JPS61226980A - センサ装置 - Google Patents
センサ装置Info
- Publication number
- JPS61226980A JPS61226980A JP60067659A JP6765985A JPS61226980A JP S61226980 A JPS61226980 A JP S61226980A JP 60067659 A JP60067659 A JP 60067659A JP 6765985 A JP6765985 A JP 6765985A JP S61226980 A JPS61226980 A JP S61226980A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor device
- insulating material
- wire
- lead frame
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 244000089486 Phragmites australis subsp australis Species 0.000 description 1
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、センサ部を有する素子と外部リードとが電気
的に接続されているセンサ装置並びにその製造方法及び
製造装置に関するものである。
的に接続されているセンサ装置並びにその製造方法及び
製造装置に関するものである。
本発明は、上記の様なセンサ装置について、素子とリー
ドフレームとをワイヤ・ボンディングすると共に、少な
くともセンサ部を露出させ且つ絶縁材料で少なくともワ
イヤを埋封することによって、小型で月つ低コストであ
りしかも高感度のセンサ装置を提供することができる様
にしたものである。
ドフレームとをワイヤ・ボンディングすると共に、少な
くともセンサ部を露出させ且つ絶縁材料で少なくともワ
イヤを埋封することによって、小型で月つ低コストであ
りしかも高感度のセンサ装置を提供することができる様
にしたものである。
第６図は、従来の磁気センサ装置で使用されていた素子
を示している。この素子１は、４個の感磁部２ａ〜２ｄ
とこれらの感磁部２ａ〜２ｄに対応する４個の半田電極
３ａ〜３ｄとを有している。
を示している。この素子１は、４個の感磁部２ａ〜２ｄ
とこれらの感磁部２ａ〜２ｄに対応する４個の半田電極
３ａ〜３ｄとを有している。
この様な素子１は、半田電極３ａ〜３ｄの夫々に外部リ
ート （図示せず）を半田イ１けし、この素子１自体を
台座（図示ゼず）に接着し、外部リードのハーネスを形
成し、更に外部リートの補強等を経て、絹め立てられて
いた。
ート （図示せず）を半田イ１けし、この素子１自体を
台座（図示ゼず）に接着し、外部リードのハーネスを形
成し、更に外部リートの補強等を経て、絹め立てられて
いた。
ところが、上述の様な従来の磁気センサ装置は、半田付
けによって素子１と外部リードとを接続しているので、
素子１の面積に占める半田電極３ａ〜３ｄの割合が非常
に高い。このために、感磁部２ａ〜２ｄに比べて素子１
及び磁気センサ装置が非常に大型であった。
けによって素子１と外部リードとを接続しているので、
素子１の面積に占める半田電極３ａ〜３ｄの割合が非常
に高い。このために、感磁部２ａ〜２ｄに比べて素子１
及び磁気センサ装置が非常に大型であった。
また組立工数が多いので、磁気センサ装置のコストも高
かった。
かった。
本願の第１発明によるセンサ装置は、センサ部１４ａ〜
１４ｄを有する素子１２と、この素子１２が取り付けら
れているリードフレーム１３ａ〜１３ｄと、前記素子１
２と前記リードフレーム１３ａ〜１３ｄとをボンディン
グしているワイヤ１７ａ〜１７ｄと、少なくとも前記セ
ンサ部１４ａ〜１．ｌｄを露出させ且つ少なくとも前記
ワイヤ１７ａ〜１７ｄを埋封する様に成形されている絶
縁材料１６とをそれぞれ具備している。
１４ｄを有する素子１２と、この素子１２が取り付けら
れているリードフレーム１３ａ〜１３ｄと、前記素子１
２と前記リードフレーム１３ａ〜１３ｄとをボンディン
グしているワイヤ１７ａ〜１７ｄと、少なくとも前記セ
ンサ部１４ａ〜１．ｌｄを露出させ且つ少なくとも前記
ワイヤ１７ａ〜１７ｄを埋封する様に成形されている絶
縁材料１６とをそれぞれ具備している。
また、本願の第２発明によるセンサ装置の製造方法は、
センサ部１４ａ〜１４ｄを有する素子１２をリードフレ
ーム１３ａ〜１３ｄ上に取り付ける工程と、前記素子１
２と前記リードフレーム１３ａ〜１３ｄとをワイヤ１７
ａ〜１７ｄでボンディングする工程を、前記素子１２を
収容した状態で少なくとも前記センサ部１４ａ〜１４ｄ
