JPS61230383A - 半導体センサ - Google Patents
半導体センサInfo
- Publication number
- JPS61230383A JPS61230383A JP7194285A JP7194285A JPS61230383A JP S61230383 A JPS61230383 A JP S61230383A JP 7194285 A JP7194285 A JP 7194285A JP 7194285 A JP7194285 A JP 7194285A JP S61230383 A JPS61230383 A JP S61230383A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon chip
- active element
- silicon
- sensor
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、センサと能動素子が一体に形成される半導体
センサに係シ、特に製造上の不良率の小さい半導体セン
サを提供するに６る。
センサに係シ、特に製造上の不良率の小さい半導体セン
サを提供するに６る。
（従来技術）
第４図は、特開昭５９−７２７７５号公報等で公知のセ
ンサと能動素子が一体に形成された半導体センサで、こ
こでは感圧装置を示している。
ンサと能動素子が一体に形成された半導体センサで、こ
こでは感圧装置を示している。
図において、ｌは圧力を感知する受圧面が円板状であっ
て、シリコンで構成されたダイヤフラム。
て、シリコンで構成されたダイヤフラム。
２はダイヤフラムｌが形成されたシリコンチップ。
３はシリコンテ、プ２の一方の主面に通常のシリコン半
導体ウェハプロセスに従って作られた拡散の能動素子、
５はダイヤフラムＩＫよって形成される圧力室、６はシ
リコンチップ２の他方の側の主面と接合されるシリコン
基板、７はシリコン基板６の接合面にスパッタリングに
より形成され陽極接合によりシリコンチップ２とシリコ
ン基板６を接合するガラス薄膜、８は圧力室５に圧力を
導く圧力導入孔である。
導体ウェハプロセスに従って作られた拡散の能動素子、
５はダイヤフラムＩＫよって形成される圧力室、６はシ
リコンチップ２の他方の側の主面と接合されるシリコン
基板、７はシリコン基板６の接合面にスパッタリングに
より形成され陽極接合によりシリコンチップ２とシリコ
ン基板６を接合するガラス薄膜、８は圧力室５に圧力を
導く圧力導入孔である。
このよう々装置においては、圧力導入孔８から圧力を導
入し、ダイヤフラムｌによりて圧力を歪に変換し、この
歪を半導体歪ゲージ３から能動素子４を用いて取出して
いる。
入し、ダイヤフラムｌによりて圧力を歪に変換し、この
歪を半導体歪ゲージ３から能動素子４を用いて取出して
いる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、このような装置においては次の問題点を
有していた。
有していた。
（ａ） 通常のシリコン半導体ウエノ・プロセスによ
って作られる半導体歪ゲージ３及び能動素子４と。
って作られる半導体歪ゲージ３及び能動素子４と。
工、チングによシ形成されるダイヤフラム１との製造上
の適合がうまくいかず、一般のＩＣテップに比較して一
製造上の不良率が大きい。
の適合がうまくいかず、一般のＩＣテップに比較して一
製造上の不良率が大きい。
（ｂ） ダイヤフラム１などのセンサ部からの力及び
熱などの物理的ストレスが能動素子４に影響を与え、半
導体センサの信頼性が低下する。
熱などの物理的ストレスが能動素子４に影響を与え、半
導体センサの信頼性が低下する。
本発明は上記の問題点を解決したもので、製造上の不良
率を改善するととＫより製造効率を高め。
率を改善するととＫより製造効率を高め。
またセンサ部の物理的ストレスが能動素子に影響しない
ようＫして信頼性を高めた半導体センサを実現すること
を目的とする。
ようＫして信頼性を高めた半導体センサを実現すること
を目的とする。
（問題点を解決するための手段）
このような目的を達成する本発明は、一方の主面に検出
素子が形成された第１のシリコンデ、プと、この第１の
シリコンテ、プの他方の主面に接合膜を介して接合する
第２のシリコンテ、プとからなる半導体センサにおいて
、前記第２のシリコンチップに形成された電気回路と、
前記検出素子と前記電気回路とを結線する結線手段とを
備えたことを特徴とするものである。
素子が形成された第１のシリコンデ、プと、この第１の
シリコンテ、プの他方の主面に接合膜を介して接合する
第２のシリコンテ、プとからなる半導体センサにおいて
、前記第２のシリコンチップに形成された電気回路と、
前記検出素子と前記電気回路とを結線する結線手段とを
備えたことを特徴とするものである。
（実施例）
以下図面を用いて本発明を説明する。ｔ＃１．これらの
図において前記第４図と同一作用をするものＫは同一符
号をつけ説明を省略する。
図において前記第４図と同一作用をするものＫは同一符
号をつけ説明を省略する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す構成図である。図
において、９は半導体歪ゲージ３から抵抗値を堆出すた
めにシリコンチップ２上に設けられた端子％１０はシリ
コン基板６上に形成された能動素子４に半導体歪ゲージ
３の出力を結線するための端子、 １１は端子９と１０
を導通させる金などの金属線で、端子９．１０にボンデ
ィングされている。
において、９は半導体歪ゲージ３から抵抗値を堆出すた
めにシリコンチップ２上に設けられた端子％１０はシリ
コン基板６上に形成された能動素子４に半導体歪ゲージ
３の出力を結線するための端子、 １１は端子９と１０
を導通させる金などの金属線で、端子９．１０にボンデ
ィングされている。
シリコン基板６は、シリコンチップ２の形状よシやや大
きな形状でありて、シリコンチップ２が接合されていな
い残少の基板上には、能動素子４が形成されている。
きな形状でありて、シリコンチップ２が接合されていな
い残少の基板上には、能動素子４が形成されている。
第２図は本発明の第２の実施例を示す構成図である。図
において、】２はシリコンチップ２の一端に設けられた
斜面で、シリコン基板６上の能動素子４に近くなってい
る。１３は、シリコンチップ２とシリコン基板６とが陽
極接合により一体に接合された後に、半導体歪ゲージ３
と能動素子４とを結線するために設けられたアルミニウ
ムなどの金属配線で、蒸着によりシリコンチップ２とシ
リコン基板６とに付着している。
において、】２はシリコンチップ２の一端に設けられた
斜面で、シリコン基板６上の能動素子４に近くなってい
る。１３は、シリコンチップ２とシリコン基板６とが陽
極接合により一体に接合された後に、半導体歪ゲージ３
と能動素子４とを結線するために設けられたアルミニウ
ムなどの金属配線で、蒸着によりシリコンチップ２とシ
リコン基板６とに付着している。
第２の実施例では金属配線１３を用いているので。
第１の実施例に示した金属線１１のボンディングが不要
となり作業効率が高くなると共に、ボンディングの際に
生じるストレスが能動素子４に作用しないので半導体セ
ンサの信頼性が向上する第３図は本発明の第３の実施例
を示す構成図で。
となり作業効率が高くなると共に、ボンディングの際に
生じるストレスが能動素子４に作用しないので半導体セ
ンサの信頼性が向上する第３図は本発明の第３の実施例
を示す構成図で。
ここでは流速センサを示している。図において。
矢印Ａけ流体の流れの方向を示している。１４はジュー
ル熱によシ発熱する発熱体である。１５Ｆｉサーミスタ
などの感温体である。発熱体１４と感温体１５とは検出
素子を構成している。能動素子４は、電流を制御して発
熱体１４の発熱量を制御するとともに、感温体１５の抵
抗値を測定して温度を求めている。
ル熱によシ発熱する発熱体である。１５Ｆｉサーミスタ
などの感温体である。発熱体１４と感温体１５とは検出
素子を構成している。能動素子４は、電流を制御して発
熱体１４の発熱量を制御するとともに、感温体１５の抵
抗値を測定して温度を求めている。
冑、上記実施例においてはガラス薄膜７を用いて陽極接
合によりシリコンチップ２とシリコン基板６とを接合し
ているが１本発明はこれに限定されるものではなく、接
合膜は酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜でもよく、ま
た低融点ガラスによる接着法やＡｕ−８ｉ合金またはＡ
ｕ −Ｇｅ合金を用いてもよい。
合によりシリコンチップ２とシリコン基板６とを接合し
ているが１本発明はこれに限定されるものではなく、接
合膜は酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜でもよく、ま
た低融点ガラスによる接着法やＡｕ−８ｉ合金またはＡ
ｕ −Ｇｅ合金を用いてもよい。
また上記実施例においては感圧センサ及び流量センサを
示したが、温度センサや差圧センサでもよい。また上記
実施例では電気回路として能動素子４を示したが、零点
やスパンを調整するための抵抗調整回路や抵抗及びコン
チン−９−により構成されたフィルターなどの受動素子
であってもよい。
示したが、温度センサや差圧センサでもよい。また上記
実施例では電気回路として能動素子４を示したが、零点
やスパンを調整するための抵抗調整回路や抵抗及びコン
チン−９−により構成されたフィルターなどの受動素子
であってもよい。
（発明の効果）
以上述べたように本発明によれば、センサ部と能動素子
とをそれぞれ別のシリコン基板上に形成したので、能動
素子の不良率が小さくなり、またセンサ部による物理的
ストレスが能動素子に作用し々いので信頼性が高い半導
体センサを実現できる。
とをそれぞれ別のシリコン基板上に形成したので、能動
素子の不良率が小さくなり、またセンサ部による物理的
ストレスが能動素子に作用し々いので信頼性が高い半導
体センサを実現できる。
第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図。
第３図は本発明の他の実施例の構成図、第４図は従来装
置の構成図である。 ２・・・シリコンチップ、３・・・半導体歪ゲージ（検
出素子）、４・・・能動素子、６・・・シリコン基板、
７・・・ガラス薄膜（接合膜）、１１・・・金属線（結
線手段美代理人 弁理士 小 沢 信 助゛
）篤３図 第４図
置の構成図である。 ２・・・シリコンチップ、３・・・半導体歪ゲージ（検
出素子）、４・・・能動素子、６・・・シリコン基板、
７・・・ガラス薄膜（接合膜）、１１・・・金属線（結
線手段美代理人 弁理士 小 沢 信 助゛
）篤３図 第４図
Claims (1)
- 一方の主面に検出素子が形成された第１のシリコンチッ
プと、この第１のシリコンチップの他方の主面に接合膜
を介して接合する第２のシリコンチップとからなる半導
体センサにおいて、前記第２のシリコンチップに形成さ
れた電気回路と、前記検出素子と前記電気回路とを結線
する結線手段とを備えたことを特徴とする半導体センサ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7194285A JPS61230383A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 半導体センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7194285A JPS61230383A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 半導体センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61230383A true JPS61230383A (ja) | 1986-10-14 |
Family
ID=13475061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7194285A Pending JPS61230383A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 半導体センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61230383A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6399252U (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-27 | ||
| CN102362162A (zh) * | 2009-03-27 | 2012-02-22 | 松下电器产业株式会社 | 物理量传感器 |
-
1985
- 1985-04-05 JP JP7194285A patent/JPS61230383A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6399252U (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-27 | ||
| JPH0539473Y2 (ja) * | 1986-12-19 | 1993-10-06 | ||
| CN102362162A (zh) * | 2009-03-27 | 2012-02-22 | 松下电器产业株式会社 | 物理量传感器 |
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