JPS61243862A - スクアリリウム化合物 - Google Patents

スクアリリウム化合物

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Publication number
JPS61243862A
JPS61243862A JP60087243A JP8724385A JPS61243862A JP S61243862 A JPS61243862 A JP S61243862A JP 60087243 A JP60087243 A JP 60087243A JP 8724385 A JP8724385 A JP 8724385A JP S61243862 A JPS61243862 A JP S61243862A
Authority
JP
Japan
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azulene
benz
isopropylazulene
substituent
isopropyl
Prior art date
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Pending
Application number
JP60087243A
Other languages
English (en)
Inventor
Konoe Miura
三浦 近衛
Tetsuo Ozawa
鉄男 尾澤
Junko Iwanami
岩波 淳子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Kasei Corp
Original Assignee
Mitsubishi Kasei Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Kasei Corp filed Critical Mitsubishi Kasei Corp
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Priority to EP85309198A priority patent/EP0187015B1/en
Publication of JPS61243862A publication Critical patent/JPS61243862A/ja
Priority to US07/605,215 priority patent/US5037575A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、広範囲の溶媒に溶解しかつ溶液中における極
大吸収波長が700〜900 nmの領域内にある、耐
光性が良好で新規なスクアリリウム化合物に関する。
(従来の技術) スクアリリウム化合物が、光導電性を示し、例えば電子
写真用感光体の電荷発生剤(特開昭49−105536
号公報)、レーザー書き込み液晶表示用レーザー光吸収
材料(%開閉59−197485号公報)、あるいは光
デイスク用記録材料(特開昭56−46221号、特開
昭58−217758号及び特開昭59−129954
号等の各公報)などとして使用されていることは知られ
ている。
(発明が解決しようとする問題点) しかじな−biら、従来公知のスクアリリウム化合物は
、例えばN−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリ
ドン、N−ジメチルアセトアミド、ホルムアミド等の非
プロトン系極性溶媒などの限られた溶媒にのみ可溶なも
のであるばかりか、例えば特開昭59−129954号
公報記載の化合物&6のように溶解性の非常に乏しいも
のもあるなど、溶解性上問題点のあるものであった。ま
た、これらの多くのnmから大きく外れておシ、更には
耐光性が不充分で安定性に欠ける、といった問題点のあ
ることからも利用分野に制限があり、とくにレーザー光
を光源とする各種情報材料として使用するには満足でき
るものでは々かった。
本発明は、従来公知のスクアリリウム化合物にある上記
の問題点を解決しうる新規なスクアリリウム化合物の提
供を目的とする。
(問題点を解決するだめの手段) 本発明は、一般式(1) (式中、R”、 R”、 R5及びR6は水素原子又は
炭素数1〜13のアルキル基を示し、かつR1及びR2
並びに85及びR6はそれぞれ互いに連結して芳香族環
又は環状アルキレン基を形成していてもよく、またR3
.14. R7及びR8は水素原子、炭素数1〜13の
アルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数1〜1
