JPS6122505A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6122505A JPS6122505A JP59140637A JP14063784A JPS6122505A JP S6122505 A JPS6122505 A JP S6122505A JP 59140637 A JP59140637 A JP 59140637A JP 14063784 A JP14063784 A JP 14063784A JP S6122505 A JPS6122505 A JP S6122505A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- dielectric
- porcelain composition
- dielectric porcelain
- bending strength
- Prior art date
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- Pending
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は焼成温度が低く、高誘電率を有するセラミック
コンデンサ用材料に関するものである。
コンデンサ用材料に関するものである。
(従来例の構成とその問題点)
セラミックコンデンサ用の高誘電率材料としてはチタン
酸バリウム系の材料が広く用いられている。この系の材
料では比誘電率が数千から10000程度の高い誘電率
が得られる。しかしこの系は焼成温度が1300〜14
00℃と高く、このため積層セラミックコンデンサ用材
料として用いる場合、内部電極として白金やノやラジウ
ムなどの高価な金属を用いる必要があった。
酸バリウム系の材料が広く用いられている。この系の材
料では比誘電率が数千から10000程度の高い誘電率
が得られる。しかしこの系は焼成温度が1300〜14
00℃と高く、このため積層セラミックコンデンサ用材
料として用いる場合、内部電極として白金やノやラジウ
ムなどの高価な金属を用いる必要があった。
一方、内部電極として銀を主体とする比較的安価な金属
が利用できる低温焼成が可能な材料として、Pb(Fe
1/2Nb1/2)03〜Pb(Fe xWv)03系
の材料が知られている。この系の材料は焼成温度が95
0℃前後と低温、であるばかシでなく、20000に達
する高い比誘電率を有している。しかし、この系の誘電
体磁器は抗折強度が700kll/l’d’程度と小さ
く、・その用途として自ら狭い範囲に限定せざるを得な
かったO (発明の目的) 本発明は1100℃以下の低温焼成が可能でアシ、。
が利用できる低温焼成が可能な材料として、Pb(Fe
1/2Nb1/2)03〜Pb(Fe xWv)03系
の材料が知られている。この系の材料は焼成温度が95
0℃前後と低温、であるばかシでなく、20000に達
する高い比誘電率を有している。しかし、この系の誘電
体磁器は抗折強度が700kll/l’d’程度と小さ
く、・その用途として自ら狭い範囲に限定せざるを得な
かったO (発明の目的) 本発明は1100℃以下の低温焼成が可能でアシ、。
10000以上の比誘電率を有し、かつ高い抗折強度を
有する誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。
有する誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。
(発明の構成)
本発明の誘電体磁器組成物は、Pb1−Xsrx(”v
Nb++) 1−y (Fe %%)y03で表わされ
る磁器組成物におイテ、x、yが各々0.005≦x≦
0.05゜0≦yでかツ*x + 0.05 ≦y≦−
AX + 0.09 ノ範囲にあ′ ることを特徴とす
る。さらに前記組成物を主成分とし副成分として、Mn
O2,Coo、Cr2O3、Li 20よシなる群の少
なくとも一つを主成分に対し重量百分率において0.0
2wt%以上0.5wt%以下含有することを特徴とす
る。
Nb++) 1−y (Fe %%)y03で表わされ
る磁器組成物におイテ、x、yが各々0.005≦x≦
0.05゜0≦yでかツ*x + 0.05 ≦y≦−
AX + 0.09 ノ範囲にあ′ ることを特徴とす
る。さらに前記組成物を主成分とし副成分として、Mn
O2,Coo、Cr2O3、Li 20よシなる群の少
なくとも一つを主成分に対し重量百分率において0.0
2wt%以上0.5wt%以下含有することを特徴とす
る。
(実施例の説明)
実施例1
