JPS61238755A - スクアリリウム化合物 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、広範囲の溶媒に溶解しかつ溶液中における極
大吸収波長がSOO〜900nmの領域内にある、耐光
性が良好で新規なスクアIJ IJウム化合物に関する
。
大吸収波長がSOO〜900nmの領域内にある、耐光
性が良好で新規なスクアIJ IJウム化合物に関する
。
(従来の技術)
スクアリリウム化合物が、光導電性を示し、例えば電子
写真用感光体の電荷発生剤(特開昭49−105536
号公報)、レーザー書き込み液晶表示用レーザー光吸収
材料(特開昭59−397485号公報)、あるいは光
デイスク用記録材料(特開昭56−46221号、特開
昭58−217758号及び特開昭59−129954
号等の各公報)などとして使用されていることは知られ
ている。
写真用感光体の電荷発生剤(特開昭49−105536
号公報)、レーザー書き込み液晶表示用レーザー光吸収
材料(特開昭59−397485号公報)、あるいは光
デイスク用記録材料(特開昭56−46221号、特開
昭58−217758号及び特開昭59−129954
号等の各公報)などとして使用されていることは知られ
ている。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、従来公知のスクアリリウム化合物は、例
えばN−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン
、N−ジメチルアセトアミド、ホルムアミド等の非プロ
トン系極性溶媒などの限られた溶媒にのみ可溶なもので
あるばかシか、例えば特開昭59−129954号公報
記載の化合物煮6のように溶解性の非常に乏しいものも
あるなど、溶解性上問題点のあるものであった。また、
これらの多くのものは、溶液中での極大吸収波長が半導
体レーザーの発振波長である780nm、830nm又
はssonmから大きく外れており、更には耐光性が不
充分で安定性に欠ける、といった問題点のあることから
も利用分野に制限があり、とくにレーザー光を光源とす
る各種情報材料として使用するには満足できるものでは
なかった。
えばN−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン
、N−ジメチルアセトアミド、ホルムアミド等の非プロ
トン系極性溶媒などの限られた溶媒にのみ可溶なもので
あるばかシか、例えば特開昭59−129954号公報
記載の化合物煮6のように溶解性の非常に乏しいものも
あるなど、溶解性上問題点のあるものであった。また、
これらの多くのものは、溶液中での極大吸収波長が半導
体レーザーの発振波長である780nm、830nm又
はssonmから大きく外れており、更には耐光性が不
充分で安定性に欠ける、といった問題点のあることから
も利用分野に制限があり、とくにレーザー光を光源とす
る各種情報材料として使用するには満足できるものでは
なかった。
本発明は、従来公知のスクアIJ IJウム化合物にあ
る上記の問題点を解決しうる新規なスクアリリウム化合
物の提供を目的とする。
る上記の問題点を解決しうる新規なスクアリリウム化合
物の提供を目的とする。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、一般式CI)
(式中、R1は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜1
3のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数1
〜13のアルコキシ基を示し、R2は水素原子又は置換
基を有していてもよい炭素数1〜13のアルコキシ基を
示し、R3は水素原子又は炭素数1〜13のアルキル基
を示し、かつR1、R2及びR3の少くとも一つは前記
のアルキル基又はアルコキシ基を示す。)で表わされる
スクアリリウム化合物を要旨とするものである。
3のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数1
〜13のアルコキシ基を示し、R2は水素原子又は置換
基を有していてもよい炭素数1〜13のアルコキシ基を
示し、R3は水素原子又は炭素数1〜13のアルキル基
を示し、かつR1、R2及びR3の少くとも一つは前記
のアルキル基又はアルコキシ基を示す。)で表わされる
スクアリリウム化合物を要旨とするものである。
本発明の前足一般式CI)で表わされるスクアリリウム
化合物は、一般式CI) (式中R1、R2及びR3は前足一般式CI)における
と同一の意義を有する。)で表わされるベンズ(a)ア
ズレン誘導体と構造式 で表わされる3、4−ジヒドロキシ−3−シクロブテン
−1,2−ジオン、すなわちスクアリック酸とを、溶媒
中で反応させることによって容易に製造することができ
る。
化合物は、一般式CI) (式中R1、R2及びR3は前足一般式CI)における
と同一の意義を有する。)で表わされるベンズ(a)ア
ズレン誘導体と構造式 で表わされる3、4−ジヒドロキシ−3−シクロブテン
−1,2−ジオン、すなわちスクアリック酸とを、溶媒
中で反応させることによって容易に製造することができ
る。
前足一般式(1)で表わされる原料化合物におけるR1
としては、水素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン
原子、メチル基、エチル基、 tert−ブチル基、ノ
ニル基等の炭素数1〜13のアルキル基、メトキシ基、
エトキシ基、ブチルオキシ基、ノニルオキシ基等の炭素
数1〜13のアルコキシ基、あるいはメトキシエトキシ
基、エトキシエトキシ基、ブトキシエトキシ基、エトキ
シエトキシエトキシ基等のアルコキシ基で置換されてい
てもよいアルコキシ基などが挙げられる。R2としては
、水素原子、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ノ
ニルオキシ基等の炭素数1〜13のアルコキシ基、メト
キシエトキシ基、エトキシエトキシ基、メトキシエトキ
シエトキシ基。
としては、水素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン
原子、メチル基、エチル基、 tert−ブチル基、ノ
ニル基等の炭素数1〜13のアルキル基、メトキシ基、
エトキシ基、ブチルオキシ基、ノニルオキシ基等の炭素
数1〜13のアルコキシ基、あるいはメトキシエトキシ
基、エトキシエトキシ基、ブトキシエトキシ基、エトキ
シエトキシエトキシ基等のアルコキシ基で置換されてい
てもよいアルコキシ基などが挙げられる。R2としては
、水素原子、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ノ
ニルオキシ基等の炭素数1〜13のアルコキシ基、メト
キシエトキシ基、エトキシエトキシ基、メトキシエトキ
シエトキシ基。
エトキシエトキシエトキシ基等のアルコキシ基で置換さ
れていてもよいアルコキシ基などが挙げられる。R3と
しては、水素原子、メチル基、イソプロピル基等の炭素
数1〜13のアルキル基などが挙げられる。但し、R1
、R2及びR3が同時に水素原子であることはない。
れていてもよいアルコキシ基などが挙げられる。R3と
しては、水素原子、メチル基、イソプロピル基等の炭素
数1〜13のアルキル基などが挙げられる。但し、R1
、R2及びR3が同時に水素原子であることはない。
すなわち、R1、R2及びR3が同時に水素原子の場合
、後述の溶媒に難溶であるだめ利用分野に限界があり、
そして極大吸収波長が814nm(クロロホルム中で測
定)であシ半導体レーザーの発振波長である8 30
nm又は850nmからのずれが大きい。
、後述の溶媒に難溶であるだめ利用分野に限界があり、
そして極大吸収波長が814nm(クロロホルム中で測
定)であシ半導体レーザーの発振波長である8 30
nm又は850nmからのずれが大きい。
また、本発明のスクアリリウム化合物の製造反応におい
て用いられる溶媒としては、例えばメタノール、エタノ
ール、1−プロパツール、インプロパツール、1−ブタ
ノール。
て用いられる溶媒としては、例えばメタノール、エタノ
ール、1−プロパツール、インプロパツール、1−ブタ
ノール。
2−ブタノール、アミルアルコール、1−ヘキサノール
、シクロヘキサノール、1−ヘプタツール、1−ノナノ
ール等のアルコール類、又は、これらのアルコール類と
ベンゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳
香族炭化水素系との混合溶媒などが挙げられる。
、シクロヘキサノール、1−ヘプタツール、1−ノナノ
ール等のアルコール類、又は、これらのアルコール類と
ベンゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳
香族炭化水素系との混合溶媒などが挙げられる。
また、上記の製造反応における反応温度としては、通常
70〜150℃、好ましくは9()−120℃の温度が
用いられる。
70〜150℃、好ましくは9()−120℃の温度が
用いられる。
(作用)
かくして得られる本発明の新規なスクアリリウム化合物
は、広範な各種の溶媒に可溶である。すなわち、例えば
クロロホルム、ジクロルメタン、ジクロルエタン等の含
ハロゲン炭化水素系溶媒;ジエチルエーテル、ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン等のエーテ
ル系溶媒;酢酸エチル等のエステル系溶媒;ベレゼン、
トルエン、キシレン。
は、広範な各種の溶媒に可溶である。すなわち、例えば
クロロホルム、ジクロルメタン、ジクロルエタン等の含
ハロゲン炭化水素系溶媒;ジエチルエーテル、ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン等のエーテ
ル系溶媒;酢酸エチル等のエステル系溶媒;ベレゼン、
トルエン、キシレン。
クロルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒;アセトアミ
ド、N−ジメチルアセトアミド。
ド、N−ジメチルアセトアミド。
N−メチルピロリドン等のアミド系溶媒;メタノール、
エタノール、メチルセロソルブ等のアルコール系溶媒;
ジメチルスルホキシドなどの溶媒のいずれにも可溶であ
る。加えてこれらの溶媒中における極太吸収スペクトル
の吸収波長は、800〜900nmの領域内でも、とく
に半導体レーザーの発振波長である830nm又は85
0nm付近にあり、かつ耐光性が良好である。
エタノール、メチルセロソルブ等のアルコール系溶媒;
ジメチルスルホキシドなどの溶媒のいずれにも可溶であ
る。加えてこれらの溶媒中における極太吸収スペクトル
の吸収波長は、800〜900nmの領域内でも、とく
に半導体レーザーの発振波長である830nm又は85
0nm付近にあり、かつ耐光性が良好である。
(実施例)
次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例1
3.4−ジヒドロキシ−3−シクロブテン−1,2−ジ
