JPS59105207A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPS59105207A JPS59105207A JP57214866A JP21486682A JPS59105207A JP S59105207 A JPS59105207 A JP S59105207A JP 57214866 A JP57214866 A JP 57214866A JP 21486682 A JP21486682 A JP 21486682A JP S59105207 A JPS59105207 A JP S59105207A
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- JP
- Japan
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- dielectric constant
- high dielectric
- porcelain composition
- composition
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はセラミックコンデンサ用材料に適した焼結温度
の低い高誘電率磁器組成物に関するものである。
の低い高誘電率磁器組成物に関するものである。
従来例の構成とその問題点
誘電材料の具備すべき特性は用途によシ異なるが、セラ
ミックコンデンサでは誘電率が大きく、かつ焼結温度の
低いことが要求される。誘電率が大きいことは素子の小
形化にとって重要な条件である。焼結温度の低いことは
、磁器材料の焼成の際に、焼成炉の炉材に安価なものを
使用できること、および焼成のエネルギーが少なくてす
むことなど工業的価値が大きい。また、積層型セラミッ
クコンデンサにおいて、焼結温度が低いと内部電極とし
て銀を主成分とする比較的安価な電極材料を用いること
ができるため、コンデンサの価格を著しく下げることが
できる。
ミックコンデンサでは誘電率が大きく、かつ焼結温度の
低いことが要求される。誘電率が大きいことは素子の小
形化にとって重要な条件である。焼結温度の低いことは
、磁器材料の焼成の際に、焼成炉の炉材に安価なものを
使用できること、および焼成のエネルギーが少なくてす
むことなど工業的価値が大きい。また、積層型セラミッ
クコンデンサにおいて、焼結温度が低いと内部電極とし
て銀を主成分とする比較的安価な電極材料を用いること
ができるため、コンデンサの価格を著しく下げることが
できる。
従来、高誘電率のセラミックコンデンサ用材料としては
チタン酸バリウム系磁器が用いられてきた。しかし、こ
の材料は焼結温度が１３００〜１４００℃と高いため、
積層セラミックコンデンサを製造する場合には、その焼
結温度に適した高価な白金またはパラジウムを主成分と
する内部電極を、使用しなければならないという欠点が
あった。
チタン酸バリウム系磁器が用いられてきた。しかし、こ
の材料は焼結温度が１３００〜１４００℃と高いため、
積層セラミックコンデンサを製造する場合には、その焼
結温度に適した高価な白金またはパラジウムを主成分と
する内部電極を、使用しなければならないという欠点が
あった。
発明の目的
本発明は上記の欠点を改善し、焼結温度が９００℃以下
と低く、かつ誘電率の大きい磁器組成物を提供するもの
である〇 発明の構成 本発明の組成物は、Ｐｂ （’ ｚ ％Ｎ ｂＮ ）ｘ
（ｚｎｓＮｂＨ）ｙ（Ｆｅ Ｂ Ｗ、 ） ２ｏ３で
表わされる組成物において配合比が０．０１≦Ｘ≦０．
５０ 、０．２０≦ｙ≦０．５５゜０．０５≦２≦０．
６５（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ ）の範囲内にあること
を特徴とする高誘電率磁器組成物である。
と低く、かつ誘電率の大きい磁器組成物を提供するもの
である〇 発明の構成 本発明の組成物は、Ｐｂ （’ ｚ ％Ｎ ｂＮ ）ｘ
（ｚｎｓＮｂＨ）ｙ（Ｆｅ Ｂ Ｗ、 ） ２ｏ３で
表わされる組成物において配合比が０．０１≦Ｘ≦０．
５０ 、０．２０≦ｙ≦０．５５゜０．０５≦２≦０．
６５（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ ）の範囲内にあること
を特徴とする高誘電率磁器組成物である。
実施例の説明
原料として、ＰｂＯ、ＮｉＯ、ＺｎＯ、Ｆｅ２Ｏ，＋Ｎ
ｂ２Ｏ５，ＷＯ３を用いて、これらを下表に示した組成
比に秤量し湿式で混合し、これを乾燥後７６０℃で２時
間仮焼したのち、ボールミルで湿式粉砕した。乾燥後、
ポリビニルアルコールの水溶液をバインダとして直径１
３Ｍ、長さ約８Ｍの円柱状に加圧成形し、バインダを焼
却した後、これをマグネシア磁器容器に入れて、８２０
〜９５０℃の範囲内の温度で２時間焼成した。焼成した
磁器を厚さ１１ｇＬに切断し、この両面にＯｒ−ムＵを
蒸着したのち誘電率εｒと誘電正接りをＩ ＫＨｚ・１
７／Ｍで室温において測定した。εｒの温度変化率は２
０℃を基準として、−２５℃〜８５℃の範囲で測定した
。また、比抵抗は室温でＩ ＫＶ／ｍｂ で測定した
。その結果を下表に示す。
ｂ２Ｏ５，ＷＯ３を用いて、これらを下表に示した組成
比に秤量し湿式で混合し、これを乾燥後７６０℃で２時
間仮焼したのち、ボールミルで湿式粉砕した。乾燥後、
ポリビニルアルコールの水溶液をバインダとして直径１
３Ｍ、長さ約８Ｍの円柱状に加圧成形し、バインダを焼
却した後、これをマグネシア磁器容器に入れて、８２０
〜９５０℃の範囲内の温度で２時間焼成した。焼成した
磁器を厚さ１１ｇＬに切断し、この両面にＯｒ−ムＵを
蒸着したのち誘電率εｒと誘電正接りをＩ ＫＨｚ・１
７／Ｍで室温において測定した。εｒの温度変化率は２
０℃を基準として、−２５℃〜８５℃の範囲で測定した
。また、比抵抗は室温でＩ ＫＶ／ｍｂ で測定した
。その結果を下表に示す。
○印は比較例である。
上表でＡＩ 、３？７．８，１２，１４．１７の試料は
本発明の範囲外のものであジ、／に、 ２ 、４〜６．
９〜１１．１３，１６，１６の試料は本発明の範囲内の
実施例である。
本発明の範囲外のものであジ、／に、 ２ 、４〜６．
９〜１１．１３，１６，１６の試料は本発明の範囲内の
実施例である。
上表から明らかなように、本発明の範囲内の組成物より
なる磁器は大きな誘電率（４０２０〜６８４０）を示す
とともに、焼成温度が８２０〜９００°Ｃであり、低い
温度で焼結することができるものであるＣ、また、誘電
正接りが小さいこと、誘電率ε、の温度変化率小さいこ
と、比抵抗が比較的高いことなどの特長を示している。
なる磁器は大きな誘電率（４０２０〜６８４０）を示す
とともに、焼成温度が８２０〜９００°Ｃであり、低い
温度で焼結することができるものであるＣ、また、誘電
正接りが小さいこと、誘電率ε、の温度変化率小さいこ
と、比抵抗が比較的高いことなどの特長を示している。
なお、Ｘが０．０１未満の組成は比抵抗が小さいため、
Ｘが０．５０を超える組成および２が０．０５未満の組
成は焼成温度が高くなるため、また、ｙ（０，２０、ｙ
）Ｏ−５６、ｚ）０．６６の範囲の組成物は誘電率が比
較的小さいため本発明の範囲から除き、本発明の範囲は
焼成温度が９００℃以下で室温の誘電率が４０ｏＯ以上
で、かつ比抵抗の大きい組成に限定した。
Ｘが０．５０を超える組成および２が０．０５未満の組
成は焼成温度が高くなるため、また、ｙ（０，２０、ｙ
）Ｏ−５６、ｚ）０．６６の範囲の組成物は誘電率が比
較的小さいため本発明の範囲から除き、本発明の範囲は
焼成温度が９００℃以下で室温の誘電率が４０ｏＯ以上
で、かつ比抵抗の大きい組成に限定した。
発明の効果
本発明の組成物は誘電率が大きく、誘電率の温度変化率
と誘電正接が比較的小さく、比抵抗が大きいため、セラ
ミックコンデンサ用材料に適してｂるとともに、９００
℃以下の低い温度で焼成できるため、焼成炉の炉材に安
価なものを使用できること、および焼成のエネルギーが
少なくてすむことなど、工業的価値が大きいものである
。積層型セラミックコンデンサに用いた場合には、焼結
温度が低いため、比較的安価な銀系などの内部電極を用
いることができ、それによってコンデンサの価格を下げ
ることができるので、工業上の利益が大きいものである
。
と誘電正接が比較的小さく、比抵抗が大きいため、セラ
ミックコンデンサ用材料に適してｂるとともに、９００
℃以下の低い温度で焼成できるため、焼成炉の炉材に安
価なものを使用できること、および焼成のエネルギーが
少なくてすむことなど、工業的価値が大きいものである
。積層型セラミックコンデンサに用いた場合には、焼結
温度が低いため、比較的安価な銀系などの内部電極を用
いることができ、それによってコンデンサの価格を下げ
ることができるので、工業上の利益が大きいものである
。
Claims (1)
- Ｐｂ（Ｎ １％ ＮｂＢ ）ｘ （Ｚｎｓ Ｎｂ％ ）
ｙ （’ｅ２．ｓＷｓ ）ｚＯ５で表わされる組成物に
おいて配合比が０．０１≦Ｘ≦０．６０ 、０．２０≦
ｙ≦０５６および０．０５≦２≦０β６（ただし、ｘ＋
ｙ＋ｚ＝１）の範囲内にあることを特徴とする高誘電率
磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57214866A JPS59105207A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57214866A JPS59105207A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59105207A true JPS59105207A (ja) | 1984-06-18 |
| JPS6117084B2 JPS6117084B2 (ja) | 1986-05-06 |
Family
ID=16662849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57214866A Granted JPS59105207A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59105207A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3834778A1 (de) * | 1987-10-12 | 1989-04-20 | Mitsubishi Mining & Cement Co | Dielektrische keramische zusammensetzungen |
-
1982
- 1982-12-08 JP JP57214866A patent/JPS59105207A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3834778A1 (de) * | 1987-10-12 | 1989-04-20 | Mitsubishi Mining & Cement Co | Dielektrische keramische zusammensetzungen |
| US4897373A (en) * | 1987-10-12 | 1990-01-30 | Mitsubishi Mining And Cement Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6117084B2 (ja) | 1986-05-06 |
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