に密接して前記素子１２を取り囲み且つ少なくとも前記
ワイヤ１７ａ〜１７ｄを包含するキャビティ２５を形成
する様に対を成す第１及び第２の型２２．２３を型締め
して前記リードフレーム１３ａ〜１３ｄを挟持する工程
と、型締めした前記第１及び第２の型２２．２３中に絶
縁材料１６を注入して成形する工程とを夫々具備してい
る。
センサ部１４ａ〜１４ｄを有する素子１２をリードフレ
ーム１３ａ〜１３ｄ上に取り付ける工程と、前記素子１
２と前記リードフレーム１３ａ〜１３ｄとをワイヤ１７
ａ〜１７ｄでボンディングする工程を、前記素子１２を
収容した状態で少なくとも前記センサ部１４ａ〜１４ｄ
に密接して前記素子１２を取り囲み且つ少なくとも前記
ワイヤ１７ａ〜１７ｄを包含するキャビティ２５を形成
する様に対を成す第１及び第２の型２２．２３を型締め
して前記リードフレーム１３ａ〜１３ｄを挟持する工程
と、型締めした前記第１及び第２の型２２．２３中に絶
縁材料１６を注入して成形する工程とを夫々具備してい
る。
また、本願の第３発明によるセンサ装置の製造装置は、
センサ部１４ａ〜１４ｄを存すると共にリードフレーム
１３２〜１３ｄ上に取り付番フられており且つこのリー
ドフレーム１３ａ〜１３ｄとワイヤ１７ａ〜１７ｄでボ
ンディングされている素子１２を収容する様に対を成し
て型締めされる第１及び第２の型２２．２３を有してお
り、前記第１の型２２はこの第１の型２２によって少な
くとも前記センサ部１４． ａ〜１４ｄが密接されて覆
われる様に前記素子１２を取り囲んで前記リードフレー
ム１３８〜１３ｄを押圧する凸部２２ａと少なくとも前
記ワイヤ１７ａ〜１７ｄを包含するキャビティ２５を形
成する四部２２ｂとを有しており、前記第２の型２３は
少なくとも前記凸部２２ａと略対向し得る凸部２３ａを
有している。
センサ部１４ａ〜１４ｄを存すると共にリードフレーム
１３２〜１３ｄ上に取り付番フられており且つこのリー
ドフレーム１３ａ〜１３ｄとワイヤ１７ａ〜１７ｄでボ
ンディングされている素子１２を収容する様に対を成し
て型締めされる第１及び第２の型２２．２３を有してお
り、前記第１の型２２はこの第１の型２２によって少な
くとも前記センサ部１４． ａ〜１４ｄが密接されて覆
われる様に前記素子１２を取り囲んで前記リードフレー
ム１３８〜１３ｄを押圧する凸部２２ａと少なくとも前
記ワイヤ１７ａ〜１７ｄを包含するキャビティ２５を形
成する四部２２ｂとを有しており、前記第２の型２３は
少なくとも前記凸部２２ａと略対向し得る凸部２３ａを
有している。
本願の第１発明によるセンサ装置は、センサ部を有する
素子とリードフレームがワイヤでボンディングされてお
り、且つこのワイヤが絶縁材料によって埋封されている
。しかし素子のセンサ部は、絶縁材料によって埋封され
ることなく露出している。
素子とリードフレームがワイヤでボンディングされてお
り、且つこのワイヤが絶縁材料によって埋封されている
。しかし素子のセンサ部は、絶縁材料によって埋封され
ることなく露出している。
また、本願の第２発明によるセンサ装置の製造方法は、
素子をリードフレーム上に取り付け、これらの素子とリ
ードフレームとをワイヤでボンディングし、少なくとも
センサ部に接して素子を取り囲み且つ少なくともワイヤ
を包含するキャビティを形成した状態でリードフレーム
を挟持する型によって絶縁材料を成形する様にしている
。
素子をリードフレーム上に取り付け、これらの素子とリ
ードフレームとをワイヤでボンディングし、少なくとも
センサ部に接して素子を取り囲み且つ少なくともワイヤ
を包含するキャビティを形成した状態でリードフレーム
を挟持する型によって絶縁材料を成形する様にしている
。
また、本願の第３発明にょるセンサ装置の製造装置は、
セン１ノ部に接して素子を取り囲んだ状態でリードフレ
ームを挟持すると共に、ワイヤを包含するキャビティを
形成する第１及び第２の型を有している。
セン１ノ部に接して素子を取り囲んだ状態でリードフレ
ームを挟持すると共に、ワイヤを包含するキャビティを
形成する第１及び第２の型を有している。
以下、磁気センサ装置及びその製造に適用した本願の第
１〜第３発明の一実施例を、第１図〜第５図を参照しな
がら説明する。
１〜第３発明の一実施例を、第１図〜第５図を参照しな
がら説明する。
第１図に示す様に、本実施例による磁気センサ装置１１
ば素子Ｉ２と４木のリード１３ａ〜１３ｄとを有してお
り、また第２図に示す様に、素子１２は４個の感磁部１
４ａ〜１４ｄとこれらの感Ｇｎ部１４ ａ〜１４ｄに対
応する４個のボンドパッド１５ａ〜１５ｄとを有してい
る。
ば素子Ｉ２と４木のリード１３ａ〜１３ｄとを有してお
り、また第２図に示す様に、素子１２は４個の感磁部１
４ａ〜１４ｄとこれらの感Ｇｎ部１４ ａ〜１４ｄに対
応する４個のボンドパッド１５ａ〜１５ｄとを有してい
る。
そしてこの磁気センサ装置１１では、１木のり一ド１３
ｂ上に素子１２が接着された状態で、素子１２とリード
１３ａ〜１３ｄとが絶縁材料１６に埋封されている。但
し第１図から明らかな様に、素子】２自体は絶縁材料１
６中に埋め込まれてはいるが、磁気１４８〜１４ｄは絶
縁材料１６から露出しており外界に臨んでいる。
ｂ上に素子１２が接着された状態で、素子１２とリード
１３ａ〜１３ｄとが絶縁材料１６に埋封されている。但
し第１図から明らかな様に、素子】２自体は絶縁材料１
６中に埋め込まれてはいるが、磁気１４８〜１４ｄは絶
縁材料１６から露出しており外界に臨んでいる。
また、ボンドパッド１５ａ〜１５ｄとリード１３ａ〜１
３ｄとは、絶縁材料１６の突起部１６ａ中で、４本のワ
イヤー７ａ〜１７ｄによってボンディングされており、
これらのワイヤー７ａ〜１７ｄは、絶縁材料１６によっ
て保護絶縁されている。
３ｄとは、絶縁材料１６の突起部１６ａ中で、４本のワ
イヤー７ａ〜１７ｄによってボンディングされており、
これらのワイヤー７ａ〜１７ｄは、絶縁材料１６によっ
て保護絶縁されている。
また本実施例による磁気センサ装置１１は、更に第３図
に示す様に、その背面側において、リード１３ｂに達す
る穴部１６ｂが絶縁材料１６に形成されている。
に示す様に、その背面側において、リード１３ｂに達す
る穴部１６ｂが絶縁材料１６に形成されている。
次に、以上の様な磁気センサ装置１１を製造する方法及
びそのための装置を説明する。本実施例では、まず第４
図Ａに示す様に、銀ペーストや半田等の接着層２１を用
いて素子１２をリード１３ｂ上にダイ・ボンディングす
る。なおリード１３ａ−１３ｄは、当初は一体のリード
フレームを形成しており、絶縁材料１６の成形後に互い
に分離する様に加工される。
びそのための装置を説明する。本実施例では、まず第４
図Ａに示す様に、銀ペーストや半田等の接着層２１を用
いて素子１２をリード１３ｂ上にダイ・ボンディングす
る。なおリード１３ａ−１３ｄは、当初は一体のリード
フレームを形成しており、絶縁材料１６の成形後に互い
に分離する様に加工される。
その後、第４図Ｂに示す様に、ワイヤ１７ａ〜１７ｄを
用いてボンドパッド１５ａ〜１５ｄとリード１３ａ〜１
３１：を熱圧着法によるワイヤ・ボンディングで接続す
る。
用いてボンドパッド１５ａ〜１５ｄとリード１３ａ〜１
３１：を熱圧着法によるワイヤ・ボンディングで接続す
る。
更にその後、第４図Ｃ及び第５図に示す様に、上型２２
と下型２３とから成る金型２４を型締めすることによっ
て、リード＋３ａ〜１３（１を上下から挟持する。
と下型２３とから成る金型２４を型締めすることによっ
て、リード＋３ａ〜１３（１を上下から挟持する。
金型２４の上型２２ば、その略中央部に横断面が略コ字
状である凸部２２ａを有すると共に、この凸部２２ａの
両端部に連なっており横断面が長方形である凹部２２ｂ
を有している。また金型２４の下型２３ばその略中央部
に横断面が小判型である凸部２３ａを有しており、しか
もこの凸部２３ａば第５図から明らかな様に上型２２の
凸部２２ａと略対向し得る大きさを有している。
状である凸部２２ａを有すると共に、この凸部２２ａの
両端部に連なっており横断面が長方形である凹部２２ｂ
を有している。また金型２４の下型２３ばその略中央部
に横断面が小判型である凸部２３ａを有しており、しか
もこの凸部２３ａば第５図から明らかな様に上型２２の
凸部２２ａと略対向し得る大きさを有している。
また第４図Ｃ及び第５図から明らかな様に、金型２４を
型締めすると、上型２２の凸部２２ａが素子１２を取り
囲むために、感磁部１４ａ〜１４ｄに接するキャビティ
は形成されない。これに対して上型の凹部２２ｂは、ワ
イヤ１７ａ〜１７ｄを包含するキャビティ２５を形成す
る。一方、下型２３の凸部２３ａは、型締圧による上型
２２の凸部２２ａの押圧に抗して、リード１３ｂを下側
から支えている。
型締めすると、上型２２の凸部２２ａが素子１２を取り
囲むために、感磁部１４ａ〜１４ｄに接するキャビティ
は形成されない。これに対して上型の凹部２２ｂは、ワ
イヤ１７ａ〜１７ｄを包含するキャビティ２５を形成す
る。一方、下型２３の凸部２３ａは、型締圧による上型
２２の凸部２２ａの押圧に抗して、リード１３ｂを下側
から支えている。
そして、第４図り及び第５図の状態で、金型２４中へ絶
縁材料１６を注入してトランスファ成形を行う。その後
、既述の様にリード１３ａ〜１３ｄの分離加工を行って
、第１図及び第３図に示した磁気センサ装置１１を得る
。そして更に、完成した磁気センサ装置１１の性能測定
を行い、応用機器の基板へのマウント等を行う。