オ:10.038fにn−ブチルアルコール20m1を
加え、約100℃に加熱して溶解した。この溶液に8−
イソプロピル−ベンズ〔a〕アズレy0.15fとベン
ゼン15m1を加え、95〜105℃で生じる水を共沸
的に留去しながら約1時間攪拌した。冷却後n−へキサ
ンを添加し、析出した結晶をカラムクロマトにより精製
して、下記構造式: で示される化合物0.16fを得た。本化合物は194
〜195℃の融点を示し、そのクロロホルム溶液中での
吸収スペクトルの極大吸収波長は823 nmであった
。
オ:10.038fにn−ブチルアルコール20m1を
加え、約100℃に加熱して溶解した。この溶液に8−
イソプロピル−ベンズ〔a〕アズレy0.15fとベン
ゼン15m1を加え、95〜105℃で生じる水を共沸
的に留去しながら約1時間攪拌した。冷却後n−へキサ
ンを添加し、析出した結晶をカラムクロマトにより精製
して、下記構造式: で示される化合物0.16fを得た。本化合物は194
〜195℃の融点を示し、そのクロロホルム溶液中での
吸収スペクトルの極大吸収波長は823 nmであった
。
実施例2
実施例1の8−イソプロピル−ベンズCa)アズレンの
代シに同モル数の3−エチル−8−インプロピル−ベン
ズ(a)アズレンを用いた以外は、実施例1と同様にし
て反応させ、下記構造式: で示される化合物を得た。本化合物は195〜196℃
の融点を示し、そのクロロホルム溶液中での吸収スペク
トルの極太吸収波長は836nmであった。
代シに同モル数の3−エチル−8−インプロピル−ベン
ズ(a)アズレンを用いた以外は、実施例1と同様にし
て反応させ、下記構造式: で示される化合物を得た。本化合物は195〜196℃
の融点を示し、そのクロロホルム溶液中での吸収スペク
トルの極太吸収波長は836nmであった。
実施例3
実施例1の8−イソプロピル−ベンズ(a)アズレンの
代りに同モル数の3− tert−プチル−ベンズ〔a
〕アズレンを用いた以外は、実施例1と同様にして反応
させ、n−ブタノールより再結晶を行い、下記構造式: で示される化合物を得た。本化合物は310〜311℃
の融点を示し、そのクロロホルム溶液中での吸収スペク
トルの極大吸収波長は823nmであった。
代りに同モル数の3− tert−プチル−ベンズ〔a
〕アズレンを用いた以外は、実施例1と同様にして反応
させ、n−ブタノールより再結晶を行い、下記構造式: で示される化合物を得た。本化合物は310〜311℃
の融点を示し、そのクロロホルム溶液中での吸収スペク
トルの極大吸収波長は823nmであった。
実施例4
実施例1の方法に準じて合成した、実施例1〜3以外の
27種の本発明のスクアIJ IJウム化合物につき、
それぞれの構造式及びクロロホルム溶液中での極大吸収
波長を下記第1表の1〜2に表示する。
27種の本発明のスクアIJ IJウム化合物につき、
それぞれの構造式及びクロロホルム溶液中での極大吸収
波長を下記第1表の1〜2に表示する。
第 1 表 の 1
第 1 表 の 2
(発明の効果)
以上の結果から明らかなように、本発明の新規なスクア
リリウム化合物は、広範な各種溶媒のいずれにも可溶性
を示すばかりでなく、これらの溶媒中における極太吸収
波長は、800〜900nmの領域内にあってとりわけ
半導体レーザーの発振波長である8 30 nm又は8
50 nmの付近に集中しており、しかも耐光性が良好
である、という工業的価値ある顕著な効果を奏するもの
である。したがって、レーザー光を利用する各種情報材
料、例えばレーザー書き込み液晶表示用レーザー光吸収
材料、レーザーを光源とした電子写真プリンターの電子
写真感光材料、レーザーによる書き込みと読み出しが可
能な光デイスク用記録材料、あるいは赤外線カットフィ
ルターなどの分野で、とくにその有用性が期待されるも
のである。
リリウム化合物は、広範な各種溶媒のいずれにも可溶性
を示すばかりでなく、これらの溶媒中における極太吸収
波長は、800〜900nmの領域内にあってとりわけ
半導体レーザーの発振波長である8 30 nm又は8
50 nmの付近に集中しており、しかも耐光性が良好
である、という工業的価値ある顕著な効果を奏するもの
である。したがって、レーザー光を利用する各種情報材
料、例えばレーザー書き込み液晶表示用レーザー光吸収
材料、レーザーを光源とした電子写真プリンターの電子
写真感光材料、レーザーによる書き込みと読み出しが可
能な光デイスク用記録材料、あるいは赤外線カットフィ
ルターなどの分野で、とくにその有用性が期待されるも
のである。
Claims (1)
- (1)一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼………〔 I 〕 (式中、R^1は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜
13のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数
1〜13のアルコキシ基を示し、R^2は水素原子又は
置換基を有していてもよい炭素数1〜13のアルコキシ
基を示し、R^3は水素原子又は炭素数1〜13のアル
キル基を示し、かつR^1、R^2及びR^3の少くと
も一つは前記のアルキル基又はアルコキシ基を示す。)
で表わされるスクアリリウム化合物。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60081893A JPS61238755A (ja) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | スクアリリウム化合物 |