3のアルコキシ基を示す。但し、R1−R4から選ばれ
る置換基とBS 、 111から選ばれる置換基の組の
少くともいずれか1組では互いに異なる基を示す。)で
表わされるスクアリリウム化合物を要旨とするものであ
る。
本発明の前示一般式(1)で表わされるスクアリリウム
化合物は、下記一般式(1)及び一般式(1) (式中、R1−R8は前示一般式(1)におけると同一
の意義を有する。)で表わされるアズレン誘導体と、下
記構造式 で表わされる3、4−ジヒドロキシ−3−シクロブテン
−1,2−ジオン、すなわちスクアリック酸とを、溶媒
中で反応させることによっノて容易に製造することがで
きる。
前示一般式(1)及び(1)で表わされる原料化合物と
しては、例えば 1−メチル−2−エチル−5−インプロピルアズレン。
1−メチル−2−エチル−6−メチルアズレン。
1−エチル−2−n−プロピル−5−イソプロピルアズ
レン。
1−エチル−2−n−プロピル−6−イソプロピルアズ
レン。
1−n−プロピル−2−n−ブチル−5−イソプロピル
アズレン。
1−イソプロピル−2−インプロピル−5−インプロピ
ルアズレン。
1− n +7’fルー 2− n−ヘンチル−5−イ
ソプロピルアズレン。
1−n−ベンチルー2−n−へキシル−6−イソプロピ
ルアズレ/。
1−n−オクチル−2−n−へキシル−6−イソプロピ
ルアズレン。
1−n−デシル−2−n−ウンデシル−5−インプロピ
ルアズレン。
1.4−ジメチル−7−イソプロピルアズレン。
1−n−ドデシル−2−n−)リゾシル−5−イソプロ
ピルアズレン。
1−メチル−8−メトキシアズレン。
1−エチル−8−メトキシアズレ/1 1−エチル−5−インプロピルアズレン。
1−イソプロピル−5−イソプロピルアズレン。
1−ブチル−5−イソプロピルアズレン。
1−メチル−6−イソプロピルアズレン。
1−プロピル−6−イソプロピルアズレン。
1−メ+ルー5−メチルー8−メチルアズレン。
1−メチル−6−メチル−8−メチルアズレン。
1.2−)リメチレ/−5−インプロピルアズレン。
1.2−トリメチレ/−6−イソプロピルアズレン。
1.2−トIJメチレンー5−メチルアズレン。
1.2−トリメチレン−6−メチルアズレン。
1.2−)リメチレンアズレン。
1.2−テトラメチレンアズレン。
1.2−テトラメチレン−5−メチルアズレン。
1.2−テトラメチレン−6−メチルアズレン。
1.2−テトラメチレン−5−イソプロピルアズレン。
1.2−テトラメチレン−6−イソプロピルアズレン。
1.2−ペンタメチレン−5−メチルアズレン。
1.2−ペンタメチレン−6−メチルアズレン。
1.2−ペンタメチレン−5−イソプロピルアズレン。
1.2−ペンタメチレン−6−イソプロピルアズレン。
1.2−へキサメチレン−5−インプロピルアズレン、
1.2−へキサメチレン−6−イソプロピルアズレン。
1.2−デカメチレン−5−インプロピルアズレン。
1.2−デカメチレン−6−イソプロピルアズレン;1
、2.3.4−テトラヒドロ−8−メチル−ベンズ(a
)アズレン。
1、2.3.4−テトラヒドロ−39−tert−プチ
ルーベXズ(a)アズレ乙B−イソプロピルーベンズ〔
a〕アズレン。
3−工fルー8−イソプロピルーベンズ(a)7ズレン
3−tart−ブチル−ベンズ(IL)アズレン。
3− n−ヘンチル−8−イソプロピル−ベンズ(a)
7ズレン。
3−n−へブチル−7−メチル−ベンズ(jL)7ズレ
ン。
3−n−ヘプチル−8−イングロピルーペンズ(a)7
ズレン。
2−メトキシ−8−インプロピル−ベンズ(a)アズレ
ン。
2−n−ブトキシ−8−メチル−ベンズ(a)アズレン
3−メトキシ−7−インプロピル−ベンズ(a)アズレ
ン。
3−ブロモ−8−イソプロピル−ベンズ(−)アズレン
3−エチル−5−メトキシ−8−イソプロピル−ベンズ
(a)アズレンt 3−n−ブチル−5−メトキシ−8−イソプロピル−ベ
ンズ(a)アズレン。
3−n−プロピル−5−ブトキシ−7−イツプロピルー
ペンプ(a)アズレン。
5−エトキシエトキシ−8−イソプロピル−ベンズ(a
)アズレン。
3−エチル−7−イツプロビルーペンズ(a)7ズレン
3−n−プロピル−7−インプロピル−ベンズ(a)ア
ズレン。
3−n−プロピル−8−イソプロピル−ベンズ(a)ア
ズレン、    ′ 3−n−ブチルー8−インプロピル−ベンズ(a)アズ
レン。
3−n−へキシル−7−インプロピルーベンズ(a)ア
ズレン。
3−n−へブチル−8−メチル−ベンズ(a)アズレン
3−n−オクチル−8−メチル−ベンズ(a)アズレン
3−n−)リゾシル−8−メチル−ベンズ(a)アズレ
ン。
2−n−ブトキシ−8−イソプロピル−ベンズ(a)ア
ズレン。
2−n−ヘプチルオキシ−8−イソプロピル−ベンズ(
