SU877991A1 - Ювелирна вставка из монокристаллического корунда и способ ее получени - Google Patents
Ювелирна вставка из монокристаллического корунда и способ ее получени Download PDFInfo
- Publication number
- SU877991A1 SU877991A1 SU792801626A SU2801626A SU877991A1 SU 877991 A1 SU877991 A1 SU 877991A1 SU 792801626 A SU792801626 A SU 792801626A SU 2801626 A SU2801626 A SU 2801626A SU 877991 A1 SU877991 A1 SU 877991A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- pavilion
- corundum
- layer
- painted
- single crystal
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Adornments (AREA)
Description
Изобретение относитс к способам получени ювелирных украшений и может быть использовано в ювелирной промышленности в производстве украшений и в химической промышленности при производстве монокристаллов.
Широко известна ювелирна вставка из монокристаллического корунда, содержащего окрашивающую добавку, Вставка выполнена ограниченной и имеет коронку вверху и павильон внизу . Окрашивающа добавка распределена равномерно по объему вставки ij .
. Известен способ получени ювелирной вставки из корунда, включак ций выращивание монокристалла корунда переменного состава по методу Вернейл при изменении состава подаваемой шихты. Расплав в процессе выращивани подпитывают окрашивающими добавками, например хромом 2 Выращенный таким образом монокристалл режут на заготовки, не ориентиру последние относительной той или ино части монокристалла. Заготовки подвергают огранке. При этом коронка и павильон имеют одинаковую окраску
Такое распределение окрашивающей добавки не позвол ет получать в корундовых вставках тонкие нежные оттенки , характерные дл вставок из кристаллов, обладающих кубической сингонией и большим, чем у корунда, показателем преломлени , например фианита, алюмоиттриевого граната, легированных редкоземельными элементами .
Целью изобретени вл етс получение более тонкого оттенка и мерцани цвета.
Цель достигаетс тем, что окрашивающа добавка размещена в нижней части павильона у шипа и составл ет одну треть его высоты.
Способ получени предлагаемой ювелирной вставки, включающий выращивание монокристалла корунда переменного состава по методу Вернейл при изменении состава подаваемой шихты, последующую резку монокристалла на 3 аготовки и их огранку, отличаетс от известного тем, что состав шихты измен ют от чистой окиси алюмини до окиси алкнушни с окрашивающей добавкой после выращивани неокрашенного сло толщиной в 2-2,2 раза большей толщины окрашенного сло , резку ведут на заготовки , содержащие одновременно окрашенный и неокрашенный слои, и гран т заготовку так, чтобы окрашенный слой был в нижне й части павильона у шипа.
На чертех е представлена часть кристаллического стержн с чередующимис сло ми разной окраски, внутри которого изображены вставки.
Ювелирна вставка состоит из коронки 1 и павильона 2, оканчивающегос шипом 3,,в области которого сосредоточена окрашивающа добавка.
Получают ювелирную вставку следующим образом.
Выращивают монокристалл корунда с чередующимис сло ми бесцветного монокристалла (лейкосапфира) - матрицы и матрицы, легированной добавками . При этом толщина неокрашенного сло 4 в 2-2,2 раза больше 1олщины окрашенного сло 5, Выращенный монокристалл режут на части, содержащие оба сло , и каждую часть гран т так, чтобы коронка 1 вставки и зона павильона 2, примыкающа к этой коронка , не содержали окрашивающей добавки . Окрашивающа добавка размещена в нижней части павильона у шипа 3 ,и толщина сло с добавкой составл ет одну треть Высоты .этого шипа.
Прилюр получени ювелирной вставки ,
Методом Вернейл выращивают монокристаллический стержень корунда
диаметром 14 мм и длиной 200 мм. В процессе роста подпитку расплава ведут поочередно чистой окисью ашюмини (шихтой лейкосапфира) и окисью . алюмини , содержащей 0,3 мас,% окиси
хрома.
1
Состав шихты измен ют от чистой
окиси алюмини до окиси алюмини с хромом после выращивани неокрашенного сло толщиной в 2-2,2 раза
большей толщины окрашенного сло . Скорость кристаллизации 10-12 мм/ч. . Получают монокристалл корунда, состо щий из полос рубина и лейкосапфира . Выращенный монокристалл отжигают в вакууме рт.ст, при , врем отжига 1,5 ч. Затем стерж(ань подвергают порезке на части , в каждую из которых вход т полосы рубина и лейкосапфира. Части
монокристаллического стержн гран т так, чтобы получить два типа вставок: у первого граница рубин-лейкосапфир -проходит между коронкой и павильоном, т.е. по рундисту, у
второго - окрашенна область размещена в нижней части павильона у шипа и составл ет одну треть его высоты .
Вставки первого типа не отличимы от известных вставок. Вставки второго типа обладают новым эстетическим эффектом - тонким оттенком, из глубины вставки видны мерцающие отблески цвета, заполн ющие лейкосапфировую коронку.
3877991
В качестве окрашивающей добавки :вставканайдет широкре испольэовадл таких вставок можно использовать ние вювелирной промьволенносвана{1ий , никель и т.д. Предлагаема ти.
Claims (2)
1. Ювелирная вставка из монокристаллического корунда, содержащего окрашивающую добавку, выполненная ограненной, имеющая коронку вверху и павильон внизу, отли чающаяся тем, что, с целью получения более тонкого оттенками мерцания цвета, окрашивающая добавка размещена в нижней части павильона у шипа и составляет одну треть его высоты.
2. Способ получения ювелирной вставки по п.1, включающий выращивание монокристалла корунда переменного состава по методу Вернейля при изменении состава подаваемой шихты, последующую резку монокристалла на заготовки и их огранку, отличающийся тем, что состав шихты изменяют от чистой окиси алюми ния до окиси алюминия с окрашивающей добавкой после выращивания неокрашенного слоя толщиной в 2-
2,2 раза большей толщины окрашенно-’ го слоя, резку ведут на заготовки, содержащие одновременно окрашенный и неокрашенный слои и гранят заготовку так, чтобы окрашенный слой был в нижней части павильона у шипа.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792801626A SU877991A1 (ru) | 1979-07-26 | 1979-07-26 | Ювелирна вставка из монокристаллического корунда и способ ее получени |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792801626A SU877991A1 (ru) | 1979-07-26 | 1979-07-26 | Ювелирна вставка из монокристаллического корунда и способ ее получени |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU877991A1 true SU877991A1 (ru) | 1984-02-15 |
Family
ID=20842940
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792801626A SU877991A1 (ru) | 1979-07-26 | 1979-07-26 | Ювелирна вставка из монокристаллического корунда и способ ее получени |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU877991A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2669410A1 (de) * | 2012-05-31 | 2013-12-04 | Innotech Holding GmbH | Verfahren zur Kristallzüchtung durch ein Flammenschmelzen |
-
1979
- 1979-07-26 SU SU792801626A patent/SU877991A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Епифанов В.И. и др. Технологи обработки алмазов в бриллианты. М., 1976. 2. Авторское свидетельство СССР № 426691, кл. В 01 J 17/24, 1974 (прототип). * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2669410A1 (de) * | 2012-05-31 | 2013-12-04 | Innotech Holding GmbH | Verfahren zur Kristallzüchtung durch ein Flammenschmelzen |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5762896A (en) | Silicon carbide gemstones | |
US5718760A (en) | Growth of colorless silicon carbide crystals | |
DE69916093T2 (de) | Simulierte diamant edelsteine aus aluminiumnitrid und aluminiumnitrid:siliziumkarbid legierung | |
US4306427A (en) | Chrysoberyl gemstones | |
RU98105624A (ru) | Драгоценные камни из карбида кремния | |
WO2002027075A2 (en) | Novel method for cutting natural and/or man-made diamonds and article resulting therefrom | |
US2634554A (en) | Synthetic gem production | |
US3912521A (en) | Synthetic crystal and method of making same | |
SU877991A1 (ru) | Ювелирна вставка из монокристаллического корунда и способ ее получени | |
US11638470B2 (en) | Gallium nitride gemstones | |
DE19502029A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Einkristall-Zinkselenid in Masse | |
US4483734A (en) | Method for the preparation of single crystals of gadolinium gallium garnet | |
Jayaraman | A brief overview of gem materials: Natural and synthetic | |
RU2253706C2 (ru) | Ювелирный материал - синтетический поликристаллический корунд "мариит" и способ получения изделий из ювелирного материала - синтетического поликристаллического корунда | |
SU929608A1 (ru) | Авантюриновое стекло | |
SU324781A1 (ru) | Способ приготовлени пудры окиси алюмини дл выращивани монокристаллов корунда методом Вернейл | |
RU1801991C (ru) | Способ выращивани кристаллов молибдата гадолини 90 @ ориентации | |
JPS5435899A (en) | Production of rare earth element gallium garnet single crystal | |
RU1732701C (ru) | Способ получения затравочной пластины | |
RU2019588C1 (ru) | Монокристаллический ювелирный материал на основе гадолиний-галлиевого граната | |
SU1230226A1 (ru) | Монокристаллический ювелирный материал на основе иттрийалюминиевого граната | |
CN87102986A (zh) | 仿猫眼红宝石的生长方法 | |
SU92387A1 (ru) | Способ изготовлени часовых камней из корунда | |
RU2076156C1 (ru) | Кристаллический материал на основе стабилизированной двуокиси циркония или гафния | |
RU2019587C1 (ru) | Монокристаллический ювелирный материал на основе гадолиний-галлиевого граната |