DE8585309198T DE3583013D1 (de) | 1984-12-19 | 1985-12-17 | Squarilium-verbindungen und fluessigkristallzusammensetzungen, die diese enthalten. |
EP85309198A EP0187015B1 (en) | 1984-12-19 | 1985-12-17 | Squarilium compound and liquid crystal composition containing the same |
US07/605,215 US5037575A (en) | 1984-12-19 | 1990-10-29 | Squarilium compound and liquid crystal composition containing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60081893A JPS61238755A (ja) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | スクアリリウム化合物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61238755A true JPS61238755A (ja) | 1986-10-24 |
Family
ID=13759120
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60081893A Pending JPS61238755A (ja) | 1984-12-19 | 1985-04-16 | スクアリリウム化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61238755A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02300717A (ja) * | 1989-05-16 | 1990-12-12 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
JPH0326593A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-02-05 | Eastman Kodak Co | レーザー誘導染料熱転写に用いる染料供与素子用赤外線吸収スクアリリウム化合物 |
US5085909A (en) * | 1988-04-28 | 1992-02-04 | Ricoh Company, Ltd. | Squarylium compounds and optical information recording medium using the same |
US5275917A (en) * | 1991-07-09 | 1994-01-04 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Photocurable composition |
US5470683A (en) * | 1993-07-28 | 1995-11-28 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Photosensitive microcapsule toner |
US6171759B1 (en) | 1992-05-14 | 2001-01-09 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Photocurable composition |
-
1985
- 1985-04-16 JP JP60081893A patent/JPS61238755A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5085909A (en) * | 1988-04-28 | 1992-02-04 | Ricoh Company, Ltd. | Squarylium compounds and optical information recording medium using the same |
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JPH0512156B2 (ja) * | 1989-06-16 | 1993-02-17 | Eastman Kodak Co | |
US5275917A (en) * | 1991-07-09 | 1994-01-04 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Photocurable composition |
US6171759B1 (en) | 1992-05-14 | 2001-01-09 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Photocurable composition |
US5470683A (en) * | 1993-07-28 | 1995-11-28 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Photosensitive microcapsule toner |
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