原料として高純度のPbO,Fe 205 +Nb 2
05.5rCO3WO3を衣1の組成に従って秤量し、
めのう玉石と純水を加えてポリエチレン製ポットで15
時間混合し乾燥した後750℃で2時間仮焼し、さらに
前述のポットで15時間粉砕して乾燥した。その後ポリ
ビニルアルコール水溶液をバインダとして加え、直径1
3畷高さ10℃Mnの円柱状に700ψνの圧力で成形
し、バインダを焼却した後、マグネシア磁器容器に入れ
900℃〜1100℃で2時間焼成した。得られた磁器
はアルキメデス法によシ密度を求め、密度が最大となる
温度を焼成温度とした。前述の焼成温度で焼成した磁器
を厚さ1fiに切断し、両面にCr−Auを蒸着して電
極を形成し、20℃において、比誘電率と−δを1 k
Hz IV/mの電界で測定した。
05.5rCO3WO3を衣1の組成に従って秤量し、
めのう玉石と純水を加えてポリエチレン製ポットで15
時間混合し乾燥した後750℃で2時間仮焼し、さらに
前述のポットで15時間粉砕して乾燥した。その後ポリ
ビニルアルコール水溶液をバインダとして加え、直径1
3畷高さ10℃Mnの円柱状に700ψνの圧力で成形
し、バインダを焼却した後、マグネシア磁器容器に入れ
900℃〜1100℃で2時間焼成した。得られた磁器
はアルキメデス法によシ密度を求め、密度が最大となる
温度を焼成温度とした。前述の焼成温度で焼成した磁器
を厚さ1fiに切断し、両面にCr−Auを蒸着して電
極を形成し、20℃において、比誘電率と−δを1 k
Hz IV/mの電界で測定した。
また抗折強度は直径25冒高さ2咽の円板状に700
kg/を−の圧力で成形した試料を上記同様の方法、温
度で焼成し、これを巾2霧厚さ1明相度の短ざく状に切
シ出し、3点折シ曲げ法によシ、スミ4ン長さ10WI
I++で破断し測定した。計算式を下式に示す0 ただし、σ=抗折強度(kg10n2) P :破壊強
度(kl?) t ニスパン長さくcrn)W:試料中
(cyn) d :試料厚さくcrn)これらの結果を
表−1に示す。
kg/を−の圧力で成形した試料を上記同様の方法、温
度で焼成し、これを巾2霧厚さ1明相度の短ざく状に切
シ出し、3点折シ曲げ法によシ、スミ4ン長さ10WI
I++で破断し測定した。計算式を下式に示す0 ただし、σ=抗折強度(kg10n2) P :破壊強
度(kl?) t ニスパン長さくcrn)W:試料中
(cyn) d :試料厚さくcrn)これらの結果を
表−1に示す。
大きな抗折強度を示し、さらに比誘電率、−δともほぼ
同等の値を示す。Xが−(1/5)y+0.05≦x≦
−+y+0.09の範囲外にある組成は、試料番号10
.11に示すように20℃の比誘電率が10000以下
となる。また、Xが0.05よシ大きい組成では、試料
番号18.19に示すように焼成温度が1100℃以上
となってしまう。またXが0005よシ小さい組成では
抗折強度を大きくする効果が少ない。
同等の値を示す。Xが−(1/5)y+0.05≦x≦
−+y+0.09の範囲外にある組成は、試料番号10
.11に示すように20℃の比誘電率が10000以下
となる。また、Xが0.05よシ大きい組成では、試料
番号18.19に示すように焼成温度が1100℃以上
となってしまう。またXが0005よシ小さい組成では
抗折強度を大きくする効果が少ない。
20℃で大きな比誘電率を示し、優れた誘電特性を示し
、また高い抗折強度を示すが、高温で−δが大きくなる
問題点があシ、その使用範囲を自ら限定せざるを得なか
った。これに対し、Mn02aCoO,Cr203pL
i 20を添加することによシ、高温での−δを小さく
する効果がある。
、また高い抗折強度を示すが、高温で−δが大きくなる
問題点があシ、その使用範囲を自ら限定せざるを得なか
った。これに対し、Mn02aCoO,Cr203pL
i 20を添加することによシ、高温での−δを小さく
する効果がある。
実施例1と同様の方法でMn02yCらO+Cr 2o
3 、Li 20を添加し作成した試料の結果を表−2
に示す。各各、添加量が0.02wt%より少ない組成
では高温の一δを小さくする効果が小さく、0、Swt
%よシ大きい組成では、比誘電率が小さくなシ、−δが
高くなる。
3 、Li 20を添加し作成した試料の結果を表−2
に示す。各各、添加量が0.02wt%より少ない組成
では高温の一δを小さくする効果が小さく、0、Swt
%よシ大きい組成では、比誘電率が小さくなシ、−δが
高くなる。
表−2において*印を付した試料は本発明の特許請求の
範囲第(2)項の範囲外の組成である。
範囲第(2)項の範囲外の組成である。
麦−2よシ明らかなように表−1よシ引用した試料番号