縁材料１６を注入してトランスファ成形を行う。その後
、既述の様にリード１３ａ〜１３ｄの分離加工を行って
、第１図及び第３図に示した磁気センサ装置１１を得る
。そして更に、完成した磁気センサ装置１１の性能測定
を行い、応用機器の基板へのマウント等を行う。
なお以上の実施例は、磁気センサ装置１１及びその製造
に本発明を適用したものであるが、光センサ装置等の他
のセンサ装置及びその製造にも本発明を適用することが
できる。
に本発明を適用したものであるが、光センサ装置等の他
のセンサ装置及びその製造にも本発明を適用することが
できる。
上述の如く、本願の第１発明によるセンサ装置は、素子
とリードフレームとがワイヤでポンディソゲされており
、且つこのワイヤが絶縁材料によって埋封されている。
とリードフレームとがワイヤでポンディソゲされており
、且つこのワイヤが絶縁材料によって埋封されている。
従って、素子及びセン４ノ°装置が小型であり、しかも
自動組立てが可能なために低コストである。
自動組立てが可能なために低コストである。
また素子のセンサ部は、絶縁利料によって埋封されるこ
となく露出している。従って、セン・リー装置の感度は
非常に高い。
となく露出している。従って、セン・リー装置の感度は
非常に高い。
また、本願の第２発明によるセンサ装ｒの製造方法は、
素子とリードフレームとをワイヤでホンディングし、且
つこのワイヤを絶縁材料で埋封する様にしている。従っ
て、素子及びセンサ装置の小型化が可能であり、しかも
組立ての自動化が可能なために製造コストを低くするこ
とができる。
素子とリードフレームとをワイヤでホンディングし、且
つこのワイヤを絶縁材料で埋封する様にしている。従っ
て、素子及びセンサ装置の小型化が可能であり、しかも
組立ての自動化が可能なために製造コストを低くするこ
とができる。
また、センサ部に接して素子を取り囲んだ状態で、リー
ドフレームを型によって挟持する様にしている。従って
、リードフレームが撓んでセンサ部へ絶縁材料が注入さ
れこの絶縁材料でセンサ部が被覆されるということがな
い。このために、製造されたセンサ装置の感度は非常に
高い。
ドフレームを型によって挟持する様にしている。従って
、リードフレームが撓んでセンサ部へ絶縁材料が注入さ
れこの絶縁材料でセンサ部が被覆されるということがな
い。このために、製造されたセンサ装置の感度は非常に
高い。
また、本願の第３発明によるセンサ装置の製造装置は、
センサ部に接して素子を取り囲んだ状態で、リードフレ
ームを挟持する様にしている。従って、埋封のために注
入された絶縁材料でセンサ部が被覆されるということが
ない。このために、製造されたセンサ装置の感度は非常
に高い。
センサ部に接して素子を取り囲んだ状態で、リードフレ
ームを挟持する様にしている。従って、埋封のために注
入された絶縁材料でセンサ部が被覆されるということが
ない。このために、製造されたセンサ装置の感度は非常
に高い。
また、ワイヤを包含するキャビティを形成する様にして
いるので、このキャビティへ絶縁材料を注入する埋封を
自動化することが可能である。従って、製造コストを低
くすることができる。
いるので、このキャビティへ絶縁材料を注入する埋封を
自動化することが可能である。従って、製造コストを低
くすることができる。
第１図〜第５図は本願の第１〜第３発明の一実施例を示
しており、第１図は磁気センサ装置の斜視図、第２図は
磁気センサ装置の素子の拡大平面図、第３図は磁気セン
サ装置の背面の斜視図、第４図は製造工程及び製造装置
を示す断面図、第５図は製造装置の要部を示す断面図で
ある。 第６図は従来の磁気センサ装置の素子の拡大平面図であ
る。 なお図面に用いた符号において、 １］−−−−−−−−−−一硼気センサ装置１２−−−
−−−−−−−−−−−−−一素子１３ａ 〜１３ｄ
−リード １４ａ〜１４ｄ−感磁部 １６−−−−−−−−・−一一一−−−−−−絶縁材料
１７８〜１７ｄ−ワイヤ ２２−−−−−−−一・−・−−−一−−上型２２ａ
−−−−−−−−−−−一凸部２２ｂ −−−−−−−
−−−−−一凹部２３−−−−−−−−−−−−一・−
・下型２３ａ−−−−−・・−・−凸部 ２５−−−−−−−−−−−−−−キャビティである。
しており、第１図は磁気センサ装置の斜視図、第２図は
磁気センサ装置の素子の拡大平面図、第３図は磁気セン
サ装置の背面の斜視図、第４図は製造工程及び製造装置
を示す断面図、第５図は製造装置の要部を示す断面図で
ある。 第６図は従来の磁気センサ装置の素子の拡大平面図であ
る。 なお図面に用いた符号において、 １］−−−−−−−−−−一硼気センサ装置１２−−−
−−−−−−−−−−−−−一素子１３ａ 〜１３ｄ
−リード １４ａ〜１４ｄ−感磁部 １６−−−−−−−−・−一一一−−−−−−絶縁材料
１７８〜１７ｄ−ワイヤ ２２−−−−−−−一・−・−−−一−−上型２２ａ
−−−−−−−−−−−一凸部２２ｂ −−−−−−−
−−−−−一凹部２３−−−−−−−−−−−−一・−
・下型２３ａ−−−−−・・−・−凸部 ２５−−−−−−−−−−−−−−キャビティである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、センサ部を有する素子と、 この素子が取り付けられているリードフレームと、 前記素子と前記リードフレームとをボンディングしてい
るワイヤと、 少なくとも前記センサ部を露出させ且つ少なくとも前記
ワイヤを埋封する様に成形されている絶縁材料とをそれ
ぞれ具備するセンサ装置。 ２、センサ部を有する素子をリードフレーム上に取り付
ける工程と、 前記素子と前記リードフレームとをワイヤでボンディン
グする工程と、 前記素子を収容した状態で少なくとも前記センサ部に密
接して前記素子を取り囲み且つ少なくとも前記ワイヤを
包含するキャビティを形成する様に対を成す第１及び第
２の型を型締めして前記リードフレームを挟持する工程
と、 型締めした前記第１及び第２の型中に絶縁材料を注入し
て成形する工程とを夫々具備し、 少なくとも前記センサ部を露出させ且つ少なくとも前記
ワイヤを前記絶縁材料によって埋封する様にしたセンサ
装置の製造方法。 ３、センサ部を有すると共にリードフレーム上に取り付
けられており且つこのリードフレームとワイヤでボンデ
ィングされている素子を収容する様に対を成して型締め
される第１及び第２の型を有しており、 前記第１の型はこの第１の型によって少なくとも前記セ
ンサ部が密接されて覆われる様に前記素子を取り囲んで
前記リードフレームを押圧する凸部と少なくとも前記ワ
イヤを包含するキャビティを形成する凹部とを有してお
り、 前記第２の型は少なくとも前記凸部と略対向し得る凸部
を有しており、 前記第１及び第２の型の夫々の前記凸部で前記リードフ
レームを挟持した状態でこれら第１及び第２の型中へ絶
縁材料を注入して成形することによって、少なくとも前
記センサ部を露出させ且つ少なくとも前記ワイヤを前記
絶縁材料で埋封する様にしたセンサ装置の製造装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60067659A JPS61226980A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | センサ装置 |
| KR1019860002255A KR940008559B1 (ko) | 1985-03-30 | 1986-03-26 | 센서장치 및 그 제조방법과 제조장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60067659A JPS61226980A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | センサ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61226980A true JPS61226980A (ja) | 1986-10-08 |
Family
ID=13351355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60067659A Pending JPS61226980A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | センサ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61226980A (ja) |
| KR (1) | KR940008559B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980050061A (ko) * | 1996-12-20 | 1998-09-15 | 황인길 | 반도체 패키지의 구조 및 제조방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55159678A (en) * | 1979-05-31 | 1980-12-11 | Toshiba Corp | Solidstate image sensor |
| JPS57147289A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-11 | Nec Corp | Magnetic reluctance effect element |
-
1985
- 1985-03-30 JP JP60067659A patent/JPS61226980A/ja active Pending
-
1986
- 1986-03-26 KR KR1019860002255A patent/KR940008559B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55159678A (en) * | 1979-05-31 | 1980-12-11 | Toshiba Corp | Solidstate image sensor |
| JPS57147289A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-11 | Nec Corp | Magnetic reluctance effect element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR860007727A (ko) | 1986-10-15 |
| KR940008559B1 (ko) | 1994-09-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2816239B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| EP0424530B1 (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
| TWI290764B (en) | Semiconductor device and the manufacturing method of the same | |
| JP3205235B2 (ja) | リードフレーム、樹脂封止型半導体装置、その製造方法及び該製造方法で用いる半導体装置製造用金型 | |
| JP2001024135A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08148603A (ja) | ボールグリッドアレイ型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH11312706A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法、リードフレーム | |
| JPS6384176A (ja) | 磁界収束型ホ−ル素子及びその製造方法 | |
| JP2004153220A (ja) | リードフレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS63258050A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3259377B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61226980A (ja) | センサ装置 | |
| JPS6028256A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06204390A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3234614B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3134445B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR100218335B1 (ko) | 칩 사이즈 패키지 | |
| JP3847432B2 (ja) | 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2001177007A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0366150A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS6236299Y2 (ja) | ||
| JP3587001B2 (ja) | 圧力センサ | |
| JPH0237752A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03129840A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH08340074A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |