JPH08304010A - デプスセンサー - Google Patents
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- JPH08304010A JPH08304010A JP7106394A JP10639495A JPH08304010A JP H08304010 A JPH08304010 A JP H08304010A JP 7106394 A JP7106394 A JP 7106394A JP 10639495 A JP10639495 A JP 10639495A JP H08304010 A JPH08304010 A JP H08304010A
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- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
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- G11B5/398—Specially shaped layers
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N17/00—Investigating resistance of materials to the weather, to corrosion, or to light
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
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- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＲヘッドを作製する際に、デプス長を高精
度に検知することができるデプスセンサーを提供する。 【構成】 本発明のデプスセンサーは、ＭＲヘッドのデ
プス長を所定の長さにするためにＭＲヘッドを研磨する
際に、デプス長を検知するデプスセンサーである。そし
て、本発明のデプスセンサーは、ＭＲヘッドを研磨する
際にＭＲヘッドと共に研磨されて抵抗値が連続的に変化
する抵抗を有し、上記連続的に変化する抵抗値からデプ
ス長を検知するアナログセンサーを備えると共に、ＭＲ
ヘッドを研磨する際にＭＲヘッドと共に研磨されて抵抗
値が非連続的に変化する抵抗を有し、上記非連続的に変
化する抵抗値からデプス長を検知するデジタルセンサー
とを備える。
度に検知することができるデプスセンサーを提供する。 【構成】 本発明のデプスセンサーは、ＭＲヘッドのデ
プス長を所定の長さにするためにＭＲヘッドを研磨する
際に、デプス長を検知するデプスセンサーである。そし
て、本発明のデプスセンサーは、ＭＲヘッドを研磨する
際にＭＲヘッドと共に研磨されて抵抗値が連続的に変化
する抵抗を有し、上記連続的に変化する抵抗値からデプ
ス長を検知するアナログセンサーを備えると共に、ＭＲ
ヘッドを研磨する際にＭＲヘッドと共に研磨されて抵抗
値が非連続的に変化する抵抗を有し、上記非連続的に変
化する抵抗値からデプス長を検知するデジタルセンサー
とを備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッドを作製する
際にデプス量を検知するデプスセンサーに関する。詳し
くは、アナログセンサーとデジタルセンサーの両方を備
えることにより、高精度にデプス量を検知することを可
能としたものである。
際にデプス量を検知するデプスセンサーに関する。詳し
くは、アナログセンサーとデジタルセンサーの両方を備
えることにより、高精度にデプス量を検知することを可
能としたものである。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスク装置等のような磁気記録
装置の分野において、装置の小型大容量化が求められて
おり、これに伴って、磁気ヘッドには、高線記録密度
化、挟トラック化が望まれている。そこで、近年、高線
記録密度化や挟トラック化に有利な磁気ヘッドとして、
磁界の強さによって抵抗値が変化する磁気抵抗効果膜
（以下、ＭＲ膜という。）を用いて、記録媒体からの信
号磁界によるＭＲ膜の抵抗変化を再生出力として検出す
る磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドとい
う。）が注目されている。
装置の分野において、装置の小型大容量化が求められて
おり、これに伴って、磁気ヘッドには、高線記録密度
化、挟トラック化が望まれている。そこで、近年、高線
記録密度化や挟トラック化に有利な磁気ヘッドとして、
磁界の強さによって抵抗値が変化する磁気抵抗効果膜
（以下、ＭＲ膜という。）を用いて、記録媒体からの信
号磁界によるＭＲ膜の抵抗変化を再生出力として検出す
る磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドとい
う。）が注目されている。
【０００３】このようなＭＲヘッドに用いられるＭＲ膜
は、その抵抗値が小さいと外部磁界の変化に伴う抵抗値
の変化量も小さくなる。したがって、ＭＲ膜の抵抗値が
小さいとＭＲヘッドからの再生出力が低下してしまうの
で、ＭＲヘッドでは、ＭＲ膜の抵抗値を高くする必要が
ある。
は、その抵抗値が小さいと外部磁界の変化に伴う抵抗値
の変化量も小さくなる。したがって、ＭＲ膜の抵抗値が
小さいとＭＲヘッドからの再生出力が低下してしまうの
で、ＭＲヘッドでは、ＭＲ膜の抵抗値を高くする必要が
ある。
【０００４】ところで、このようなＭＲヘッドは、横型
ＭＲヘッドと縦型ＭＲヘッドとに分類される。
ＭＲヘッドと縦型ＭＲヘッドとに分類される。
【０００５】横型ＭＲヘッドは、図８に示すように、Ｍ
Ｒ膜１０１を記録媒体の移動方向Ｍ１と平行に配し、こ
のＭＲ膜１０１の左右に電極１０２，１０３を取り付け
て構成されるＭＲヘッドである。このとき、ＭＲ膜１０
１の抵抗値Ｒは、ＭＲ膜１０１の抵抗率をρ、幅をＷ、
長さをＴ、厚さをｔとすると、Ｒ＝ρ×Ｔ／（Ｗ×ｔ）
で表される。したがって、横型ＭＲヘッドでは、挟トラ
ック化すると、ＭＲ膜１０１の長さＴが短くなるため、
ＭＲ膜１０１の幅Ｗや厚さｔが同じならば、ＭＲ膜１０
１の抵抗値が低下してしまい、再生出力が低下してしま
う。具体的には、例えば、長さＴが４μｍ、幅Ｗが３μ
ｍの広トラックの横型ＭＲヘッドと同レベルの再生出力
を、長さＴが２μｍの挟トラックの横型ＭＲヘッドで得
るためには、ＭＲ膜１０１の幅Ｗを１．５μｍ以下にし
なければならない。このように、横型ＭＲヘッドでは、
再生出力を維持して挟トラック化を図るためには、ＭＲ
膜１０１の全体の大きさをより微細に形成する必要があ
る。
Ｒ膜１０１を記録媒体の移動方向Ｍ１と平行に配し、こ
のＭＲ膜１０１の左右に電極１０２，１０３を取り付け
て構成されるＭＲヘッドである。このとき、ＭＲ膜１０
１の抵抗値Ｒは、ＭＲ膜１０１の抵抗率をρ、幅をＷ、
長さをＴ、厚さをｔとすると、Ｒ＝ρ×Ｔ／（Ｗ×ｔ）
で表される。したがって、横型ＭＲヘッドでは、挟トラ
ック化すると、ＭＲ膜１０１の長さＴが短くなるため、