8番と13番は85℃で−δが各々25.3%。
8番と13番は85℃で−δが各々25.3%。
34.8%と高く高温まで使用されるコンデンサ材料と
しては不適当な場合があるが、Mn021CoOpCr
205rLi20を0.02wt%以上0.5wt%以
下添加することによシ比誘電率、抗折強度をそこなうこ
となく、高温領域での−δが大巾に改善される。
しては不適当な場合があるが、Mn021CoOpCr
205rLi20を0.02wt%以上0.5wt%以
下添加することによシ比誘電率、抗折強度をそこなうこ
となく、高温領域での−δが大巾に改善される。
(発明の効果)
以上述べてきたように本発明による誘電体磁器組成物に
よれば、比誘電率が大きくかつ焼成温度が低く、また抗
折強度が大きいので、安価な内部電極材料を使用した積
層セラミックコンデンサ、特に誘電体に樹脂モールドを
施さないチップコンデンサとして使用することができる
。
よれば、比誘電率が大きくかつ焼成温度が低く、また抗
折強度が大きいので、安価な内部電極材料を使用した積
層セラミックコンデンサ、特に誘電体に樹脂モールドを
施さないチップコンデンサとして使用することができる
。
このように本発明の誘電体磁器組成物の工業的価値は太
きい。
きい。
Claims (2)
- (1)Pb_1_−_xSr_x(Fe_1_/_2N
b_1_/_2)_1_−_y(Fe_2_/_3W_
1_/_3)_yO_3で表わされる磁器組成物におい
て、x、yが各々0.005≦x≦0.05、0≦yで
かつ−(1/5)y+0.05≦x≦−(1/5)x+
0.09の範囲にあることを特徴とする誘電体磁器組成
物。 - (2)x、yが各々0.005≦x≦0.05、0≦y
で、かつ−(1/5)y+0.05≦x≦−(1/5)
x+0.09の範囲にあるPb_1_−_xSr_x(
Fe_1_/_2Nb_1_/_2)_1_−_y(F
e_2_/_3W_1_/_3)_yO_3で表わされ
る磁器組成物を主成分とし、副成分としてMnO_2、
CoO、Cr_2O_3、Li_2Oよりなる群の少な
くとも一つを主成分に対し重量百分率において0.02
wt%以上、0.5wt%以下含有することを特徴とす
る誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59140637A JPS6122505A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59140637A JPS6122505A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6122505A true JPS6122505A (ja) | 1986-01-31 |
Family
ID=15273308
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59140637A Pending JPS6122505A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6122505A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6251644A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-03-06 | サムスング・エレクトロン・デイバイセス・カンパニー・リミテツド | 分岐した非環状α−クロロカルボン酸の液晶の強誘電性誘導体、その製造方法およびその用途 |
JPH01268353A (ja) * | 1988-03-10 | 1989-10-26 | Rca Licensing Corp | テレビジョン偏向装置 |
-
1984
- 1984-07-09 JP JP59140637A patent/JPS6122505A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6251644A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-03-06 | サムスング・エレクトロン・デイバイセス・カンパニー・リミテツド | 分岐した非環状α−クロロカルボン酸の液晶の強誘電性誘導体、その製造方法およびその用途 |
JPH01268353A (ja) * | 1988-03-10 | 1989-10-26 | Rca Licensing Corp | テレビジョン偏向装置 |
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