JPS63185852A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
- Publication number
- JPS63185852A JPS63185852A JP61201050A JP20105086A JPS63185852A JP S63185852 A JPS63185852 A JP S63185852A JP 61201050 A JP61201050 A JP 61201050A JP 20105086 A JP20105086 A JP 20105086A JP S63185852 A JPS63185852 A JP S63185852A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- dielectric constant
- porcelain
- present
- ceramic composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 26
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title description 6
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 12
- LIABKAQKQSUQJX-UHFFFAOYSA-N [Mn].[Pb] Chemical compound [Mn].[Pb] LIABKAQKQSUQJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000981595 Zoysia japonica Species 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ca+2].[Ti+4] WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007123 defense Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- HEPLMSKRHVKCAQ-UHFFFAOYSA-N lead nickel Chemical compound [Ni].[Pb] HEPLMSKRHVKCAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L manganese(ii) carbonate Chemical compound [Mn+2].[O-]C([O-])=O XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、磁器組成物、特に誘電率が高く、室温および
高温における絶縁抵抗が高く、しかも機械的強度の高い
磁器組成物に関するものである。
高温における絶縁抵抗が高く、しかも機械的強度の高い
磁器組成物に関するものである。
（従来の技術）
従来、高誘電率磁器組成物として、チタン酸バリウム（
ＢａＴｉ０３）が、またチタン酸バリウム（ＢａＴｉ０
３）とチタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）、チタン酸
鉛（ＰｂＴｉＯ３）などの固溶体組成物が広く実用化さ
れているのは周知のとおりである。しかしながらこれら
公知の誘電体磁器組成物で得られる誘電率は高々８００
０程度にすぎず、特性改善のために常温での誘電率を大
きくすると誘電率の温度変化が大きくなり、一方誘電率
の温度変化を小さくすれば誘電率の最大値が減少するな
ど実用上程々の問題点があった。
ＢａＴｉ０３）が、またチタン酸バリウム（ＢａＴｉ０
３）とチタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）、チタン酸
鉛（ＰｂＴｉＯ３）などの固溶体組成物が広く実用化さ
れているのは周知のとおりである。しかしながらこれら
公知の誘電体磁器組成物で得られる誘電率は高々８００
０程度にすぎず、特性改善のために常温での誘電率を大
きくすると誘電率の温度変化が大きくなり、一方誘電率
の温度変化を小さくすれば誘電率の最大値が減少するな
ど実用上程々の問題点があった。
また、磁器組成物の電気的特性として、誘電損失が小さ
く、絶縁抵抗が高いことが要求される。
く、絶縁抵抗が高いことが要求される。
さらに絶縁抵抗の値に関しては、高信頼性の部品を要求
する米国防総省の規格であるミリタリースペシフィケイ
ション（Ｍｉｌｉｔａｒｙ ５ｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏ
ｎ）のＭＩＬ−Ｃ−５５６８１Ｂにおいて、室温におけ
る値のみならず、１２５°Ｃにおける値も定められてい
るように、信頼性の高い磁器コンデンサを得るためには
、室温における値のみならず、最高使用温度における絶
縁抵抗も高い値をとることが必要である。
する米国防総省の規格であるミリタリースペシフィケイ
ション（Ｍｉｌｉｔａｒｙ ５ｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏ
ｎ）のＭＩＬ−Ｃ−５５６８１Ｂにおいて、室温におけ
る値のみならず、１２５°Ｃにおける値も定められてい
るように、信頼性の高い磁器コンデンサを得るためには
、室温における値のみならず、最高使用温度における絶
縁抵抗も高い値をとることが必要である。
また、積層形チップコンデンサの場合は、チップコンデ
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器との熱膨張係数の違いにより、チップ
コンデンサに機械的な歪が加わり、チップコンデンサに
クラックが発生したり、破損したりすることがある。ま
た、エポキシ系樹脂等を外装したディップコンデンサの
場合も、外装樹脂の応力で、ディップコンデンサにクラ
ックが発生する場合がある。
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器との熱膨張係数の違いにより、チップ
コンデンサに機械的な歪が加わり、チップコンデンサに
クラックが発生したり、破損したりすることがある。ま
た、エポキシ系樹脂等を外装したディップコンデンサの
場合も、外装樹脂の応力で、ディップコンデンサにクラ
ックが発生する場合がある。
（発明が解決しようとする問題点）
いずれの場合も、コンデンサを形成している磁器の機械
的強度が低いほど、クラックが入りやすく、容易に破損
するため、信頼性が低くなる。したがって、磁器の機械
的強度をできるだけ増大させることは実用上極めて重要
なことである。従来、これらの条件を備えた磁器誘電体
は少なく、その実現が望まれていた。
的強度が低いほど、クラックが入りやすく、容易に破損
するため、信頼性が低くなる。したがって、磁器の機械
的強度をできるだけ増大させることは実用上極めて重要
なことである。従来、これらの条件を備えた磁器誘電体
は少なく、その実現が望まれていた。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上述の要請に鑑み、誘電率が高く、誘電損失
が小さく室温および室温における絶縁抵抗の値が高い優
れた電気特性を有し、更に機械的強度も大きい信頼性の
高い磁器組成物を提供しようとするものであり、その要
旨は、マグネシウム、ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎ
ｂ２／３）Ｏ３］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉ０ｓｌおよび
ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）
Ｏａ］からな゛る３成分系組成物を、［Ｐｂ（Ｍｇｌ／
３Ｎｂｌ／３）Ｏ３１Ｘ、 ［す（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／
３）Ｏ３］３’［ＰｂＴｉＯ３１２と表わしたときに（
ただしｚ＋ｙ＋ｚ＝１．００）この３成分組成図におい
て以下の組成点 （ｘ＝０．１０． ｙ＝０．７０． ｚ＝０．２０
）（ｘ＝０．１５． ｙ＝０．６０． ｚ＝０．
２５）（ｘ ＝０．１５． ｙ＝０．７０．
ｚ ＝０．１５）（ｘ＝０．４０． ｙ ＝０．３
５ ｚ ＝０．２５）（ｘ＝０．６０． ｙ＝
０．２０． ｚ＝０．２０）（ｘ ＝０．７０．
ｙ＝０．２０． ｚ ＝０．１０）（ｘ ＝０
．５０． ｙ＝０．４０． ｚ＝０．１０）を結
ぶ線上、およびこの７点に囲まれる組成範囲にある主成
分組成物に、副成分としてマンガン・タンタル酸鉛［Ｐ
ｂ（Ｍｎｌ／３Ｔａ２／３）Ｏｓ］を主成分に対して、
０．０１〜８ｍｏｌ％添加含有せしめてなることを特徴
とするものである。
が小さく室温および室温における絶縁抵抗の値が高い優
れた電気特性を有し、更に機械的強度も大きい信頼性の
高い磁器組成物を提供しようとするものであり、その要
旨は、マグネシウム、ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎ
ｂ２／３）Ｏ３］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉ０ｓｌおよび
ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）
Ｏａ］からな゛る３成分系組成物を、［Ｐｂ（Ｍｇｌ／
３Ｎｂｌ／３）Ｏ３１Ｘ、 ［す（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／
３）Ｏ３］３’［ＰｂＴｉＯ３１２と表わしたときに（
ただしｚ＋ｙ＋ｚ＝１．００）この３成分組成図におい
て以下の組成点 （ｘ＝０．１０． ｙ＝０．７０． ｚ＝０．２０
）（ｘ＝０．１５． ｙ＝０．６０． ｚ＝０．
２５）（ｘ ＝０．１５． ｙ＝０．７０．
ｚ ＝０．１５）（ｘ＝０．４０． ｙ ＝０．３
５ ｚ ＝０．２５）（ｘ＝０．６０． ｙ＝
０．２０． ｚ＝０．２０）（ｘ ＝０．７０．
ｙ＝０．２０． ｚ ＝０．１０）（ｘ ＝０
．５０． ｙ＝０．４０． ｚ＝０．１０）を結
ぶ線上、およびこの７点に囲まれる組成範囲にある主成
分組成物に、副成分としてマンガン・タンタル酸鉛［Ｐ
ｂ（Ｍｎｌ／３Ｔａ２／３）Ｏｓ］を主成分に対して、
０．０１〜８ｍｏｌ％添加含有せしめてなることを特徴
とするものである。
（作用）
すなわち、本願発明者は既にＰｂ（Ｍｇｌ／３Ｎｂ２／
３）Ｏ３−Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３（ＰｂＴ
ｉＯｓ）カらなる３成分系の高誘電率、低誘電損失の磁
器組成物を提案しているが、本発明はこの３成分系に新
たに検討した範囲を加え、機械的強度高温での比抵抗改
善を目的としてマンガン・タンタル酸鉛［Ｐｂ（Ｍｎｌ
／３Ｔａ２／３）Ｏ３］を添加含有せしめるもので、室
温および高温における絶縁抵抗の値が高い、優れた電気
的特性を有し、更に機械的強度も大きい、信頼性の高い
磁器組成物を提供しようとするものである。
３）Ｏ３−Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３（ＰｂＴ
ｉＯｓ）カらなる３成分系の高誘電率、低誘電損失の磁
器組成物を提案しているが、本発明はこの３成分系に新
たに検討した範囲を加え、機械的強度高温での比抵抗改
善を目的としてマンガン・タンタル酸鉛［Ｐｂ（Ｍｎｌ
／３Ｔａ２／３）Ｏ３］を添加含有せしめるもので、室
温および高温における絶縁抵抗の値が高い、優れた電気
的特性を有し、更に機械的強度も大きい、信頼性の高い
磁器組成物を提供しようとするものである。
（実施例）
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
出発原料として純度９９．９％以上の酸化鉛（ＰｂＯ）
、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ２０
５）、酸化ニッケル（Ｎｉｐ）、酸化チタン（Ｔｉ０２
）および炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３）を使用し、表に示
した配合比となるように各々秤量する。次に秤量した各
材料をボールミル中で湿式混合した後７５０〜８００°
Ｃで予焼を行ない、この粉末をボールミルで粉砕し、濾
過、乾燥後、有機バインダーを入れ整粒後プレスし、直
径１６ｍｍ、厚さ約２ｍｍの円板４枚と、直径１６ｍｍ
、厚さ約１０ｍｍの円柱を作成した。次に本発明の組成
範囲の試料は空気中１０００〜１０８０°Ｃの温度で１
時間焼結した。焼結した円板４枚の上下面に６００°Ｃ
で銀電極を焼付け、デジタルＬＣＲメーターで周波数Ｉ
ＫＨｚ、電圧ＩＶｒ、ｍ、ｓ、温度２０°Ｃで容量と誘
電・損失を測定し、誘電率を算出した。
、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ２０
５）、酸化ニッケル（Ｎｉｐ）、酸化チタン（Ｔｉ０２
）および炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３）を使用し、表に示
した配合比となるように各々秤量する。次に秤量した各
材料をボールミル中で湿式混合した後７５０〜８００°
Ｃで予焼を行ない、この粉末をボールミルで粉砕し、濾
過、乾燥後、有機バインダーを入れ整粒後プレスし、直
径１６ｍｍ、厚さ約２ｍｍの円板４枚と、直径１６ｍｍ
、厚さ約１０ｍｍの円柱を作成した。次に本発明の組成
範囲の試料は空気中１０００〜１０８０°Ｃの温度で１
時間焼結した。焼結した円板４枚の上下面に６００°Ｃ
で銀電極を焼付け、デジタルＬＣＲメーターで周波数Ｉ
ＫＨｚ、電圧ＩＶｒ、ｍ、ｓ、温度２０°Ｃで容量と誘
電・損失を測定し、誘電率を算出した。
次に超絶縁抵抗計で５０Ｖの電圧を１分間印加して、絶
縁抵抗を温度２０°Ｃと１２５°Ｃで測定し、比抵抗を
算出した。
縁抵抗を温度２０°Ｃと１２５°Ｃで測定し、比抵抗を
算出した。
機械的性質を抗折強度で評価するため、焼結した円柱か
ら厚さＱ、５ｍｍ、幅２ｍｍ、長さ約１３ｍｍの矩形板
を１０枚切り出した。支点間距離を９ｍｍとり、［ｋｇ
／ａｍ２］なる式に従い、抗折強度−ｃ［ｋｇ／ａｍ２
］を求めた。ただし、ｌは支点間距離、Ｉは試料の厚み
、Ｗは試料の幅である。電気的特性は円板試料４点の平
均値、抗折強度は矩形板試料１０点の平均値より求めた
。このようにして得られた磁器の主成分［Ｐｂ（Ｍｇｌ
／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｘ ［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ
２／３）Ｏ３］ｙ［ＰｂＴｉ○３］２の配合比ｘ、ｙ、
ｚおよび副成分添加量と誘電率、誘電損失、２０℃およ
び１２５°Ｃにおける比抵抗、および抗表からも明らか
なように、Ｐｂ（Ｍｇｌ／３Ｎｂｌ／３）Ｏ３−Ｐｂ（
Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉ０３ 三成分子
ｆｌ成物に副成分であるＰｂ（Ｍｎｌ／３Ｔａ２／３）
Ｏ３を主成分に対して０．０１〜８ｍｏｌ％添加含有せ
しめた本発明は高い誘電率を保持しながら、誘電損失や
比抵抗を良好かつ実用的なレベルにまで高めており、積
層コンデンサ用磁器組成物として優れた材料を提供する
ものである。
ら厚さＱ、５ｍｍ、幅２ｍｍ、長さ約１３ｍｍの矩形板
を１０枚切り出した。支点間距離を９ｍｍとり、［ｋｇ
／ａｍ２］なる式に従い、抗折強度−ｃ［ｋｇ／ａｍ２
］を求めた。ただし、ｌは支点間距離、Ｉは試料の厚み
、Ｗは試料の幅である。電気的特性は円板試料４点の平
均値、抗折強度は矩形板試料１０点の平均値より求めた
。このようにして得られた磁器の主成分［Ｐｂ（Ｍｇｌ
／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｘ ［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ
２／３）Ｏ３］ｙ［ＰｂＴｉ○３］２の配合比ｘ、ｙ、
ｚおよび副成分添加量と誘電率、誘電損失、２０℃およ
び１２５°Ｃにおける比抵抗、および抗表からも明らか
なように、Ｐｂ（Ｍｇｌ／３Ｎｂｌ／３）Ｏ３−Ｐｂ（
Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉ０３ 三成分子
ｆｌ成物に副成分であるＰｂ（Ｍｎｌ／３Ｔａ２／３）
Ｏ３を主成分に対して０．０１〜８ｍｏｌ％添加含有せ
しめた本発明は高い誘電率を保持しながら、誘電損失や
比抵抗を良好かつ実用的なレベルにまで高めており、積
層コンデンサ用磁器組成物として優れた材料を提供する
ものである。
なお、本発明の主成分組成範囲外では焼結温度が高くな
ったり、誘電率が低下し実用的でないため、前述のよう
に限定される。また、副成分である、Ｐｂ（Ｍｎｌ／３
Ｔａ２／３）Ｏ３の添加量が０．０１ｍｏ１％未満では
抗折強度の改善効果が小さく、８ｍ０１％を越えると逆
に抗折強度が小さくなるため、実用的ではない。
ったり、誘電率が低下し実用的でないため、前述のよう
に限定される。また、副成分である、Ｐｂ（Ｍｎｌ／３
Ｔａ２／３）Ｏ３の添加量が０．０１ｍｏ１％未満では
抗折強度の改善効果が小さく、８ｍ０１％を越えると逆
に抗折強度が小さくなるため、実用的ではない。
なお、第１図に本発明の主成分組成範囲を示す。
図に示した番号は、表に示した生成物配合比の番号に対
応する。
応する。
（発明の効果）
以上のように本発明により機械的強度が高く、高誘電率
、低誘電損失な磁器組成物が得られる。
、低誘電損失な磁器組成物が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の主成分組成範囲と実施例に示した組
成点を示す図である。 代理人弁理士内原 晋：：’ ｚ 冒、 − ＼−一／ Ｐｂ（Ｎｉ＋ｚｓＮｂ２ｚｓ）０３
Ｐｂ Ｔｉｅｓ手続補手続補
正式） ２、発明の名称 磁器組成物 ３、補正をする者 事件との関係 出願人 東京都港区芝五丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８東京都港区芝五丁目３７番８号住友三田ビル日
本電気株式会社内 （６５９１）弁理士 内 原 晋ｊと１．ｉ・電話
東京（０３） ４５６−３１１１ （大代表）（連絡先
日本電気株式会社特許部） ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ７、補正の内容 （１）別紙のとおり（先に補正した事項以外に変更なし
。） 代理人弁理士内原 晋 、２、 ｇｌｊ綴
成点を示す図である。 代理人弁理士内原 晋：：’ ｚ 冒、 − ＼−一／ Ｐｂ（Ｎｉ＋ｚｓＮｂ２ｚｓ）０３
Ｐｂ Ｔｉｅｓ手続補手続補
正式） ２、発明の名称 磁器組成物 ３、補正をする者 事件との関係 出願人 東京都港区芝五丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８東京都港区芝五丁目３７番８号住友三田ビル日
本電気株式会社内 （６５９１）弁理士 内 原 晋ｊと１．ｉ・電話
東京（０３） ４５６−３１１１ （大代表）（連絡先
日本電気株式会社特許部） ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ７、補正の内容 （１）別紙のとおり（先に補正した事項以外に変更なし
。） 代理人弁理士内原 晋 、２、 ｇｌｊ綴
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３−
Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３−Ｐ
ｂＴｉＯ＿３の３成分系固溶体組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ＿
１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３］＿ｘ［Ｐｂ（Ｎ
ｉ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３］＿ｙ［Ｐｂ
ＴｉＯ＿３］＿ｚ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表現
したとき （ｘ＝０．１０、ｙ＝０．７０、ｚ＝０．２０）（ｘ＝
０．１５、ｙ＝０．６０、ｚ＝０．２５）（ｘ＝０．１
５、ｙ＝０．７０、ｚ＝０．１５）（ｘ＝０．４０、ｙ
＝０．３５、ｚ＝０．２５）（ｘ＝０．６０、ｙ＝０．
２０、ｚ＝０．２０）（ｘ＝０．７０、ｙ＝０．２０、
ｚ＝０．１０）（ｘ＝０．５０、ｙ＝０．４０、ｚ＝０
．１０）を結ぶ線上およびこの７点に囲まれる組成範囲
にある主成分組成物に副成分としてマンガン・タンタル
酸鉛［Ｐｂ（Ｍｎ＿１＿／３Ｔａ＿２＿／＿３）Ｏ＿３
］を主成分に対して０．０１〜８ｍｏｌ％添加含有せし
めてなることを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61201050A JPS63185852A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61201050A JPS63185852A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63185852A true JPS63185852A (ja) | 1988-08-01 |
| JPH0534302B2 JPH0534302B2 (ja) | 1993-05-21 |
Family
ID=16434567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61201050A Granted JPS63185852A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63185852A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991001283A1 (en) * | 1989-07-20 | 1991-02-07 | Nec Corporation | Dielectric ceramic composition |
| JPH08188467A (ja) * | 1995-01-10 | 1996-07-23 | Nec Corp | 磁器組成物の製造方法 |
-
1986
- 1986-08-26 JP JP61201050A patent/JPS63185852A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991001283A1 (en) * | 1989-07-20 | 1991-02-07 | Nec Corporation | Dielectric ceramic composition |
| EP0483356A1 (en) * | 1989-07-20 | 1992-05-06 | Nec Corporation | Dielectric ceramic composition |
| JPH08188467A (ja) * | 1995-01-10 | 1996-07-23 | Nec Corp | 磁器組成物の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0534302B2 (ja) | 1993-05-21 |
Similar Documents
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |