力されるから、スイッチングトランジス
タＤＴＩ〜ＤＴ１２はブロック毎に順次オン状態となる
。

スイッチングトランジスタＴｌ−Ｔ１２のゲート電極も
、ブロック毎に共通に接続され、各々がシフトレジスタ
２０１の並列出力端子５ｔ−３４に接続されている。

スイッチングトランジスタＴ１〜Ｔ１２の他方の主電極
は、各グループでの同一順番にあるものが各々共通線２
０２〜２０７に接続されている。

たどえば、各グループ内で２番目のスイッチングトラン
ジスタＴ２およびＴ８は共通線２０３に接続されている
。

共通線２０２〜２０７は、各々スイッチングトランジス
タＳＴＩ〜ＳＴ６を介して、アンプ１９５の入力端子に
接続されている。

スイッチングトランジスタＳＴＩ〜ＳＴ３およびＳＴ４
〜５Ｔ６（７）各ゲート電極は、シフトレジスタ２０８
およびシフトレジスタ２０９の並列出力端子Ｓ５〜３１
０に各々接続され、これら並列出力端子からハイレベル
が所定のタイミングで順次出力されることで、スイッチ
ングトランジスタＳＴＩ〜ＳＴ６が順次オン状態となる
。

共通線２０２〜２０７は、それぞれ転送電荷蓄積用のコ
ンデンサＣＣ１〜ＣＣ６を介して接地され、且つ放電用
のスイッチングトランジスタＣＴ１〜ＣＴ６を介して接
地されている。

−コンデンサＣＣ１〜ＣＣ６の容量はコンデンサ０１〜
Ｃ１２のそれよりも十分大きくとっておく。

スイッチングトランジスタＣＴＩ−ＣＴ６の各ゲート電
極は、３個ずつ共通に接続され、各々端子Ｓ’ｌｌおよ
びＳ１２に接続されている。したがって、端子Ｓｌｌ又
はＳ１２にハイレベルが印加”されることで、スイッチ
ングトランジスタＣＴ１〜ＣＴ３またはＣＴ４〜ＣＴ６
がオン状態となり、共通線２０２〜２０４または共通線
２０５〜２０７が接地されることになる。

次に、このような構成を有する本実施例の動作を、第２
図に示すタイミングチャートを用いて説明する。

まず、光センサＥｌ−Ｅ１２に光が入射すると、その強
度に応じて電源ｌｏｔからコンデンサ０１〜Ｃ１２に電
荷が蓄積される。

そして、まずシフトレジスタ２０１の並列出力端子Ｓ１
からハイレベルが出力され、スイッチングトランジスタ
Ｔ１〜Ｔ３がオン状態になる［第２図（ａ）］。

スイッチングトランジスタＴＩ−Ｔ３がオン状態となる
ことで、第１ブロックのコンデンサｃ１〜Ｃ３に蓄積さ
れていた電荷が、それぞれコンデンサＣＣＩ〜ＣＣ３へ
転送される。

第１ブロックの情報が転送された時点で、今度はシフト
レジスタ２０１の出力端子Ｓ２からハイレベルが出力さ
れ、スイッチングトランジスタＴ４〜Ｔ６がオン状態に
なる［第２図（ｂ）］。

これによって、第２ブロックのコンデンサ０４〜Ｃ６に
蓄積されていた電荷が、それぞれコンデンサＣＣ４〜Ｃ
Ｃ６へ転送される。

第２ブロックの転送動作と並行して、シフトレジスタ２
０８の出力端子５５〜Ｓ７から順次ハイレベルが出力す
る［第２図（ｅ）〜（ｇ）］。

これによって、スイッチングトランジスタＳＴ１〜ＳＴ
３が順次オン状態となり、コンデンサＣＣＩ〜ＣＣ３へ
転送され蓄積された第１ブロックの光情報がアンプ１０
５を通って時系列的に読み出される。

第１ブロックの情報が読み出されると、端子Ｓ１１にハ
イレベルが印加され、スイッチングトランジスタＣＴＩ
−ＣＴ３が同時にオン状態となる［第２図（ｋ）］。

これによって、転送電荷蓄”積用コンデンサＣＣ１〜Ｃ
Ｃ３の残留電荷が完全に放電される。

上記読み出しおよび転送電荷放電動作［第２図（ｅ）〜
（ｇ）および（ｋ）］　と並行して、シフトレジスタ２
１０の並列出力端子Ｓ１３からハイレベルが出力される
［第２図（ｍ）］。

