JPS61236680A - 単結晶フエライトの製造方法 - Google Patents
単結晶フエライトの製造方法Info
- Publication number
- JPS61236680A JPS61236680A JP7949085A JP7949085A JPS61236680A JP S61236680 A JPS61236680 A JP S61236680A JP 7949085 A JP7949085 A JP 7949085A JP 7949085 A JP7949085 A JP 7949085A JP S61236680 A JPS61236680 A JP S61236680A
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- JP
- Japan
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- single crystal
- ferrite
- polycrystalline
- crystal
- garnet
- Prior art date
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、イツトリウム鉄ガーネットまたは置換型イツ
トリウム鉄ガーネットの単結晶の製造方法に関するもの
である。
トリウム鉄ガーネットの単結晶の製造方法に関するもの
である。
(従来の技術)
従来、イツトリウム鉄ガーネットまたは置換型イツトリ
ウム鉄ガーネットの単結晶は、フラックス法によって製
造される。このフラックス法とは、酸化鉛、弗化鉛等の
低融点剤に、単結晶の原料酸−]− 分を加え、加熱溶解し、これ詮徐冷して単結晶を成長さ
せる方法である。また、その他の単結晶の製造方法とし
ては、チョクラルスキー法、ブリッジマン法、ベルヌー
イ法及び水熱合成等がある。
ウム鉄ガーネットの単結晶は、フラックス法によって製
造される。このフラックス法とは、酸化鉛、弗化鉛等の
低融点剤に、単結晶の原料酸−]− 分を加え、加熱溶解し、これ詮徐冷して単結晶を成長さ
せる方法である。また、その他の単結晶の製造方法とし
ては、チョクラルスキー法、ブリッジマン法、ベルヌー
イ法及び水熱合成等がある。
(発明が解決しようとする問題点)
上記の従来の方法では、単結晶育成に相当な時間を要し
、また育成期間中の製造装置の制御には細心の注意を必
要とする。また、得られた単結晶体にも、結晶偏祈、ク
ラックの発生、多結晶体の混在といった問題点があった
。また、ルツボを用いるものでは、ルツボから混入する
不純物、フラックスを用いる場合では、フラックスの混
入等、多数の欠陥を生じやすく結晶の不均一、そのため
良品の歩留りが低い等の問題点があった。
、また育成期間中の製造装置の制御には細心の注意を必
要とする。また、得られた単結晶体にも、結晶偏祈、ク
ラックの発生、多結晶体の混在といった問題点があった
。また、ルツボを用いるものでは、ルツボから混入する
不純物、フラックスを用いる場合では、フラックスの混
入等、多数の欠陥を生じやすく結晶の不均一、そのため
良品の歩留りが低い等の問題点があった。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、G dzY3−2x−zCa2x(F e2
−yT ny)(F e3−XVX)Ozz(ただしO
≦X≦0.6.0.3≦y≦0.6.0≦z≦3とする
)の成分を有する多結晶フェライトと単結晶フェライト
とを接触させて加熱し、前記多結晶フェライトの方向に
単結晶に成長−2= させて、前記多結晶フェライトを単結晶フェライトに育
成するものである。
−yT ny)(F e3−XVX)Ozz(ただしO
≦X≦0.6.0.3≦y≦0.6.0≦z≦3とする
)の成分を有する多結晶フェライトと単結晶フェライト
とを接触させて加熱し、前記多結晶フェライトの方向に
単結晶に成長−2= させて、前記多結晶フェライトを単結晶フェライトに育
成するものである。
(作用)
微細結晶の集合した多結晶体、たとえばCa−■置換型
イツ1〜リウム鉄ガーネット、化学式GdZY3−2X
−ZCa2xcF e2yI ny)(F e、 −X
VX)01、(ここで、0≦X≦ロー L y=z=0
)は、第1図に示す様に、焼成温度がある特定の温度T
に到達すると、突発的に、一部の結晶粒子が周囲の微細
な結晶粒子と合体し、周囲の微細粒子の成長速度により
極めて大きな粒子成長速度で巨大な結晶粒子に成長する
。いわゆる不連続な結晶粒子成長を示す。この様な不連
続な結晶粒子成長の起こる手前の温度で焼成して得られ
た多結晶体と、その多結晶体とほぼ同一の結晶構造を有
する単結晶基板とのそれぞれを鏡面研磨し、その研磨面
を接触させる。この様にして得られた接合体を多結晶の
不連続な結晶粒子成長の起こる未満の温度、すなわち第
1図のT℃未満の温度でできるだけT℃に近い温度で加
熱すると、多結晶を構成する微細結晶粒子と単結晶との
界面において固相反応が起き、それにつれて多結晶の微
細結晶粒子を単結晶が合体して、単結晶が次第に大きく
成長することにより、単結晶を製造するものである。
イツ1〜リウム鉄ガーネット、化学式GdZY3−2X
−ZCa2xcF e2yI ny)(F e、 −X
VX)01、(ここで、0≦X≦ロー L y=z=0
)は、第1図に示す様に、焼成温度がある特定の温度T
に到達すると、突発的に、一部の結晶粒子が周囲の微細
な結晶粒子と合体し、周囲の微細粒子の成長速度により
極めて大きな粒子成長速度で巨大な結晶粒子に成長する
。いわゆる不連続な結晶粒子成長を示す。この様な不連
続な結晶粒子成長の起こる手前の温度で焼成して得られ
た多結晶体と、その多結晶体とほぼ同一の結晶構造を有
する単結晶基板とのそれぞれを鏡面研磨し、その研磨面
を接触させる。この様にして得られた接合体を多結晶の
不連続な結晶粒子成長の起こる未満の温度、すなわち第
1図のT℃未満の温度でできるだけT℃に近い温度で加
熱すると、多結晶を構成する微細結晶粒子と単結晶との
界面において固相反応が起き、それにつれて多結晶の微
細結晶粒子を単結晶が合体して、単結晶が次第に大きく
成長することにより、単結晶を製造するものである。
また、本発明においては、多結晶体として第1図に示す
様な不連続な結晶粒子成長を有するもの、また単結晶と
接触させる時には、結晶粒子径が微細であることが必要
である。
様な不連続な結晶粒子成長を有するもの、また単結晶と
接触させる時には、結晶粒子径が微細であることが必要
である。
(実施例)
Ca −V −A I置換型YIGにおいて、各素原料
の純度99.9%のものを使用し、Y2O3が27.5
mo1%、CaC0,が10mo1%、Fe2O3が5
6゜25mo1%、V2O5が5mo1%、Al2O3
が1.25mo1%である混合物を成形し、1340℃
で4時間焼成してガーネット多結晶体を得た。この多結
晶体は、平均結晶粒子径が約10μ、気孔率が0.05
%で、不連続な結晶粒子成長の開始温度が1400℃で
あった。このガーネット多結晶体とほぼ同一組成を有し
、フラックス法によって製造されたガーネット単結晶と
を接合し、1300℃で1時間加熱液合した後、さらに
不連続な結晶粒子成長の起こる温度未満の1380℃の
温度で12時間保持して固相反応を起こさせ、多結晶を
単結晶に育成した。
の純度99.9%のものを使用し、Y2O3が27.5
mo1%、CaC0,が10mo1%、Fe2O3が5
6゜25mo1%、V2O5が5mo1%、Al2O3
が1.25mo1%である混合物を成形し、1340℃
で4時間焼成してガーネット多結晶体を得た。この多結
晶体は、平均結晶粒子径が約10μ、気孔率が0.05
%で、不連続な結晶粒子成長の開始温度が1400℃で
あった。このガーネット多結晶体とほぼ同一組成を有し
、フラックス法によって製造されたガーネット単結晶と
を接合し、1300℃で1時間加熱液合した後、さらに
不連続な結晶粒子成長の起こる温度未満の1380℃の
温度で12時間保持して固相反応を起こさせ、多結晶を
単結晶に育成した。
(発明の効果)
本発明は、ガーネット単結晶を簡便な方法で得るもので
あり、大幅な工数低減が図れ、安価なガーネット畦結晶
を得ることができ、産業上極めて有益なものである。
あり、大幅な工数低減が図れ、安価なガーネット畦結晶
を得ることができ、産業上極めて有益なものである。
第1図は、多結晶ガーネットの一例の加熱温度と平均粒
子径との関係を示す説明図である。 第1面 ア 温 膚 (°C) 手続祁1正書(自発) 事件の表示 昭和60年 特許願第 79490号 発明の名称 単結晶フェライI・の製造方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都薪桐ダ冒欠叶〒−25−1名 称
汀γフェライト株式会社 代表者 繋ん 麩4
子径との関係を示す説明図である。 第1面 ア 温 膚 (°C) 手続祁1正書(自発) 事件の表示 昭和60年 特許願第 79490号 発明の名称 単結晶フェライI・の製造方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都薪桐ダ冒欠叶〒−25−1名 称
汀γフェライト株式会社 代表者 繋ん 麩4
Claims (1)
- GdzY_3_−_2x−zCa_2x(Fe_2−y
Iny)(Fe_3−xVx)O_1_2(ただし、0
≦x≦0.6、0.3≦y≦0.6、0≦z≦3とする
)の成分を用する多結晶フェライトと単結晶フェライト
を接触させて加熱し、前記多結晶フェライトに単結晶を
成長させ、前記単結晶フェライトを単結晶フェライトに
育成することを特徴とする単結晶フェライトの製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7949085A JPS61236680A (ja) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | 単結晶フエライトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7949085A JPS61236680A (ja) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | 単結晶フエライトの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61236680A true JPS61236680A (ja) | 1986-10-21 |
Family
ID=13691341
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7949085A Pending JPS61236680A (ja) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | 単結晶フエライトの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61236680A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5613824A (en) * | 1995-03-23 | 1997-03-25 | Tsukasa Industry Co., Ltd. | Automatic bag opening device |
-
1985
- 1985-04-15 JP JP7949085A patent/JPS61236680A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5613824A (en) * | 1995-03-23 | 1997-03-25 | Tsukasa Industry Co., Ltd. | Automatic bag opening device |
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