JPH0567312A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPH0567312A JPH0567312A JP2892691A JP2892691A JPH0567312A JP H0567312 A JPH0567312 A JP H0567312A JP 2892691 A JP2892691 A JP 2892691A JP 2892691 A JP2892691 A JP 2892691A JP H0567312 A JPH0567312 A JP H0567312A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気ギャップの深さが正確な薄膜磁気ヘッド
を製造することにある。 【構成】 磁気ギャップの前側近傍に形成されたギャッ
プデプス測定用パターンの後側エッジとゼロデップスラ
インの間の距離ｄ3を測定する。そして、磁気ギャップ
の近傍に形成されたデップスマーカーの後側エッジとギ
ャップデプス測定用パターンの後側エッジの距離ｄ4と
上記測定値ｄ3の差からデップスマーカーの後側エッジ
とゼロデップスラインの距離ｄ1を求める。ここで、距
離ｄ4はマスクから既知値であるので、上記距離ｄ1の測
定誤差を小さくすることができる。そして、この高精度
値な距離ｄ1を基に研摩量を検出しながら磁気ギャップ
を所定深さに研摩して磁気ヘッドを製造するので、磁気
ギャップの深さが正確な薄膜磁気ヘッドを製造すること
ができる。
を製造することにある。 【構成】 磁気ギャップの前側近傍に形成されたギャッ
プデプス測定用パターンの後側エッジとゼロデップスラ
インの間の距離ｄ3を測定する。そして、磁気ギャップ
の近傍に形成されたデップスマーカーの後側エッジとギ
ャップデプス測定用パターンの後側エッジの距離ｄ4と
上記測定値ｄ3の差からデップスマーカーの後側エッジ
とゼロデップスラインの距離ｄ1を求める。ここで、距
離ｄ4はマスクから既知値であるので、上記距離ｄ1の測
定誤差を小さくすることができる。そして、この高精度
値な距離ｄ1を基に研摩量を検出しながら磁気ギャップ
を所定深さに研摩して磁気ヘッドを製造するので、磁気
ギャップの深さが正確な薄膜磁気ヘッドを製造すること
ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置の薄膜
磁気ヘッドの製造方法に関し、特にその製造時における
ギャップ深さ検出方法に関するものである。
磁気ヘッドの製造方法に関し、特にその製造時における
ギャップ深さ検出方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは半導体製造プロセスに
使用される薄膜技術を利用して製造される磁気ヘッドで
あって、半導体プロセスレベルのパターン精度で磁気ギ
ャップを形成できるので、記録密度を格段に高くできる
特徴をもっている。
使用される薄膜技術を利用して製造される磁気ヘッドで
あって、半導体プロセスレベルのパターン精度で磁気ギ
ャップを形成できるので、記録密度を格段に高くできる
特徴をもっている。
【０００３】このような薄膜磁気ヘッドの一例を図３に
示す。薄膜磁気ヘッド１０はその本体を形成するスライ
ダ１２と、このスライダ１２の下方側に長手方向に形成
された突起状の２つの浮上レール１４,１４とを有して
いる。浮上レール１４,１４は、例えば磁気ディスクの
ような回転する磁気記録媒体 (図示せず）に対向し、浮
上関係にある。またスライダ１２の一側面には電磁変換
素子１６,１６が形成されている。そして電磁変換素子
１６,１６から導出された各引出端子１８,１８,１８,１
８は同一平面上に形成された複数のワイヤ接続部すなわ
ちボンディングパッド２０,２０,２０,２０に接続され
ている。尚、電磁変換素子１６,１６とボンディングパ
ッド２０,２０,２０,２０はスライダ１２の同一側面に
