JPS61261234A - 透明電導膜付着基体の製造方法 - Google Patents
透明電導膜付着基体の製造方法Info
- Publication number
- JPS61261234A JPS61261234A JP10067485A JP10067485A JPS61261234A JP S61261234 A JPS61261234 A JP S61261234A JP 10067485 A JP10067485 A JP 10067485A JP 10067485 A JP10067485 A JP 10067485A JP S61261234 A JPS61261234 A JP S61261234A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- light
- oxide
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は酸化インジウム、酸化錫、酸化アンチモン、ま
たはそれらの混合物からなる被膜を有する透明電導膜付
着基体の製造方法に関し、特に電気伝導度が安定して高
い透明電導膜付着基体の製造方法に関する。ガラスまた
はセラミックス等の耐熱基板に酸化インジウム、酸化錫
、酸化アンチモン、またはそれらの混合物からなる被膜
を付着させた透明電導膜付着基板は液晶表示素子、また
はエレクトロクロミック表示素子等の電極や自動車、航
空機または建築などの窓ガラスの防露、または氷結防止
用導電膜等に用いられている。
たはそれらの混合物からなる被膜を有する透明電導膜付
着基体の製造方法に関し、特に電気伝導度が安定して高
い透明電導膜付着基体の製造方法に関する。ガラスまた
はセラミックス等の耐熱基板に酸化インジウム、酸化錫
、酸化アンチモン、またはそれらの混合物からなる被膜
を付着させた透明電導膜付着基板は液晶表示素子、また
はエレクトロクロミック表示素子等の電極や自動車、航
空機または建築などの窓ガラスの防露、または氷結防止
用導電膜等に用いられている。
従来の技術
このような透明電導膜付着基板は通常有機インジウム化
合物、有機錫化合物、あるいは有機アンチモン化合物の
少なくともいずれか一方を含有する有機溶媒溶液、ある
いはそれらの蒸気を高温の基板にスプレーするか、ある
いは接触させる、いわゆるスプレー法、若しくはＯＶＤ
法、または減圧された雰囲気中で酸化インジらム、酸化
錫、酸化アンチモン、あるいはそれらの混合物の蒸気、
あるいは粒子を基板表面に付着させる、いわゆる真空蒸
着法、若しくはスパッタリング法で製造されていた。ス
プレー法、あるいはＣＶＤ法によれば被膜形成効率の低
さから極めて大量の被膜形成剤を消費する上、表示素子
等への応用時所望の電極パターンを得るには膜形成後フ
ォトエツチング等により不要部分を溶解、除去する工程
を必要とする欠点があった。
合物、有機錫化合物、あるいは有機アンチモン化合物の
少なくともいずれか一方を含有する有機溶媒溶液、ある
いはそれらの蒸気を高温の基板にスプレーするか、ある
いは接触させる、いわゆるスプレー法、若しくはＯＶＤ
法、または減圧された雰囲気中で酸化インジらム、酸化
錫、酸化アンチモン、あるいはそれらの混合物の蒸気、
あるいは粒子を基板表面に付着させる、いわゆる真空蒸
着法、若しくはスパッタリング法で製造されていた。ス
プレー法、あるいはＣＶＤ法によれば被膜形成効率の低
さから極めて大量の被膜形成剤を消費する上、表示素子
等への応用時所望の電極パターンを得るには膜形成後フ
ォトエツチング等により不要部分を溶解、除去する工程
を必要とする欠点があった。
一方、真空蒸着法、あるいはＣＶＤ法によれば、予め不
要部分をマスキングした後、基板上に被膜形成すること
で所定のパターンの被膜付着基板を製造することができ
るが、減圧された雰囲気中で被膜を形成するため量産に
適せず、またマスキング剤除去の工程を必要とした。し