ＭＲ膜１０１の幅Ｗや厚さｔが同じならば、ＭＲ膜１０
１の抵抗値が低下してしまい、再生出力が低下してしま
う。具体的には、例えば、長さＴが４μｍ、幅Ｗが３μ
ｍの広トラックの横型ＭＲヘッドと同レベルの再生出力
を、長さＴが２μｍの挟トラックの横型ＭＲヘッドで得
るためには、ＭＲ膜１０１の幅Ｗを１．５μｍ以下にし
なければならない。このように、横型ＭＲヘッドでは、
再生出力を維持して挟トラック化を図るためには、ＭＲ
膜１０１の全体の大きさをより微細に形成する必要があ
る。
【０００６】これに対して、縦型ＭＲヘッドは、図９に
示すように、ＭＲ膜１０１を記録媒体の移動方向Ｍ１と
垂直に配し、このＭＲ膜１０１の上下に電極１０２，１
０３を取り付けて構成されるＭＲヘッドであり、ＭＲ膜
１０１の全体の大きさを微細に形成することなく、高再
生出力且つ挟トラック化を図ることができる。すなわ
ち、縦型ＭＲヘッドでは、挟トラック化を図るためにＭ
Ｒ膜１０１の幅Ｗを狭くすると、ＭＲ膜１０１の抵抗値
Ｒが増大するため、再生出力は大きくなる。
示すように、ＭＲ膜１０１を記録媒体の移動方向Ｍ１と
垂直に配し、このＭＲ膜１０１の上下に電極１０２，１
０３を取り付けて構成されるＭＲヘッドであり、ＭＲ膜
１０１の全体の大きさを微細に形成することなく、高再
生出力且つ挟トラック化を図ることができる。すなわ
ち、縦型ＭＲヘッドでは、挟トラック化を図るためにＭ
Ｒ膜１０１の幅Ｗを狭くすると、ＭＲ膜１０１の抵抗値
Ｒが増大するため、再生出力は大きくなる。
【０００７】このような縦型ＭＲヘッドでは、記録媒体
に近い側のＭＲ膜１０１の端部、すなわちＭＲ膜先端部
１１１が電極に覆われると共に、記録媒体から遠い側の
ＭＲ膜１０１の端部、すなわちＭＲ膜後端部１１２が電
極に覆われており、ＭＲ膜先端部１１１とＭＲ膜後端部
１１２の間の部分、すなわち電極に覆われていない部分
がＭＲ膜の感磁部となっている。そして、ＭＲ膜先端部
１１１やＭＲ膜後端部１１２は、電極に覆われているた
め、再生出力には寄与しない。したがって、ＭＲ膜先端
部１１１の電極で覆われている部分の長さ、すなわちデ
プス長ｄｐが長いと、記録媒体と感磁部との間の距離が
大きくなってしまうため、再生出力が低下してしまう。
そのため、縦型ＭＲヘッドにおいては、デプス長ｄｐを
できるだけ短くすることが必要であり、現状では、０．
５±０．２μｍ程度にすることが求められており、将来
的には更に短くすることが求められることも予想され
る。
に近い側のＭＲ膜１０１の端部、すなわちＭＲ膜先端部
１１１が電極に覆われると共に、記録媒体から遠い側の
ＭＲ膜１０１の端部、すなわちＭＲ膜後端部１１２が電
極に覆われており、ＭＲ膜先端部１１１とＭＲ膜後端部
１１２の間の部分、すなわち電極に覆われていない部分
がＭＲ膜の感磁部となっている。そして、ＭＲ膜先端部
１１１やＭＲ膜後端部１１２は、電極に覆われているた
め、再生出力には寄与しない。したがって、ＭＲ膜先端
部１１１の電極で覆われている部分の長さ、すなわちデ
プス長ｄｐが長いと、記録媒体と感磁部との間の距離が
大きくなってしまうため、再生出力が低下してしまう。
そのため、縦型ＭＲヘッドにおいては、デプス長ｄｐを
できるだけ短くすることが必要であり、現状では、０．
５±０．２μｍ程度にすることが求められており、将来
的には更に短くすることが求められることも予想され
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な縦型ＭＲヘッドは、先ず、デプス長を所望するデプス
長よりも長めに設定して縦型ＭＲヘッドを作製し、その
後、記録媒体側の部分をデプス長が所望する長さになる
まで研磨して作製される。ここで、このように縦型ＭＲ
ヘッドの記録媒体側の部分を研磨する際には、当然のこ
とながら、研磨によってデプス長がどの程度になったか
を検知しながら研磨する必要がある。
な縦型ＭＲヘッドは、先ず、デプス長を所望するデプス
長よりも長めに設定して縦型ＭＲヘッドを作製し、その
後、記録媒体側の部分をデプス長が所望する長さになる
まで研磨して作製される。ここで、このように縦型ＭＲ
ヘッドの記録媒体側の部分を研磨する際には、当然のこ
とながら、研磨によってデプス長がどの程度になったか
を検知しながら研磨する必要がある。
【０００９】しかしながら、上述したように、デプス長
は非常に短いため、研磨によってデプス長がどの程度に
なったかを検知することは、非常に困難なものとなって
いる。そこで、縦型ＭＲヘッドの記録媒体側の部分を研
磨する際に、デプス長を高精度に検知することができる
デプスセンサーが求められている。
は非常に短いため、研磨によってデプス長がどの程度に
なったかを検知することは、非常に困難なものとなって
いる。そこで、縦型ＭＲヘッドの記録媒体側の部分を研
磨する際に、デプス長を高精度に検知することができる
デプスセンサーが求められている。
【００１０】そこで、本発明は、従来のこのような実情
に鑑みて提案されたものであり、縦型ＭＲヘッドを作製
する際に、デプス長を高精度に検知することができるデ
プスセンサーを提供することを目的とする。
に鑑みて提案されたものであり、縦型ＭＲヘッドを作製
する際に、デプス長を高精度に検知することができるデ
プスセンサーを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに完成された本発明に係るデプスセンサーは、磁気ヘ
ッドのデプス長を所定の長さにするために磁気ヘッドを
研磨する際に、デプス長を検知するデプスセンサーであ
って、磁気ヘッドを研磨する際に磁気ヘッドと共に研磨
されて抵抗値が連続的に変化する抵抗を有し、上記連続
的に変化する抵抗値からデプス長を検知するアナログセ
ンサーと、磁気ヘッドを研磨する際に磁気ヘッドと共に
研磨されて抵抗値が非連続的に変化する抵抗を有し、上
記非連続的に変化する抵抗値からデプス長を検知するデ
ジタルセンサーと、を備えることを特徴とするものであ
る。
めに完成された本発明に係るデプスセンサーは、磁気ヘ
ッドのデプス長を所定の長さにするために磁気ヘッドを
研磨する際に、デプス長を検知するデプスセンサーであ
って、磁気ヘッドを研磨する際に磁気ヘッドと共に研磨
されて抵抗値が連続的に変化する抵抗を有し、上記連続
的に変化する抵抗値からデプス長を検知するアナログセ
ンサーと、磁気ヘッドを研磨する際に磁気ヘッドと共に
研磨されて抵抗値が非連続的に変化する抵抗を有し、上
記非連続的に変化する抵抗値からデプス長を検知するデ
ジタルセンサーと、を備えることを特徴とするものであ
る。
【００１２】
【作用】本発明のデプスセンサーでは、デジタルセンサ
ーによってデプス長を段階的に粗く検知し、アナログセ
ンサーによってデプス長を連続的に精密に検知する。
ーによってデプス長を段階的に粗く検知し、アナログセ
ンサーによってデプス長を連続的に精密に検知する。
【００１３】すなわち、デジタルセンサーでは、デジタ
ルセンサーの抵抗値が非連続に変化するときと、デプス
長との関係を予め関連付けておくことにより、デジタル
センサーの抵抗値が非連続に変化した各段階におけるデ
プス長を知ることができる。ただし、デジタルセンサー
では、デジタルセンサーの抵抗値が非連続に変化した各
段階におけるデプス長しか知ることができないため、デ