形成され、この側面の中央を境として左右対象に配置さ
れた構成となっている。
示す。薄膜磁気ヘッド１０はその本体を形成するスライ
ダ１２と、このスライダ１２の下方側に長手方向に形成
された突起状の２つの浮上レール１４,１４とを有して
いる。浮上レール１４,１４は、例えば磁気ディスクの
ような回転する磁気記録媒体 (図示せず）に対向し、浮
上関係にある。またスライダ１２の一側面には電磁変換
素子１６,１６が形成されている。そして電磁変換素子
１６,１６から導出された各引出端子１８,１８,１８,１
８は同一平面上に形成された複数のワイヤ接続部すなわ
ちボンディングパッド２０,２０,２０,２０に接続され
ている。尚、電磁変換素子１６,１６とボンディングパ
ッド２０,２０,２０,２０はスライダ１２の同一側面に
形成され、この側面の中央を境として左右対象に配置さ
れた構成となっている。
【０００４】電磁変換素子１６は図４に示すように、基
板となるスライダ１２上に形成されたパーマロイ等から
なる下部磁性層２２と上部磁性層２４とからなり、下部
磁性層２２と上部磁性層２４の間には非磁性体からなる
絶縁層２６が形成されている。そして絶縁層２６の先端
は、磁気ギャップ２８を規定している。また下部磁性層
２２と上部磁性層２４の間にはコイル３０が形成され、
下部磁性層２２と上部磁性層２４を電磁結合する。絶縁
層２６はコイル３０と下部磁性層２２および上部磁性層
２４とを離すとともに、コイル３０を内包している。
板となるスライダ１２上に形成されたパーマロイ等から
なる下部磁性層２２と上部磁性層２４とからなり、下部
磁性層２２と上部磁性層２４の間には非磁性体からなる
絶縁層２６が形成されている。そして絶縁層２６の先端
は、磁気ギャップ２８を規定している。また下部磁性層
２２と上部磁性層２４の間にはコイル３０が形成され、
下部磁性層２２と上部磁性層２４を電磁結合する。絶縁
層２６はコイル３０と下部磁性層２２および上部磁性層
２４とを離すとともに、コイル３０を内包している。
【０００５】このように構成された薄膜磁気ヘッドにあ
っては、例えば各引出端子１８,１８を導通させて電磁
変換素子１６の先端の磁気ギャップ２８から発生する磁
界によって磁気記録媒体に情報の記録を行い、また磁気
記録媒体から発生する磁界を電磁変換素子１６の先端の
磁気ギャップ２８で拾いあげ、情報の再生が行なわれ
る。またこの時の情報は電磁変換素子１６から各引出端
子１８,１８を経てボンディングパッド２０,２０に通
じ、さらにボンディングパッド２０,２０から外部回路
にリード線等で送られる。
っては、例えば各引出端子１８,１８を導通させて電磁
変換素子１６の先端の磁気ギャップ２８から発生する磁
界によって磁気記録媒体に情報の記録を行い、また磁気
記録媒体から発生する磁界を電磁変換素子１６の先端の
磁気ギャップ２８で拾いあげ、情報の再生が行なわれ
る。またこの時の情報は電磁変換素子１６から各引出端
子１８,１８を経てボンディングパッド２０,２０に通
じ、さらにボンディングパッド２０,２０から外部回路
にリード線等で送られる。
【０００６】従って、磁気ギャップ２８の深さＤは、薄
膜磁気ヘッド１０の特性に影響が大きい。
膜磁気ヘッド１０の特性に影響が大きい。
【０００７】この為、薄膜磁気ヘッドの製造時には、磁
気ギャップ２８の深さＤの高精度な加工が要求されてい
る。
気ギャップ２８の深さＤの高精度な加工が要求されてい
る。
【０００８】薄膜磁気ヘッドの製造方法は、一般に薄膜
プロセスにて、ウェハに電磁変換素子１６やボンディン
グパッド２０等を多数形成して複数のチップを形成す
る。そして、スライス及び切断工程にて、各チップを切
り出し、磁気ギャップ２８が所定深さになるように研摩
し、浮上レール１４等の形成された複数のスライダ１２
を製造する。
プロセスにて、ウェハに電磁変換素子１６やボンディン
グパッド２０等を多数形成して複数のチップを形成す
る。そして、スライス及び切断工程にて、各チップを切
