JPS61226852A - 半導体メモリにおける誤り検出訂正機能不良点検回路 - Google Patents

半導体メモリにおける誤り検出訂正機能不良点検回路

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JPS61226852A
JPS61226852A JP60066871A JP6687185A JPS61226852A JP S61226852 A JPS61226852 A JP S61226852A JP 60066871 A JP60066871 A JP 60066871A JP 6687185 A JP6687185 A JP 6687185A JP S61226852 A JPS61226852 A JP S61226852A
Authority
JP
Japan
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data
circuit
bit
output
error
Prior art date
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Pending
Application number
JP60066871A
Other languages
English (en)
Inventor
Taira Iwase
岩瀬 平
Shoji Ariizumi
有泉 昇次
Yasunori Arime
有銘 泰則
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Microelectronics Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP60066871A priority Critical patent/JPS61226852A/ja
Publication of JPS61226852A publication Critical patent/JPS61226852A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体記憶装置に係シ、特に同一チ、!上に誤
り検出訂正回路(エラー・コレクティング・コード回路
、FCC回路ンを搭載した半導体メそすにおけるECC
機能不良点検回路に関する。
〔発明の技術的背景〕
半導体メモリの大容量化に伴ない、結晶欠陥による製造
歩留pの低下が問題となってきた。
この対策として冗長回路を内蔵するようになったが、こ
れは製造段階で発見された不良のメモリセルを冗長用メ
モリセルと切り換えて救済するものであ夛、この切り換
え操作に時間、手間が必要であった。これに代わるもの
として大形計算機で採用されているECC方式を応用し
たECC回路をメモリチップ上に搭載することが一部で
行なわれるようになった。これはデータ用のメモリセル
の他に検査符号(/4リティビット)用のメモリセルを
設け、この検査符号に基いてデータビ、ト中の誤りを自
動的に検出して訂正する機能を持たせたものである。こ
の場合、チ、グ上での実現の容易性の点でデータビット
中の誤りがエビ、トの場合のみ自動訂正を行なうECC
回路が通常用いられる。
ところで、このようなチ、グ上のECC回路自体が正常
に動作するか否かをチェックする必要があシ、たとえば
次のような方法によりチェックを行なっていた。先ず、
外部制御信号入力によりECC回路を非動作状態に設定
制御する。この状態でメモリセルからデータを読み出し
、1つの読み出し対(たとえば8ピツトのデータビ、ト
と4ピツトの・やりティビット)における8ピ、トのデ
ータビットのうち1ピツトのみ誤シが発生しているデー
タ(誤シデータ)を探す。
次に、ECC回路を動作状態にして同じアドレスのまま
上記誤りデータを読み出し、この読み出しデータが正し
く訂正されているか否かをチェックする。
〔背景技術の問題点〕
しかし、上記方法では、不良が発生している読み出しデ
ータ対に対してはFCC機能チェ、りが可能であるが、
もしECC回路が正常に動作しない場合その原因を調査
するのが困難である。
即ち、たとえば4ピツトのパリティビット中に1ピツト
の誤りがある場合とか・臂すティピット読み出し系にハ
ード的なエラーが存在する場合には、この読み出しデー
タ対については1ビツト誤シの訂正が不可能であるが、
このような場合1ピツト誤90訂正ができない原因を調
査するのが困難である。このように誤り訂正ができない
場合を考えると、その原因であるパリティビットの誤り
とかパリティピット読み出し系のハードエラーの有無に
対するチェ、りができることが望ましいが、従来はパリ
ティビットのデータを外部に読み出せないのでそのチェ
、りを容易に行なうことは困難であった。
〔発明の目的〕
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、外部制御
信号入力によ?) 、4 リティビットのデータをデー
