JPS61240420A - 磁気ヘツドの研磨装置 - Google Patents
磁気ヘツドの研磨装置Info
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- JPS61240420A JPS61240420A JP8293785A JP8293785A JPS61240420A JP S61240420 A JPS61240420 A JP S61240420A JP 8293785 A JP8293785 A JP 8293785A JP 8293785 A JP8293785 A JP 8293785A JP S61240420 A JPS61240420 A JP S61240420A
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- insulating film
- polishing device
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
- G11B5/3166—Testing or indicating in relation thereto, e.g. before the fabrication is completed
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ヘッドの研磨装置に関する。
本発明は磁気ヘッドの研磨装置において、磁気ヘッドの
絶縁膜の形成と同時に形成される絶縁膜のパターンの上
下に配置されかつ磁気ヘッド先端側で結合された導体膜
の断線を検出することにより、２μｍ穆度以下にしなけ
ればならない磁気ヘッドのギャップ深さを精度よく決め
ることができるようｋしｔものである。
絶縁膜の形成と同時に形成される絶縁膜のパターンの上
下に配置されかつ磁気ヘッド先端側で結合された導体膜
の断線を検出することにより、２μｍ穆度以下にしなけ
ればならない磁気ヘッドのギャップ深さを精度よく決め
ることができるようｋしｔものである。
磁気ヘッドのギヤ９プ深さを決める几めの従来の研磨装
置は、Ｉ￥Ｉ開昭５７−１３３５１７の様に磁気ヘッド
以外の部分に形成され几研磨装量の抵抗変化によって研
磨終了点を知るもの、あるいけ信学会磁気配分研究会費
料ＭＲ７９−５８の様に研磨面からパターンを見て研磨
終了点を知るもの等であり７ｔ。
置は、Ｉ￥Ｉ開昭５７−１３３５１７の様に磁気ヘッド
以外の部分に形成され几研磨装量の抵抗変化によって研
磨終了点を知るもの、あるいけ信学会磁気配分研究会費
料ＭＲ７９−５８の様に研磨面からパターンを見て研磨
終了点を知るもの等であり７ｔ。
〔発明ｂζ解決しようとする問題点および目的〕磁気へ
−Ｉドのギヤ９プ深さけ、記録媒体に対向する磁気ヘッ
ド先端から、磁気ヘッドを構成する層間絶縁膜の先端ま
での距離である。このギャップ深さは磁気ヘッドの特性
を決める大きな要因の１つであり、１つの目安として２
μｍ以下、かつ特性のばらつきを抑える几めに寸法精度
も±１μ惧ｔＡ要求される。
−Ｉドのギヤ９プ深さけ、記録媒体に対向する磁気ヘッ
ド先端から、磁気ヘッドを構成する層間絶縁膜の先端ま
での距離である。このギャップ深さは磁気ヘッドの特性
を決める大きな要因の１つであり、１つの目安として２
μｍ以下、かつ特性のばらつきを抑える几めに寸法精度
も±１μ惧ｔＡ要求される。
このギャップ深さは磁気ヘッド先端を研磨することｋよ
って決まる。従って磁気ヘッドを構成する層間絶縁膜の
先端位置からどの位置を研磨しているのか、ま念研磨終
了点けどこかを精度良く検出できなければならない。
って決まる。従って磁気ヘッドを構成する層間絶縁膜の
先端位置からどの位置を研磨しているのか、ま念研磨終
了点けどこかを精度良く検出できなければならない。
しかし、従来技術では研磨装置自身気ヘッドの層間絶縁
膜の先端位置の情報がない。すなわち、磁気ヘプトの層
間絶縁膜と研磨装置が別々の工種で作られており、それ
ぞれの工種で用いるフォトマスクの位置合せずれ、ある
いけ層間絶縁膜の形成条件の変動による眉間絶縁膜先端
の位置ずれがあった場合、研磨装置自身にその位置ずれ
が反映せず、層間絶縁膜と研磨装置の位置関係を再測定
しなければならないという問題点６Ｃｈつ九〇そこで本
発明はこのような問題点を解決するもので、その目的と
するところは磁気ヘッドの研磨終了点を決めるパターン
すなわち磁気ヘッドの絶縁膜のパターンと研磨装置のパ
ターンを同一プロセスで作成することによって、研磨装
置と磁気ヘッドの位置関係を測定することなしに、研磨
装置からの信号の入によって研磨を修了させることので
きる研磨装置を提供することにある。
膜の先端位置の情報がない。すなわち、磁気ヘプトの層
間絶縁膜と研磨装置が別々の工種で作られており、それ
ぞれの工種で用いるフォトマスクの位置合せずれ、ある
いけ層間絶縁膜の形成条件の変動による眉間絶縁膜先端
の位置ずれがあった場合、研磨装置自身にその位置ずれ
が反映せず、層間絶縁膜と研磨装置の位置関係を再測定
しなければならないという問題点６Ｃｈつ九〇そこで本
発明はこのような問題点を解決するもので、その目的と
するところは磁気ヘッドの研磨終了点を決めるパターン
すなわち磁気ヘッドの絶縁膜のパターンと研磨装置のパ
ターンを同一プロセスで作成することによって、研磨装
置と磁気ヘッドの位置関係を測定することなしに、研磨
装置からの信号の入によって研磨を修了させることので
きる研磨装置を提供することにある。
ｒ問題点を解決するｔめの手段〕
本発明の磁気ヘッドの研磨装置は、軟磁性薄膜、導体薄
膜、絶縁膜を積層して成る磁気ヘッドにおいて、前記磁
気ヘッド以外の部分に前記絶縁膜と同時に形成される絶
縁膜、および該絶縁膜の上下に配置され、かつ、前記磁
気ヘッドのギャップ側で結合された導体薄膜から成るこ
とを特徴とする。
膜、絶縁膜を積層して成る磁気ヘッドにおいて、前記磁
気ヘッド以外の部分に前記絶縁膜と同時に形成される絶
縁膜、および該絶縁膜の上下に配置され、かつ、前記磁
気ヘッドのギャップ側で結合された導体薄膜から成るこ
とを特徴とする。
〔実施例１〕
第１図は本発明の第１の実施例における斜視図であり、
第２図は本発明の第１の実施例における磁気ヘッドと研
磨装置の断面図、および研磨装置の使Ｖ１方を示す図で
ある。
第２図は本発明の第１の実施例における磁気ヘッドと研
磨装置の断面図、および研磨装置の使Ｖ１方を示す図で
ある。
ｉｔ、磁気ヘッドはスライダー１１１となる基板上に薄
膜ブーセスによって数１００個形成される。
膜ブーセスによって数１００個形成される。
その後、切断、研削、研磨等機械加工によってスライダ
ー１１１が形成される。第１図は基板から切り出され７
ｔ１個のスライダー１１１で、溝１２２が加工され次状
態のものである。層間絶縁膜１１２、磁極１２１等で構
成される磁気ヘッドが２個形成されている。本発明の研
磨装量は磁気ヘッドの層間絶縁＠ １１２と同−工種で
形成される絶縁膜１１３、およびそのと下に配置され、
ヘッド先端側１１６で接合される導体膜１１４． １１
５で構成される。
ー１１１が形成される。第１図は基板から切り出され７
ｔ１個のスライダー１１１で、溝１２２が加工され次状
態のものである。層間絶縁膜１１２、磁極１２１等で構
成される磁気ヘッドが２個形成されている。本発明の研
磨装量は磁気ヘッドの層間絶縁＠ １１２と同−工種で
形成される絶縁膜１１３、およびそのと下に配置され、
ヘッド先端側１１６で接合される導体膜１１４． １１
５で構成される。
続いて２本発明の研磨装置の使い方ｆｔＪＥ２図を使っ
て使用する。第１図に示すようにスライｌ−１１１の先
端をＡとする。Ｇはギヤ９プ深さ０の位置、すなわち磁
気ヘッドの層間絶縁膜１１２の先端位置である。この状
態では研磨装置の導体薄膜１１４、 １１５は接合部１
１６で接合されている之めに導通がある。導体薄膜Ｎ４
，１１５はそれぞれ磁気ヘッド９の端子１１８と１１７
に接続されており、抵抗測申器のプローブを端子１１７
と１１８にあてることによって導体薄膜の導通、断線を
測定する。
て使用する。第１図に示すようにスライｌ−１１１の先
端をＡとする。Ｇはギヤ９プ深さ０の位置、すなわち磁
気ヘッドの層間絶縁膜１１２の先端位置である。この状
態では研磨装置の導体薄膜１１４、 １１５は接合部１
１６で接合されている之めに導通がある。導体薄膜Ｎ４
，１１５はそれぞれ磁気ヘッド９の端子１１８と１１７
に接続されており、抵抗測申器のプローブを端子１１７
と１１８にあてることによって導体薄膜の導通、断線を
測定する。
さて、ギャップ深さを所望の深さにするために磁気ヘッ
ド先端を研磨してゆくが、Ｂの位！＃まで研磨されたと
すると研磨装置の接合部１１６がなくなり導体薄膜１１
４と１１５の導通がなくなる′。この時、抵抗測定器ｈ
’−信岩を出すことＫよって研磨愼を停止させ研磨終了
とする。この時、磁気ヘッド先端の位置はＢにあり、Ｂ
とＧの間隔がギャップ深さａｄとなる。本実施例ではａ
ｄを２μｍとし之ｈｔ、この場合、磁気ヘッドの層間絶
縁５１１２ツバターンを形成するフォトマスクに、２μ
ｍずらして研磨装置の絶縁膜１１３のパターンを形成し
て卦いｔｏ 研磨が終了し念ら、第４図に示すように、スライ／−ｊ
ｊ１の形を仕上げる。この時、研磨装置の一部は消失す
る。
ド先端を研磨してゆくが、Ｂの位！＃まで研磨されたと
すると研磨装置の接合部１１６がなくなり導体薄膜１１
４と１１５の導通がなくなる′。この時、抵抗測定器ｈ
’−信岩を出すことＫよって研磨愼を停止させ研磨終了
とする。この時、磁気ヘッド先端の位置はＢにあり、Ｂ
とＧの間隔がギャップ深さａｄとなる。本実施例ではａ
ｄを２μｍとし之ｈｔ、この場合、磁気ヘッドの層間絶
縁５１１２ツバターンを形成するフォトマスクに、２μ
ｍずらして研磨装置の絶縁膜１１３のパターンを形成し
て卦いｔｏ 研磨が終了し念ら、第４図に示すように、スライ／−ｊ
ｊ１の形を仕上げる。この時、研磨装置の一部は消失す
る。
〔実施例２〕
第５図れ）は本発明の第２の実施例における斜視図であ
り、ａＳ図の）は＄５図れ）の円内の研磨装置部分を拡
大し友ものである。１枚の基板上に薄膜プロセスで形成
され之磁気ヘッド５０１を＄５図（ハ））のように−列
にして切ゆ出し、一括して研削、研磨する場合、磁気ヘ
ッド別に対して平行に研磨されているかどうかを確認す
る几めに、磁気ヘッド列の両端１．ＩＩＫ数個の研磨装
置５０４ｆ並列に接続して研磨装置を構成しておく。こ
の場合も、第１の実施例の様ｋ、研磨装置の絶縁膜５０
４のパターンは磁気ヘッド５０１の層間絶＃Ｉ膜形成用
のフォトマスクを用いて形暉する。
り、ａＳ図の）は＄５図れ）の円内の研磨装置部分を拡
大し友ものである。１枚の基板上に薄膜プロセスで形成
され之磁気ヘッド５０１を＄５図（ハ））のように−列
にして切ゆ出し、一括して研削、研磨する場合、磁気ヘ
ッド別に対して平行に研磨されているかどうかを確認す
る几めに、磁気ヘッド列の両端１．ＩＩＫ数個の研磨装
置５０４ｆ並列に接続して研磨装置を構成しておく。こ
の場合も、第１の実施例の様ｋ、研磨装置の絶縁膜５０
４のパターンは磁気ヘッド５０１の層間絶＃Ｉ膜形成用
のフォトマスクを用いて形暉する。
研磨を進めるに従りてＯ，Ｄ、Ｅ、Ｆの順に断ｍｈ’−
ｂコＦ）、６子５０６ト４子５’０７０間ノ抵抗／ｌｔ
Ｊ化する。研磨装置１と■の抵抗を測定することによっ
て研磨面の磁気ヘッド列に対する傾きを検出することが
で負で、研磨面の傾きを補正するととｈ＝ｆ＊る。本実
施例でけＯ，Ｄ、！、？、Ｇそれぞれの間隔を２μｍと
しており、抵抗変化を大きくするために研磨装置の導体
薄膜５０２と５０４の幅は１５μｍ、厚みは２μ情とし
ている。
ｂコＦ）、６子５０６ト４子５’０７０間ノ抵抗／ｌｔ
Ｊ化する。研磨装置１と■の抵抗を測定することによっ
て研磨面の磁気ヘッド列に対する傾きを検出することが
で負で、研磨面の傾きを補正するととｈ＝ｆ＊る。本実
施例でけＯ，Ｄ、！、？、Ｇそれぞれの間隔を２μｍと
しており、抵抗変化を大きくするために研磨装置の導体
薄膜５０２と５０４の幅は１５μｍ、厚みは２μ情とし
ている。
以上述べ友ように本発明によれば、研磨装置の絶縁膜と
磁気ヘッドの層間絶縁膜を同一のフォトマスクを用いて
同−１穆で形成することｋよって研磨装置と磁気ヘッド
の位置関係を測定することｔｃ＜ギャップ深さを精度よ
〈決めるととてできる。
磁気ヘッドの層間絶縁膜を同一のフォトマスクを用いて
同−１穆で形成することｋよって研磨装置と磁気ヘッド
の位置関係を測定することｔｃ＜ギャップ深さを精度よ
〈決めるととてできる。
ま几、従来の研磨装置では、哨６図（ロ））ｋ示すよ’
＋に磁気ヘッドの層間絶縁膜１１２の先端位置がフォト
マスク通りＫ Ｇ、の位置にあれば良いが、層間絶縁膜
の形成条件の変動によって０２の位置になったとすると
、研磨装置による研磨終了点ｐ、まで研磨すると研磨の
やりすぎとなって、その磁気ヘッドは不良となってしま
う。一方、本発明によれば図６（ｂ）に示すように絶縁
膜形成条件の変動あるいけフォトマスクの位置あわせず
れ等によって磁気ヘッドの層間絶縁膜１１２の先端位置
が０１から０２に移動しても、研磨装置の絶縁膜１１３
の先端位置もＰｌから、Ｐ、 Ｋ移動する友めに、研磨
終了点はｙとなってギヤリプ深さａｄは変動しないとい
う効果も有する。
＋に磁気ヘッドの層間絶縁膜１１２の先端位置がフォト
マスク通りＫ Ｇ、の位置にあれば良いが、層間絶縁膜
の形成条件の変動によって０２の位置になったとすると
、研磨装置による研磨終了点ｐ、まで研磨すると研磨の
やりすぎとなって、その磁気ヘッドは不良となってしま
う。一方、本発明によれば図６（ｂ）に示すように絶縁
膜形成条件の変動あるいけフォトマスクの位置あわせず
れ等によって磁気ヘッドの層間絶縁膜１１２の先端位置
が０１から０２に移動しても、研磨装置の絶縁膜１１３
の先端位置もＰｌから、Ｐ、 Ｋ移動する友めに、研磨
終了点はｙとなってギヤリプ深さａｄは変動しないとい
う効果も有する。
第１図は本発明の磁気ヘッドの研磨装置の第１の実施例
を示す斜視図。 ｆａ２図は本発明の磁気ヘッドの研磨装置と磁気へ・Ｉ
ドの位置関係を示す断面図。 第３図は磁気ヘッドと記録媒体の断面図。 第４図は本発明の第１の実施例の磁気ヘッドの研磨装置
を除去した状態の磁気ヘッドの斜視図。 第５図６）、ω）は本発明の第２の実施例の磁気ヘッド
の研磨装置の斜視図及び拡大図。 ９１１６図（ハ）Ｌｔｂ）は従来の研磨装置と本発明の
研磨装置の位置関係図。 １１１・・・・・・スライダー １１２・・・・・喚気ヘッドの眉間絶縁膜１１３・・・
・・母層装置の絶縁膜 １１４・・・・・量産装置の導体薄膜 １１５・・・・・・研磨装置の導体薄膜１１６・・・・
・・研磨装置の導体薄膜接合部１１７・・・・・・磁気
ヘーＩドの端子゛１１８・・・・・・磁気ヘッドの端子
１１９・・・・・・磁気ヘッドの端子 １２０・・・・・・磁気ヘッドの端子 １２１・・・・・・磁気ヘッドの磁極 １２２・・・・・・溝 Ａ・・・・・・研磨開始点 Ｂ・・・・・・研磨終了点 Ｇ・・・・・・ギャップ深さ００点 ２０１・・・・・・磁気ヘッドのコイル２０２・・・・
・・磁気ヘッドのギャップ２０３・・・・・・抵抗測定
器 ２０４・・・・・・研磨機 ａｄ・・・・・・ギヤリプ深さ ３０１・・・・・・記録媒体 ３０２・・・・・・磁気ヘッド進行方向５０１・・・・
・・磁気ヘッド ５０２・・・・・・研磨装置の導体薄膜５０３・・・・
・・研磨装置の導体薄膜５０４・・・・・・研磨装置の
絶縁膜 ５０５・・・・・・研磨装置の導体薄膜接合部５０６・
・・・・・研磨装置の端子 ５０７・・・・・・研磨装置の端子 ５０８・・・・・・基板 ６０１・・・・・・従来の研磨装置 Ｇ、・・・・・・磁気ヘーＩドの層間絶縁膜の先端Ｇ２
・・・・・・磁気ヘッドの層間絶縁膜の先端Ｐ１ ・
・・・・・研磨終了点
を示す斜視図。 ｆａ２図は本発明の磁気ヘッドの研磨装置と磁気へ・Ｉ
ドの位置関係を示す断面図。 第３図は磁気ヘッドと記録媒体の断面図。 第４図は本発明の第１の実施例の磁気ヘッドの研磨装置
を除去した状態の磁気ヘッドの斜視図。 第５図６）、ω）は本発明の第２の実施例の磁気ヘッド
の研磨装置の斜視図及び拡大図。 ９１１６図（ハ）Ｌｔｂ）は従来の研磨装置と本発明の
研磨装置の位置関係図。 １１１・・・・・・スライダー １１２・・・・・喚気ヘッドの眉間絶縁膜１１３・・・
・・母層装置の絶縁膜 １１４・・・・・量産装置の導体薄膜 １１５・・・・・・研磨装置の導体薄膜１１６・・・・
・・研磨装置の導体薄膜接合部１１７・・・・・・磁気
ヘーＩドの端子゛１１８・・・・・・磁気ヘッドの端子
１１９・・・・・・磁気ヘッドの端子 １２０・・・・・・磁気ヘッドの端子 １２１・・・・・・磁気ヘッドの磁極 １２２・・・・・・溝 Ａ・・・・・・研磨開始点 Ｂ・・・・・・研磨終了点 Ｇ・・・・・・ギャップ深さ００点 ２０１・・・・・・磁気ヘッドのコイル２０２・・・・
・・磁気ヘッドのギャップ２０３・・・・・・抵抗測定
器 ２０４・・・・・・研磨機 ａｄ・・・・・・ギヤリプ深さ ３０１・・・・・・記録媒体 ３０２・・・・・・磁気ヘッド進行方向５０１・・・・
・・磁気ヘッド ５０２・・・・・・研磨装置の導体薄膜５０３・・・・
・・研磨装置の導体薄膜５０４・・・・・・研磨装置の
絶縁膜 ５０５・・・・・・研磨装置の導体薄膜接合部５０６・
・・・・・研磨装置の端子 ５０７・・・・・・研磨装置の端子 ５０８・・・・・・基板 ６０１・・・・・・従来の研磨装置 Ｇ、・・・・・・磁気ヘーＩドの層間絶縁膜の先端Ｇ２
・・・・・・磁気ヘッドの層間絶縁膜の先端Ｐ１ ・
・・・・・研磨終了点
Claims (1)
- 軟磁性薄膜、導体薄膜、絶縁膜を積層して成る磁気ヘッ
ドにおいて、前記磁気ヘッド以外の部分に前記絶縁膜と
同時に形成される絶縁膜、および該絶縁膜の上下に配置
され、かつ、前記磁気ヘッドのギヤタブ側で結合された
導体薄膜から成ることを特徴とする磁気ヘッドの研磨装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8293785A JPS61240420A (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 磁気ヘツドの研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8293785A JPS61240420A (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 磁気ヘツドの研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61240420A true JPS61240420A (ja) | 1986-10-25 |
Family
ID=13788133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8293785A Pending JPS61240420A (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 磁気ヘツドの研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61240420A (ja) |
-
1985
- 1985-04-18 JP JP8293785A patent/JPS61240420A/ja active Pending
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