り出し、磁気ギャップ２８が所定深さになるように研摩
し、浮上レール１４等の形成された複数のスライダ１２
を製造する。
【０００９】一般に磁気ギャップ２８の研摩 (ギャップ
デプス研摩）は、図２に示すデップスマーカー３２（磁
気ギャップ２８と共に研摩される）を目安に下記記載の
方法で研磨量を検出しながら行う。
デプス研摩）は、図２に示すデップスマーカー３２（磁
気ギャップ２８と共に研摩される）を目安に下記記載の
方法で研磨量を検出しながら行う。
【００１０】デップスマーカー３２はＴｉ等からなり、
磁気ギャップ２８の横近傍で、ゼロデップスライン（図
２中、Ｌ−Ｌ線）を跨いで形成される。
磁気ギャップ２８の横近傍で、ゼロデップスライン（図
２中、Ｌ−Ｌ線）を跨いで形成される。
【００１１】そして、絶縁層２６のエッチング後にデッ
プスマーカー３２の後側エッジＲＥとゼロデップスライ
ン（Ｌ−Ｌ線）の間の距離ｄ1を測定する。この測定は
例えば顕微鏡等を用いた光学的方法などで行われる。
プスマーカー３２の後側エッジＲＥとゼロデップスライ
ン（Ｌ−Ｌ線）の間の距離ｄ1を測定する。この測定は
例えば顕微鏡等を用いた光学的方法などで行われる。
【００１２】そして、ギャップデプス研摩は、研摩中の
デップスマーカー３２の残量ｄ2を測定しながら所定の
ギャップデプス (Ｇｄ）の位置、即ち残量ｄ2がデップ
スマーカー３２のｄ1＋Ｄの値に等しくなる地点まで行
う。
デップスマーカー３２の残量ｄ2を測定しながら所定の
ギャップデプス (Ｇｄ）の位置、即ち残量ｄ2がデップ
スマーカー３２のｄ1＋Ｄの値に等しくなる地点まで行
う。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記方法
では、後側エッジＲＥとゼロデップスラインＬの間の距
離ｄ1の測定精度が必ずしも充分ではなかった。
では、後側エッジＲＥとゼロデップスラインＬの間の距
離ｄ1の測定精度が必ずしも充分ではなかった。
【００１４】特に、顕微鏡で測定する際には、高倍率下
で行う為に磁気ギャップ２８とデップスマーカー３２の
測定中に顕微鏡のステージを移動させる必要が生じる為
に、ステージの移動時に顕微鏡の画面上のマークの位置
ずれ等が生じることになり、より高精度な距離ｄ1の測
定を妨げるものであった。
で行う為に磁気ギャップ２８とデップスマーカー３２の
測定中に顕微鏡のステージを移動させる必要が生じる為
に、ステージの移動時に顕微鏡の画面上のマークの位置
ずれ等が生じることになり、より高精度な距離ｄ1の測
定を妨げるものであった。
【００１５】本発明は前記課題を解決する為になされた
もので、簡易な方法で上記距離ｄ1の測定精度を高め、
これにより磁気ギャップの深さの加工を高精度化し、品
質の高い薄膜磁気ヘッドを得ることにある。
もので、簡易な方法で上記距離ｄ1の測定精度を高め、
これにより磁気ギャップの深さの加工を高精度化し、品
質の高い薄膜磁気ヘッドを得ることにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、下部磁性層上にコイルを内包した絶縁層
を積層し、これをエッチングして所定形状にし、さらに
その上に上部磁性層を積層して電磁変換素子を形成し、
媒体対向面側から前記電磁変換素子の先端を研摩して、
前記下部磁性層と前記絶縁層と前記上部磁性層とからな
る所定深さの磁気ギャップを形成する薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、 磁気ギャップの近傍でかつゼロデップスライン上にデ
ップスマーカーを、さらに磁気ギャップの先方側にギャ
ップデプス測定用パターンを薄膜プロセスで形成する。 ギャップデプス測定用パターンの磁気ギャップ側の後
側エッジとゼロデップスラインとの間の距離ｄ3を測定
する。 前記デップスマーカーとギャップデプス測定用パター
ンの形成に使用したマスクの形状から前記デップスマー
カーの後側エッジと前記ギャップデプス測定用パターン