タビットのデータと切り換えてデータ出力端子から読み
出すことができ、ECC回路が正常に動作しない場合の
原因を容易に点検し得る半導体メモリにおける誤り検出
訂正機能不良点検回路を提供するものである。
〔発明の概要〕
即ち、本発明は、半導体メモリに内蔵されたECC回路
の出力側で外部制御信号入力によ多制御されてノ臂すテ
ィtットのデータをデータビ。
トのデータと切り換えてデータ出力回路側へ送るデータ
切換回路を設けたことを特徴とするものである。
これによって、ECC回路の動作不良の原因調査に際し
て、前記データ切換回路によf) apリティピ、トの
データを出力端子に読み出し、パリティビットのデータ
が正しいかどうか、またパリティビット読み出し系が正
常に動作しているかどうかを容易に点検できる・ 〔発明の実施例〕 以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。図面はハードエラー救済を主目的としてECC回路
を内蔵したマスクROM (読出し専用メモリ)の一部
を示しておシ、データ用メモリセル群からたとえば8ピ
、トのデータビ、)Do−Dyが読み出され、検査ピッ
ト用メモリセル鮮からたとえば4ピツトのノやリティピ
y)Po〜P3が読み出されるものとする。上記データ
ビットD6〜D7および/4’リティピットP0〜P3
は1ビ、ト誤9検出回路1に入力する。この1ビ、ト誤
シ検出回路1は、上記データビ、ト入力とパリティビッ
ト入力とを所定の符号語(たとえばハミングコード)と
見てデータビ、ト中に1ビ、トの誤りがある場合を検出
するものである。
誤)ピット指摘回路2は、上記1ピット誤シ検出回路1
の検出出力を受けてデータビ、トD、%D、中のどの1
ピツトが誤っているかを検出して誤シピット指摘出力を
1ピット誤シ訂正回路3へ与えるものである。この1ビ
、ト誤り訂正回路3には前記データピッ)Do%D。
も入力し、ここではデータビ、トDo〜Dγが前記誤り
ピット指摘出力により指摘されない場合にはそのまま通
過し、前記誤りピット指摘出力により指摘された場合に
は指摘された1ビ。
トが反転(訂正)されて出力するが残りのデータビット
はそのまま通過するようになっている。
即ち、上記1ピット誤ル訂正回路3は、たとえば、8個
の排他的オア回路の各一方の入力としてデータビットを
、各他方の入力として対応する誤多ピ、ト指摘出力を与
えることで実現可能である。上記1ビット誤り検出回路
1、誤カビ、ト指摘回路2.1ピ、ト誤p訂正回路3は
、1ビット誤り検出訂正用のECC回路4を構成してい
る。5は上記ECC回路4を非動作状態に設定制御する
ためのECC機能無効制御信号発生回路であり、ウェハ
ー上に形成されるツヤ、ドあるいはメモリチップ上の・
臂、ドあるいはこれに接続されたメモリ集積回路の外部
ピンである制御端子6に外部からECC機能無効制御信
号(通常の制御信号レベルでもよく高電圧レベルでもよ
い。)が必要に応じて与えられたときに、これを検出し
て所定レベルのECC機能無効制御信号を発生してたと
えば前記誤pビット指摘回路2に与えてその動作を禁止
させるものである。
一方、データ切換回路7は前記1ピット誤シ訂正回路3
の出力データビ7)Do−DyのうちたとえばD4〜D
7と前記/4リティビ、トPo %P、とを選択信号に
応じて切り換えてデータ出力回路側へ送り出すものであ
り、上記出力データビットD、%D、のうちDo〜D3
はデータ切換回路7を経ることなくデータ出力回路へ送
られる。上記データ切換回路7の構成は、たとえば前記
データピッ)D4〜Dγが各対応して一端に入力するト
ランスファダート用のMOS(絶縁r−ト型)トランジ
スタで4〜で7とzJ? リティピッ)Pa〜P3が各
対応して一端に入力するトランスファダート用のMOS
 )ランジスタT′4 〜fil/、 とを有し、上記
トランジスタT4〜T7とトランジスタT′4〜T′7
 との各対応する他端同志が接続(ワイヤードオア接続
)されたものである。8はデータ切換信号発生回路であ
フ、制御端子(ウェハー上に形成されるパッドあるいは
メモリチアゾ上の・母、ドあるいはこれに接続されたメ
モリ集積回路の外部ピン)9に外部からデータ切換信号
(通常の制御信号レベルでもよく高電圧レベルでもよい
、)が必要に応じて与えられたときに、これを検出して
所定レベルのデータ切換信号を発生して前記データ切換
回路7におけるz4 リティピ、ト転送用のトランジス
タT/4〜T /、の各ダートに与えるものである。ま
た、上記データ切換信号発生回路8の出力端にインバー
タ100入力端が接続されてお)、このインバータ10
の出力端は前記データ切換回路7におけるデータビット
転送用のトランジスタT4〜T7の各r−トに接続され
ている。
なお、前記gcc機能無効制御信号発生回路5およびデ
ータ切換信号発生回路8は、それぞれたとえばレベル変
換用のイン・ぐ−夕を2段用いて構成可能である。また
、制御端子6.9は、前述した機能用として専用のもの
を設けてもよいが、他の機能用のものを共用して制御信
号のタイミングレベル等により機能を使い分けるように
してもよい。
上記構成のマスクROMは、通常動作時には制御端子6
,9が0”レベルであ夛、ECC回路4は動作状態であ
り、データ切換信号発生回路8の出力は@0”レベル、
インバータ10の出力岐@1#レベルであり、データ切
換回路7においてはデータビ、ト転送用トランジスタT
〜T7がデータ転送可能であってパリティピット転送用
トランジスタT/4〜T/、はオフ状態になっている。
いま、上記ROMにおけるECC回路4のテストがたと
えば製造段階でのウェハーソート時においてたとえば前
述した従来と同様な方法により行なわれた結果、ECC
回路4が正常に動作しなかった場合にその原因を点検す
る必要が生じたとする。この場合には、制御端子9に″
l”レベルの制御信号を与えると、データ切換信号発生
回路8の出力が@1mレベルになり、インバータ10の
出力が10ルベルになるので、データ切換回路1におい
てはデータビット転送用トランジスタT4〜T1がオフ
状態になシ、パリティビット転送用ト2ンジスタT′4
〜T’y カデータ転送可能状態になる。したがって、
このときデータ出力回路を経て出力端子に出力するデー
タはデータビy)Do〜D、とパI) fイビットPo
〜P3とからなるので、とのノ量リティビ、)Po−P
gをチェックすることによp z4リティビットに1ピ
ット誤りがあるか・臂すティピット読出し系にハードエ
ラーがあるかを容易にチェックすることができる。
なお、本発明はROMに限らず書き込み/読み出し可能
なメモリにECC回路を内蔵する場合にも適用可能であ
る。
〔発明の効果〕
上述したように本発明の半導体メモリにおけるECC機
能不良点検回路によれば、外部制御信号によp apリ
ティピットのデータをデータビットのデータと切り換え
てデータ出力端子から読み出すことができるので、EC
C回路が正常に動作しない場合の原因を容易に点検でき
る。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の一実施例に係るマスクROMにおけるE
CC機能不良点検回路を示す構成説明図である。 4・・・ECC回路、7・・・データ切換回路、8・・
・データ切換信号発生回路、9・・・制御端子、10・
・・インバータ、T4〜T7  * T’4〜T/、・
・・MOS )ランジスタ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体メモリに内蔵された誤り検出訂正回路の出力側で
    外部制御信号入力により制御されてパリティビットのデ
    ータをデータビットのデータと切り換えてデータ出力回
    路側へ送るデータ切換回路を設けてなることを特徴とす
    る半導体メモリにおける誤り検出訂正機能不良点検回路
JP60066871A 1985-03-30 1985-03-30 半導体メモリにおける誤り検出訂正機能不良点検回路 Pending JPS61226852A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60066871A JPS61226852A (ja) 1985-03-30 1985-03-30 半導体メモリにおける誤り検出訂正機能不良点検回路

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JP60066871A JPS61226852A (ja) 1985-03-30 1985-03-30 半導体メモリにおける誤り検出訂正機能不良点検回路

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JPS61226852A true JPS61226852A (ja) 1986-10-08

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ID=13328357

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JP60066871A Pending JPS61226852A (ja) 1985-03-30 1985-03-30 半導体メモリにおける誤り検出訂正機能不良点検回路

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01201736A (ja) * 1988-02-08 1989-08-14 Mitsubishi Electric Corp マイクロコンピュータ

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60211700A (ja) * 1984-04-05 1985-10-24 Nec Corp 読出し専用メモリ

Patent Citations (1)

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