これによって、スイッチングトランジスタＤＴ１〜ＤＴ
３がオン状態となり、第１ブロックの光電荷蓄積用のコ
ンデンサＣ１−Ｃ５の残留電荷が完全に放電される。

このように、第２ブロックの情報の転送、＄１ブロック
の情報の読み出しおよび残留転送電荷の放電、そして残
留光電荷の放電、という各動作が並行して行なわれる。

これらの動作が終了した時点で、シフトレジスタ２０１
がシフトし、並列出力端子Ｓ３からハイレベルが出力さ
れる［第２図（Ｃ）］。

これによって、スイッチングトランジスタＴ７〜Ｔ９が
オン状態になり、第３ブロックのコンデンサ０７〜Ｃ９
に蓄積されている電荷がコンデンサＣＣＩ〜ＣＣ３へ転
送される。

この第３ブロツ−りの情報の転送動作と並行して、シフ
トレジスタ２０９の並列出力端子Ｓ８〜ＳＩＯから順次
ハイレベルが出力される［第２図（ｈ）−’　（Ｄ　］
。

これによって、スイッチングトランジスタＳＴ４〜ＳＴ
６が順次オン状態となり、コンデンサＣＣ４〜ＣＣ６に
転送され蓄積された第２ブロックの情報が時系列的に読
み出される。

第２ブロックの情報が読み出されると、端子Ｓ１２にハ
イレベルが印加され、スイッチングトランジスタＣＴ４
〜ＣＴ６が同時にオン状態となる［第２図（１）コ。

これによって、転送電荷蓄積用コンデンサＣＣ４〜ＣＣ
６の残留電荷が完全に放電される。

上記第２ブロックの情報の読み出しおよび残留転送電荷
の放電動作と並行して、シフトレジスタ２１０の並列出
力端子Ｓ１４からハイレベルが出力され［第２図（ｎ）
］、スイッチングトランジスタＳＴ４〜ＳＴ６が同時に
オン状態となる。

これによって、光電荷蓄積用のコンデンサ０４〜Ｃ６の
残留電荷が放電される。

以下同様に、第４ブロックの情報の転送と並行して、第
３ブロックの情報の読み出しおよび残留転送電荷の放電
、そして同じく第３ブロックの残留光電荷の放電、とい
う各動作が行なわれ、第４ブロックの情報の読み出し、
残留転送電荷および残留光電荷の放電動作は、第１ブロ
ックの情報の転送と並行して行なわれる。

以上述べた動作が繰り返され、光情報が時系列的に読み
出される。

このように、コンデンサＣ１−Ｃ１２に蓄積された情報
の転送をブロック毎に行なうことで、従来は各々につい
て１２回必要であった転送および放電動作を、本実施例
では、４回に削減することができ、全体として読み取り
時間を短縮することができる。

また、次ブロックの情報の転送動作と並行して、前ブロ
ックの情報の読み出しおよび残留転送電荷および残留光
電荷の放電を行なうことができるだめに、全体として動
作時間をさらに短縮することができる。

なお、本実施例では、１２個の光センサを４つのブロッ
クに分けて構成したが、これに限定されるものではない
。所望の個数の光センサを所望の数のブロックに分けて
構成することは、本実施例から容易に行なうことができ
る。

また、第１図におけるＡ部分は、第３図に示される回路
でもよい。

第３図に示される本発明の第２実施例おいて、共通線２
０２〜２０４は、各々アンプＡ１〜Ａ３を介してシフト
レジスタ３０１の並列入力端子に各々接続され、共通線
２０５〜２０７は、アンプＡ４〜Ａ６を介してシフトレ
ジスタ３０２の並列入力端子に各々接続されている。

シフトレジスタ３０１および３０２は、それぞれシフト
パルスＳＰＩおよびＳＦ３を入力することで格納された
内容を直列に出力する。両レジスタの直列出力端子は共
通に接続されている。

このような構成を有する本実施例の動作を、第２図のタ
イミングチャートの一部を参照しながら簡単に説明する
。

第１実施例と同様に、シフトレジスタ２０１のシフト動
作によって、光電荷蓄積用のコンデンサＣｌ−Ｃ１２の
電荷が、ブロック毎にシフトレジスタ３０１又はシフト
レジスタ３０２へ転送される［第２図（ａ）〜（ｄ）］
。

今、第１ブロックの情報がシフトレジスタ３０１に蓄積
されたとする［第２図（ａ）］。

続いて、第２ブロックの情報がシフトレジスタ３０２へ
転送される動作［第２図（ｂ）’］　と並行して、シフ
トレジスタ３０１にシフトパルスＳＰ１が入力し、シフ
トレジスタ３０１に蓄積されていた第１ブロックの情報
が直列に出力される。

さらに、これらの動作と並行して、シフトレジスタ２１
０の出力端子３１３からハイレベルが出力して［第２図
（ｍ）］　、第１ブロックのコンデンサ０１〜Ｃ３の残
留電荷が放電される。