の後側エッジの間の距離ｄ4を計測しておく。 この距離ｄ4と前記測定値ｄ3との差から、前記デップ
スマーカーの後側エッジとゼロデップスラインとの間の
距離ｄ1を算出する。 磁気ギャップと共に研摩される前記デップスマーカー
の残量が、前記算出した距離ｄ1と所定のギャップデプ
ス深さの和に等しくなるまで電磁変換素子の先端を媒体
対向面側から研摩して所定深さの磁気ギャップを形成す
る。
の製造方法は、下部磁性層上にコイルを内包した絶縁層
を積層し、これをエッチングして所定形状にし、さらに
その上に上部磁性層を積層して電磁変換素子を形成し、
媒体対向面側から前記電磁変換素子の先端を研摩して、
前記下部磁性層と前記絶縁層と前記上部磁性層とからな
る所定深さの磁気ギャップを形成する薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、 磁気ギャップの近傍でかつゼロデップスライン上にデ
ップスマーカーを、さらに磁気ギャップの先方側にギャ
ップデプス測定用パターンを薄膜プロセスで形成する。 ギャップデプス測定用パターンの磁気ギャップ側の後
側エッジとゼロデップスラインとの間の距離ｄ3を測定
する。 前記デップスマーカーとギャップデプス測定用パター
ンの形成に使用したマスクの形状から前記デップスマー
カーの後側エッジと前記ギャップデプス測定用パターン
の後側エッジの間の距離ｄ4を計測しておく。 この距離ｄ4と前記測定値ｄ3との差から、前記デップ
スマーカーの後側エッジとゼロデップスラインとの間の
距離ｄ1を算出する。 磁気ギャップと共に研摩される前記デップスマーカー
の残量が、前記算出した距離ｄ1と所定のギャップデプ
ス深さの和に等しくなるまで電磁変換素子の先端を媒体
対向面側から研摩して所定深さの磁気ギャップを形成す
る。
【００１７】
【作用】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法に於いて
は、磁気ギャップの媒体対向面側近傍に形成されたギャ
ップデプス測定用パターンのゼロデップスライン側の端
とゼロデップスラインの間の距離ｄ3だけを測定する。
そして、磁気ギャップの横近傍でゼロデップスライン上
に形成されたデップスマーカーの後側エッジとギャップ
デプス測定用パターンの後側エッジの間の距離ｄ4と上
記測定値ｄ3の差からデップスマーカーの後側エッジと
ゼロデップスラインの距離ｄ1を求める。
は、磁気ギャップの媒体対向面側近傍に形成されたギャ
ップデプス測定用パターンのゼロデップスライン側の端
とゼロデップスラインの間の距離ｄ3だけを測定する。
そして、磁気ギャップの横近傍でゼロデップスライン上
に形成されたデップスマーカーの後側エッジとギャップ
デプス測定用パターンの後側エッジの間の距離ｄ4と上
記測定値ｄ3の差からデップスマーカーの後側エッジと
ゼロデップスラインの距離ｄ1を求める。
【００１８】ここで、デップスマーカーの後側エッジと
ギャップデプス測定用パターンの後側エッジの間の距離
ｄ4は、デップスマーカーとギャップデプス測定用パタ
ーンを形成する時に使用したマスクから計測済であるの
で、上記距離ｄ1の測定誤差を極めて小さくすることが
できる。
ギャップデプス測定用パターンの後側エッジの間の距離
ｄ4は、デップスマーカーとギャップデプス測定用パタ
ーンを形成する時に使用したマスクから計測済であるの
で、上記距離ｄ1の測定誤差を極めて小さくすることが
できる。
【００１９】そして、この精度の高い値である距離ｄ1
を基に研摩量を検出しながら、磁気ギャップを所定深さ
に研摩して磁気ヘッドを製造するので、磁気ギャップの
深さが正確な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
を基に研摩量を検出しながら、磁気ギャップを所定深さ
に研摩して磁気ヘッドを製造するので、磁気ギャップの
深さが正確な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００２０】