プス長を段階的に粗く検知することなる。
ルセンサーの抵抗値が非連続に変化するときと、デプス
長との関係を予め関連付けておくことにより、デジタル
センサーの抵抗値が非連続に変化した各段階におけるデ
プス長を知ることができる。ただし、デジタルセンサー
では、デジタルセンサーの抵抗値が非連続に変化した各
段階におけるデプス長しか知ることができないため、デ
プス長を段階的に粗く検知することなる。
【００１４】一方、アナログセンサーでは、先ず、アナ
ログセンサーの抵抗値の変化と、デプス長の変化との関
係が、デジタルセンサーでの検知結果に基づいて調べら
れる。すなわち、デジタルセンサーの抵抗値が変化した
各段階におけるアナログセンサーの抵抗値と、デジタル
センサーによって検知されたそのときのデプス長とに基
づいて、アナログセンサーの抵抗値の変化と、デプス長
の変化との関係を知ることができる。そして、このよう
にアナログセンサーの抵抗値の変化とデプス長の変化の
関係が分かれば、アナログセンサーの抵抗値からデプス
長を連続的に精密に検知することができる。
ログセンサーの抵抗値の変化と、デプス長の変化との関
係が、デジタルセンサーでの検知結果に基づいて調べら
れる。すなわち、デジタルセンサーの抵抗値が変化した
各段階におけるアナログセンサーの抵抗値と、デジタル
センサーによって検知されたそのときのデプス長とに基
づいて、アナログセンサーの抵抗値の変化と、デプス長
の変化との関係を知ることができる。そして、このよう
にアナログセンサーの抵抗値の変化とデプス長の変化の
関係が分かれば、アナログセンサーの抵抗値からデプス
長を連続的に精密に検知することができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下
に述べる実施例は、本発明の好適な具体例であるため、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明
の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨
の記載がない限り、これらの態様に限られるものではな
い。
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下
に述べる実施例は、本発明の好適な具体例であるため、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明
の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨
の記載がない限り、これらの態様に限られるものではな
い。
【００１６】本実施例のデプスセンサーは、薄膜プロセ
スによって基板上に形成される縦型ＭＲヘッドのデプス
長を検知するためのものであり、図１に示すように、Ｍ
Ｒヘッド１０と同一の基板上２０に、ＭＲヘッド１０を
形成する際にＭＲヘッド１０と一緒に薄膜プロセスによ
って形成される。ここで、ＭＲヘッド１０は、図１に示
したように、基板２０上に複数まとめて形成されるもの
であり、デプスセンサー３０はこれらのＭＲヘッド１０
の間に形成される。このようにデプスセンサー３０をＭ
Ｒヘッド１０と同一の基板２０上に形成すると、デプス
センサー３０をＭＲヘッド１０と一緒に形成できるた
め、新たな工程を殆ど追加することなく、デプスセンサ
ー３０を形成することができる。また、このようにデプ
スセンサー３０をＭＲヘッド１０とＭＲヘッド１０との
間に形成し、後述するようにデプスセンサー３０の配線
とＭＲヘッド１０の配線とを接続して、それぞれの端子
を共用するようにすると、基板２０上におけるデプスセ
ンサー３０の占有面積が少なくて済むため、より多くの
ＭＲヘッド１０を１つの基板２０から得られるようにな
る。
スによって基板上に形成される縦型ＭＲヘッドのデプス
長を検知するためのものであり、図１に示すように、Ｍ
Ｒヘッド１０と同一の基板上２０に、ＭＲヘッド１０を
形成する際にＭＲヘッド１０と一緒に薄膜プロセスによ
って形成される。ここで、ＭＲヘッド１０は、図１に示
したように、基板２０上に複数まとめて形成されるもの
であり、デプスセンサー３０はこれらのＭＲヘッド１０
の間に形成される。このようにデプスセンサー３０をＭ
Ｒヘッド１０と同一の基板２０上に形成すると、デプス
センサー３０をＭＲヘッド１０と一緒に形成できるた
め、新たな工程を殆ど追加することなく、デプスセンサ
ー３０を形成することができる。また、このようにデプ
スセンサー３０をＭＲヘッド１０とＭＲヘッド１０との
間に形成し、後述するようにデプスセンサー３０の配線
とＭＲヘッド１０の配線とを接続して、それぞれの端子
を共用するようにすると、基板２０上におけるデプスセ
ンサー３０の占有面積が少なくて済むため、より多くの
ＭＲヘッド１０を１つの基板２０から得られるようにな
る。
【００１７】そして、ＭＲヘッドを作製する際は、この
ように基板２０上に形成されたＭＲヘッド１０及びデプ
スセンサー３０を、デプス長が短くなるように基板２０
の端面２１から徐々に、デプスセンサー３０でＭＲヘッ
ド１０のデプス長を検知しながら研磨していき、ＭＲヘ
ッド１０のデプス長を所定の長さとする（以下、この工
程を「研磨工程」という。）。そして、デプス長を所定
の長さにした後、基板上に形成されている複数のＭＲヘ
ッド１０をそれぞれ切り出して、ＭＲヘッドが完成す
る。
ように基板２０上に形成されたＭＲヘッド１０及びデプ
スセンサー３０を、デプス長が短くなるように基板２０
の端面２１から徐々に、デプスセンサー３０でＭＲヘッ
ド１０のデプス長を検知しながら研磨していき、ＭＲヘ
ッド１０のデプス長を所定の長さとする（以下、この工
程を「研磨工程」という。）。そして、デプス長を所定
の長さにした後、基板上に形成されている複数のＭＲヘ
ッド１０をそれぞれ切り出して、ＭＲヘッドが完成す
る。
【００１８】このようにＭＲヘッド１０のデプス長を検
知するデプスセンサー３０は、図１に示すように、デプ
ス長を連続的に検知するアナログセンサー４０と、デプ
ス長を非連続的に検知するデジタルセンサーと５０を備
えており、これらのアナログセンサー４０とデジタルセ
ンサー５０は、基板２０上において隣り合うように形成
される。このアナログセンサー４０は、研磨工程の際に
ＭＲヘッド１０と共に研磨されて抵抗値が連続的に変化
する抵抗を有し、この連続的に変化する抵抗値からデプ
ス長を検知し、デジタルセンサー５０は、研磨工程の際
にＭＲヘッド１０と共に研磨されて抵抗値が非連続的に
変化する抵抗を有し、この非連続的に変化する抵抗値か
らデプス長を検知する。これらのアナログセンサー４０
とデジタルセンサー５０からは、それぞれの抵抗値を検
出するための配線６１，６２，６３，６４が導出されて
いる。
知するデプスセンサー３０は、図１に示すように、デプ
ス長を連続的に検知するアナログセンサー４０と、デプ
ス長を非連続的に検知するデジタルセンサーと５０を備
えており、これらのアナログセンサー４０とデジタルセ
ンサー５０は、基板２０上において隣り合うように形成
される。このアナログセンサー４０は、研磨工程の際に
ＭＲヘッド１０と共に研磨されて抵抗値が連続的に変化
する抵抗を有し、この連続的に変化する抵抗値からデプ
