JPS61254078A - コツクロフト型昇圧回路 - Google Patents
コツクロフト型昇圧回路Info
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- JPS61254078A JPS61254078A JP9274185A JP9274185A JPS61254078A JP S61254078 A JPS61254078 A JP S61254078A JP 9274185 A JP9274185 A JP 9274185A JP 9274185 A JP9274185 A JP 9274185A JP S61254078 A JPS61254078 A JP S61254078A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- booster circuit
- circuit
- type booster
- mos transistors
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
- H02M7/04—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/12—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/21—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/217—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M7/25—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only arranged for operation in series, e.g. for multiplication of voltage
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、コックロフト型昇圧回路を有する半導体集
積回路装置に関する。
積回路装置に関する。
この発明は、コックロフト型昇圧回路を有する半導体集
積回路において、その昇圧回路を構成するＭＯＳトラン
ジスタに異なる２種類以上のしきい値電圧のＭＯＥｉ）
ランジス／を使用することにより、一段当りの昇圧転送
効率金高め、高い出力電圧を得るととができるようにし
たものである。
積回路において、その昇圧回路を構成するＭＯＳトラン
ジスタに異なる２種類以上のしきい値電圧のＭＯＥｉ）
ランジス／を使用することにより、一段当りの昇圧転送
効率金高め、高い出力電圧を得るととができるようにし
たものである。
従来、第２図に示すように同一のしきい値電圧のＭＯ９
）ランジスメを使用したコックロフト型昇圧回路が知ら
ｎていた。ただし、この回路例は、こｎを構成するＭＯ
Ｂ ）ランジスタｔ−ｎ型ＭＯ日トランジスタとし１つ
のウェルの中に形成さｎたものとした。
）ランジスメを使用したコックロフト型昇圧回路が知ら
ｎていた。ただし、この回路例は、こｎを構成するＭＯ
Ｂ ）ランジスタｔ−ｎ型ＭＯ日トランジスタとし１つ
のウェルの中に形成さｎたものとした。
しかし、従来の回路では、まず、一つのウェル中１／（
ＭＯＳトランジスタを形成した回路の場合、より後段側
になるにつｎｓ ” Ｏ８）ランジスタの基板効果がは
げしくなるため、一段当りの昇圧転送効率が低くなり、
小さな出力電圧しか得ら心ないという欠点があった。ま
た、ＭｏＳトランジスタのウェルを別々にすることによ
り、基板効果を防ごうとすると、レイアウト上、大きな
面積を必要とする欠点がおった。
ＭＯＳトランジスタを形成した回路の場合、より後段側
になるにつｎｓ ” Ｏ８）ランジスタの基板効果がは
げしくなるため、一段当りの昇圧転送効率が低くなり、
小さな出力電圧しか得ら心ないという欠点があった。ま
た、ＭｏＳトランジスタのウェルを別々にすることによ
り、基板効果を防ごうとすると、レイアウト上、大きな
面積を必要とする欠点がおった。
そこで、この発明は、従来のむのような欠点を解決する
ため、一つのウェル中においてＭＯＳトランジスタ七形
成した場合でも、基板効果による昇圧転送効率の低下金
軽減し、高い出力電圧を得ることを目的としている。
ため、一つのウェル中においてＭＯＳトランジスタ七形
成した場合でも、基板効果による昇圧転送効率の低下金
軽減し、高い出力電圧を得ることを目的としている。
上記問題点を解決するために、この発明は、コックロフ
ト型昇圧回Ｐ６ｔ−有する半導体集積回路装置において
、この回Ｐ６ｔ−構成す為ＭＯｆｆ）ランジスタに、初
段側より後段側に低いしきい値電圧のＭＯＢ）ランジス
タを使用することとし、一段当りの昇圧転送動″４ｆ：
高め、高い出力電圧を得るようＫした。
ト型昇圧回Ｐ６ｔ−有する半導体集積回路装置において
、この回Ｐ６ｔ−構成す為ＭＯｆｆ）ランジスタに、初
段側より後段側に低いしきい値電圧のＭＯＢ）ランジス
タを使用することとし、一段当りの昇圧転送動″４ｆ：
高め、高い出力電圧を得るようＫした。
上記のように構成さｎた回路では、後段側を構成するＭ
Ｏ１３）ランジスタのしきい値電圧が低いために、基板
効果による見かけ上のしきい値電圧の増７１Ｉｌｌを補
償し、一段当りの昇圧転送効率を高め、よって、高い出
力電圧を得ることができるのである。
Ｏ１３）ランジスタのしきい値電圧が低いために、基板
効果による見かけ上のしきい値電圧の増７１Ｉｌｌを補
償し、一段当りの昇圧転送効率を高め、よって、高い出
力電圧を得ることができるのである。
以下にこの発明の実施例上図面にもとづいて説明する。
第１図はコックロフト型昇圧＠路において、そｒＬ！構
成するＭＯＢ）ランジスタに、前段側４二ンハンスメン
ト形、後段側５にディプレッション形の％屋ＭＯＢ）２
ンジスタを使用した回路例図である。
成するＭＯＢ）ランジスタに、前段側４二ンハンスメン
ト形、後段側５にディプレッション形の％屋ＭＯＢ）２
ンジスタを使用した回路例図である。
第８図は、従来の第２因の回路例と本発明にかかわる第
１図の回路例における、電源電圧依存と開放出力の概略
図である。ただし段数は同じとし、従来の回路例は、そ
ｎを構成するＭＯＢ）ランクｘｌはすべて同一のしきい
値電圧のエンハンスメント形のＭ＠Ｅｉ）ランジスメと
した。
１図の回路例における、電源電圧依存と開放出力の概略
図である。ただし段数は同じとし、従来の回路例は、そ
ｎを構成するＭＯＢ）ランクｘｌはすべて同一のしきい
値電圧のエンハンスメント形のＭ＠Ｅｉ）ランジスメと
した。
この結果、同じ段数でも、本発明の回路例の方が従来の
回路例よりも高い出力電圧を得ることができる。
回路例よりも高い出力電圧を得ることができる。
以上のような実施例から、フックロア′ト製昇圧回路を
構成するＭＯＢ）ランジスタに異なる２種類以上のしき
い値電圧を有効に使用するととｋより、従来の回路より
高い出力電圧を得ることができるあてちる。ここでは、
外型ＭＯＢトランジスタの実施例をとり説明したが、ア
型ＭＯ５１）ランジスタにおいても、同様であることは
、言明するまでもない。
構成するＭＯＢ）ランジスタに異なる２種類以上のしき
い値電圧を有効に使用するととｋより、従来の回路より
高い出力電圧を得ることができるあてちる。ここでは、
外型ＭＯＢトランジスタの実施例をとり説明したが、ア
型ＭＯ５１）ランジスタにおいても、同様であることは
、言明するまでもない。
この発明は以上説明したように、コックロフト型昇圧回
路を構成するＭＯｌｉｌ）ランジスタに異なる２種類以
上のしきいｇ１電圧のＭＯＥｉ ）ランジスタを有効に
使用することで、一段当りの昇圧転送動＊を高め、高い
出力電圧を得ることができる効果がある。
路を構成するＭＯｌｉｌ）ランジスタに異なる２種類以
上のしきいｇ１電圧のＭＯＥｉ ）ランジスタを有効に
使用することで、一段当りの昇圧転送動＊を高め、高い
出力電圧を得ることができる効果がある。
第１図は、との発明にかがる異なる２ｓ類以上のしきい
値電圧のＭＯＢ）ランジスタで構成さｎた時の回路図で
ある。 第２図は、従来のコックロフト呈昇圧回路図である。 第８図は、従来の回路例と本発明にかかわる回路例にお
ける、電源電圧依存と開放出力特性の概略図である。 １０００．０ＴＪ ２０００．ＣＴＪ ８゜、、、Ｏｆｆ’ｌ’ ４・・・・前段側 ６・・・・後段側 ６ｅ＊＊＊出力特性 ７・・・・出力特性 以上
値電圧のＭＯＢ）ランジスタで構成さｎた時の回路図で
ある。 第２図は、従来のコックロフト呈昇圧回路図である。 第８図は、従来の回路例と本発明にかかわる回路例にお
ける、電源電圧依存と開放出力特性の概略図である。 １０００．０ＴＪ ２０００．ＣＴＪ ８゜、、、Ｏｆｆ’ｌ’ ４・・・・前段側 ６・・・・後段側 ６ｅ＊＊＊出力特性 ７・・・・出力特性 以上
Claims (2)
- （１）コックロフト型昇圧回路を有する半導体集積回路
において、その昇圧回路を構成するＭＯＳトランジスタ
に異なる２種類以上のしきい値電圧のＭＯＳトランジス
タを使用することを特徴とするコックロフト型昇圧回路
。 - （２）前記回路を構成するＭＯＳトランジスタに初段側
より後段側に、低いしきい値電圧のＭＯＳトランジスタ
を使用することを特徴とする特許請求第１項記載のコッ
クロフト型昇圧回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9274185A JPS61254078A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | コツクロフト型昇圧回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9274185A JPS61254078A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | コツクロフト型昇圧回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61254078A true JPS61254078A (ja) | 1986-11-11 |
Family
ID=14062838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9274185A Pending JPS61254078A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | コツクロフト型昇圧回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61254078A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0694971A2 (en) * | 1994-07-25 | 1996-01-31 | Seiko Instruments Inc. | Semiconductor integrated circuit device and electronic apparatus in use thereof |
| US6603346B2 (en) | 1994-04-20 | 2003-08-05 | Nippon Steel Corporation | Semiconductor booster circuit having cascaded MOS transistors |
| US6774707B1 (en) * | 2002-01-14 | 2004-08-10 | Altera Corporation | Charge pump circuits and methods |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51147188A (en) * | 1975-06-12 | 1976-12-17 | Nec Corp | Semicoductor device |
-
1985
- 1985-04-30 JP JP9274185A patent/JPS61254078A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51147188A (en) * | 1975-06-12 | 1976-12-17 | Nec Corp | Semicoductor device |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6603346B2 (en) | 1994-04-20 | 2003-08-05 | Nippon Steel Corporation | Semiconductor booster circuit having cascaded MOS transistors |
| US7102422B1 (en) | 1994-04-20 | 2006-09-05 | Nippon Steel Corporation | Semiconductor booster circuit having cascaded MOS transistors |
| EP0694971A2 (en) * | 1994-07-25 | 1996-01-31 | Seiko Instruments Inc. | Semiconductor integrated circuit device and electronic apparatus in use thereof |
| EP0694971A3 (en) * | 1994-07-25 | 1998-01-07 | Seiko Instruments Inc. | Semiconductor integrated circuit device and electronic apparatus in use thereof |
| CN100336224C (zh) * | 1994-07-25 | 2007-09-05 | 精工电子工业株式会社 | 半导体集成电路器件以及使用它们的电子装置 |
| US6774707B1 (en) * | 2002-01-14 | 2004-08-10 | Altera Corporation | Charge pump circuits and methods |
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