【実施例】本発明の一実施例を図１を参照して説明す
る。
る。
【００２１】本実施例の製造方法では、磁気ギャップ２
８の先方で媒体対向面側近傍３〜５μｍの所に、Ｔｉ等
からなるギャップデプス測定用パターン３４を薄膜プロ
セスにより形成する。
８の先方で媒体対向面側近傍３〜５μｍの所に、Ｔｉ等
からなるギャップデプス測定用パターン３４を薄膜プロ
セスにより形成する。
【００２２】また、磁気ギャップ２８の横近傍にはゼロ
デップスライン（図１中、Ｌ−Ｌ線）上にＴｉ等からな
るデップスマーカー３２を薄膜形成する。
デップスライン（図１中、Ｌ−Ｌ線）上にＴｉ等からな
るデップスマーカー３２を薄膜形成する。
【００２３】これらギャップデプス測定用パターン３４
とデップスマーカー３２は同時にかつ同じマスクを用い
て薄膜プロセスで形成する。
とデップスマーカー３２は同時にかつ同じマスクを用い
て薄膜プロセスで形成する。
【００２４】この際、デップスマーカー３２の後側エッ
ジＲＥとギャップデプス測定用パターン３４の後側エッ
ジの間の距離ｄ4をその形成に使用したマスクから予め
計測しておく。
ジＲＥとギャップデプス測定用パターン３４の後側エッ
ジの間の距離ｄ4をその形成に使用したマスクから予め
計測しておく。
【００２５】そして、絶縁層のエッチング工程後に、ま
ずギャップデプス測定用パターン３４の磁気ギャップ２
８側の後側エッジとゼロデップスライン（Ｌ−Ｌ）の間
の距離ｄ3を測定する。
ずギャップデプス測定用パターン３４の磁気ギャップ２
８側の後側エッジとゼロデップスライン（Ｌ−Ｌ）の間
の距離ｄ3を測定する。
【００２６】そして、マスクの形状から予め既知である
デップスマーカー３２の後側エッジＲＥとギャップデプ
ス測定用パターン３４の後側エッジとの間の距離ｄ
4と、上記測定した距離ｄ3との差を算出し、デップスマ
ーカー３２の後側エッジＲＥとゼロデップライン（Ｌ−
Ｌ）の間の距離ｄ1を求める。
デップスマーカー３２の後側エッジＲＥとギャップデプ
ス測定用パターン３４の後側エッジとの間の距離ｄ
4と、上記測定した距離ｄ3との差を算出し、デップスマ
ーカー３２の後側エッジＲＥとゼロデップライン（Ｌ−
Ｌ）の間の距離ｄ1を求める。
【００２７】そして、研摩時に削り取られて減少するデ
ップスマーカー３２の残量ｄ2が、前記算出した距離ｄ1
と所定のギャップデプス深さ（Ｄ）の和に等しくなるま
で、電磁変換素子１６の先端を媒体対向面側から研摩す
る。
ップスマーカー３２の残量ｄ2が、前記算出した距離ｄ1
と所定のギャップデプス深さ（Ｄ）の和に等しくなるま
で、電磁変換素子１６の先端を媒体対向面側から研摩す
る。
【００２８】本実施例での磁気ギャップの研摩方法に於
いては、磁気ギャップの極近傍に形成されたギャップデ
プス測定用パターンのゼロデップスライン側の端とゼロ
デップスラインの間の距離ｄ3だけを測定し、この測定
値ｄ3と、デップスマーカーとギャップデプス測定用パ
ターンを形成する際のマスクから事前に計測済であるデ
ップスマーカーの後側エッジとギャップデプス測定用パ
ターンの後側エッジの距離ｄ4の差からデップスマーカ
ーの後側エッジとゼロデップスラインの距離ｄ1を求め
るものであるので、距離ｄ1の測定誤差が小さい。
いては、磁気ギャップの極近傍に形成されたギャップデ
プス測定用パターンのゼロデップスライン側の端とゼロ
デップスラインの間の距離ｄ3だけを測定し、この測定
値ｄ3と、デップスマーカーとギャップデプス測定用パ
ターンを形成する際のマスクから事前に計測済であるデ
ップスマーカーの後側エッジとギャップデプス測定用パ
ターンの後側エッジの距離ｄ4の差からデップスマーカ
ーの後側エッジとゼロデップスラインの距離ｄ1を求め
るものであるので、距離ｄ1の測定誤差が小さい。
【００２９】特に、高倍率であっても、ゼロデップスラ
インとその極近傍に形成されたギャップデプス測定用パ
ターンの後側エッジの間の距離の測定であっては、顕微
鏡のステージを移動させる必要がなく、測定を正確にで
きる。
インとその極近傍に形成されたギャップデプス測定用パ
ターンの後側エッジの間の距離の測定であっては、顕微
鏡のステージを移動させる必要がなく、測定を正確にで
きる。
【００３０】磁気ギャップの研摩は、この精度の高い値
である距離ｄ1を基に研摩量を検出しながら行なわれる
ので、磁気ギャップの深さが正確な薄膜磁気ヘッドを製
造することができる。
である距離ｄ1を基に研摩量を検出しながら行なわれる
ので、磁気ギャップの深さが正確な薄膜磁気ヘッドを製
造することができる。
【００３１】
【発明の効果】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法に於
いては、磁気ギャップの媒体対向面側極近傍に形成され
たギャップデプス測定用パターンのゼロデップスライン
側の端とゼロデップスラインの間の距離ｄ3だけを測定
し、この測定値ｄ3と、磁気ギャップ横近傍でゼロデッ
プスラインを跨いで形成されたデップスマーカーとギャ
ップデプス測定用パターンを形成する際のマスクから事
前に計測済であるデップスマーカーの後側エッジとギャ
ップデプス測定用パターンの後側エッジの距離ｄ4の差
から、デップスマーカーの後側エッジとゼロデップスラ
インの間の距離ｄ1を求めるものであるので、距離ｄ1の
測定誤差を小さくすることができる。
いては、磁気ギャップの媒体対向面側極近傍に形成され
たギャップデプス測定用パターンのゼロデップスライン
側の端とゼロデップスラインの間の距離ｄ3だけを測定
し、この測定値ｄ3と、磁気ギャップ横近傍でゼロデッ
プスラインを跨いで形成されたデップスマーカーとギャ
ップデプス測定用パターンを形成する際のマスクから事
前に計測済であるデップスマーカーの後側エッジとギャ
ップデプス測定用パターンの後側エッジの距離ｄ4の差
から、デップスマーカーの後側エッジとゼロデップスラ
インの間の距離ｄ1を求めるものであるので、距離ｄ1の
測定誤差を小さくすることができる。
【００３２】そして、この精度の高い値（ｄ1）を基に
研摩量を検出しながら磁気ギャップを研摩するので、磁
気ギャップの深さが正確な薄膜磁気ヘッドを容易に製造
することができる。
研摩量を検出しながら磁気ギャップを研摩するので、磁
気ギャップの深さが正確な薄膜磁気ヘッドを容易に製造
することができる。
【００３３】特に、高倍率であっても、ゼロデップスラ
インとその極近傍に形成されたギャップデプス測定用パ
ターンの後側エッジの距離の測定であっては、顕微鏡の
ステージを移動させる必要がなく、測定を正確にでき
る。
インとその極近傍に形成されたギャップデプス測定用パ
ターンの後側エッジの距離の測定であっては、顕微鏡の
ステージを移動させる必要がなく、測定を正確にでき
る。
【図１】本実施例の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明す
るための平面図である。
るための平面図である。
【図２】従来例の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する
ための平面図である。
ための平面図である。
【図３】薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図４】電磁変換素子の断面図である。
１０ 薄膜磁気ヘッド １２ スライダ １４ 浮上レール １６ 電磁変換素子 ２２ 下部磁性層 ２４ 上部磁性層 ２６ 絶縁層 ２８ 磁気ギャップ ３０ コイル ３２ デップスマーカー ３４ ギャップデプス測定用パターン Ｄ 磁気ギャップの深さ Ｇｄ 所定のギャップデプスの位置 Ｌ ゼロデップスライン ＲＥ デップスマーカーの後側エッジ ｄ1 デップスマーカーの後側エッジとゼロデップスラ
インの間の距離 ｄ2 研摩時におけるデップスマーカーの残量 ｄ3 ゼロデップスラインとギャップデプス測定用パタ
ーンの後側エッジの間の距離 ｄ4 マスクから事前に計測可能なデップスマーカーの
後側エッジとギャップデプス測定用パターンの後側エッ
ジの間の距離
インの間の距離 ｄ2 研摩時におけるデップスマーカーの残量 ｄ3 ゼロデップスラインとギャップデプス測定用パタ
ーンの後側エッジの間の距離 ｄ4 マスクから事前に計測可能なデップスマーカーの
後側エッジとギャップデプス測定用パターンの後側エッ
ジの間の距離
Claims (1)
- 【請求項１】 下部磁性層上にコイルを内包した絶縁層
を積層し、これをエッチングして所定形状にし、さらに
その上に上部磁性層を積層して電磁変換素子を形成し、
媒体対向面側から前記電磁変換素子の先端を研摩して、
前記下部磁性層と前記絶縁層と前記上部磁性層とからな
る所定深さの磁気ギャップを形成する薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、磁気ギャップの近傍でかつゼロデッ
プスライン上にデップスマーカーを、さらに磁気ギャッ
プの先方側にギャップデプス測定用パターンを薄膜プロ
セスで形成し、ギャップデプス測定用パターンの磁気ギ
ャップ側の後側エッジとゼロデップスラインとの間の距
離ｄ3を測定し、前記デップスマーカーとギャップデプ
ス測定用パターンの形成に使用したマスクの形状から予
め既知である前記デップスマーカーの後側エッジと前記
ギャップデプス測定用パターンの後側エッジの間の距離
ｄ4と、前記測定値ｄ3の差から、前記デップスマーカー
の後側エッジとゼロデップスラインとの間の距離ｄ1を
算出し、磁気ギャップと共に研摩される前記デップスマ
ーカーの残量が、前記算出した距離ｄ1と所定のギャッ
プデプス深さの和に等しくなるまで電磁変換素子の先端
を媒体対向面側から研摩して所定深さの磁気ギャップを
形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2892691A JPH0567312A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2892691A JPH0567312A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567312A true JPH0567312A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=12262010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2892691A Withdrawn JPH0567312A (ja) | 1991-02-22 | 1991-02-22 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0567312A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8256752B2 (en) | 2007-06-30 | 2012-09-04 | Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg | Removing a processed part |
-
1991
- 1991-02-22 JP JP2892691A patent/JPH0567312A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8256752B2 (en) | 2007-06-30 | 2012-09-04 | Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg | Removing a processed part |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |