JPS61230336A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS61230336A JPS61230336A JP7217285A JP7217285A JPS61230336A JP S61230336 A JPS61230336 A JP S61230336A JP 7217285 A JP7217285 A JP 7217285A JP 7217285 A JP7217285 A JP 7217285A JP S61230336 A JPS61230336 A JP S61230336A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fuse
- polysilicon
- aluminum
- melting point
- heat
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路に関し、特に冗長回路あるい
は他機能選択用のヒューズを用いている半導体集積回路
装置に関する。
は他機能選択用のヒューズを用いている半導体集積回路
装置に関する。
従来、この種の半導体集積回路装置では、ヒ鳳−ズを溶
断する方法として導電体であるヒユーズに電流を流しヒ
エーズ自らの発熱によってそのヒユーズを溶断する電気
的溶断方法と、レーザーをヒユーズとする導電体に当て
、溶断してしまう方法とが用いられていた。
断する方法として導電体であるヒユーズに電流を流しヒ
エーズ自らの発熱によってそのヒユーズを溶断する電気
的溶断方法と、レーザーをヒユーズとする導電体に当て
、溶断してしまう方法とが用いられていた。
上述した従来の半導体集積回路装置では、ヒ一ズの溶断
において以下のような欠点がある。ヒユーズに電流を流
す電気的溶断方法はヒユーズとする導電体が高温度にな
るため周囲への影響が避けがたく、その点を充分に考慮
しなければならないため、マスク設計上大きな制約を必
要としていた。また、ヒユーズを溶断するため、ヒユー
ズに大きな電圧を印加するので、ヒユーズに接続されて
いるトランジスタなどの回路を保護するため、抵抗など
の保護回路を接続する必要がある。その他、ヒユーズが
うまく溶断されなかった場合の解決策がなく、ヒユーズ
溶断に対する信頼性の面で難点があるなど様々な問題点
がある。
において以下のような欠点がある。ヒユーズに電流を流
す電気的溶断方法はヒユーズとする導電体が高温度にな
るため周囲への影響が避けがたく、その点を充分に考慮
しなければならないため、マスク設計上大きな制約を必
要としていた。また、ヒユーズを溶断するため、ヒユー
ズに大きな電圧を印加するので、ヒユーズに接続されて
いるトランジスタなどの回路を保護するため、抵抗など
の保護回路を接続する必要がある。その他、ヒユーズが
うまく溶断されなかった場合の解決策がなく、ヒユーズ
溶断に対する信頼性の面で難点があるなど様々な問題点
がある。
一方、レーザーによシヒエーズを溶断する方法は、レー
ザーを当てる箇所の位置合わせが難かしい、レーザーの
パワーの設定が困難などの大きな問題点がある。
ザーを当てる箇所の位置合わせが難かしい、レーザーの
パワーの設定が困難などの大きな問題点がある。
本発明の半導体集積回路装置は、ヒユーズと、このヒユ
ーズに絶縁体を介して重畳され電流によって発熱する発
熱用導電体を含んで構成される。
ーズに絶縁体を介して重畳され電流によって発熱する発
熱用導電体を含んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一笑施例のヒユーズの周辺を示す部分
平面図である。ｌがアルミニウムを使用したヒユーズで
あり、ヒ瓢−ズｌの両端２．３には、ヒユーズを必要と
する冗長回路あるいは他機能選択用回路（図示省略）が
接続されている。４はアルミニウムヒユーズ１を溶断す
るための熱を発生するポリシリコンであシ、その端の一
方には必・ド（ＰＡＤ）を接続し、もう一方の端６は接
地する。第１図に示すＡ−Ａ断面図が第２図であり、８
が５ｉ０２．１０がシリコン基板である。
平面図である。ｌがアルミニウムを使用したヒユーズで
あり、ヒ瓢−ズｌの両端２．３には、ヒユーズを必要と
する冗長回路あるいは他機能選択用回路（図示省略）が
接続されている。４はアルミニウムヒユーズ１を溶断す
るための熱を発生するポリシリコンであシ、その端の一
方には必・ド（ＰＡＤ）を接続し、もう一方の端６は接
地する。第１図に示すＡ−Ａ断面図が第２図であり、８
が５ｉ０２．１０がシリコン基板である。
パッド５に外部よシミ圧を印加すると、ポリシリコン４
には電流が流れポリシリコン４は発ｆｆ１ｆる。そうす
ると第２図のとおり、ポリシリコン４の３ｉ０２８を隔
てた上層にあるアルミニウムヒユーズｌもポリシリコン
４の熱によって熱せられ、ポリシリコン４より融点の低
いアルミニウムヒユーズ１はポリシリコン４よりも早く
融点に達し、溶断される。
には電流が流れポリシリコン４は発ｆｆ１ｆる。そうす
ると第２図のとおり、ポリシリコン４の３ｉ０２８を隔
てた上層にあるアルミニウムヒユーズｌもポリシリコン
４の熱によって熱せられ、ポリシリコン４より融点の低
いアルミニウムヒユーズ１はポリシリコン４よりも早く
融点に達し、溶断される。
・第３図は本発明の他の実施例である。第１図の実施例
と異なっているところはアルきヒーーズｉ°ｌの一方の
端１７にパッド１３がついているところともう一方の端
１２が電源（５ｖ）に接続されていることである。こう
することにょシ、アルミニウムヒユーズ１１自身にもパ
ッド１３に電圧を印加することによシ、電流が流れ、ヒ
ユーズ１１も発熱するので、ポリシリコン１４とアルミ
ニウムヒユーズ１１の発熱の和によってヒユーズ１ｌｔ
−溶断することとなる。
と異なっているところはアルきヒーーズｉ°ｌの一方の
端１７にパッド１３がついているところともう一方の端
１２が電源（５ｖ）に接続されていることである。こう
することにょシ、アルミニウムヒユーズ１１自身にもパ
ッド１３に電圧を印加することによシ、電流が流れ、ヒ
ユーズ１１も発熱するので、ポリシリコン１４とアルミ
ニウムヒユーズ１１の発熱の和によってヒユーズ１ｌｔ
−溶断することとなる。
以上説明したように本発明は、発熱導電体を設けること
Ｋよシ、ヒユーズに融点の低い導電材料を用いることが
可能なので、ヒユーズ融断時の温度による周囲への影響
を従来の方法よシ軽減できる効果がある。
Ｋよシ、ヒユーズに融点の低い導電材料を用いることが
可能なので、ヒユーズ融断時の温度による周囲への影響
を従来の方法よシ軽減できる効果がある。
また、従来のようにヒユーズ自身の発熱だけによる溶断
てはないので、ヒユーズ溶断の信頼性も向上し、位置合
わせやパターの設定はレーザーを使用しないので必要と
しない。
てはないので、ヒユーズ溶断の信頼性も向上し、位置合
わせやパターの設定はレーザーを使用しないので必要と
しない。
さらに発熱導電体のみに高い電圧を印加し、ヒ瓢−ズに
は溶断用の高い電圧を印加しないようにすれば、ヒユー
ズに高い電圧を印加したときの他のトランジスタ等への
影響を避けるための保護回路を必要としない。
は溶断用の高い電圧を印加しないようにすれば、ヒユー
ズに高い電圧を印加したときの他のトランジスタ等への
影響を避けるための保護回路を必要としない。
なお本発明の実施例では、ヒユーズにはアルミニウム、
ヒユーズ溶断の際ヒーターの役目をする導電体にはポリ
シリコンを使用したが、あくまでも本発明は導電体を重
畳し、ヒユーズを構成したことを基本としておシ使用す
る導電体はアルミニウム、ポリシリコン以外であっても
問題はない。
ヒユーズ溶断の際ヒーターの役目をする導電体にはポリ
シリコンを使用したが、あくまでも本発明は導電体を重
畳し、ヒユーズを構成したことを基本としておシ使用す
る導電体はアルミニウム、ポリシリコン以外であっても
問題はない。
第１図は本発明第一の実施例の平面図、第２図は第１図
に示すＡ−Ａ断面図、第３図は本発明の他の実施例の平
面図である。 １．１１・川・・アルミニウムヒユーズ、４．１４・・
・・・・ｙＮＩＪシリコン、５，１３．１５・・・・・
・ＰＡＤ。 訃・・・・・５ｉ０２．１０・・・・・・シリコン基板
。
に示すＡ−Ａ断面図、第３図は本発明の他の実施例の平
面図である。 １．１１・川・・アルミニウムヒユーズ、４．１４・・
・・・・ｙＮＩＪシリコン、５，１３．１５・・・・・
・ＰＡＤ。 訃・・・・・５ｉ０２．１０・・・・・・シリコン基板
。
Claims (1)
- ヒューズと、このヒューズに絶縁体を介して重畳され電
流によって発熱する発熱用導電体を含むことを特徴とす
る半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7217285A JPS61230336A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7217285A JPS61230336A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61230336A true JPS61230336A (ja) | 1986-10-14 |
Family
ID=13481541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7217285A Pending JPS61230336A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61230336A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0414245A (ja) * | 1990-05-08 | 1992-01-20 | Toshiba Corp | ヒューズの切断方法 |
| WO1995026049A1 (en) * | 1994-03-18 | 1995-09-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Three-terminal fuse and method of making same |
| US5572050A (en) * | 1994-12-06 | 1996-11-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Fuse-triggered antifuse |
| JP2007042780A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2011527065A (ja) * | 2008-06-30 | 2011-10-20 | アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド | 不揮発性でプログラム可能なメモリセルおよびメモリアレイ |
-
1985
- 1985-04-05 JP JP7217285A patent/JPS61230336A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0414245A (ja) * | 1990-05-08 | 1992-01-20 | Toshiba Corp | ヒューズの切断方法 |
| WO1995026049A1 (en) * | 1994-03-18 | 1995-09-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Three-terminal fuse and method of making same |
| US5659182A (en) * | 1994-03-18 | 1997-08-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Three-terminal fuse |
| US5572050A (en) * | 1994-12-06 | 1996-11-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Fuse-triggered antifuse |
| JP2007042780A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP4701034B2 (ja) * | 2005-08-02 | 2011-06-15 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
| JP2011527065A (ja) * | 2008-06-30 | 2011-10-20 | アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド | 不揮発性でプログラム可能なメモリセルおよびメモリアレイ |
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