SU324781A1 - Способ приготовлени пудры окиси алюмини дл выращивани монокристаллов корунда методом Вернейл - Google Patents
Способ приготовлени пудры окиси алюмини дл выращивани монокристаллов корунда методом Вернейл Download PDFInfo
- Publication number
- SU324781A1 SU324781A1 SU701445420A SU1445420A SU324781A1 SU 324781 A1 SU324781 A1 SU 324781A1 SU 701445420 A SU701445420 A SU 701445420A SU 1445420 A SU1445420 A SU 1445420A SU 324781 A1 SU324781 A1 SU 324781A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- oxide powder
- crystals
- increase
- monocrystals
- aluminium oxide
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ПУДРЫ ОКИСИ АЛЮМИНИЯ ДЛЯ .ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КОРУН,ЦА МЕТОДОМ ВЕРНЕЙЛЯ путем совместного осаждени исходныхкомпонентов с последующим отжигом полученного продукта при высокой температуре, отличающийс тем, что, с целью увеличени концентрации легирующей добавки, увеличени скорости выращивани , повышени выхода качественных интенсивно окрашенных кристаллов корунда и создани новых оттенков монокристаллов, в исходную шихту ввод т фторид алюмини в количестве 1-20%.
Description
СО
tc
1
00
Изобретение относитс к способам приготовлени пудры окиси алюмини дл выращивани монокристаллов корунда , которые могут быть использованы в ювелирной и .часовой промышленности , а также в друг.их област х, где требуютс окрашенные качественны кристаллы корунда.
И вестен способ приготовлени пудры окиси алюмини дл выращивани мо.нокристаллов корунда и рубина методйм . Вернейл путем совместного осаЗвде и исходных компонентов с последующим отжигом полученного продукта при высокой температуре.
Недостатками известного способа вл ютс низкие концентрации легирующих добавок, низкие .скорость выращивани и выход качественных кристаллов , а также сложность получени различных оттенков монокристаллов.
По предлагаемому способу в исходную шихту ввод т фторид алюмини в количестве 1-20%. Это позвол ет расширить границы изоморфного внедени легирующих добавок и облегчить
процесс выращивани ,что обеспечивает получение качественных кристаллов окршенных корундов с высоким процентом выхода. -Скорости роста остаютс такими (8-10 мм/ч), при которых кристаллы корунда растут без добавок. Кроме того, можно улучшить распределение легирующей примеси по объему кристалла и получить 1овые цвета и оттенки.кристаллов корунда.
Пример. 500 г тонкодисперсного порошка окиси алюмини ,, легированной никелем (.1,5%) и приготовленной путем совместного осаждени исходных компонентов с последующим отжигом при высокой температуре, смешив.ают в течение 5 ч с 50 г тонкоизмельченного порошка фторида алюмини . Пудру окиси алюмини просеивают через сито с отверсти ми 60 мк. Из полученной пудры выращивают монокристаллы корунда с никелем. Содержание никел в пудре и кристаллах варьируетс количеством соли никел , добавл емой в исходный раствор. Выход качественных кристаллов 90%.
Claims (1)
- СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ПУДРЫ ОКИСИ АЛЮМИНИЯ ДЛЯ .ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КОРУНДА МЕТОДОМ ВЕРНЕЙЛЯ путем совместного осаждения исходных компонентов с последующим отжигом полученного продукта при высокой температуре, отличающийся тем, что, с целью увеличения концентрации легирующей добавки, увеличения скорости выращивания, повышения выхода качественных интенсивно окрашенных кристаллов корунда и создания новых оттенков монокристаллов, в исходную шихту вводят фторид алюминия в количестве 1-20%.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU701445420A SU324781A1 (ru) | 1970-07-07 | 1970-07-07 | Способ приготовлени пудры окиси алюмини дл выращивани монокристаллов корунда методом Вернейл |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU701445420A SU324781A1 (ru) | 1970-07-07 | 1970-07-07 | Способ приготовлени пудры окиси алюмини дл выращивани монокристаллов корунда методом Вернейл |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU324781A1 true SU324781A1 (ru) | 1985-09-23 |
Family
ID=20453650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU701445420A SU324781A1 (ru) | 1970-07-07 | 1970-07-07 | Способ приготовлени пудры окиси алюмини дл выращивани монокристаллов корунда методом Вернейл |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU324781A1 (ru) |
-
1970
- 1970-07-07 SU SU701445420A patent/SU324781A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4231838A (en) | Method for flux growth of KTiOPO4 and its analogues | |
US3912521A (en) | Synthetic crystal and method of making same | |
SU324781A1 (ru) | Способ приготовлени пудры окиси алюмини дл выращивани монокристаллов корунда методом Вернейл | |
US4218282A (en) | Method of preparation of chrysoberyl and beryl single crystals | |
EP0148946B1 (en) | Method of producing a chrysoberyl single crystal | |
RU2075559C1 (ru) | Способ получения окрашенных кристаллов берилла | |
JPS6317297A (ja) | ルビ−単結晶の製造方法 | |
US3567642A (en) | Hydrothermal process for growing crystals having the structure of beryl in an alkaline halide medium | |
RU2049831C1 (ru) | Шихта для выращивания монокристаллов корунда | |
CN115467024B (zh) | 钾钡钙硼氧氟化合物和钾钡钙硼氧氟非线性光学晶体及制备方法和用途 | |
SU877991A1 (ru) | Ювелирна вставка из монокристаллического корунда и способ ее получени | |
US4525460A (en) | Single-crystal material based on aluminium garnets | |
JP2622165B2 (ja) | ゲルマニウム酸ビスマス単結晶の製造方法 | |
GB1434437A (en) | Method and device for the preparation of doped cadmium telluride | |
SU416313A1 (ru) | ||
SU650274A1 (ru) | Шихта дл получени монокристаллов | |
SU402383A1 (ru) | Способ получения к1^исгаллов корунда | |
JPH06279174A (ja) | 酸化物単結晶の製造方法 | |
RU2031841C1 (ru) | Способ получения полирующего материала на основе оксидов редкоземельных элементов | |
JPS58115095A (ja) | 人工ベリル単結晶の合成方法 | |
SU566424A1 (ru) | Способ выращивани монокристаллов хлоридов меди цези | |
Liebertz | Synthetic precious stones | |
GB1461146A (en) | Method for the preparation of -semi-insulating- cadmium telluride | |
RU2019588C1 (ru) | Монокристаллический ювелирный материал на основе гадолиний-галлиевого граната | |
JPS61178489A (ja) | コランダムの製造方法 |