以下同様に、第３ブロックの情報をシフトレジスタ３０
１に転送する間に［第２図（Ｃ）］　、シフトレジスタ
３０２にシフトパルスＳＰ２が印加され、蓄積された第
２ブロックの情報が直列に読み出される。それと並行し
て、第２ブロックのコンデンサ０４〜Ｃ６の残留電荷が
放電される。

以上の動作が繰返され、光情報の読み取りが行なわれる
。

第４図は、本発明の第３実施例の回路図である。ただし
、光センサＥｌ−ＥＬ８、光電荷蓄積用のコンデンサ０
１〜Ｃ１８、光電荷放電用のスイッチングトランジスタ
ＤＴＩ　／−ＤＴ１８およびスイッチングトランジスタ
Ｔ１〜７１８の構成は、第１図と略同じであり、個数が
１２個から１８個に増えただけであるから説明を省略す
る。なお、第４図では、スペースの関係で回路の一部が
省略されている。

本実施例では、３ブロックで１グループを形成しており
、各グループで同一順番を有するスイッチングトランジ
スタの主電極が、各々共通線４０２〜４１０に接続され
ている。

スイッチングトランジスタＴｌ−Ｔ１８の各ゲート電極
はブロック毎に共通に接続され、各々シフトレジスタ４
０１の並列出力端子Ｂｌ−Ｂ６に接続されている。

スイッチングトランジスタＤＴＩ〜ＤＴ１８の各ゲート
電極も同様にして、シフトレジスタ４０２の並列出力端
子ＳＬ３〜Ｓ１８に接続されている。

また、共通線４０２〜４１０は転送電荷蓄積用のコンデ
ンサＣＣｌ−ＣＣ９を介して接地され、且つ放電用のス
イッチングトランジスタＣＴＩ〜ＣＴ９を介して接地さ
れている。

放電用のスイッチングトランジスタＣＴ１〜ＣＴ９のゲ
ート電極は、３個ずつ共通に接続され、各々端子Ｈ１−
Ｈ３に接続されている。

共通線４０２〜４１０は、スイッチングトランジスタＳ
ＴＩ〜ＳＴ９を介して、アンプ１０５に接続され、スイ
ッチングトランジスタＳＴＩ〜ＳＴ９のゲート電極は、
シフトレジスタ４１１〜４１３の各並列出力端子Ｄ１〜
Ｄ９に各々接続されている。

次に、このような構成を有する本実施例の動作を、第５
図のタイミングチャートを用いて簡単に説明する。

まず、シフトレジスタ４０１の出力端子Ｂ１から、ハイ
レベルが出力され、スイッチングトランジスタＴ１〜Ｔ
３がオン状態となる［第５図（ａ）］。

スイッチングトランジスタＴ１〜Ｔ３がオン状態となる
ことで、第１ブロックのコンデンサ０１〜Ｃ３に蓄積さ
れていた電荷が、それぞれコンデンサｃｃｉ〜ＣＣ３へ
転送される。

第１ブロックの情報が転送された時点で、今度はシフト
レジスタ４０１の出力端子Ｂ２からハイレベルが出力さ
れ、スイ・ンチングトランジスタＴ４〜Ｔ６がオン状態
になる［第５図（ｂ）］。これによって、第２ブロック
のコンデンサ０４〜Ｃ６に蓄積されていた電荷が、それ
ぞれコンデンサＣＣ４〜ＣＣ６へ転送される。

第２ブロックの転送動作と並行して、シフトレジスタ４
１１の出力端子ＤＩ−０３から順次ハイレベルが出力す
る［第５図（ｇ）〜（ｉ）］。

これによって、スイッチングトランジスタ５Ｔ１−３Ｔ
３が順次オン状態となり、コンデンサＣＧＩ〜ＣＣ３へ
転送され蓄積された第１ブロックの光情報がアンプ１０
うを通って時系列的に読み出される。

さらに、第２ブロックの転送動作と並行して、シフトパ
ルスタタ４０２の端子Ｓ１３からハイレベルが出力され
［第５図（Ｓ）］　、スイッチングトランジスタＤＴＩ
−ＤＴ３がオン状態となり、第１ブロックのコンデンサ
０１〜Ｃ３の残留光電荷が放電される。

第１ブロックの情報が読み出しおよび残留光電荷の放電
が終了した時点で、端子Ｈ１にハイレベルが印加され、
スイッチングトランジスタＣＴＩ〜ＣＴ３が同時にオン
状態となり［第５図（ｐ）］　、コンデンサＣＣＩ〜Ｃ
Ｃ３の残留電荷が完全に放電される。

この放電動作と並行して、シフトレジスタ４０１の出力
端子Ｂ３からハイレベルが出力される［第５図（Ｃ）］
。

これによって、スイッチングトランジスタＴ７〜Ｔ９が
オン状態になり、第３ブロックのコンデンサ０７〜Ｃ９
に蓄積されている電荷がコンデンサＣＣ６〜ＣＣ９へ転
送される。

上記放電動作および転送動作と並行して、シフトレジス
タ４１２の出力端子Ｄ４〜Ｄ６から順次ハイレベルが出
力し［第５図Ｎ）〜（１）］、スイッチングトランジス
タＳＴ４〜ＳＴ６が順次オン状態となり、第２ブロック
の情報が時系列的に読み出される。

さらに、上記放電動作および転送動作と並行して、シフ
トレジスタ４０２の出力端子ＳＬ４からハイレベルが出
力し［第５図（ｔ）ｌ’、第２ブロックのコンデンサ０
４〜Ｃ６の残留光電荷の放電が行なわれる。

続いて、第４ブロックの情報の転送と［第５図（ｄ）］
　、第３ブロックの情報の時系列的な読み出しと［第５
図（ｍ）〜（０）］、コンデンサＣＣ４〜ＣＣ６の残留
転送電荷の放電動作［第５図（ｑ）］と、コンデンサ０
７〜ｃ９の残留光電荷の放電動作［第５図（Ｕ）］と、
が並行して行なわれ、以下同様にして、光センサＥｌ−
Ｅ１８（７）光情報が繰返し読み取られる。

このように、本実施例で鳴、３ブロックで１グループを
形成しているために、あるブロックの情報の転送動作と
、前ブロックの読み出し動作および残留光電荷の放電動
作と、さらに前々ブロックの残留転送電荷の放電動作と
を並行して行なうことができ、全体として高速動作が可
能となる。

さらに、コンデンサＣ１〜１８およびＣＣＩ〜ＣＣ６の
放電を各々独立して行なうことができ、また十分な時間
を取ることができる。

［発明の効果コ 以上詳細に説明したように、本発明による画像読取装置
は、 光電荷を蓄積する第１蓄積手段に対応した放電用スイッ
チ手段と、複数ブロック分の情報を蓄積できる第２蓄積
手段と、第２蓄積手段の各々に対応した放電用スイッチ
手段と、第２蓄積手段から情報を時系列的に取り出す直
列出力手段とを有する。

本発明は、複数ブロック分の情報を蓄積できる第２蓄積
手段を有するために、転送、読み出し、放電の各動作を
並行して行なうことができ、全体として動作時間を短縮
することができる。

また、転送、読み出し、放電の各動作を十分に時間をか
けて行なうことができ、各動作が確実に実行でき、画像
読取の信頼性が向上する。

また、第１蓄積手段および第２蓄積手段の各々に対応し
た放電用スイッチ手段を有するために、第１および第２
の蓄積手段を高速で完全放電させることができ、残留電
荷の影響を完全に無くすことができる。

さらに、第１の蓄積手段から第２の蓄積手段への情報の
転送をブロック毎に行なうために、転送に要する時間を
短縮することができ、全体として動作速度をさらに向上
させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による画像読取装置の第１実施例の回路
図、 第２図は本実施例の動作を説明するためのタイミングチ
ャート、 第３図は本発明の第２実施例の一部分を示した回路図、 第４図は本発明の第３実施例の回路図、第５図は第３実
施例の動作を説明するためのタイミングチャート、 第６図は従来の画像読取装置の一例を示す回路図である
。 Ｅｌ−Ｅｌ８・・・光センサ、 ０１〜Ｃ１８・φ・充電流蓄積用コンデンサ、Ｔ１へＴ
１８．ＳＴＩ〜ＳＴ９拳争・スイ・ンチングトランジス
タ ＤＴＩ−ＤＴＩ８・・拳放電用スイッチングトランジス
タ ＣＴＩ〜ＣＴ９・・・放電用スイッチングトランジスタ ３０１．３０２−−−シフトレジスタ 第２図 第３図 第５図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）複数の光電変換素子と、該複数の光電変換素子の
   各々に対応して設けられ前記光電変換素子の各出力信号
   を蓄積する第１蓄積手段と、該第１蓄積手段に蓄積され
   た信号を一定数ずつ１ブロックとして順次取り出す第１
   スイッチ手段と、を有する画像読取装置において、 前記第１蓄積手段の各々に対応して接続 された第１放電用スイッチ手段と、 前記第１スイッチ手段によって取り出さ れた１ブロックの信号の複数ブロック分を蓄積する第２
   蓄積手段と、 該第２蓄積手段の各々に対応して接続さ れた第２放電用スイッチ手段と、 前記第２蓄積手段に蓄積されている前記 複数ブロック分の信号の各々を時系列的に取り出す直列
   出力手段と、 を有することを特徴とする画像読取装置。
2. （２）上記第２蓄積手段はコンデンサであり、上記直列
   出力手段はスイッチングトランジスタであることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の画像読取装置。
3. （３）上記直列出力手段は並列入力直列出力のシフトレ
   ジスタであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の画像読取装置。