JPS60211700A - 読出し専用メモリ - Google Patents
読出し専用メモリInfo
- Publication number
- JPS60211700A JPS60211700A JP59067994A JP6799484A JPS60211700A JP S60211700 A JPS60211700 A JP S60211700A JP 59067994 A JP59067994 A JP 59067994A JP 6799484 A JP6799484 A JP 6799484A JP S60211700 A JPS60211700 A JP S60211700A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- output
- memory
- data memory
- outputted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
Landscapes
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は読出し専用メモリに係り、特に記憶しているデ
ータの一部を冗長として使用して記憶しているデータの
一部に誤りｔ生じても修正が可能な誤シ修生回路を内蔵
する読出し専用メモリに関する。
ータの一部を冗長として使用して記憶しているデータの
一部に誤りｔ生じても修正が可能な誤シ修生回路を内蔵
する読出し専用メモリに関する。
（従来技術）
読出し専用メモリ（以下、ＲＯＭという。）は、電子計
算機のプログラム格納、データ格納等に広く使用込れて
いる。近年、半導体乗積回路の集積度が上がるにつれて
、１チツプのＲＯ，Ｍに格納できるデータの量も増大し
、１メガビツト（′Ｌ０４ａ５７６ビツト）を１チツプ
で記憶しているものも、すてに製品化されている。１チ
ツプあたりに記憶しているデータが多くなると、わずか
な誤りのためにそのチップが不良となってし１９ので、
記憶しているデータの一部を冗長として使用して、出力
データの一部に誤りが生じても修正可能な誤シ修正回路
を内蔵させる事が行なわれる様になってきた。
算機のプログラム格納、データ格納等に広く使用込れて
いる。近年、半導体乗積回路の集積度が上がるにつれて
、１チツプのＲＯ，Ｍに格納できるデータの量も増大し
、１メガビツト（′Ｌ０４ａ５７６ビツト）を１チツプ
で記憶しているものも、すてに製品化されている。１チ
ツプあたりに記憶しているデータが多くなると、わずか
な誤りのためにそのチップが不良となってし１９ので、
記憶しているデータの一部を冗長として使用して、出力
データの一部に誤りが生じても修正可能な誤シ修正回路
を内蔵させる事が行なわれる様になってきた。
第１図は従来の一例のＲＯＭの要部を示すブロック図で
ある。第１図において、１はアドレス入力端子で、２は
アドレスデコーダ、３はデータメモリ、４は冗長データ
メモリ、５は誤り修正回路、６は出力端子である。入力
端子１よレアドレスを入力すると、出力端子６よシデー
タが出力されるが、このとき、出力データがあらかじめ
データメモリ３に書込んたものと一致すると、そのチッ
プは良品と判定され、異なるとそのチップは不良と判定
されてしまう。しかし、この例の場合は、冗長データメ
モリ４を用いて、誤ジ修正回路５において、わずかな誤
りの場合は修正可能とし、わずかな不良のチップも良品
となる様にして歩留りを向上しよりというものでりる。
ある。第１図において、１はアドレス入力端子で、２は
アドレスデコーダ、３はデータメモリ、４は冗長データ
メモリ、５は誤り修正回路、６は出力端子である。入力
端子１よレアドレスを入力すると、出力端子６よシデー
タが出力されるが、このとき、出力データがあらかじめ
データメモリ３に書込んたものと一致すると、そのチッ
プは良品と判定され、異なるとそのチップは不良と判定
されてしまう。しかし、この例の場合は、冗長データメ
モリ４を用いて、誤ジ修正回路５において、わずかな誤
りの場合は修正可能とし、わずかな不良のチップも良品
となる様にして歩留りを向上しよりというものでりる。
ところで、ＲＯＭｐｃ＞いて歩留ρ質向上させるために
は、不良となったチップに対して何が原因で不良となっ
たかτ、目視でのチェックや期待値と不一致の部分を知
ることによって追求することが必要でりる。しかし、従
来のＲＯＭでは冗長データメモリ４に関しては、冗長デ
ータメモリ４より直接データを出力することができない
ので、期待値との不一致を知ることが出来ないという欠
点がめった。
は、不良となったチップに対して何が原因で不良となっ
たかτ、目視でのチェックや期待値と不一致の部分を知
ることによって追求することが必要でりる。しかし、従
来のＲＯＭでは冗長データメモリ４に関しては、冗長デ
ータメモリ４より直接データを出力することができない
ので、期待値との不一致を知ることが出来ないという欠
点がめった。
（発明の目的）
本発明の目的は、上記欠点を除去し、冗長データメモリ
に関してあらかじめ書込んだデータと一致しているか否
かをチェックする事が可能な読出し専用メモリに提供す
る事にめる。
に関してあらかじめ書込んだデータと一致しているか否
かをチェックする事が可能な読出し専用メモリに提供す
る事にめる。
（発明の構成）
本発明の読出し専用メモリは、記憶しているデータの一
部を冗長として使用して記１意しているデータの一部に
誤りを生じても修正が可能な誤シ修正回路金内鼠してい
る読出し専用メモリにおいて、出力端子より前記冗長と
して使用し−Ｃ記憶しているデータを出力する第１のモ
ードと前記誤り修正回路よシの出力を出力する第２のモ
ードとを選択するモード選択手段を含む挙かり構成６す
る。
部を冗長として使用して記１意しているデータの一部に
誤りを生じても修正が可能な誤シ修正回路金内鼠してい
る読出し専用メモリにおいて、出力端子より前記冗長と
して使用し−Ｃ記憶しているデータを出力する第１のモ
ードと前記誤り修正回路よシの出力を出力する第２のモ
ードとを選択するモード選択手段を含む挙かり構成６す
る。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第２図は本発明の一実施例の要部を示アブロック図であ
る。
る。
第２図において、１′〜６′は′第１図の１〜６に対応
している。７はモード選択手段としての出力選択回路で
、８はテスト入力端子である。テスト入力端子８の入力
によシ出力選択回路７を制御し、第１のモードとしてＳ
誤り修正回路５′の出力を出力端子６′へ出力するか、
第２のモードとしての、冗長データメモリ４′の出力を
出力端子６′へ出力するかの選択が可能でろる。つまシ
、冗長データメモリ４′の内容全出力端子６′へ出力す
る第２のモードとすれば、ろらかしめ冗長データメモリ
４′に書込んだデータと一致しているかどうかのチェッ
クが出力端子６′における出力を観迎」する事によシ可