ス長を検知し、デジタルセンサー５０は、研磨工程の際
にＭＲヘッド１０と共に研磨されて抵抗値が非連続的に
変化する抵抗を有し、この非連続的に変化する抵抗値か
らデプス長を検知する。これらのアナログセンサー４０
とデジタルセンサー５０からは、それぞれの抵抗値を検
出するための配線６１，６２，６３，６４が導出されて
いる。
【００１９】ここで、アナログセンサー４０からの配線
のうち、一方の配線６１は、図２に示すように、ＭＲヘ
ッド１０のＭＲ膜１１からの配線１２と、薄膜導体６５
によって接続されている。ここで、この薄膜導体６５
は、ＭＲ膜１１から導出されている他の配線１３と同時
に形成されたものであり、接続孔６５ａにおいてアナロ
グセンサーからの配線６１と接続され、接続孔６５ｂに
おいてＭＲ膜１１からの配線１２と接続されている。す
なわち、図３に示すように、薄膜導体６５の上に絶縁層
６５ｃが形成され、この絶縁層６５ｃの２カ所に接続孔
６５ａ，６５ｂが形成されており、薄膜導体６５と、薄
膜導体６５とは別層として形成された配線６１とが接続
孔６５ａにおいて接続され、薄膜導体６５と、薄膜導体
６５とは別層として形成された配線１２とが接続孔６５
ｂにおいて接続されている。
のうち、一方の配線６１は、図２に示すように、ＭＲヘ
ッド１０のＭＲ膜１１からの配線１２と、薄膜導体６５
によって接続されている。ここで、この薄膜導体６５
は、ＭＲ膜１１から導出されている他の配線１３と同時
に形成されたものであり、接続孔６５ａにおいてアナロ
グセンサーからの配線６１と接続され、接続孔６５ｂに
おいてＭＲ膜１１からの配線１２と接続されている。す
なわち、図３に示すように、薄膜導体６５の上に絶縁層
６５ｃが形成され、この絶縁層６５ｃの２カ所に接続孔
６５ａ，６５ｂが形成されており、薄膜導体６５と、薄
膜導体６５とは別層として形成された配線６１とが接続
孔６５ａにおいて接続され、薄膜導体６５と、薄膜導体
６５とは別層として形成された配線１２とが接続孔６５
ｂにおいて接続されている。
【００２０】このように、アナログセンサー４０からの
配線６１と、ＭＲヘッド１０のＭＲ膜１１からの配線１
２とを薄膜導体６５によって接続することにより、アナ
ログセンサー４０からの信号を取り出すための端子と、
ＭＲヘッド１０の端子とを、図１に示すように、共用の
端子７１とすることができる。しかも、薄膜導体６５
と、薄膜導体６５と接続されるアナログセンサー４０か
らの配線６１やＭＲ膜１１からの配線１２とを、別層と
して形成することにより、上述したように薄膜導体６５
をＭＲ膜１１からの他の配線１３と同時に形成すること
が可能となるので、薄膜プロセスに新たな工程を追加す
ることなく、薄膜導体６５を形成することができる。
配線６１と、ＭＲヘッド１０のＭＲ膜１１からの配線１
２とを薄膜導体６５によって接続することにより、アナ
ログセンサー４０からの信号を取り出すための端子と、
ＭＲヘッド１０の端子とを、図１に示すように、共用の
端子７１とすることができる。しかも、薄膜導体６５
と、薄膜導体６５と接続されるアナログセンサー４０か
らの配線６１やＭＲ膜１１からの配線１２とを、別層と
して形成することにより、上述したように薄膜導体６５
をＭＲ膜１１からの他の配線１３と同時に形成すること
が可能となるので、薄膜プロセスに新たな工程を追加す
ることなく、薄膜導体６５を形成することができる。
【００２１】なお、図２及び図３では、磁気ヘッドの配
線として、ＭＲヘッド１０に関する配線だけを図示した
が、磁気ヘッドは、ＭＲヘッドの上に記録用の磁気ヘッ
ドを積層した積層型磁気ヘッドでもよく、このように記
録用の磁気ヘッドを積層する場合には、図２及び図３に
示した配線の上にさらに記録用の磁気ヘッドの配線が形
成される。
線として、ＭＲヘッド１０に関する配線だけを図示した
が、磁気ヘッドは、ＭＲヘッドの上に記録用の磁気ヘッ
ドを積層した積層型磁気ヘッドでもよく、このように記
録用の磁気ヘッドを積層する場合には、図２及び図３に
示した配線の上にさらに記録用の磁気ヘッドの配線が形
成される。
【００２２】一方、アナログセンサー４０からのもう１
つの配線６２は、図１に示すように、デジタルセンサー
５０からの配線６３と接続されている。したがって、こ
の配線６２からの端子は、デジタルセンサー５０の端子
と共用の端子７２とされている。
つの配線６２は、図１に示すように、デジタルセンサー
５０からの配線６３と接続されている。したがって、こ
の配線６２からの端子は、デジタルセンサー５０の端子
と共用の端子７２とされている。
【００２３】そして、デジタルセンサー５０からの配線
６３，６４のうち、一方の配線６３は上述したようにア
ナログセンサー４０からの配線６２と接続されており、
この配線６３からの端子は、アナログセンサー４０の端
子と共用の端子７２となっている。そして、もう１つの
配線６４は、アナログセンサー４０と接続されることな
く導出され、その端部には端子７３が形成されている。
ただし、この端子７３は、独立の端子としなくてもよ
く、例えば、図１に示すように、ＭＲヘッドの上に積層
された記録用の磁気ヘッドの端子と共用するようにして
もよい。
６３，６４のうち、一方の配線６３は上述したようにア
ナログセンサー４０からの配線６２と接続されており、
この配線６３からの端子は、アナログセンサー４０の端
子と共用の端子７２となっている。そして、もう１つの
配線６４は、アナログセンサー４０と接続されることな
く導出され、その端部には端子７３が形成されている。
ただし、この端子７３は、独立の端子としなくてもよ
く、例えば、図１に示すように、ＭＲヘッドの上に積層
された記録用の磁気ヘッドの端子と共用するようにして
もよい。
【００２４】つぎに、以上のようなデプスセンサー３０
のアナログセンサー４０及びデジタルセンサー５０につ
いて、より詳細に説明する。
のアナログセンサー４０及びデジタルセンサー５０につ
いて、より詳細に説明する。
【００２５】アナログセンサー４０の抵抗部分は、ＭＲ
膜１１と同じ材料であるＮｉＦｅ薄膜によって、ＭＲ膜
１１と同じ膜厚にて形成される。このように、アナログ
センサー４０の抵抗部分とＭＲ膜１１を同じ材料且つ同
じ膜厚とすると、研磨工程の際にアナログセンサー４０
とＭＲヘッド１０が同様に研磨されるため、アナログセ
ンサー４０の精度が向上する。
膜１１と同じ材料であるＮｉＦｅ薄膜によって、ＭＲ膜
１１と同じ膜厚にて形成される。このように、アナログ
センサー４０の抵抗部分とＭＲ膜１１を同じ材料且つ同
じ膜厚とすると、研磨工程の際にアナログセンサー４０
とＭＲヘッド１０が同様に研磨されるため、アナログセ
ンサー４０の精度が向上する。
【００２６】そして、このＮｉＦｅ薄膜は、図４に示す
ように、基板２０の端面２１近傍に端面２１と略平行に
配され、その両端部からは配線６１，６２が導出されて
おり、これらの配線６１，６２の間の部分が抵抗Ｒとな
る。ここで、これらの配線６１，６２は、アナログセン
サー４０からの信号を取り出すためのものであり、薄膜
導体からなり、上述したように、一方の配線６１がＭＲ
膜１１からの配線１２に接続されてＭＲヘッド１０と共
用の端子７１に至っており、他方の配線６２がデジタル
センサー５０からの配線６３と接続されてデジタルセン
サー５０と共用の端子７２に至っている。そして、この
ように基板２０の端面２１の近傍に端面２１と略平行に
配された抵抗Ｒは、研磨工程の際に、研磨が進むに従っ
て徐々に幅Ｗ１が狭くなり、その抵抗値が徐々に増大す
る。したがって、アナログセンサー４０では、この抵抗
値の変化と、研磨の進み具合との関係が分かっていれ
ば、この抵抗値を測定することにより、研磨がどの程度
進んだのかを知ることができる。
ように、基板２０の端面２１近傍に端面２１と略平行に
配され、その両端部からは配線６１，６２が導出されて
おり、これらの配線６１，６２の間の部分が抵抗Ｒとな
る。ここで、これらの配線６１，６２は、アナログセン
サー４０からの信号を取り出すためのものであり、薄膜
導体からなり、上述したように、一方の配線６１がＭＲ
膜１１からの配線１２に接続されてＭＲヘッド１０と共
用の端子７１に至っており、他方の配線６２がデジタル
センサー５０からの配線６３と接続されてデジタルセン
サー５０と共用の端子７２に至っている。そして、この
ように基板２０の端面２１の近傍に端面２１と略平行に
配された抵抗Ｒは、研磨工程の際に、研磨が進むに従っ
て徐々に幅Ｗ１が狭くなり、その抵抗値が徐々に増大す
る。したがって、アナログセンサー４０では、この抵抗
値の変化と、研磨の進み具合との関係が分かっていれ
ば、この抵抗値を測定することにより、研磨がどの程度
進んだのかを知ることができる。
【００２７】一方、デジタルセンサー５０の抵抗部分
も、アナログセンサー４０と同様に、ＭＲ膜１１と同じ
材料であるＮｉＦｅ薄膜によって、ＭＲ膜１１と同じ膜
厚にて形成される。このように、デジタルセンサー５０
の抵抗部分とＭＲ膜１１を同じ材料且つ同じ膜厚とする
と、研磨工程の際にデジタルセンサー５０とＭＲヘッド
１０が同様に研磨されるため、デジタルセンサー５０の
精度が向上する。
も、アナログセンサー４０と同様に、ＭＲ膜１１と同じ
材料であるＮｉＦｅ薄膜によって、ＭＲ膜１１と同じ膜
厚にて形成される。このように、デジタルセンサー５０
の抵抗部分とＭＲ膜１１を同じ材料且つ同じ膜厚とする
と、研磨工程の際にデジタルセンサー５０とＭＲヘッド
１０が同様に研磨されるため、デジタルセンサー５０の
精度が向上する。
【００２８】そして、このＮｉＦｅ薄膜は、図４に示す
ように、基板２０の端面２１近傍に、第１の端部５１、
第２の端部５２、第３の端部５３及び第４の端部５４が
形成されるようにパターニングされており、これらの端
部５１，５２，５３，５４はそれぞれ配線６３に接続さ
れている。ここで、この配線６３は、デジタルセンサー
５０から信号を取り出すための配線であり、薄膜導体か
らなり、上述したように、アナログセンサー４０の配線
６２と接続されて、アナログセンサー４０と共用の端子
７２に至っている。
ように、基板２０の端面２１近傍に、第１の端部５１、
第２の端部５２、第３の端部５３及び第４の端部５４が
形成されるようにパターニングされており、これらの端
部５１，５２，５３，５４はそれぞれ配線６３に接続さ
れている。ここで、この配線６３は、デジタルセンサー
５０から信号を取り出すための配線であり、薄膜導体か
らなり、上述したように、アナログセンサー４０の配線
６２と接続されて、アナログセンサー４０と共用の端子
７２に至っている。
【００２９】そして、ＮｉＦｅ薄膜は、第１の端部５１
と配線６２との間、第１の端部５１と第２の端部５２と
の間、第２の端部５２と第３の端部５３との間、第３の
端部５３と配線６４との間、及び第４の端部５４と配線
６４との間を結ぶようにパターニングされる。ここで、
第３の端部５３及び第４の端部５４と接続される配線６
４は、デジタルセンサー５０から信号を取り出すための
配線であり、薄膜導体からなり、上述したように、デジ
タルセンサー用の端子７３に至っている。したがって、
第１の端部５１と配線６２との間のＮｉＦｅ薄膜が第１
の抵抗Ｒ１となり、第１の端部５１と第２の端部５２と
の間のＮｉＦｅ薄膜が第２の抵抗Ｒ２となり、第２の端
部５２と第３の端部５３との間のＮｉＦｅ薄膜が第３の
抵抗Ｒ３となり、第３の端部５３と配線６４との間のＮ
ｉＦｅ薄膜が第４の抵抗Ｒ４となり、第４の端部５４と
配線６４との間のＮｉＦｅ薄膜が第５の抵抗Ｒ５とな
る。
と配線６２との間、第１の端部５１と第２の端部５２と
の間、第２の端部５２と第３の端部５３との間、第３の
端部５３と配線６４との間、及び第４の端部５４と配線
６４との間を結ぶようにパターニングされる。ここで、
第３の端部５３及び第４の端部５４と接続される配線６
４は、デジタルセンサー５０から信号を取り出すための
配線であり、薄膜導体からなり、上述したように、デジ
タルセンサー用の端子７３に至っている。したがって、
第１の端部５１と配線６２との間のＮｉＦｅ薄膜が第１
の抵抗Ｒ１となり、第１の端部５１と第２の端部５２と
の間のＮｉＦｅ薄膜が第２の抵抗Ｒ２となり、第２の端
部５２と第３の端部５３との間のＮｉＦｅ薄膜が第３の
抵抗Ｒ３となり、第３の端部５３と配線６４との間のＮ
ｉＦｅ薄膜が第４の抵抗Ｒ４となり、第４の端部５４と
配線６４との間のＮｉＦｅ薄膜が第５の抵抗Ｒ５とな
る。
【００３０】ここで、第１乃至第４の端部５１，５２，
５３，５４は、ＭＲヘッド１０のデプス部分と同様に、
ＭＲヘッド１０のデプス部分を形成するときに一緒に形
成される。すなわち、これらの端部５１，５２，５３，
５４を形成する際は、ＭＲ膜１１と同様に、図５に示す
ように、先ず、ＮｉＦｅ薄膜５５を形成し、次に、この
ＮｉＦｅ薄膜５５上に絶縁層５６を形成し、次に、この
絶縁層５６の先端部分を除去し、次に、これらのＮｉＦ
ｅ薄膜５５及び絶縁層５６の上に薄膜導体からなる配線
６３を形成する。このように形成される端部５１，５
２，５３，５４において、ＮｉＦｅ薄膜５５と配線６３
とは、研磨工程前は導通しているが、研磨工程において
図５中矢印Ｍ２に示すように徐々に研磨がされていき研
磨が絶縁層５６の先端部分５６ａに達すると、断線する
こととなる。したがって、デジタルセンサー５０では、
このようなＮｉＦｅ薄膜５５と配線６３との導通状態の
変化から、研磨が絶縁層５６の先端部分５６ａの位置ま
で行われたか否かを判断することができる。そして、デ
ジタルセンサー５０では、このような判断を段階的に行
えるように、各端部５１，５２，５３，５４ごとに絶縁
層５６の先端部分５６ａの位置が異なるようにして、各
端部５１，５２，５３，５４が形成される。
５３，５４は、ＭＲヘッド１０のデプス部分と同様に、
ＭＲヘッド１０のデプス部分を形成するときに一緒に形
成される。すなわち、これらの端部５１，５２，５３，
５４を形成する際は、ＭＲ膜１１と同様に、図５に示す
ように、先ず、ＮｉＦｅ薄膜５５を形成し、次に、この
ＮｉＦｅ薄膜５５上に絶縁層５６を形成し、次に、この
絶縁層５６の先端部分を除去し、次に、これらのＮｉＦ
ｅ薄膜５５及び絶縁層５６の上に薄膜導体からなる配線
６３を形成する。このように形成される端部５１，５
２，５３，５４において、ＮｉＦｅ薄膜５５と配線６３
とは、研磨工程前は導通しているが、研磨工程において
図５中矢印Ｍ２に示すように徐々に研磨がされていき研
磨が絶縁層５６の先端部分５６ａに達すると、断線する
こととなる。したがって、デジタルセンサー５０では、
このようなＮｉＦｅ薄膜５５と配線６３との導通状態の
変化から、研磨が絶縁層５６の先端部分５６ａの位置ま
で行われたか否かを判断することができる。そして、デ
ジタルセンサー５０では、このような判断を段階的に行
えるように、各端部５１，５２，５３，５４ごとに絶縁
層５６の先端部分５６ａの位置が異なるようにして、各
端部５１，５２，５３，５４が形成される。
【００３１】以上のようなアナログセンサー４０及びデ
ジタルセンサー５０の等価回路図を図６に示す。すなわ
ち、アナログセンサー４０は、抵抗Ｒに相当する可変抵
抗ｒと、端子７１，７２にそれぞれ相当する端子ｔ１，
ｔ２とを有しており、可変抵抗ｒの抵抗値は、研磨工程
において、研磨が進むに従って徐々に増大する。そこ
で、アナログセンサー４０では、この可変抵抗ｒの抵抗
値Ｒａを測定することにより、研磨の進み具合を連続的
に検知することができる。一方、デジタルセンサー５０
は、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５にそれぞれ相当
する５つの抵抗ｒ１，ｒ２，ｒ３，ｒ４，ｒ５と、第１
乃至４の端部５１，５２，５３，５４にそれぞれ相当す
る４つのスイッチｓ１，ｓ２，ｓ３，ｓ４と、端子７
２，７３にそれぞれ相当する端子ｔ２，ｔ３とを有して
いる。そして、これらのスイッチｓ１，ｓ２，ｓ３，ｓ
４は、研磨工程において、研磨が進むに従って順次切断
される。そこで、デジタルセンサー５０では、このよう
な回路全体の抵抗値Ｒｄを測定することにより、研磨の
進み具合を段階的に検知することができる。
ジタルセンサー５０の等価回路図を図６に示す。すなわ
ち、アナログセンサー４０は、抵抗Ｒに相当する可変抵
抗ｒと、端子７１，７２にそれぞれ相当する端子ｔ１，
ｔ２とを有しており、可変抵抗ｒの抵抗値は、研磨工程
において、研磨が進むに従って徐々に増大する。そこ
で、アナログセンサー４０では、この可変抵抗ｒの抵抗
値Ｒａを測定することにより、研磨の進み具合を連続的
に検知することができる。一方、デジタルセンサー５０
は、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５にそれぞれ相当
する５つの抵抗ｒ１，ｒ２，ｒ３，ｒ４，ｒ５と、第１
乃至４の端部５１，５２，５３，５４にそれぞれ相当す
る４つのスイッチｓ１，ｓ２，ｓ３，ｓ４と、端子７
２，７３にそれぞれ相当する端子ｔ２，ｔ３とを有して
いる。そして、これらのスイッチｓ１，ｓ２，ｓ３，ｓ
４は、研磨工程において、研磨が進むに従って順次切断
される。そこで、デジタルセンサー５０では、このよう
な回路全体の抵抗値Ｒｄを測定することにより、研磨の
進み具合を段階的に検知することができる。
【００３２】つぎに、以上のようなデプスセンサー４０
によるデプス長の検知について、より具体的に説明す
る。
によるデプス長の検知について、より具体的に説明す
る。
【００３３】研磨工程においてデプス長を検知する際に
は、アナログセンサー４０からの信号を端子７１，７２
から取り出して、アナログセンサー４０の抵抗Ｒの抵抗
値Ｒａをモニターすると共に、デジタルセンサー５０か
らの信号を端子７２，７３から取り出して、デジタルセ
ンサー５０の回路全体の抵抗値Ｒｄをモニターする。
は、アナログセンサー４０からの信号を端子７１，７２
から取り出して、アナログセンサー４０の抵抗Ｒの抵抗
値Ｒａをモニターすると共に、デジタルセンサー５０か
らの信号を端子７２，７３から取り出して、デジタルセ
ンサー５０の回路全体の抵抗値Ｒｄをモニターする。
【００３４】ここで、デジタルセンサー５０は、図７に
示すように、所望するデプス長ｄ０となる位置Ｐ０と、
第１の端部５１における絶縁層の先端部分の位置Ｐ１と
の間の長さ５１ｔが０．２５μｍとなり、所望するデプ
ス長ｄｐとなる位置Ｐ０と、第２の端部５２における絶
縁層の先端部分の位置Ｐ２との間の長さ５２ｔが０．７
５μｍとなり、所望するデプス長ｄｐとなる位置Ｐ０
と、第３の端部５３における絶縁層の先端部分の位置Ｐ
３との間の長さ５３ｔが１．５μｍとなり、所望するデ
プス長ｄｐとなる位置Ｐ０と、第４の端部５４における
絶縁層の先端部分の位置Ｐ４との間の長さ５４ｔが３．
０μｍとなるように予め形成した。また、デジタルセン
サー６０の第１乃至第５の抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ
４，Ｒ５は、抵抗値を感度よく検出できるように、それ
ぞれ十分に大きな抵抗値となるように形成した。
示すように、所望するデプス長ｄ０となる位置Ｐ０と、
第１の端部５１における絶縁層の先端部分の位置Ｐ１と
の間の長さ５１ｔが０．２５μｍとなり、所望するデプ
ス長ｄｐとなる位置Ｐ０と、第２の端部５２における絶
縁層の先端部分の位置Ｐ２との間の長さ５２ｔが０．７
５μｍとなり、所望するデプス長ｄｐとなる位置Ｐ０
と、第３の端部５３における絶縁層の先端部分の位置Ｐ
３との間の長さ５３ｔが１．５μｍとなり、所望するデ
プス長ｄｐとなる位置Ｐ０と、第４の端部５４における
絶縁層の先端部分の位置Ｐ４との間の長さ５４ｔが３．
０μｍとなるように予め形成した。また、デジタルセン
サー６０の第１乃至第５の抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ
４，Ｒ５は、抵抗値を感度よく検出できるように、それ
ぞれ十分に大きな抵抗値となるように形成した。
【００３５】このとき、所望するデプス長をｄ０、デジ
タルセンサー５０の第１の抵抗Ｒ１の抵抗値をＤ１、デ
ジタルセンサー５０の第２の抵抗Ｒ２の抵抗値をＤ２、
デジタルセンサー５０の第３の抵抗Ｒ３の抵抗値をＤ
３、デジタルセンサー５０の第４の抵抗Ｒ４の抵抗値を
Ｄ４、デジタルセンサー５０の第５の抵抗Ｒ５の抵抗値
をＤ５とすると、研磨加工時のデプス長ｄと、デジタル
センサー５０の回路全体の抵抗値Ｒｄとの関係は、下式
のようになる。
タルセンサー５０の第１の抵抗Ｒ１の抵抗値をＤ１、デ
ジタルセンサー５０の第２の抵抗Ｒ２の抵抗値をＤ２、
デジタルセンサー５０の第３の抵抗Ｒ３の抵抗値をＤ
３、デジタルセンサー５０の第４の抵抗Ｒ４の抵抗値を
Ｄ４、デジタルセンサー５０の第５の抵抗Ｒ５の抵抗値
をＤ５とすると、研磨加工時のデプス長ｄと、デジタル
センサー５０の回路全体の抵抗値Ｒｄとの関係は、下式
のようになる。
【００３６】 Ｒｄ≒Ｄ５のとき、ｄ０＋３．０[μｍ]＜ｄ Ｒｄ≒Ｄ４のとき、ｄ０＋１．５[μｍ]＜ｄ＜ｄ０＋
３．０[μｍ] Ｒｄ≒Ｄ３＋Ｄ４のとき、ｄ０＋０．７５＜ｄ＜ｄ０＋
１．５[μｍ] Ｒｄ≒Ｄ２＋Ｄ３＋Ｄ４のとき、ｄ０＋０．２５＜ｄ＜
ｄ０＋０．７５[μｍ］ Ｒｄ≒Ｄ１＋Ｄ２＋Ｄ３＋Ｄ４のとき、ｄ＜ｄ０＋０．
２５［μｍ] したがって、研磨工程時にデジタルセンサー５０の回路
全体の抵抗値Ｒｄをモニターすれば、ｄ≒ｄ０＋０．２
５[μｍ]となるまで、研磨加工時のデプス長ｄを段階的
に検知することができる。
３．０[μｍ] Ｒｄ≒Ｄ３＋Ｄ４のとき、ｄ０＋０．７５＜ｄ＜ｄ０＋
１．５[μｍ] Ｒｄ≒Ｄ２＋Ｄ３＋Ｄ４のとき、ｄ０＋０．２５＜ｄ＜
ｄ０＋０．７５[μｍ］ Ｒｄ≒Ｄ１＋Ｄ２＋Ｄ３＋Ｄ４のとき、ｄ＜ｄ０＋０．
２５［μｍ] したがって、研磨工程時にデジタルセンサー５０の回路
全体の抵抗値Ｒｄをモニターすれば、ｄ≒ｄ０＋０．２
５[μｍ]となるまで、研磨加工時のデプス長ｄを段階的
に検知することができる。
【００３７】そして、このようにデジタルセンサー５０
を用いて研磨加工時のデプス長ｄを段階的に検知すると
きに、同時にアナログセンサー４０の抵抗Ｒの抵抗値Ｒ
ａもモニターして、デジタルセンサー５０の抵抗値Ｒｄ
が変化した各段階におけるアナログセンサー４０の抵抗
値Ｒａと、デジタルセンサー５０によって検知されたそ
のときのデプス長ｄとに基づいて、アナログセンサー４
０の抵抗Ｒの抵抗値Ｒａの変化と、デプス長ｄの変化と
の関係を算出する。
を用いて研磨加工時のデプス長ｄを段階的に検知すると
きに、同時にアナログセンサー４０の抵抗Ｒの抵抗値Ｒ
ａもモニターして、デジタルセンサー５０の抵抗値Ｒｄ
が変化した各段階におけるアナログセンサー４０の抵抗
値Ｒａと、デジタルセンサー５０によって検知されたそ
のときのデプス長ｄとに基づいて、アナログセンサー４
０の抵抗Ｒの抵抗値Ｒａの変化と、デプス長ｄの変化と
の関係を算出する。
【００３８】そして、研磨加工時のデプス長ｄが、ｄ０
＋０．２５[μｍ]以下のときの研磨工程においては、上
述のように抵抗Ｒの抵抗値Ｒａの変化とデプス長ｄの変
化との関係が明らかになったアナログセンサー４０を用
いて、研磨加工時のデプス長ｄを検知する。このとき、
アナログセンサー４０は、抵抗Ｒの抵抗値Ｒａの変化と
デプス長ｄの変化の関係が分かっているので、アナログ
センサー４０の抵抗Ｒの抵抗値Ｒａからデプス長ｄを連
続的に精密に検知することができる。そこで、アナログ
センサー４０でデプス長を連続的に精密に検知しなが
ら、デプス長が所望する長さとなるまで研磨工程を行
う。
＋０．２５[μｍ]以下のときの研磨工程においては、上
述のように抵抗Ｒの抵抗値Ｒａの変化とデプス長ｄの変
化との関係が明らかになったアナログセンサー４０を用
いて、研磨加工時のデプス長ｄを検知する。このとき、
アナログセンサー４０は、抵抗Ｒの抵抗値Ｒａの変化と
デプス長ｄの変化の関係が分かっているので、アナログ
センサー４０の抵抗Ｒの抵抗値Ｒａからデプス長ｄを連
続的に精密に検知することができる。そこで、アナログ
センサー４０でデプス長を連続的に精密に検知しなが
ら、デプス長が所望する長さとなるまで研磨工程を行
う。
【００３９】このように、研磨工程において、先ず、デ
ジタルセンサー５０によってデプス長ｄを段階的に粗く
検知し、その後、アナログセンサー４０によってデプス
長ｄを連続的に精密に検知することにより、デプス長ｄ
を高精度に検知することができる。したがって、研磨工
程に本実施例のデプスセンサーを用いれば、デプス長を
高精度に所望する長さとすることが可能となる。
ジタルセンサー５０によってデプス長ｄを段階的に粗く
検知し、その後、アナログセンサー４０によってデプス
長ｄを連続的に精密に検知することにより、デプス長ｄ
を高精度に検知することができる。したがって、研磨工
程に本実施例のデプスセンサーを用いれば、デプス長を
高精度に所望する長さとすることが可能となる。
【００４０】なお、以上の実施例ではデジタルセンサー
に、スイッチに相当する端部として４つの端部５１，５
２，５３，５４を設けたが、このような端部は、これよ
りも多くても少なくてもよく、例えば、より簡便にデプ
ス長を測定したい場合には、このようなスイッチに相当
する端部をより少なく設ければよく、より精密にデプス
長を測定したい場合には、このようなスイッチに相当す
る端部をより多く設ければよい。
に、スイッチに相当する端部として４つの端部５１，５
２，５３，５４を設けたが、このような端部は、これよ
りも多くても少なくてもよく、例えば、より簡便にデプ
ス長を測定したい場合には、このようなスイッチに相当
する端部をより少なく設ければよく、より精密にデプス
長を測定したい場合には、このようなスイッチに相当す
る端部をより多く設ければよい。
【００４１】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明のデプスセンサーでは、デジタルセンサーによってデ
プス長を段階的に粗く検知し、アナログセンサーによっ
てデプス長を連続的に精密に検知することにより、デプ
ス長を高精度に検知することができる。
明のデプスセンサーでは、デジタルセンサーによってデ
プス長を段階的に粗く検知し、アナログセンサーによっ
てデプス長を連続的に精密に検知することにより、デプ
ス長を高精度に検知することができる。
【図１】 本発明を適用したデプスセンサーの一構成例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２】 ＭＲヘッドとデプスセンサーの配線の様子を
示す要部模式図である。
示す要部模式図である。
【図３】 図２に示す配線を線分Ｘ−Ｘに沿う平面で切
断した横断面図である。
断した横断面図である。
【図４】 図１に示すデプスセンサーを拡大して示す要
部拡大平面図である。
部拡大平面図である。
【図５】 図４に示すデプスセンサーのデジタルセンサ
ー部分を線分Ｙ−Ｙに沿う平面で切断した横断面図であ
る。
ー部分を線分Ｙ−Ｙに沿う平面で切断した横断面図であ
る。
【図６】 図４に示すデプスセンサーの等価回路図であ
る。
る。
【図７】 デジタルセンサーの端部の一例を示す平面図
である。
である。
【図８】 横型ＭＲヘッドの一例を示す要部模式図であ
る。
る。
【図９】 縦型ＭＲヘッドの一例を示す要部模式図であ
る。
る。
１０ ＭＲヘッド ２０ 基板 ３０ デプスセンサー ４０ アナログセンサー ５０ デジタルセンサー
Claims (4)
- 【請求項１】 磁気ヘッドのデプス長を所定の長さにす
るために磁気ヘッドを研磨する際に、デプス長を検知す
るデプスセンサーであって、 磁気ヘッドを研磨する際に磁気ヘッドと共に研磨されて
抵抗値が連続的に変化する抵抗を有し、上記連続的に変
化する抵抗値からデプス長を検知するアナログセンサー
と、 磁気ヘッドを研磨する際に磁気ヘッドと共に研磨されて
抵抗値が非連続的に変化する抵抗を有し、上記非連続的
に変化する抵抗値からデプス長を検知するデジタルセン
サーと、 を備えることを特徴とするデプスセンサー。 - 【請求項２】 前記アナログセンサー及びデジタルセン
サーが、前記磁気ヘッドと同一の基板上に配されている
ことを特徴とする請求項１記載のデプスセンサー。 - 【請求項３】 前記アナログセンサー及びデジタルセン
サーからの信号を取り出すための端子のうちの少なくと
も１つが、前記磁気ヘッドの端子のうちのいずれかと共
用されていることを特徴とする請求項２記載のデプスセ
ンサー。 - 【請求項４】 前記磁気ヘッド、アナログセンサー及び
デジタルセンサーが薄膜プロセスによって形成されて成
ると共に、上記アナログセンサー及びデジタルセンサー
からの配線のうちの少なくとも１つが、磁気ヘッドから
の配線のいずれかと、これらの配線と別層に形成された
薄膜導体によって接続されていることを特徴とする請求
項３記載のデプスセンサー。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7106394A JPH08304010A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | デプスセンサー |
| CN96105469A CN1069760C (zh) | 1995-04-28 | 1996-04-25 | 深度传感器 |
| MYPI96001578A MY112046A (en) | 1995-04-28 | 1996-04-25 | Depth sensor |
| SG1996009550A SG38964A1 (en) | 1995-04-28 | 1996-04-26 | Depth sensor |
| US08/638,182 US5708370A (en) | 1995-04-28 | 1996-04-26 | Depth sensor which detects grinding depth by means of change and resistance of resistor also ground during grinding |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7106394A JPH08304010A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | デプスセンサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08304010A true JPH08304010A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14432483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7106394A Withdrawn JPH08304010A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | デプスセンサー |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5708370A (ja) |
| JP (1) | JPH08304010A (ja) |
| CN (1) | CN1069760C (ja) |
| MY (1) | MY112046A (ja) |
| SG (1) | SG38964A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6193584B1 (en) | 1999-05-27 | 2001-02-27 | Read-Rite Corporation | Apparatus and method of device stripe height control |
| JP2001006128A (ja) * | 1999-06-21 | 2001-01-12 | Tdk Corp | 磁気変換素子の製造方法および装置、ならびに磁気ヘッドの製造方法および装置 |
| US6837983B2 (en) * | 2002-01-22 | 2005-01-04 | Applied Materials, Inc. | Endpoint detection for electro chemical mechanical polishing and electropolishing processes |
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| CN103061363B (zh) * | 2013-01-28 | 2014-12-31 | 河海大学 | 一种监测预应力管桩静压过程土塞上升高度的装置 |
| AU2020264360B1 (en) * | 2020-04-09 | 2021-09-16 | Citic Heavy Industries Co., Ltd. | Length detection system and length detection method |
Family Cites Families (6)
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| CA1317672C (en) * | 1988-04-06 | 1993-05-11 | Naoto Matono | Marker for detecting amount of working and process for producing thin film magnetic head |
| JPH0281307A (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気ヘッド |
| US5132617A (en) * | 1990-05-16 | 1992-07-21 | International Business Machines Corp. | Method of measuring changes in impedance of a variable impedance load by disposing an impedance connected coil within the air gap of a magnetic core |
| US5227940A (en) * | 1990-07-13 | 1993-07-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Composite magnetic head |
| US5463805A (en) * | 1994-02-07 | 1995-11-07 | Seagate Technology, Inc. | Method of lapping MR. sensors |
-
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- 1995-04-28 JP JP7106394A patent/JPH08304010A/ja not_active Withdrawn
-
1996
- 1996-04-25 MY MYPI96001578A patent/MY112046A/en unknown
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- 1996-04-26 SG SG1996009550A patent/SG38964A1/en unknown
- 1996-04-26 US US08/638,182 patent/US5708370A/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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| CN1069760C (zh) | 2001-08-15 |
| SG38964A1 (en) | 1997-04-17 |
| US5708370A (en) | 1998-01-13 |
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