JPS63112451A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JPS63112451A JPS63112451A JP61257335A JP25733586A JPS63112451A JP S63112451 A JPS63112451 A JP S63112451A JP 61257335 A JP61257335 A JP 61257335A JP 25733586 A JP25733586 A JP 25733586A JP S63112451 A JPS63112451 A JP S63112451A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、磁器組成物、特に誘電率が著しく大きく、誘
電率、絶縁抵抗の温度特性および誘電損失の良好な、磁
器組成物に関するものである。
電率、絶縁抵抗の温度特性および誘電損失の良好な、磁
器組成物に関するものである。
（従来技術と発明が解決しようとする問題点）従来、高
誘電率磁器組成物として、チタン酸バリウム（ＢａＴｉ
Ｏａ）が、またチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ２）とチ
タン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）、チタン酸鉛（Ｐｂ
ＴｉＯ３）などの固溶体組成物が広く実用化されている
のは周知のとおりである。しかしながらこれら公知の誘
電体磁器組成物で得られる誘電率は高々８０００程度に
すぎず、特性改善のために常温での誘電率を大きくする
と誘電率の温度変化が大きくなり、一方誘電率の温度変
化を小さくすれば誘電率の最大値が減少するなど実用上
程々の問題点があった。
誘電率磁器組成物として、チタン酸バリウム（ＢａＴｉ
Ｏａ）が、またチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ２）とチ
タン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）、チタン酸鉛（Ｐｂ
ＴｉＯ３）などの固溶体組成物が広く実用化されている
のは周知のとおりである。しかしながらこれら公知の誘
電体磁器組成物で得られる誘電率は高々８０００程度に
すぎず、特性改善のために常温での誘電率を大きくする
と誘電率の温度変化が大きくなり、一方誘電率の温度変
化を小さくすれば誘電率の最大値が減少するなど実用上
程々の問題点があった。
また磁器組成物の電気的特性として、誘電損失が小さく
、絶縁抵抗が高いことが要求される。さらに絶縁抵抗の
値に関しては、高信頼性の部品を要求する未国防総省の
規格であるミリタリースペシフィケイション（Ｍｉｌｉ
ｔａｒｙ ５ｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎ）のＭＩＬ−Ｃ
−５５６８１Ｂにおいて、室温における値のみならず、
１２５°Ｃにおける値も定められているように、信頼性
の高い磁器コンデンサを得るためには、室温における値
のみならず、最高使用温度における絶縁抵抗も高い値を
とることが必要である。
、絶縁抵抗が高いことが要求される。さらに絶縁抵抗の
値に関しては、高信頼性の部品を要求する未国防総省の
規格であるミリタリースペシフィケイション（Ｍｉｌｉ
ｔａｒｙ ５ｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎ）のＭＩＬ−Ｃ
−５５６８１Ｂにおいて、室温における値のみならず、
１２５°Ｃにおける値も定められているように、信頼性
の高い磁器コンデンサを得るためには、室温における値
のみならず、最高使用温度における絶縁抵抗も高い値を
とることが必要である。
従来、これらの条件を備えた磁器誘電体は少なく、その
実現が望まれていた。
実現が望まれていた。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上述の要請に鑑み、誘電率が高く、誘電損失
が小さく、室温および高温における絶縁抵抗の値が高く
、さらに誘電率の温度特性の良好な優れた電気特性を有
した磁器組成物を提供しようとするものであり、その要
旨は、マグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇｌ／３Ｎ
ｂ２／３）Ｏ３］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯａｌおよび
ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）
Ｏ３］からなる３成分系組成物を、［Ｐｂ（Ｍｇｌ／３
Ｎｂｌ／３）Ｏａ］ｘ［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）
○ｓ］ｙ［ＰｂＴｉＯａ］２と表わしたときに（ただし
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）この３成分組成図において以下の
組成点 （ｘ ＝０．１０． ｙ ＝０．７０． ｚ＝
０．２０）（ｘ＝０．１５． ｙ＝０．６０．
ｚ ＝０．２５）（ｘ＝０．１５． ｙ＝０．７
０． ｚ＝０．１５）（ｘ＝０．４０． ｙ＝
０．３５． ｚ＝０．２５）（ｘ＝０．６０．
ｙ＝０．２０． ｚ＝０．２０）（ｘ＝０．７０
． ｙ＝０．２０． ｚ＝０．１０）（ｘ ＝
０．５０． ｙ ＝０．４０． ｚ ＝０．１
０）を結ぶ線上、およびこの７点に囲まれる組成範囲に
ある主成分組成物に、副成分として、マンガン（Ｍｎ）
を主成分に対して０．０１〜３原子％添加含有せしめて
なることを特徴とするものである。
が小さく、室温および高温における絶縁抵抗の値が高く
、さらに誘電率の温度特性の良好な優れた電気特性を有
した磁器組成物を提供しようとするものであり、その要
旨は、マグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇｌ／３Ｎ
ｂ２／３）Ｏ３］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯａｌおよび
ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）
Ｏ３］からなる３成分系組成物を、［Ｐｂ（Ｍｇｌ／３
Ｎｂｌ／３）Ｏａ］ｘ［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）
○ｓ］ｙ［ＰｂＴｉＯａ］２と表わしたときに（ただし
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）この３成分組成図において以下の
組成点 （ｘ ＝０．１０． ｙ ＝０．７０． ｚ＝
０．２０）（ｘ＝０．１５． ｙ＝０．６０．
ｚ ＝０．２５）（ｘ＝０．１５． ｙ＝０．７
０． ｚ＝０．１５）（ｘ＝０．４０． ｙ＝
０．３５． ｚ＝０．２５）（ｘ＝０．６０．
ｙ＝０．２０． ｚ＝０．２０）（ｘ＝０．７０
． ｙ＝０．２０． ｚ＝０．１０）（ｘ ＝
０．５０． ｙ ＝０．４０． ｚ ＝０．１
０）を結ぶ線上、およびこの７点に囲まれる組成範囲に
ある主成分組成物に、副成分として、マンガン（Ｍｎ）
を主成分に対して０．０１〜３原子％添加含有せしめて
なることを特徴とするものである。
すなわち、本発明者達は既にＰｂ（Ｍｇｌ／３Ｎｂ２／
３）Ｏａ −Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−（Ｐ
ｂＴｉＯ３）からなる３成分系に新たに検討した範囲を
加え、誘電率と比抵抗の温度安定性改善を目的として、
副成分として、マンガン（Ｍｎ）を添加含有せしめるも
ので、誘電率と絶縁抵抗の温度安定性が良好で、さらに
誘電損失の小さい優れた電気特性を有する磁器組成物を
提供しようとするものある。
３）Ｏａ −Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−（Ｐ
ｂＴｉＯ３）からなる３成分系に新たに検討した範囲を
加え、誘電率と比抵抗の温度安定性改善を目的として、
副成分として、マンガン（Ｍｎ）を添加含有せしめるも
ので、誘電率と絶縁抵抗の温度安定性が良好で、さらに
誘電損失の小さい優れた電気特性を有する磁器組成物を
提供しようとするものある。
（実施例）
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
出発原料として純度９９．９％以上の酸化鉛（ｐｂｏ）
、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ２ｏ
５）、酸化ニッケル（Ｎｉｐ）、酸化チタン（ＴｉＯ２
）および炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３）を使用し、表に示
した配合比となるように各々秤量する。次に秤量した各
材料をボールミル中で湿式混合した後７５０〜８００°
Ｃで平焼を行ない、この粉末をボールミルで粉砕し、濾
過、乾燥後、有機バインダーを入れ整粒後プレスし、直
径１６ｍｍ、厚さ約２ｍｍの円板４枚と、直径１６ｍｍ
、厚さ約１０ｍｍの円柱を作成した。次に本発明の組成
範囲の試料は空気中１０００〜１０８０°Ｃの温度で１
時間焼結した。焼結した円板４枚のし下面に６００°Ｃ
で銀電極を焼付け、デジタルＬＣＲメーターで周波数ｌ
ＫＨ２、電圧ＩＶｒ、ｍ、ｓ、室温−一３０°Ｃ−２０
°Ｃ−８５°Ｃの照次で容量と誘電損失を測定、誘電率
と誘電率の変化率を求めた。
、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ２ｏ
５）、酸化ニッケル（Ｎｉｐ）、酸化チタン（ＴｉＯ２
）および炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３）を使用し、表に示
した配合比となるように各々秤量する。次に秤量した各
材料をボールミル中で湿式混合した後７５０〜８００°
Ｃで平焼を行ない、この粉末をボールミルで粉砕し、濾
過、乾燥後、有機バインダーを入れ整粒後プレスし、直
径１６ｍｍ、厚さ約２ｍｍの円板４枚と、直径１６ｍｍ
、厚さ約１０ｍｍの円柱を作成した。次に本発明の組成
範囲の試料は空気中１０００〜１０８０°Ｃの温度で１
時間焼結した。焼結した円板４枚のし下面に６００°Ｃ
で銀電極を焼付け、デジタルＬＣＲメーターで周波数ｌ
ＫＨ２、電圧ＩＶｒ、ｍ、ｓ、室温−一３０°Ｃ−２０
°Ｃ−８５°Ｃの照次で容量と誘電損失を測定、誘電率
と誘電率の変化率を求めた。
次に超絶縁抵抗計で５０Ｖの電圧を１分間印加して、絶
縁抵抗を温度２０’Ｃと１２５°Ｃで測定し、比抵抗を
算出した。このようにして得られた磁器の主成分［Ｐｂ
（Ｍｇ／ｌ／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｘ［Ｐｂ（Ｎｉ１／
３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｙ［ＰｂＴｉＯａ］２の配合比Ｘ
、ｙ、ｚおよび副成分添加量と誘電率、誘電損失、８５
°Ｃにおける誘電率の変化率、および２０°Ｃと１２５
°Ｃにおける比抵抗の関係を第１表に記す。
縁抵抗を温度２０’Ｃと１２５°Ｃで測定し、比抵抗を
算出した。このようにして得られた磁器の主成分［Ｐｂ
（Ｍｇ／ｌ／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｘ［Ｐｂ（Ｎｉ１／
３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｙ［ＰｂＴｉＯａ］２の配合比Ｘ
、ｙ、ｚおよび副成分添加量と誘電率、誘電損失、８５
°Ｃにおける誘電率の変化率、および２０°Ｃと１２５
°Ｃにおける比抵抗の関係を第１表に記す。
（以下余白）
く−
第１表からも明らかなようにＰｂ（Ｍｇｌ／３Ｎｂ２／
３）Ｏｓ −Ｐｂ（Ｎｉｌ／３Ｎｂ２／３）Ｏａ −Ｐ
ｂＴｉＯａ ３成分組成物に副成分であるマンガン（Ｍ
ｎ）を主成分に対して０゜０１〜３原子％添加含有せし
めた本発明は高い誘電率を保持しながら、誘電損失や誘
電率及び比抵抗の温度特性を良好かつ実用的なレベルま
で高めており、積層コンデンサ用磁器組成物として優れ
た材料を提供するものである。
３）Ｏｓ −Ｐｂ（Ｎｉｌ／３Ｎｂ２／３）Ｏａ −Ｐ
ｂＴｉＯａ ３成分組成物に副成分であるマンガン（Ｍ
ｎ）を主成分に対して０゜０１〜３原子％添加含有せし
めた本発明は高い誘電率を保持しながら、誘電損失や誘
電率及び比抵抗の温度特性を良好かつ実用的なレベルま
で高めており、積層コンデンサ用磁器組成物として優れ
た材料を提供するものである。
なお、本発明の主成分組成範囲外および、副成分添加量
範囲外では焼結温度が高くなったり、誘電率が低下し実
用的でないため、前述のように限定される。
範囲外では焼結温度が高くなったり、誘電率が低下し実
用的でないため、前述のように限定される。
なお、第１図に本発明の主成分組成範囲を示す。
図に示した番号は、表に示した主成分配合比の番号に対
応する。
応する。
組成点を示す図である。
Claims (1)
- Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ＿３−Ｐｂ（Ｎｉ１
／３Ｎｂ２／３）Ｏ＿３−ＰｂＴｉＯ＿３の３成分系磁
器組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ＿３］ｘ
［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ＿３］ｙ［ＰｂＴｉ
Ｏ＿３］ｚ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表現したと
き（ｘ＝０．１０、ｙ＝０．７０、ｚ＝０．２０）（ｘ
＝０．１５、ｙ＝０．６０、ｚ＝０．２５）（ｘ＝０．
１５、ｙ＝０．７０、ｚ＝０．１５）（ｘ＝０．４０、
ｙ＝０．３５、ｚ＝０．２５）（ｘ＝０．６０、ｙ＝０
．２０、ｚ＝０．２０）（ｘ＝０．７０、ｙ＝０．２０
、ｚ＝０．１０）（ｘ＝０．５０、ｙ＝０．４０．ｚ＝
０．１０）を結ぶ線上およびこの７点に囲まれる組成範
囲にある主成分組成物に副成分としてマンガン（Ｍｎ）
を０．０１〜３原子％添加含有せしめてなることを特徴
とする磁器気組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61257335A JPS63112451A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61257335A JPS63112451A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63112451A true JPS63112451A (ja) | 1988-05-17 |
| JPH0449504B2 JPH0449504B2 (ja) | 1992-08-11 |
Family
ID=17304931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61257335A Granted JPS63112451A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63112451A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5262369A (en) * | 1989-07-20 | 1993-11-16 | Nec Corporation | Dielectric ceramic compositions |
-
1986
- 1986-10-28 JP JP61257335A patent/JPS63112451A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5262369A (en) * | 1989-07-20 | 1993-11-16 | Nec Corporation | Dielectric ceramic compositions |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0449504B2 (ja) | 1992-08-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |