JPS6093705A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6093705A JPS6093705A JP58200280A JP20028083A JPS6093705A JP S6093705 A JPS6093705 A JP S6093705A JP 58200280 A JP58200280 A JP 58200280A JP 20028083 A JP20028083 A JP 20028083A JP S6093705 A JPS6093705 A JP S6093705A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- high dielectric
- dielectric
- composition
- porcelain composition
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は焼成温度が低く、大きい誘電率を有する磁器組
成物に関するものである。
成物に関するものである。
従来例の構成とその問題点
磁器コンデンサ用の高誘電率利刺としては、チタン酸バ
リウム系の拐料が広く用いられている。
リウム系の拐料が広く用いられている。
この糸の材料では数千〜１００００程度の高い比誘電率
が得られるが、焼成温度が１３ＱＯ〜１４００℃と相当
高い温度を必要とする０このため、この系の材料を積層
コンデンサに用いる場合、内部電極として高価な白金や
パラジウムの電極が必要である。一方、内部電極として
銀を主体とする電極が使用できるような低温焼成が可能
な拐料としてＰｂ （ＦｅＶ２ＮｂＩＡ）０３− Ｐｂ
（ＦｅＨＷＶ３）Ｏ，系の拐わが知られている。この
月別（Ｃ１、焼成温度が９ｓｏ’′（：前後と低温であ
るばかりで６−、Ｌなく、２００００に達する高い比誘
電率を有しているが、焼成した磁８：）の粒径が８７／
Ｉｌｌ程度である。積層磁器コンデンサでは、一層の
厚さが２０〜３０ ＩＩ ｍ程度であるが大容量を得る
ためには、より薄くする必要がある０粒径が大きい場合
、耐圧や電極に用いる銀のマイグレーションの問題があ
り、信頼性の高いコンデンサを得るためにはより小さい
粒径の磁りを用いることか望ましい。寸だ、磁器の機械
的強度も粒径が小さい程大きくなる傾向があるので、こ
の点からもより小さい粒径の磁器が望ましい。焼成粒径
が小さく比較的大きい誘電率を示す材料としてＰｂ （
ＦｅｌＨＮｂＶ２．）０３−ｐｂ （ＺｎＨＮｂＨ）Ｏ
，−ｐｂ （ＦｅＨＷ％）Ｏ。
が得られるが、焼成温度が１３ＱＯ〜１４００℃と相当
高い温度を必要とする０このため、この系の材料を積層
コンデンサに用いる場合、内部電極として高価な白金や
パラジウムの電極が必要である。一方、内部電極として
銀を主体とする電極が使用できるような低温焼成が可能
な拐料としてＰｂ （ＦｅＶ２ＮｂＩＡ）０３− Ｐｂ
（ＦｅＨＷＶ３）Ｏ，系の拐わが知られている。この
月別（Ｃ１、焼成温度が９ｓｏ’′（：前後と低温であ
るばかりで６−、Ｌなく、２００００に達する高い比誘
電率を有しているが、焼成した磁８：）の粒径が８７／
Ｉｌｌ程度である。積層磁器コンデンサでは、一層の
厚さが２０〜３０ ＩＩ ｍ程度であるが大容量を得る
ためには、より薄くする必要がある０粒径が大きい場合
、耐圧や電極に用いる銀のマイグレーションの問題があ
り、信頼性の高いコンデンサを得るためにはより小さい
粒径の磁りを用いることか望ましい。寸だ、磁器の機械
的強度も粒径が小さい程大きくなる傾向があるので、こ
の点からもより小さい粒径の磁器が望ましい。焼成粒径
が小さく比較的大きい誘電率を示す材料としてＰｂ （
ＦｅｌＨＮｂＶ２．）０３−ｐｂ （ＺｎＨＮｂＨ）Ｏ
，−ｐｂ （ＦｅＨＷ％）Ｏ。
糸の誘電体があるが、その比誘電率は１４０００程度で
ある。
ある。
また、積層磁器コンデフッ１ユ、小型化、大容量化が進
められており、比誘電率が大きく、焼成粒径が小さくて
緻密であり、より薄い誘電体層が形成可能である誘電体
Ａ′）Ｊ旧が（４Ｊられるならば、その工業的価値は太
きい。
められており、比誘電率が大きく、焼成粒径が小さくて
緻密であり、より薄い誘電体層が形成可能である誘電体
Ａ′）Ｊ旧が（４Ｊられるならば、その工業的価値は太
きい。
発明の目的
本発明は１０００゛Ｃ以下の低温で焼成が可能であり、
１５０００以上の比誘電率を有し、かつ焼成した磁器の
結晶粒径が６μ７７２以下で緻密な磁器組成物を提供す
ることを目的とする。
１５０００以上の比誘電率を有し、かつ焼成した磁器の
結晶粒径が６μ７７２以下で緻密な磁器組成物を提供す
ることを目的とする。
発明の構成
本発明の誘電体磁器組成物は、Ｐｂ （Ｆａ １／、Ｎ
ｂＶ２）Ｘ（ＺｎＨＮｂ２１３）ｙ （Ｆｅ２１３Ｗｙ
）２（Ｎｉ１７ＮｂＨ）、０３の化学式で表わされ、か
つ前記化学式において、０．４≦Ｘ≦０．７ 、０．０
５≦ｙ≦０．４ 、０．１≦２≦０．４゜０．０６≦Ｗ
≦０．４であることを特徴とする０さら介 に前記組成物全主成物そし、副成分としてＭｎ Ｏ２を
主成分との合計量に対して０．０２〜ｏ、ｓｗｔ％含む
ととを特徴とする。
ｂＶ２）Ｘ（ＺｎＨＮｂ２１３）ｙ （Ｆｅ２１３Ｗｙ
）２（Ｎｉ１７ＮｂＨ）、０３の化学式で表わされ、か
つ前記化学式において、０．４≦Ｘ≦０．７ 、０．０
５≦ｙ≦０．４ 、０．１≦２≦０．４゜０．０６≦Ｗ
≦０．４であることを特徴とする０さら介 に前記組成物全主成物そし、副成分としてＭｎ Ｏ２を
主成分との合計量に対して０．０２〜ｏ、ｓｗｔ％含む
ととを特徴とする。
実施例の説明
実施例１
原料として高純度のＰｂ０２Ｆｅ２０３．Ｎｂ２Ｏ５゜
ＺｎＯ、Ｎｏ３． ＮユＯを表１の組成になるよう秤量
限めのうの玉石と純水を加えてポリエチレンボットで１
６時間混合し、乾燥した後、７６０’Ｃで２時間仮焼し
、さらに前述のポットで１５時間粉（ｉｆ’ して乾燥
させた。その後ポリビニルアルコール水射液をバインダ
として加え、直径１３ｍｍ、高さ１０Ｍの円柱状に加圧
成形し、バインダを焼却した後、マグネシア磁器容器に
入れて、８５Ｑ〜１０００°Ｃの範囲内の温度で２時間
焼成した。得られた磁器焼成物を厚さ１ａｍに切断し、
両面にＯｒ −Ａｕ （Ｌ蒸着して電極を形成し、比誘
電率と誘電正接（ｔａｎ δ）を１ＫＨ２，１Ｖ／、！
１ の電界で測定し九さらに他の切断片を研磨、エツチ
ングし、磁器の焼成粒径を走査型電子顕微鏡の観察よ請
求めた。
ＺｎＯ、Ｎｏ３． ＮユＯを表１の組成になるよう秤量
限めのうの玉石と純水を加えてポリエチレンボットで１
６時間混合し、乾燥した後、７６０’Ｃで２時間仮焼し
、さらに前述のポットで１５時間粉（ｉｆ’ して乾燥
させた。その後ポリビニルアルコール水射液をバインダ
として加え、直径１３ｍｍ、高さ１０Ｍの円柱状に加圧
成形し、バインダを焼却した後、マグネシア磁器容器に
入れて、８５Ｑ〜１０００°Ｃの範囲内の温度で２時間
焼成した。得られた磁器焼成物を厚さ１ａｍに切断し、
両面にＯｒ −Ａｕ （Ｌ蒸着して電極を形成し、比誘
電率と誘電正接（ｔａｎ δ）を１ＫＨ２，１Ｖ／、！
１ の電界で測定し九さらに他の切断片を研磨、エツチ
ングし、磁器の焼成粒径を走査型電子顕微鏡の観察よ請
求めた。
さらに誘電率の温度依存性を測定し、誘電率が最大とな
る温度をギュリ一点とした。これらの結果を表１に示す
。丑だ、焼成温度については、焼結体の密度が最大とな
った焼成温度を示した。
る温度をギュリ一点とした。これらの結果を表１に示す
。丑だ、焼成温度については、焼結体の密度が最大とな
った焼成温度を示した。
（以 下 余 白）
表において、＊印を付した試料は本発明の範囲外の試料
である。本発明の範囲内の試料は比誘電率が１４０００
以上であり、焼成粒径が５ ｐ ７ＪＩ以下と小さい○
特に試料番号１９〜２１の組成物は比誘電率が特に大き
く、２００００以上有する。
である。本発明の範囲内の試料は比誘電率が１４０００
以上であり、焼成粒径が５ ｐ ７ＪＩ以下と小さい○
特に試料番号１９〜２１の組成物は比誘電率が特に大き
く、２００００以上有する。
Ｐｂ （Ｆ６ｙｔ、Ｎｂ２１３）ｘ （Ｚｎ Ｘ１３Ｎ
ｂ２７． ）ｙ （Ｆｅ Ｈ’ｆｉ ｈ ）。
ｂ２７． ）ｙ （Ｆｅ Ｈ’ｆｉ ｈ ）。
（ＮＩＩ／ｌＮｂ％）ｗ０３の組成を有する磁器ではＸ
とｙの合計の値がＯ，２５以下ではキュリ一点が低くな
りずも大きくなるとキュリ一点が高ずぎるので本発明の
範囲から除かれる。ｙの値が０．０５未満では磁器の粒
径が５μ７７２以上と大きくなり、０．４より大きいと
比誘電率が小さくなる。２の値が０．１未満τ １焼結部度が１０００”Ｃ以上と高くなり、０．４より
大きいと比誘電率が小さくなるとともに、キュリ一点が
高くな９すき゛る。Ｗの値が０．０５未満では比誘電率
が小さく、０．４よりも大きいと比誘電率が小さくかつ
キュリ一点が高くなる。
とｙの合計の値がＯ，２５以下ではキュリ一点が低くな
りずも大きくなるとキュリ一点が高ずぎるので本発明の
範囲から除かれる。ｙの値が０．０５未満では磁器の粒
径が５μ７７２以上と大きくなり、０．４より大きいと
比誘電率が小さくなる。２の値が０．１未満τ １焼結部度が１０００”Ｃ以上と高くなり、０．４より
大きいと比誘電率が小さくなるとともに、キュリ一点が
高くな９すき゛る。Ｗの値が０．０５未満では比誘電率
が小さく、０．４よりも大きいと比誘電率が小さくかつ
キュリ一点が高くなる。
実施例２
実施例１に示し、た組成物は、室温で大きな誘電率を示
し、浸れた誘電特性を示すが、高温で誘電体損失（ｔａ
ｎδ）が大きくなる組成を含んでいもこＪしらの組成物
にはＭｎＯ２の添加が効果がある。実施例１と同じ方法
でＭｎＯ２を添加し作製した試料の結果を表２に示す。
し、浸れた誘電特性を示すが、高温で誘電体損失（ｔａ
ｎδ）が大きくなる組成を含んでいもこＪしらの組成物
にはＭｎＯ２の添加が効果がある。実施例１と同じ方法
でＭｎＯ２を添加し作製した試料の結果を表２に示す。
Ｍｎ０ｚ量が主成分との合泪量の０．０２ｗｔ％未満で
はＭｎＯ，添加効果がなく、ｏ、ｓｗｔ％ よりも多い
と比誘電率が低くなるとともに、ｔａｎδが再び高くな
る。
はＭｎＯ，添加効果がなく、ｏ、ｓｗｔ％ よりも多い
と比誘電率が低くなるとともに、ｔａｎδが再び高くな
る。
（以 １： 余 白）
表２からも明らかなように、表１の試別番号４゜２０は
８６°Ｃでｔａｎδがそれぞれ４２ ”ｋ 、 ３１％
と高く、高温まで使用されるコンデンサの拐料としては
不適当な場合があるが、ＭｎＯ２を０，０２ Ｗ ｔ％
以上、ｏ、ｓｗｔ％以下添加することにより、室温およ
び高温領域でのｔａｎδが大ｒｂに改善される。
８６°Ｃでｔａｎδがそれぞれ４２ ”ｋ 、 ３１％
と高く、高温まで使用されるコンデンサの拐料としては
不適当な場合があるが、ＭｎＯ２を０，０２ Ｗ ｔ％
以上、ｏ、ｓｗｔ％以下添加することにより、室温およ
び高温領域でのｔａｎδが大ｒｂに改善される。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明による誘電体磁器組成物
によれば、比誘電率が人きく、かつ焼成温度が低いので
安価な内部電極材料を使用した積層磁器コンデンサを製
造することができる。さらに誘電体磁器の焼成粒径が小
さいので、誘電体層を薄くしても充分高い信頼性を得る
ことができ、大容量の積層磁器コンデンサを実現できる
。
によれば、比誘電率が人きく、かつ焼成温度が低いので
安価な内部電極材料を使用した積層磁器コンデンサを製
造することができる。さらに誘電体磁器の焼成粒径が小
さいので、誘電体層を薄くしても充分高い信頼性を得る
ことができ、大容量の積層磁器コンデンサを実現できる
。
このように本発明の誘電体磁器組成物の工業的価値は大
きい。
きい。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１Ｐｂ（ＦＪＮｂｌＡ）ｘ（ＺｎＩｌ、Ｎｂ２１．
、）ｙ（Ｆｆ３ｆ％）ｚ（ＮｉＨＮｂ％）ｗＯ６で表わ
され、〃）っＸ、７．Ｚ。 Ｗが各ｋ ｏ、４≦Ｘ 、−Ｑ Ｏ−７、０，０５≦ｙ
≦０．４゜０．１≦ｚ （Ｑｏ、４．０．０５≦ｗ５ｏ
、４であることを特徴とする高誘電率磁器組成物。 （２ン Ｐｂ （ＪｒｅＨＮｌ）％ ）ｘ （ＺｎＨＩ
Ｊｂ、Ｈ）、 （ＦｅＨＷＨ）。 （Ｎ１Ｖ３Ｎｂ、７ ）ｗＯ３（ただし０，４：’）、
５Ｘ≦ｏ、７゜０．０６ ＜ ｙ Ｏ，ａ 、 ０．１
：’、、 ｚ≦、０．４ 、０．０６≦ｗ ７−〇、
ａ ）で表わされる（磁器組成物を主成分とし、副成分
としてＭｎＯ２が前記主成分との合計量の０．０２〜０
．５ Ｗで沌含凍れていることを特徴とする高誘電率磁
器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58200280A JPS6093705A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58200280A JPS6093705A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6093705A true JPS6093705A (ja) | 1985-05-25 |
Family
ID=16421686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58200280A Pending JPS6093705A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6093705A (ja) |
-
1983
- 1983-10-26 JP JP58200280A patent/JPS6093705A/ja active Pending
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