JPS61250163A - 多層薄膜の製造方法および装置 - Google Patents

多層薄膜の製造方法および装置

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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63274756A (ja) * 1987-04-28 1988-11-11 Toda Kogyo Corp 真空蒸着多層薄膜形成装置
JPS63274761A (ja) * 1987-04-28 1988-11-11 Toda Kogyo Corp 真空蒸着多層薄膜形成装置
JPH01123065A (ja) * 1987-11-05 1989-05-16 Fuji Electric Co Ltd 薄膜形成装置
JPH01301851A (ja) * 1988-05-30 1989-12-06 Sanyo Shinku Kogyo Kk スパッタリングによる透明導電膜の製造装置
JPH02107757A (ja) * 1988-10-15 1990-04-19 Koji Hashimoto アモルファス超格子合金の作製法
JP2006150160A (ja) * 2004-11-25 2006-06-15 Hosokawa Funtai Gijutsu Kenkyusho:Kk 粉体膜形成装置
JP2006219753A (ja) * 2005-02-14 2006-08-24 Shincron:Kk 薄膜形成装置
JP2008257239A (ja) * 2008-03-31 2008-10-23 Hoya Corp 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造装置
WO2010073711A1 (ja) * 2008-12-26 2010-07-01 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置、スパッタリング方法及び電子デバイスの製造方法
US8012314B2 (en) 2000-09-12 2011-09-06 Hoya Corporation Manufacturing method and apparatus of phase shift mask blank
WO2017110464A1 (ja) * 2015-12-24 2017-06-29 コニカミノルタ株式会社 成膜装置および成膜方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0737667B2 (ja) * 1990-01-25 1995-04-26 工業技術院長 薄膜堆積方法
JP4521606B2 (ja) * 2000-02-29 2010-08-11 株式会社昭和真空 薄膜製造装置に於ける膜厚分布制御方法及びその装置
US11224871B2 (en) 2017-05-17 2022-01-18 Asahi Kasei Medical Co., Ltd. Phosphate adsorbing agent for blood processing, blood processing system and blood processing method

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4912838A (enExample) * 1972-05-15 1974-02-04

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4912838A (enExample) * 1972-05-15 1974-02-04

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63274761A (ja) * 1987-04-28 1988-11-11 Toda Kogyo Corp 真空蒸着多層薄膜形成装置
JPS63274756A (ja) * 1987-04-28 1988-11-11 Toda Kogyo Corp 真空蒸着多層薄膜形成装置
JPH01123065A (ja) * 1987-11-05 1989-05-16 Fuji Electric Co Ltd 薄膜形成装置
JPH01301851A (ja) * 1988-05-30 1989-12-06 Sanyo Shinku Kogyo Kk スパッタリングによる透明導電膜の製造装置
JPH02107757A (ja) * 1988-10-15 1990-04-19 Koji Hashimoto アモルファス超格子合金の作製法
US8012314B2 (en) 2000-09-12 2011-09-06 Hoya Corporation Manufacturing method and apparatus of phase shift mask blank
JP2006150160A (ja) * 2004-11-25 2006-06-15 Hosokawa Funtai Gijutsu Kenkyusho:Kk 粉体膜形成装置
JP2006219753A (ja) * 2005-02-14 2006-08-24 Shincron:Kk 薄膜形成装置
JP2008257239A (ja) * 2008-03-31 2008-10-23 Hoya Corp 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造装置
WO2010073711A1 (ja) * 2008-12-26 2010-07-01 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置、スパッタリング方法及び電子デバイスの製造方法
JP2011149104A (ja) * 2008-12-26 2011-08-04 Canon Anelva Corp スパッタリング装置、スパッタリング方法及び電子デバイスの製造方法
JP4739464B2 (ja) * 2008-12-26 2011-08-03 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置、スパッタリング方法及び電子デバイスの製造方法
CN102227514A (zh) * 2008-12-26 2011-10-26 佳能安内华股份有限公司 溅射装置、溅射方法和电子器件制造方法
US8906208B2 (en) 2008-12-26 2014-12-09 Canon Anelva Corporation Sputtering apparatus, sputtering method, and electronic device manufacturing method
WO2017110464A1 (ja) * 2015-12-24 2017-06-29 コニカミノルタ株式会社 成膜装置および成膜方法
JPWO2017110464A1 (ja) * 2015-12-24 2018-10-18 コニカミノルタ株式会社 成膜装置および成膜方法

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JPH0156141B2 (enExample) 1989-11-29

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