a)アズレン。
3−メトキシ−8−イソプロピル−ベンズ(a)アズレ
ン。
3−tart−ブチル−5−メトキシ−8−イソプロピ
ル−ベンズ(a)アズレン。
3−エチル−5−n−ブトキシ−8−イソプロピル−ベ
ンズ(a)アズレンt 3−n−プロピル−5−n−オクチルオキシ−7−イン
プロピル−ベンズ(a)アズレン。
5−n−)リゾシルオキシ−8−イソプロピル−ベンズ
(a)アズレン。
2−メトキシエトキシ−8−インプロピル−ベンズ(a
)アズレン。
2−エトキシエトキシエトキシ−8−インプロピル−ベ
ンズ(&)アズレン。
5−メトキシエトキシエトキシ−8−イソプロピル−ベ
ンズ(a)アズレン。
3−n−ペンチル−ベンズ(a)アズレン。
3−n−へブチル−ベンズ(a)アズレン。
3−n−プロピル−ぺ/ズ(a)アズレン。
3−tert−ブチル−8−イソプロピル−ベンズ(a
)アズレン− 7−インプロピルーベンズ(a)アズレン。
3−n−へキシル−ベンズ(a)アズレン。
3−n−オクチル−8−イソプロピル−ベンズ(a)ア
ズレン。
3−n−ペンチル−7−インプロピル−ベンズ(a)ア
ズレン。
3−n−ブチル−7−インプロピルーペンズ〔a〕アズ
レン等が挙げられる。
但し R1−R4から選ばれる置換基とR5−R8・か
ら選ばれる置換基の組の少くともいずれか1組では互い
に異なる基を示すことが必須要件である。例えばR1と
R5、R2とR11、R3とR7又はR4とR8の組の
少くともいずれか1組では互に異なる基を示す。すなわ
ち、これらの置換基が同時に同一の基の場合、化合物に
よっては後述の溶媒に難溶となる場合がでてきて利用分
野°が制限される。
また、本発明のスクアリリウム化合物の製造反応におい
て用いられる溶媒としては、例えばメタノール、エタノ
ール、1−プロパツール、イソプロパツール、1−ブタ
ノール。
2−ブタノール、アミルアルコール、l−ヘキサノール
、シクロヘキサノール、1−ヘプタツール、1−ノナノ
ール等のアルコール類、又は、これらのアルコール類と
ベンゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン等o芳
香族炭化水素系との混合溶媒などが挙げられる。
また、上記の製造反応における反応温度としては、通常
70〜150℃、好ましくは90〜120℃の温度が用
いられる。
(作用) かくして得られる本発明の新規なスクアリリウム化合物
は、広範な各種の溶媒に可溶である。すなわち、例えば
クロロホルム、ジクロルメタン、ジクロルエタン等の含
ハロゲン炭化水素系溶媒;ジエチルエーテル、ジオキサ
ン、テトラヒドロ7ラン、ジメトキシエタン等のエーテ
ル系溶媒;酢酸エチル等のエステル系溶媒;ベンゼン、
トルエン、キシレン。
クロルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒;アセトアミ
ド、N−ジメチルアセトアミド。
N−メチルピロリドン等のアミド系溶媒;メタノール、
エタノール、メチルセロソルブ等のアルコール系溶媒;
ジメチルスルホキシドなどの溶媒のいずれにも可溶であ
る。加えて、これらの溶媒中における極大吸収スペクト
ル大部分はとくに半導体レーザーの発振波、長である7
80nm、830nm又は850 nm付近にあシ、か
つ耐光性が良好である。
(実施例) 次に、本発明を実施例によシ更に具体的に説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例1 3.4−ジヒドロキシ−3−シクロブテン−1,2−ジ
オン0.11fにn−ブチルアルコール30m1を加え
、約100℃に加熱して溶解した。
この溶液に1−メチル−4−メチル−7τインプロピル
アズレン0.20f、1−n−ブチル−5−インプロピ
ルアズレン0.23f及びベンゼン20m4を加え、9
5〜105℃で生じる水を共沸的に留去しながら約1時
間攪拌した。冷却後反応溶液をカラムクロマトグラフィ
ーにより精製して、下記構造式: で示される化金物αO1Fを得た。本化合物は10&O
〜107.0℃の融点を示し、そのクロロホルム溶液中
での吸収スペクトルの極大吸収波長はyssnmであり
た。
実施例2 実施例1の1−n−ブチル−5−イソプロピルアズレン
の代わJ)K同モル数の8−イソで示される化合物を得
た。本化合物は129.0〜130.0℃の融点を示し
、そのクロロホルム溶液中での吸収スペクトルの極大吸
収波長は796 nmであった。
実施例3 実施例1の方法に準じて合成した、実施例1及び2以外
の59種の本発明のスクアリリウム化合物につき、それ
ぞれの構造式及びクロロホルム溶液中での極大吸収波長
λmax(n m)  を下記第1表の1〜Sに表示す
る。
(発明の効果) 以上の結果から明らかなように、本発明の新規なスクア
IJ リウム化合物は、広範な各種溶媒のいずれにも可
溶性を示すばかシでなく、これらの溶媒中における極大
吸収波長は、半導体レーザーの発振波長領域である70
0〜900 nmの領域内にあって、その大部分はと・
シわけ半導体レーザーの発振波長である780nm、 
830 nm、又は850nmの付近に集中しており、
しかも耐光性が良好である、という工業的価値ある顕著
な効果を奏するものである。
したがって、レーザー光を利用する各種情報材料、例え
ばレーザー書き込み液晶表示用レーザー光吸収材料、レ
ーザーを光源とした電子写真プリンターの電子写真感光
材料、レーザーによる書き込みと読み出しが可能な光デ
イスク用記録材料、あるいは赤外線カットフィルターな
との分野で、その有用性が期待されるものである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 (式中、R^1、R^2、R^5及びR^6は水素原子
    又は炭素数1〜13のアルキル基を示し、かつR^1及
    びR^2並びにR^5及びR^6はそれぞれ互いに連結
    して芳香族環又は環状アルキレン基を形成していてもよ
    く、またR^3、R^4、R^7及びR^8は水素原子
    、炭素数1〜13のアルキル基又は置換基を有していて
    もよい炭素数1〜13のアルコキシ基を示す。但し、R
    ^1〜R^4から選ばれる置換基とR^5〜R^8から
    選ばれる置換基の組の少くともいずれか1組では互いに
    異なる基を示す。)で表わされるスクアリリウム化合物
JP60087243A 1984-12-19 1985-04-23 スクアリリウム化合物 Pending JPS61243862A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60087243A JPS61243862A (ja) 1985-04-23 1985-04-23 スクアリリウム化合物
DE8585309198T DE3583013D1 (de) 1984-12-19 1985-12-17 Squarilium-verbindungen und fluessigkristallzusammensetzungen, die diese enthalten.
EP85309198A EP0187015B1 (en) 1984-12-19 1985-12-17 Squarilium compound and liquid crystal composition containing the same
US07/605,215 US5037575A (en) 1984-12-19 1990-10-29 Squarilium compound and liquid crystal composition containing the same

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JP60087243A JPS61243862A (ja) 1985-04-23 1985-04-23 スクアリリウム化合物

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ID=13909367

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JP (1) JPS61243862A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5275917A (en) * 1991-07-09 1994-01-04 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Photocurable composition
US5470683A (en) * 1993-07-28 1995-11-28 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Photosensitive microcapsule toner

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5275917A (en) * 1991-07-09 1994-01-04 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Photocurable composition
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