かしながら、マスキング剤除去工程ではパターン状の被
膜に疵をつけやすいため、真空蒸着法あるいはＣＶＤ法
による場合でも、基板全面に被膜を形成した後、フォト
エツチングにより不要部分を溶解除去することにより、
基板に所望のパターンを形成させていた。
要部分をマスキングした後、基板上に被膜形成すること
で所定のパターンの被膜付着基板を製造することができ
るが、減圧された雰囲気中で被膜を形成するため量産に
適せず、またマスキング剤除去の工程を必要とした。し
かしながら、マスキング剤除去工程ではパターン状の被
膜に疵をつけやすいため、真空蒸着法あるいはＣＶＤ法
による場合でも、基板全面に被膜を形成した後、フォト
エツチングにより不要部分を溶解除去することにより、
基板に所望のパターンを形成させていた。
フォトエツチングでは酸化インジウム及び／又は酸化錫
を溶解する薬品を含む水溶液中で処理されるが、工程が
複雑でしかも廃水処理を必要とし、コスト的にも大きな
問題であっ−た。
を溶解する薬品を含む水溶液中で処理されるが、工程が
複雑でしかも廃水処理を必要とし、コスト的にも大きな
問題であっ−た。
かかる状況に鑑み、被膜形成剤の利用効率が高く、且つ
エツチングの処理工程を要せず直接に所望形状のパター
ンの透明電導膜を付着した基板を製造するのに基板に冷
間でインジウム化合物または錫化合物の少なくともいず
れか一方を含有する有機溶媒溶液またはペーストをディ
ッピング法、あるいはスクリーン印刷法などで所定のパ
ターンに印刷し、その後焼成工程で焼成する冷間塗布焼
成法が研究されている。
エツチングの処理工程を要せず直接に所望形状のパター
ンの透明電導膜を付着した基板を製造するのに基板に冷
間でインジウム化合物または錫化合物の少なくともいず
れか一方を含有する有機溶媒溶液またはペーストをディ
ッピング法、あるいはスクリーン印刷法などで所定のパ
ターンに印刷し、その後焼成工程で焼成する冷間塗布焼
成法が研究されている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら冷間塗布焼成法により形成した酸化インジ
ウム、酸化錫、酸化アンチモンあるいはそれらの混合物
からなる透明電導膜は一般に電気抵抗が大きく、且つ権
年とともに電気抵抗が大き ｉくなる欠点
があった。
ウム、酸化錫、酸化アンチモンあるいはそれらの混合物
からなる透明電導膜は一般に電気抵抗が大きく、且つ権
年とともに電気抵抗が大き ｉくなる欠点
があった。
本発明者は冷間塗布焼成法により形成される透明電導膜
の電気抵抗が主として空気中の水分、炭酸ガス等の濃度
により変化し、それらの影響度が光照射の有無によって
も異なり、更には透明電導膜付着基体を密閉した容器中
に置くことによっても水分、炭酸ガスあるいは光などの
影響度が異なるという極めて複雑な様相を呈する知見を
得た。
の電気抵抗が主として空気中の水分、炭酸ガス等の濃度
により変化し、それらの影響度が光照射の有無によって
も異なり、更には透明電導膜付着基体を密閉した容器中
に置くことによっても水分、炭酸ガスあるいは光などの
影響度が異なるという極めて複雑な様相を呈する知見を
得た。
そして、透明電導膜の電気抵抗値の変化の程度は概して
形成直後電導性のよい被膜程小さく、逆に電気電導性が
劣る被膜程大きいという結果を得た。
形成直後電導性のよい被膜程小さく、逆に電気電導性が
劣る被膜程大きいという結果を得た。
この冷間塗布焼成法により形成された前記透明電導膜の
電気抵抗の不安定さの原因は定かではないが、これらの
被膜がクラスター状の微視的構造を有しているため、多
孔質体に準じた複雑な吸着機構が存在するものと考えら
れる。
電気抵抗の不安定さの原因は定かではないが、これらの
被膜がクラスター状の微視的構造を有しているため、多
孔質体に準じた複雑な吸着機構が存在するものと考えら
れる。
該被膜の電気抵抗は光の照射により低下し、その後空気
中に放置すると次第に元の抵抗値に戻る。
中に放置すると次第に元の抵抗値に戻る。
しかし本発明者は先願（特願昭！；９−／／コ２６７）
にて該被膜の電気抵抗を光の照射により低下せしめた直
後に、該被膜を大気から遮断することにより低下した電
気抵抗が元に戻らないようにすることができることを示
した。本発明者はその後さらに研究を進め、該被膜への
光照射は、必らずしも該被膜の大気からの遮断前に実施
する必要はなく、特に波長ｘｏｏ−ｒｏｏｎｍの光が３
ｏｍｗｌｃｒ１以上の強さで該被膜を照射することが満
足されれば、該被膜を大気から遮断したのちに該被膜に
光を照射することにより、該被膜の電気抵抗を低下せし
める効果が得られることを見い出した。
にて該被膜の電気抵抗を光の照射により低下せしめた直
後に、該被膜を大気から遮断することにより低下した電
気抵抗が元に戻らないようにすることができることを示
した。本発明者はその後さらに研究を進め、該被膜への
光照射は、必らずしも該被膜の大気からの遮断前に実施
する必要はなく、特に波長ｘｏｏ−ｒｏｏｎｍの光が３
ｏｍｗｌｃｒ１以上の強さで該被膜を照射することが満
足されれば、該被膜を大気から遮断したのちに該被膜に
光を照射することにより、該被膜の電気抵抗を低下せし
める効果が得られることを見い出した。
問題点を解決するための手段
すなわち、本発明はインジウム化合物、錫化合物、また
はアンチモン化合物の少なくともいずれか一方を含有す
る有機溶媒液、またはペーストを耐熱基板に塗布し、そ
の後焼成することにより、該耐熱基板に酸化インジウム
、酸化錫、酸化アンチモン、またはそれらの混合物から
なる被膜を形成せしめる方法において、該被膜を大気か
ら遮断したのちに該被膜にｊＯｍｗ７ｄ１以上の強度の
光を照射することを特徴とする透明電導膜付着基板の製
造方法である。
はアンチモン化合物の少なくともいずれか一方を含有す
る有機溶媒液、またはペーストを耐熱基板に塗布し、そ
の後焼成することにより、該耐熱基板に酸化インジウム
、酸化錫、酸化アンチモン、またはそれらの混合物から
なる被膜を形成せしめる方法において、該被膜を大気か
ら遮断したのちに該被膜にｊＯｍｗ７ｄ１以上の強度の
光を照射することを特徴とする透明電導膜付着基板の製
造方法である。
本発明において、被膜に照射する光は波長が約２００ｎ
ｍ乃至１００ ｎｍのものが利用でき、光の強度や照射
時間は大なるほど被膜の電気抵抗を低下する傾向にある
。
ｍ乃至１００ ｎｍのものが利用でき、光の強度や照射
時間は大なるほど被膜の電気抵抗を低下する傾向にある
。
また、本発明において、光を照射するに先だって被膜を
大気から遮断するには該被膜の上に有機質の保護膜を付
着させたり、該被膜を付着させた基板を密着容器内に保
つことにより成し遂げられる。該被膜を大気から遮断す
るための該有機質の保護膜や該容器としては透水性が少
なく、且つｓｏｏ−ｔｒｏｏｎｍ の波長の光が、該被
膜面上にて３ｏ ｍｗ／＋＋ｆ以上の強度を満足できる
程度に透明であることが好ましい。該被膜に光を照射す
るのに妨げとならない部位に関しては必らずしも透明で
ある必要はない。また該被膜を付着せしめた耐熱性基板
が前述程度の透明性を有し、かつ該基板面より光を照射
することが可能な構造である場合には、該密閉容器また
は有機質の保護膜は必らずしも透明である必要はない。
大気から遮断するには該被膜の上に有機質の保護膜を付
着させたり、該被膜を付着させた基板を密着容器内に保
つことにより成し遂げられる。該被膜を大気から遮断す
るための該有機質の保護膜や該容器としては透水性が少
なく、且つｓｏｏ−ｔｒｏｏｎｍ の波長の光が、該被
膜面上にて３ｏ ｍｗ／＋＋ｆ以上の強度を満足できる
程度に透明であることが好ましい。該被膜に光を照射す
るのに妨げとならない部位に関しては必らずしも透明で
ある必要はない。また該被膜を付着せしめた耐熱性基板
が前述程度の透明性を有し、かつ該基板面より光を照射
することが可能な構造である場合には、該密閉容器また
は有機質の保護膜は必らずしも透明である必要はない。
通常、有機質の保護膜としては透水性が少なく、且つ接
着性の大なるものが好ましく、一般にはニゲキシ樹脂、
ポリエステル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、
ポリエチレン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリ
スチレン樹脂等が用いられる。透明電導膜が付着する耐
熱基板が不透明な場合には前述の樹脂のうち透明なもの
を選択する必要がある。有機質の保護膜を形成する方法
としては前記樹脂を含む有機溶媒ｄ液を塗布したり、ま
たは前記樹脂系の接着剤を予め塗布しである樹脂テープ
を貼り付けたりする方法がとられる。また゛、被膜を付
着させた基板を密閉容器内に保って該被膜を大気から遮
断するにはデシケータ内に該基板を保ったり、密閉した
箱や袋の中に該基板を入れたりすることによって成し遂
げられる。また、該被膜を付着せしめた基板の該被膜面
側に、通気性の小さい板状物、例えばガラス・セラミッ
ク・金属・プラスチックなどの板、をスペーサーを介し
てまたは介さずに周辺をすきまなく接着せしめることに
より該被膜を大気から遮断することもできる。こ・の時
、透明電導膜を付着せしめた耐熱基板が透明な時は、該
板状物として透明・不透明のいずれをも選択できるが、
それが不透明であれば板状物として透明なものを選ばな
ければならない。また透明電導膜を付着せしめた耐熱基
板と板状物を、スペーサーを介してまたは介さずに周辺
をすきまなく接着せしめることにより生ずる該被膜面と
板状物の間の空間に液体、たとえば液晶、を満たしたの
ち、透明被膜に光を照射しても良い。
着性の大なるものが好ましく、一般にはニゲキシ樹脂、
ポリエステル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、
ポリエチレン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリ
スチレン樹脂等が用いられる。透明電導膜が付着する耐
熱基板が不透明な場合には前述の樹脂のうち透明なもの
を選択する必要がある。有機質の保護膜を形成する方法
としては前記樹脂を含む有機溶媒ｄ液を塗布したり、ま
たは前記樹脂系の接着剤を予め塗布しである樹脂テープ
を貼り付けたりする方法がとられる。また゛、被膜を付
着させた基板を密閉容器内に保って該被膜を大気から遮
断するにはデシケータ内に該基板を保ったり、密閉した
箱や袋の中に該基板を入れたりすることによって成し遂
げられる。また、該被膜を付着せしめた基板の該被膜面
側に、通気性の小さい板状物、例えばガラス・セラミッ
ク・金属・プラスチックなどの板、をスペーサーを介し
てまたは介さずに周辺をすきまなく接着せしめることに
より該被膜を大気から遮断することもできる。こ・の時
、透明電導膜を付着せしめた耐熱基板が透明な時は、該
板状物として透明・不透明のいずれをも選択できるが、
それが不透明であれば板状物として透明なものを選ばな
ければならない。また透明電導膜を付着せしめた耐熱基
板と板状物を、スペーサーを介してまたは介さずに周辺
をすきまなく接着せしめることにより生ずる該被膜面と
板状物の間の空間に液体、たとえば液晶、を満たしたの
ち、透明被膜に光を照射しても良い。
作 用
本発明は酸化インジウム、酸化錫、酸化アンチモン、ま
たはそれらの混合物からなる被膜を大気から遮断した後
、該被膜に３ｏｍｖｒ７ｃｉｔ 以上の強度の光を照射
することにより、該被膜の電気抵抗を低くすることがで
きる。しかも本発明は光照射するに先だって該被膜を大
気から遮断するものであるから、光照射を終了した後に
該被膜が大気に洒されることがないため、該被膜の電気
抵抗が時間の経過にともなって高くなることはない。
たはそれらの混合物からなる被膜を大気から遮断した後
、該被膜に３ｏｍｖｒ７ｃｉｔ 以上の強度の光を照射
することにより、該被膜の電気抵抗を低くすることがで
きる。しかも本発明は光照射するに先だって該被膜を大
気から遮断するものであるから、光照射を終了した後に
該被膜が大気に洒されることがないため、該被膜の電気
抵抗が時間の経過にともなって高くなることはない。
以下本発明の実施例について説明する。
実施例１
有機インジウム化合物としてλ−エチルヘキシル酸イン
ジウム（Ｉｎ （ＱＣＯＣＨ（０２Ｈ５）０４Ｈ９）
３ ）／Ｊ、５重量部、有機錫化合物としてコーエチル
ヘキシル酸錫（Ｓｎ （０ＣＯＣＲ（Ｃｊ２Ｈ５）Ｃ４
Ｈ９）２ ）１重量部、エチルセルロース７５重量部、
ターピネオール６０重量部、及びポリプロピレングリコ
ール２夕重量部の混合物から成るペーストを作り、フィ
ルムアプリケータを用い、ガラス板（／、／ｍｓ厚、大
きさｊｃｍＸ ／ Ｏｃｍ ）上に順次塗布した。次い
でこれらの試料を温度２３″Ｃ１湿度１０％の恒温恒湿
槽に／ｊ分間静置した後／ｊＯ″Ｃの乾燥炉で２０分間
乾燥し、その後ｊＯＯ″Ｃの熱風循環式焼成炉で３０分
間焼成し、ガラス板の表面に酸化インジウムと酸化錫の
混合物からなる約／１１００にの厚みの透明電導膜を形
成した。その直後各試料の電導膜表面にそれぞれ一本の
銅線の一端をそれらの間隔が１ＣＴｎとなるよう銀ペー
ストで固定し、２本の銅線間の電気抵抗を測定したとこ
ろ、試料の面積抵抗は夫々Ｊ、ｌＩＫΩであった。この
試料の透明型導膜側をゲリエステルフイルム（１００μ
ｍ厚、大きさｊｃ＋＋＋ｘ／ Ｑｃｍ ）で覆い、さ
らにエポキシ樹脂で周辺をシールした。さらに高圧水銀
灯（−１０ＯＷ）を３分間、２０Ｃｍの距離で試料の基
板裏側から照射して本発明に係る試料Ａを製作した。こ
の試料Ａの被膜形成直後、光照射直後、１日経過後、及
び！日経過後の夫々の面積抵抗の測定結果を第１表に示
した。
ジウム（Ｉｎ （ＱＣＯＣＨ（０２Ｈ５）０４Ｈ９）
３ ）／Ｊ、５重量部、有機錫化合物としてコーエチル
ヘキシル酸錫（Ｓｎ （０ＣＯＣＲ（Ｃｊ２Ｈ５）Ｃ４
Ｈ９）２ ）１重量部、エチルセルロース７５重量部、
ターピネオール６０重量部、及びポリプロピレングリコ
ール２夕重量部の混合物から成るペーストを作り、フィ
ルムアプリケータを用い、ガラス板（／、／ｍｓ厚、大
きさｊｃｍＸ ／ Ｏｃｍ ）上に順次塗布した。次い
でこれらの試料を温度２３″Ｃ１湿度１０％の恒温恒湿
槽に／ｊ分間静置した後／ｊＯ″Ｃの乾燥炉で２０分間
乾燥し、その後ｊＯＯ″Ｃの熱風循環式焼成炉で３０分
間焼成し、ガラス板の表面に酸化インジウムと酸化錫の
混合物からなる約／１１００にの厚みの透明電導膜を形
成した。その直後各試料の電導膜表面にそれぞれ一本の
銅線の一端をそれらの間隔が１ＣＴｎとなるよう銀ペー
ストで固定し、２本の銅線間の電気抵抗を測定したとこ
ろ、試料の面積抵抗は夫々Ｊ、ｌＩＫΩであった。この
試料の透明型導膜側をゲリエステルフイルム（１００μ
ｍ厚、大きさｊｃ＋＋＋ｘ／ Ｑｃｍ ）で覆い、さ
らにエポキシ樹脂で周辺をシールした。さらに高圧水銀
灯（−１０ＯＷ）を３分間、２０Ｃｍの距離で試料の基
板裏側から照射して本発明に係る試料Ａを製作した。こ
の試料Ａの被膜形成直後、光照射直後、１日経過後、及
び！日経過後の夫々の面積抵抗の測定結果を第１表に示
した。
第 ｌ 表
実施例２
第２表及び第３表に示すインジウム化合物錫化合物、ア
ンチモン化合物のうち一種または二種を溶媒に溶解した
溶液（Ｄ乃至Ｆ）にガラス板（／、／ｗｓ、大きさ３Ｃ
ＴｎｘｊＣＴｎ）を浸漬して、インジウム化合物、錫化
合物、アンチモン化合物の少なくとも一種をガラス板面
に塗布した後、温度２ｊ”ｃ。
ンチモン化合物のうち一種または二種を溶媒に溶解した
溶液（Ｄ乃至Ｆ）にガラス板（／、／ｗｓ、大きさ３Ｃ
ＴｎｘｊＣＴｎ）を浸漬して、インジウム化合物、錫化
合物、アンチモン化合物の少なくとも一種をガラス板面
に塗布した後、温度２ｊ”ｃ。
湿度６０％恒温恒湿槽に７５分間静置した後、ｌｊＯ″
Ｃの乾燥炉で２０分間乾燥し、その後ｓ ｏ ｏ’ｃの
熱風循環式焼成炉で３０分焼成して、ガラス板の表面に
酸化インジウム、酸化錫、酸化アンチモンの一種又はそ
れらの混合物からなる約１０ＯＯＡ厚みの透明電導膜を
形成した。
Ｃの乾燥炉で２０分間乾燥し、その後ｓ ｏ ｏ’ｃの
熱風循環式焼成炉で３０分焼成して、ガラス板の表面に
酸化インジウム、酸化錫、酸化アンチモンの一種又はそ
れらの混合物からなる約１０ＯＯＡ厚みの透明電導膜を
形成した。
これらの透明電導膜付着ガラス板をガラス製デシケータ
に入れて大気から遮断したのち、り（７ｍｗ／ｄの強度
の光を照射して本発明に係る試料Ｄ−／。
に入れて大気から遮断したのち、り（７ｍｗ／ｄの強度
の光を照射して本発明に係る試料Ｄ−／。
Ｅ−／ 、Ｆ−／ 、Ｇ−／ 、Ｈ−／ 、 Ｉ−／
、Ｊ−／ 、及びに−／を製作した。これらの試料の光
照射前、光照射直後、及びｌケ月経過後の夫々の面積抵
抗の測定結果を第ダ表に示した。
、Ｊ−／ 、及びに−／を製作した。これらの試料の光
照射前、光照射直後、及びｌケ月経過後の夫々の面積抵
抗の測定結果を第ダ表に示した。
比較例１
実施例１と全く同様にして、厚さ／、７ｍ、大きさｊｃ
ｌｌＸ ／ Ｏｃｍの２枚のガラス板上に夫々酸化イン
ジウムと酸化錫の混合物からなる約／ｌ１００Ａの厚み
の透明電導膜を形成した。この比較試料に実施例１と同
様に光の照射をし、しか名後に一方の比較試料について
は実施例１と同様に透明電導腹側を大気から遮断して比
較試料Ｂを、他方の比較試料についてはそのまま空気中
に放置して比較試料Ｃを製作した。これらの比較試料Ｂ
、Ｏの被膜形成直後、光照射直後、旧経過後、及びざ日
経過後の夫々の面積抵抗の測定結果を第１表に示した。
ｌｌＸ ／ Ｏｃｍの２枚のガラス板上に夫々酸化イン
ジウムと酸化錫の混合物からなる約／ｌ１００Ａの厚み
の透明電導膜を形成した。この比較試料に実施例１と同
様に光の照射をし、しか名後に一方の比較試料について
は実施例１と同様に透明電導腹側を大気から遮断して比
較試料Ｂを、他方の比較試料についてはそのまま空気中
に放置して比較試料Ｃを製作した。これらの比較試料Ｂ
、Ｏの被膜形成直後、光照射直後、旧経過後、及びざ日
経過後の夫々の面積抵抗の測定結果を第１表に示した。
比較例２
実施例１と全く同様にして第２表及び第３表に示したイ
ンジウム化合物、錫化合物、アンチモン化合物のうち一
種または二種を溶媒に溶解した溶液（Ｄ乃至Ｆ）を用い
て、ガラス板（厚さハ／謔。
ンジウム化合物、錫化合物、アンチモン化合物のうち一
種または二種を溶媒に溶解した溶液（Ｄ乃至Ｆ）を用い
て、ガラス板（厚さハ／謔。
大きさＪｃｍｘｊｃｍ ）の表面に酸化インジウム、酸
化錫、酸化アンチモンの一種又はそれらの混合物からな
るｔｏｏｏＸ厚みの透明電導膜を形成した。
化錫、酸化アンチモンの一種又はそれらの混合物からな
るｔｏｏｏＸ厚みの透明電導膜を形成した。
これらの透明電導膜付着ガラス板にｌＯＯｍＷ／ｃｄの
強度の光を照射した後ガラス製デシケータに入れて大気
から遮断した、比較試料Ｄ−２，Ｅ−２゜Ｆ−ｘ＊Ｇ−
２，Ｈ−２、Ｉ−２、Ｊ−２及びに−，２を製作した。
強度の光を照射した後ガラス製デシケータに入れて大気
から遮断した、比較試料Ｄ−２，Ｅ−２゜Ｆ−ｘ＊Ｇ−
２，Ｈ−２、Ｉ−２、Ｊ−２及びに−，２を製作した。
これらの比較試料の光照射前、光照射直後、大気遮断後
、及び７ケ月経過後の夫々の面積抵抗の測定を第１表に
示した。
、及び７ケ月経過後の夫々の面積抵抗の測定を第１表に
示した。
発明の効果
第 ｌ 表
本発明は酸化インジウム、酸化錫、酸化アンチモンまた
はそれらの混合物からなる被膜を大気から遮断した後、
該被膜に３０ｍＷ／ｃｄ以上の強度の光を照射すること
により、該被膜の電気抵抗を低くすることができる。
はそれらの混合物からなる被膜を大気から遮断した後、
該被膜に３０ｍＷ／ｃｄ以上の強度の光を照射すること
により、該被膜の電気抵抗を低くすることができる。
その上、本発明は光照射するに先だって、該被膜を大気
から遮断するものであるから、光照射を終了した後に被
膜が大気に洒されることがないため、該被膜の電気抵抗
が時間の経過にともなって高くなることはない。
から遮断するものであるから、光照射を終了した後に被
膜が大気に洒されることがないため、該被膜の電気抵抗
が時間の経過にともなって高くなることはない。
そして、本発明は被膜を大気から遮断したのち、光照射
するものであるから、光照射後、被膜を大気から遮断し
たものに比較しても該被膜の電気抵抗を低くすることが
できる。
するものであるから、光照射後、被膜を大気から遮断し
たものに比較しても該被膜の電気抵抗を低くすることが
できる。
Claims (2)
- （１）インジウム化合物、錫化合物、またはアンチモン
化合物の少なくともいずれか一方を含有する有機溶媒液
、またはペーストを耐熱基板に塗布し、その後焼成する
ことにより、該耐熱基板に酸化インジウム、酸化錫、酸
化アンチモン、またはそれらの混合物からなる被膜を形
成せしめる方法において、該被膜を大気から遮断したの
ちに該被膜に３０ｍｗ／ｃｍ＾２以上の強度の光を照射
することを特徴とする透明電導膜付着基板の製造方法。 - （２）被膜付着基板を密閉容器内に保つか、あるいは該
被膜付着基板の該被膜上に保護膜を形成して、該被膜を
大気から遮断する特許請求の範囲第１項に記載の透明電
導膜付着基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10067485A JPS61261234A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 透明電導膜付着基体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10067485A JPS61261234A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 透明電導膜付着基体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61261234A true JPS61261234A (ja) | 1986-11-19 |
| JPH0575706B2 JPH0575706B2 (ja) | 1993-10-21 |
Family
ID=14280304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10067485A Granted JPS61261234A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 透明電導膜付着基体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61261234A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0280353A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-03-20 | Saint Gobain Vitrage | 導電性コーティングを有するガラス板及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-05-13 JP JP10067485A patent/JPS61261234A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0280353A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-03-20 | Saint Gobain Vitrage | 導電性コーティングを有するガラス板及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0575706B2 (ja) | 1993-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100188492B1 (ko) | 알칼리금속 확산 차단 층 | |
| JPH0160548B2 (ja) | ||
| JPS63184210A (ja) | 透明導電体の製造方法 | |
| CN104858193B (zh) | 玻璃基板的紫外光清洗装置 | |
| GB1181052A (en) | Method of Applying Coatings of Tin Oxide upon Substrates | |
| US2919212A (en) | Electrically conducting glass and method for producing same | |
| US2825634A (en) | Glass articles, compositions and methods of producing same | |
| JPS61261234A (ja) | 透明電導膜付着基体の製造方法 | |
| JP2001035273A (ja) | 透明導電膜のシート抵抗値の調整方法及び透明導電膜の形成方法 | |
| CN104460100B (zh) | 显示基板和显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| JP4099911B2 (ja) | 透明導電膜形成基板及び形成方法 | |
| JPH0892733A (ja) | 金属酸化物薄層の付着方法及び付着装置 | |
| GB718189A (en) | Improvements in and relating to the production of electrically conductive films | |
| JPS60243280A (ja) | 透明電極形成方法 | |
| US2769778A (en) | Method of making transparent conducting films by cathode sputtering | |
| JPS60157109A (ja) | 透明電導膜付着基体の製造方法 | |
| Poonthong et al. | Performance Analysis of Ti‐Doped In2O3 Thin Films Prepared by Various Doping Concentrations Using RF Magnetron Sputtering for Light‐Emitting Device | |
| JPS60255977A (ja) | 透明電導膜付着基体の製造方法 | |
| GB1338337A (en) | Cadmium sulphide thin film sustained conductivity device and method for making same | |
| US3832298A (en) | Method for producing a photoconductive element | |
| JP2595553B2 (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| JP2589696B2 (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| JPH03190201A (ja) | 抵抗材料及びこれらから製造された温度測定用センサー中の温度依存性抵抗層 | |
| TWI514424B (zh) | 導電膜及其製法 | |
| JPS60243279A (ja) | 透明電極形成方法 |