能である。
している。７はモード選択手段としての出力選択回路で
、８はテスト入力端子である。テスト入力端子８の入力
によシ出力選択回路７を制御し、第１のモードとしてＳ
誤り修正回路５′の出力を出力端子６′へ出力するか、
第２のモードとしての、冗長データメモリ４′の出力を
出力端子６′へ出力するかの選択が可能でろる。つまシ
、冗長データメモリ４′の内容全出力端子６′へ出力す
る第２のモードとすれば、ろらかしめ冗長データメモリ
４′に書込んだデータと一致しているかどうかのチェッ
クが出力端子６′における出力を観迎」する事によシ可
能である。
製品の量産状態において、チップの不良となった場合の
欠陥の原因を追求して、その結果より歩留向上の方策を
決定することは、製品原価低減７行なう上で重要な事で
ある。欠陥は、冗長データメモリ４′にも発生するわけ
であるから、冗長データメモリ４′のデータが期待値と
一致しているかどうか全チェックして、欠陥の有無を調
査することは歩留向上に対して重要な事である。本実施
例によると、冗長データメモリ４′の欠陥をも、歩留９
向上のだめの検討する事ができる。
欠陥の原因を追求して、その結果より歩留向上の方策を
決定することは、製品原価低減７行なう上で重要な事で
ある。欠陥は、冗長データメモリ４′にも発生するわけ
であるから、冗長データメモリ４′のデータが期待値と
一致しているかどうか全チェックして、欠陥の有無を調
査することは歩留向上に対して重要な事である。本実施
例によると、冗長データメモリ４′の欠陥をも、歩留９
向上のだめの検討する事ができる。
（発明の効果）
以上、詳細説明したとおシ、本発明の読出し専用メモリ
は、上記の構成によ）、その有する冗長データメモリの
良否全チェックできるので、その欠陥の原因の追求対策
が可能となシ、結果として製品の歩留シ向上を図る事が
できるといｒ）効果が得られる。
は、上記の構成によ）、その有する冗長データメモリの
良否全チェックできるので、その欠陥の原因の追求対策
が可能となシ、結果として製品の歩留シ向上を図る事が
できるといｒ）効果が得られる。
第１図は従来の一例の読出し専用メモリの要部を示すブ
ロック図、第２図は本発明の一実施例の要部を示すブロ
ック図でおる。 １．１′・・・・・・アドレス入力端子、２．２’・・
・・・・アドレスデコーダ、３．３’・・・・・・デー
タメモ１ハ４，４′・・・・・・冗長データメモリ、５
，５’・・・・・・誤り修正回路、６．６′・・・・・
・出力端子、７・・・・・・出力選択回路、８・・・・
・・テスト入力端子。
ロック図、第２図は本発明の一実施例の要部を示すブロ
ック図でおる。 １．１′・・・・・・アドレス入力端子、２．２’・・
・・・・アドレスデコーダ、３．３’・・・・・・デー
タメモ１ハ４，４′・・・・・・冗長データメモリ、５
，５’・・・・・・誤り修正回路、６．６′・・・・・
・出力端子、７・・・・・・出力選択回路、８・・・・
・・テスト入力端子。
Claims (1)
- 記憶しているデータの一部全冗長として使用して記憶し
ているデータの一部に誤９を生じても修正が可能な誤り
修正回路を内蔵している読出し専用メモリにおいて、出
力端子より前記冗長として使用して記憶しているデータ
を出力する第１のモードと前記誤り修正回路よりの出力
を出力する第２のモードとを選択するモード選択手段を
含む事を特徴とする読出し専用メモリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067994A JPS60211700A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 読出し専用メモリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067994A JPS60211700A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 読出し専用メモリ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211700A true JPS60211700A (ja) | 1985-10-24 |
Family
ID=13361024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59067994A Pending JPS60211700A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 読出し専用メモリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211700A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61226852A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-08 | Toshiba Corp | 半導体メモリにおける誤り検出訂正機能不良点検回路 |
| EP0249903A2 (en) * | 1986-06-12 | 1987-12-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
| FR2611400A1 (fr) * | 1987-02-26 | 1988-09-02 | Thomson Semiconducteurs | Procede de test d'elements pour une memoire integree et dispositif de mise en oeuvre du procede |
-
1984
- 1984-04-05 JP JP59067994A patent/JPS60211700A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61226852A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-08 | Toshiba Corp | 半導体メモリにおける誤り検出訂正機能不良点検回路 |
| EP0249903A2 (en) * | 1986-06-12 | 1987-12-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
| FR2611400A1 (fr) * | 1987-02-26 | 1988-09-02 | Thomson Semiconducteurs | Procede de test d'elements pour une memoire integree et dispositif de mise en oeuvre du procede |
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