JPS61222282A - アモルフアスシリコン太陽電池 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池Info
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- JPS61222282A JPS61222282A JP60064330A JP6433085A JPS61222282A JP S61222282 A JPS61222282 A JP S61222282A JP 60064330 A JP60064330 A JP 60064330A JP 6433085 A JP6433085 A JP 6433085A JP S61222282 A JPS61222282 A JP S61222282A
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- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 37
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000985 reflectance spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910006853 SnOz Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003534 oscillatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアモルファスシリコン太陽電池に関し、さらに
詳しくは太陽エネルギーの変換効率（以下変換効率と称
する）を高めるためのアモルファスシリコン太陽電池の
改良に関する。
詳しくは太陽エネルギーの変換効率（以下変換効率と称
する）を高めるためのアモルファスシリコン太陽電池の
改良に関する。
本発明は、アモルファスシリコン太陽電池において、透
明電極を構成する酸化錫の厚さを５０００〜８０００人
にすることにより、高い変換効率を得ることができるよ
うにしたものである。
明電極を構成する酸化錫の厚さを５０００〜８０００人
にすることにより、高い変換効率を得ることができるよ
うにしたものである。
一般に、アモルファスシリコン太陽電池は、透明電極と
、光電変換が行われるアモルファスシリコン層と、対向
電極とで構成され、このうち透明電極としては従来より
酸化錫を含む酸化インジウム膜（以下ＩＴＯ膜と称する
）やＩＴＯ膜上へ薄い酸化錫膜（Ｓｎ０ｇ膜）を積層し
て成るＳｎＯ□／ＩＴＯの二層膜が用いられてきた。こ
の太陽電池の変換効率は主としてアモルファスシリコン
層の特性及び構成により決まるが、近年、透明電極が変
換効率へ及ぼす影響も重要視されるようになった。
、光電変換が行われるアモルファスシリコン層と、対向
電極とで構成され、このうち透明電極としては従来より
酸化錫を含む酸化インジウム膜（以下ＩＴＯ膜と称する
）やＩＴＯ膜上へ薄い酸化錫膜（Ｓｎ０ｇ膜）を積層し
て成るＳｎＯ□／ＩＴＯの二層膜が用いられてきた。こ
の太陽電池の変換効率は主としてアモルファスシリコン
層の特性及び構成により決まるが、近年、透明電極が変
換効率へ及ぼす影響も重要視されるようになった。
透明電極が変換効率に与える影響は、直接的にはその電
気抵抗値及び光の透過率との関係で決まるが、透明電極
とアモルファスシリコン層との２層内の光干渉効果によ
るアモルファスシリコン層への入射光量変化の影響も大
きく、このため従来から用いられてきたＩＴＯ膜または
５ｎｏ２／ Ｉ Ｔ Ｏ膜の場合、干渉理論及び実験的
事実から最適膜厚が存在し、その最適値は目安として約
７５０゜２０００または３８００人とされていた。
気抵抗値及び光の透過率との関係で決まるが、透明電極
とアモルファスシリコン層との２層内の光干渉効果によ
るアモルファスシリコン層への入射光量変化の影響も大
きく、このため従来から用いられてきたＩＴＯ膜または
５ｎｏ２／ Ｉ Ｔ Ｏ膜の場合、干渉理論及び実験的
事実から最適膜厚が存在し、その最適値は目安として約
７５０゜２０００または３８００人とされていた。
一方、近年、成長時におけるプラズマに対する安定性と
光に対する透明度とに優れかつＩＴＯ膜と同程度の導電
性を有するＳｎＯ，膜が開発されたため、Ｓｎ０ｇ膜を
透明電極として用いたアモルファスシリコン太陽電池が
主流となりつつある。そしてＳｎＯ□膜の膜厚は、光の
反射率（Ｒ）が最小となる膜厚、すなわち約２０００人
、３８００人が適当とされていたく第４図参照）。
光に対する透明度とに優れかつＩＴＯ膜と同程度の導電
性を有するＳｎＯ，膜が開発されたため、Ｓｎ０ｇ膜を
透明電極として用いたアモルファスシリコン太陽電池が
主流となりつつある。そしてＳｎＯ□膜の膜厚は、光の
反射率（Ｒ）が最小となる膜厚、すなわち約２０００人
、３８００人が適当とされていたく第４図参照）。
しかしながら、５ｎｏ２膜を透明電極として用いたアモ
ルファスシリコン太陽電池では従来、実用上十分に高い
変換効率を実現するのは困難であった。
ルファスシリコン太陽電池では従来、実用上十分に高い
変換効率を実現するのは困難であった。
本発明は、上述の問題にかんがみ、従来のアモルファス
シリコン太陽電池が有する上述のような欠点を是正した
極めて新規かつ有用なアモルファスシリコン太陽電池を
提供することを目的とする。
シリコン太陽電池が有する上述のような欠点を是正した
極めて新規かつ有用なアモルファスシリコン太陽電池を
提供することを目的とする。
本発明者らは、上述のようなアモルファスシリコン太陽
電池に用いられるＳｎＯ□膜の膜厚の最適化に関し鋭意
研究した結果、その最適ｎり厚は単に光干渉効果から最
高透過率（換言すれば最低反射率）を示す膜厚を求めた
だけでは不十分であり、アモルファスシリコン層に吸収
されるフォトン量及びアモルファスシリコン層の量子収
集効率をも考慮して決定すべきことを見出すに至った。
電池に用いられるＳｎＯ□膜の膜厚の最適化に関し鋭意
研究した結果、その最適ｎり厚は単に光干渉効果から最
高透過率（換言すれば最低反射率）を示す膜厚を求めた
だけでは不十分であり、アモルファスシリコン層に吸収
されるフォトン量及びアモルファスシリコン層の量子収
集効率をも考慮して決定すべきことを見出すに至った。
すなわち太陽エネルギー分布（フォトン数スペクトル）
とＳｎｏｗ／アモルファスシリコン層の分光反射スペク
トルとからアモルファスシリコン層に吸収されたフォト
ン数を各波長毎に求め、次いでこのフォトン数に光電変
換に寄与する割合すなわち量子収集効率（波長依存性が
ある）を乗じ、その後有効な総フォトン数を求めること
で、より実際に近い条件下でＳｎ０ｇ膜の最適膜厚を求
めることができる。
とＳｎｏｗ／アモルファスシリコン層の分光反射スペク
トルとからアモルファスシリコン層に吸収されたフォト
ン数を各波長毎に求め、次いでこのフォトン数に光電変
換に寄与する割合すなわち量子収集効率（波長依存性が
ある）を乗じ、その後有効な総フォトン数を求めること
で、より実際に近い条件下でＳｎ０ｇ膜の最適膜厚を求
めることができる。
すなわち本発明に係るアモルファスシリコン太陽電池は
、酸化錫から成る透明電極と、アモルファスシリコン層
と、対向電極とをそれぞれ具備するアモルファスシリコ
ン太陽電池において、上記透明電極の厚さが５０００〜
８０００人である。
、酸化錫から成る透明電極と、アモルファスシリコン層
と、対向電極とをそれぞれ具備するアモルファスシリコ
ン太陽電池において、上記透明電極の厚さが５０００〜
８０００人である。
このように構成することによって、酸化錫膜を介してア
モルファスシリコン層に入射してこのアモルファスシリ
コン層により吸収されるフォトン数を大きくすることが
できる。 ″ 〔実施例〕 以下本発明に係るアモルファスシリコン太陽電池の一実
施例を図面を参照しながら説明する。
モルファスシリコン層に入射してこのアモルファスシリ
コン層により吸収されるフォトン数を大きくすることが
できる。 ″ 〔実施例〕 以下本発明に係るアモルファスシリコン太陽電池の一実
施例を図面を参照しながら説明する。
まず本実施例によるアモルファスシリコン太陽電池の製
造方法を説明する。
造方法を説明する。
第１図に示すように、まず例えば厚さ１．１鰭で３ ｃ
ｍ Ｘ ５ ｃｍの大きさのガラス基板ｌ上に例えばデ
ィ７ピング法により膜厚１２００人のＳｉｎｇ膜２を形
成した後、このＳｉｎｇ膜２上にＣ４Ｈ＊ＳｎＣ１！
ｘガスとＣｌ５ＣＨＦｚガスとの混合ガスを反応ガスと
して用いたＣＶＤ法により透明電極を構成する５ｎＯｚ
膜３を形成する。
ｍ Ｘ ５ ｃｍの大きさのガラス基板ｌ上に例えばデ
ィ７ピング法により膜厚１２００人のＳｉｎｇ膜２を形
成した後、このＳｉｎｇ膜２上にＣ４Ｈ＊ＳｎＣ１！
ｘガスとＣｌ５ＣＨＦｚガスとの混合ガスを反応ガスと
して用いたＣＶＤ法により透明電極を構成する５ｎＯｚ
膜３を形成する。
次にこれらの５ｔｏ２膜２及びＳｎ０ｇ膜３が形成され
たガラス基板ｌを第２図に示すような成膜装置の反応室
（石英ペルジャー）４内のサセプター５上に載置した後
、ロータリーポンプ６により配管７１を介して反応室４
を０．０１ Ｔｏｒｒ程度に真空排気する。次にＳ ｉ
Ｈ４／ Ｈｔガス、ＣＨ４／ Ｈ，ガス及びＢｔ）Ｉ
ｓ／Ｈｚガスをそれぞれ配管７ｃ、７ｄ、？ｆ内を通し
て合流させて混合した後、この混合ガスを配管７ｇ、７
ｈを介して反応室４内に導入する。
たガラス基板ｌを第２図に示すような成膜装置の反応室
（石英ペルジャー）４内のサセプター５上に載置した後
、ロータリーポンプ６により配管７１を介して反応室４
を０．０１ Ｔｏｒｒ程度に真空排気する。次にＳ ｉ
Ｈ４／ Ｈｔガス、ＣＨ４／ Ｈ，ガス及びＢｔ）Ｉ
ｓ／Ｈｚガスをそれぞれ配管７ｃ、７ｄ、？ｆ内を通し
て合流させて混合した後、この混合ガスを配管７ｇ、７
ｈを介して反応室４内に導入する。
なお第２図において符号７ａ〜７１は配管を、符号８ａ
〜８にはバルブを、符号９ａ〜９ｆはニードルバルブを
、１０ａ〜ｌＯｆは流量計を示す。
〜８にはバルブを、符号９ａ〜９ｆはニードルバルブを
、１０ａ〜ｌＯｆは流量計を示す。
次に高周波電源（１３，５６）ＩＨｚ） １１により
電極１２．１３間に電圧を印加して上述の混合ガスをグ
ロー放電させ、これによって５ｎ０２膜３上に一部のＳ
ｉ原子がＣ原子で置換されたｐ型の水素化アモルファス
シリコン層、すなわちａ −５ｌｌ−Ｘ Ｃエ ：８層
１４（ａ−Ｓｔ：Ｈ層よりも光学ギャップが大きい）を
形成する。なお基板温度は１９０℃とした（以下同様）
。
電極１２．１３間に電圧を印加して上述の混合ガスをグ
ロー放電させ、これによって５ｎ０２膜３上に一部のＳ
ｉ原子がＣ原子で置換されたｐ型の水素化アモルファス
シリコン層、すなわちａ −５ｌｌ−Ｘ Ｃエ ：８層
１４（ａ−Ｓｔ：Ｈ層よりも光学ギャップが大きい）を
形成する。なお基板温度は１９０℃とした（以下同様）
。
次に上述の混合ガスを排気した後、配管７ｃ。
７ｇ、７ｈを介して反応室４内にＳ ｉ Ｈ＊ ／ Ｈ
ｔガスを導入し、次いで上述と同様にしてグロー放電を
行わせることにより、ａ −Ｓｔ、、 Ｃ，： Ｈ層１
４上に例えば膜厚５０００人のｉ型のａ−３ｉ：Ｈ層１
５を形成する。
ｔガスを導入し、次いで上述と同様にしてグロー放電を
行わせることにより、ａ −Ｓｔ、、 Ｃ，： Ｈ層１
４上に例えば膜厚５０００人のｉ型のａ−３ｉ：Ｈ層１
５を形成する。
次に配管７ｃ、７ｅ、７ｇ、７ｈを介して反応室４内に
ＳｉＨ，、／ＩＬ２ガスとＰｌｈ ／Ｈｚガスとの混合
ガスを導入した後、高い放電電力を用いて上述と同様に
してグロー放電を行わせることにより、ａ −Ｓｉ：Ｈ
層１５上にアモルファス相と微結晶相とが混在するｎ型
のμｃ−Ｓｔ層工６を形成する。この後、このμｃ−５
ｉ層１６上に対向電極を構成するＡ７！電極１７を蒸着
により形成して、目的とするｐ ｉ−ｎｍ造のアモル
ファスシリコン太陽電池を完成させる。
ＳｉＨ，、／ＩＬ２ガスとＰｌｈ ／Ｈｚガスとの混合
ガスを導入した後、高い放電電力を用いて上述と同様に
してグロー放電を行わせることにより、ａ −Ｓｉ：Ｈ
層１５上にアモルファス相と微結晶相とが混在するｎ型
のμｃ−Ｓｔ層工６を形成する。この後、このμｃ−５
ｉ層１６上に対向電極を構成するＡ７！電極１７を蒸着
により形成して、目的とするｐ ｉ−ｎｍ造のアモル
ファスシリコン太陽電池を完成させる。
上述のような一連の工程により、下表に示すようにＳｎ
Ｏ□膜３の膜厚を１９００〜８５００人の範囲内で１６
通りに変えて１６種類のアモルファスシリコン太陽電池
を作製した。なお下表には５ｎｕ２膜３のそれぞれの膜
厚について光の透過率も示す。
Ｏ□膜３の膜厚を１９００〜８５００人の範囲内で１６
通りに変えて１６種類のアモルファスシリコン太陽電池
を作製した。なお下表には５ｎｕ２膜３のそれぞれの膜
厚について光の透過率も示す。
（以下余白次頁につづく。）
上述のようにして得られた１６種類のアモルファスシリ
コン太陽電池について種々の特性を測定゛した結果を以
下において説明する。
コン太陽電池について種々の特性を測定゛した結果を以
下において説明する。
まず５ｎｕｔ膜３の膜厚がそれぞれ２１００人、３９０
０人、５８００人である３種の太陽電池について光の反
射率スペクトルを測定した結果を第３図に示す。この第
３図から明らかなように、Ｓｎｕｇ膜３の膜厚が増加す
ると短波長領域における振動の周期は短くなり、長波長
領域における振動は振幅及び位相が変化する。なお短波
長領域における振動はＳｎｏｗ膜３内での多重反射干渉
によるものであり、長波長領域における振動はａ−３ｉ
：Ｈ層Ｉ５内での多重反射干渉によるものである。
０人、５８００人である３種の太陽電池について光の反
射率スペクトルを測定した結果を第３図に示す。この第
３図から明らかなように、Ｓｎｕｇ膜３の膜厚が増加す
ると短波長領域における振動の周期は短くなり、長波長
領域における振動は振幅及び位相が変化する。なお短波
長領域における振動はＳｎｏｗ膜３内での多重反射干渉
によるものであり、長波長領域における振動はａ−３ｉ
：Ｈ層Ｉ５内での多重反射干渉によるものである。
次に第３図の短波長領域と長波長領域との境界領域の波
長λ＝５５０ｎｍにおける反射率（’Ｒ）のＳｎｕｇ膜
３の膜厚依存性を第４図に示す。この第４図から明らか
なように、反射率（Ｒ）はＳｎｕｇ膜３の膜厚が増加す
るにつれて振動している。既述のように、従来は第４図
より反射率（Ｒ）が最小となる膜厚、すなわち約２００
０人、３８００人が最適膜厚とされていた。しかしなが
ら、以下のような太陽光のフォトン吸収率の検討により
、ＳｎＯｚ膜３の最適膜厚はこれらとは異なることが明
らかとなった。
長λ＝５５０ｎｍにおける反射率（’Ｒ）のＳｎｕｇ膜
３の膜厚依存性を第４図に示す。この第４図から明らか
なように、反射率（Ｒ）はＳｎｕｇ膜３の膜厚が増加す
るにつれて振動している。既述のように、従来は第４図
より反射率（Ｒ）が最小となる膜厚、すなわち約２００
０人、３８００人が最適膜厚とされていた。しかしなが
ら、以下のような太陽光のフォトン吸収率の検討により
、ＳｎＯｚ膜３の最適膜厚はこれらとは異なることが明
らかとなった。
すなわち、まず第４図と第５図に示すようなＡＭ １
、 １００ ｍＷ／ｃＪ太陽光のフォトン入射数スペク
トルとを基にし、次の（１）式に従って太陽電池の太陽
光フォトン吸収率を計算した結果を５ｎｕ２膜３の膜厚
との関係で第６図に示す。
、 １００ ｍＷ／ｃＪ太陽光のフォトン入射数スペク
トルとを基にし、次の（１）式に従って太陽電池の太陽
光フォトン吸収率を計算した結果を５ｎｕ２膜３の膜厚
との関係で第６図に示す。
ここで、Ｒ（λ）は反射率スペクトル、Ｎ（λ）はＡ
Ｍ １ 、 １００ ｍＷ／ｃ４太陽光のフォトン数ス
ペクトルである。エネルギー吸収率Ａの実際の計算にお
いてはｄλ＝ｌＱｎｍとし、積分の範囲は４０５〜７９
５ ｎｍとした。なおＡの値の意味は、基板表面に届い
た太陽光のフォトンのうち主としてａ−５ｔ：Ｈ層１５
で吸収されたものの割合である。
Ｍ １ 、 １００ ｍＷ／ｃ４太陽光のフォトン数ス
ペクトルである。エネルギー吸収率Ａの実際の計算にお
いてはｄλ＝ｌＱｎｍとし、積分の範囲は４０５〜７９
５ ｎｍとした。なおＡの値の意味は、基板表面に届い
た太陽光のフォトンのうち主としてａ−５ｔ：Ｈ層１５
で吸収されたものの割合である。
第６図から明らかなように、フォトン吸収率はＳｎＯ□
膜３の膜厚が６０００Å以下の領域ではＳｎｕｇ膜３の
膜厚と共に増加し、膜厚６０００Å以上の領域ではゆっ
くりと減少する傾向が見られる。またこの第６図には、
第４図に見られたような振動的な挙動はもはや見られな
い。
膜３の膜厚が６０００Å以下の領域ではＳｎｕｇ膜３の
膜厚と共に増加し、膜厚６０００Å以上の領域ではゆっ
くりと減少する傾向が見られる。またこの第６図には、
第４図に見られたような振動的な挙動はもはや見られな
い。
第６図の振舞を説明するために、波長λ＝５６０ｎｍを
境とした２つの波長領域でそれぞれフォトン吸収率を求
めた結果を第７図に示す。この第７図から明らかなよう
に、第６図で見られる５ｎＯｚ膜３の膜厚増加に伴うフ
ォトン吸収率の増加傾向は、５６０〜８００ｎｍの長波
長領域でのフォトン吸収率の増加によるものである。
境とした２つの波長領域でそれぞれフォトン吸収率を求
めた結果を第７図に示す。この第７図から明らかなよう
に、第６図で見られる５ｎＯｚ膜３の膜厚増加に伴うフ
ォトン吸収率の増加傾向は、５６０〜８００ｎｍの長波
長領域でのフォトン吸収率の増加によるものである。
ところで、ａ −Ｓｔ ： ＨＪｉｉｌ ５により吸
収されるフォトンは全て光電変換に寄与するのではなく
、そのうちの何割かは熱エネルギーの形で散逸する。
収されるフォトンは全て光電変換に寄与するのではなく
、そのうちの何割かは熱エネルギーの形で散逸する。
この光電変換に寄与するフォトンの割合を量子収集効率
というが、これは第８図に示すような波長依存性を有す
ることが知られている。
というが、これは第８図に示すような波長依存性を有す
ることが知られている。
このため、第６図に示す結果に量子収集効率の考え方を
取り入れて、第８図と次の（２）式とからＳｎｏｗ膜３
の最適膜厚を求めた。その結果を第９図に示す。
取り入れて、第８図と次の（２）式とからＳｎｏｗ膜３
の最適膜厚を求めた。その結果を第９図に示す。
ここで、η（λ）は量子収集効率である。
この第９図に示す結果を太陽電池の量子収集効率を考慮
に入れない場合、すなわち量子収集効率の波長依存性が
ないと仮定した場合の結果である第６図と比較した結果
、次のことが明らかとなった。すなわち、第１に、長波
長領域の寄与が低下することにより、フォトン吸収率の
Ｓｎｕｇ膜３の膜厚依存性が小さくなる。第２に、Ｓｎ
Ｏ□膜３の膜厚２０００人付近に存在する極大が顕著に
なる。
に入れない場合、すなわち量子収集効率の波長依存性が
ないと仮定した場合の結果である第６図と比較した結果
、次のことが明らかとなった。すなわち、第１に、長波
長領域の寄与が低下することにより、フォトン吸収率の
Ｓｎｕｇ膜３の膜厚依存性が小さくなる。第２に、Ｓｎ
Ｏ□膜３の膜厚２０００人付近に存在する極大が顕著に
なる。
以上のような違いは存在するが、量子収集効率を考慮し
てもＳｎＯ□膜３の膜厚が大きくなるとフォトン吸収率
が増加するという大まかな傾向は第６図と変わらず、ま
たフォトン吸収率が極大を示すＳｎｕｇ膜３の膜厚も５
８００人でありこれも第６図と変わらなかった。
てもＳｎＯ□膜３の膜厚が大きくなるとフォトン吸収率
が増加するという大まかな傾向は第６図と変わらず、ま
たフォトン吸収率が極大を示すＳｎｕｇ膜３の膜厚も５
８００人でありこれも第６図と変わらなかった。
第９図より、５１１０２膜３の最適膜厚は５０００〜８
０００人であることがわかる。この範囲よりもＳｎＯ，
膜３の膜厚が大きくても小さくてもフォトン吸収率は減
少する。
０００人であることがわかる。この範囲よりもＳｎＯ，
膜３の膜厚が大きくても小さくてもフォトン吸収率は減
少する。
以上本発明の実施例につき説明したが、本発明は上述の
実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想
に基づく種々の変形が可能である。
実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想
に基づく種々の変形が可能である。
例えば、上述の実施例においては、ｐ層をａ−Ｓｔｌ−
Ｘｃ、ｌ： Ｈｌｉ ｌ ４で構成し、ｎ層をメｚｃ
−５ｔ層１６で構成したが、必要に応じてこれらのｐ層
及びｎ層をそれぞれｐ型及びｎ型のａ−３ｔ：Ｈ層で構
成することも可能である。また上述の実施例においては
、ガラス基板１とＳｎｕｇ膜３との間にＳｉｎ、膜２を
形成したが、必要に応じてこのＳｉｎ、膜２を省略する
ことも可能である。
Ｘｃ、ｌ： Ｈｌｉ ｌ ４で構成し、ｎ層をメｚｃ
−５ｔ層１６で構成したが、必要に応じてこれらのｐ層
及びｎ層をそれぞれｐ型及びｎ型のａ−３ｔ：Ｈ層で構
成することも可能である。また上述の実施例においては
、ガラス基板１とＳｎｕｇ膜３との間にＳｉｎ、膜２を
形成したが、必要に応じてこのＳｉｎ、膜２を省略する
ことも可能である。
本発明に係るアモルファスシリコン太陽電池によれば、
酸化錫から成る透明電極の厚さが５０００〜８０００人
であるので、アモルファスシリコン層によるフォトン吸
収率を極めて高くすることができ、従って変換効率を極
めて高くすることかで゛きる。
酸化錫から成る透明電極の厚さが５０００〜８０００人
であるので、アモルファスシリコン層によるフォトン吸
収率を極めて高くすることができ、従って変換効率を極
めて高くすることかで゛きる。
第１図は本発明の一実施例によるアモルファスシリコン
太陽電池を示す断面図、第２図は本発明の実施例で用い
るり′呂−放電分解法による成膜装置の概略的な構成図
、第３図は反射率（Ｒ）の光の波長依存性を種々のＳｎ
０ｇ膜の膜厚について示すグラフ、第４図はλ＝５５０
ｎｍにおける反射率（Ｒ）の５ｎＯｔ膜の膜厚依存性を
示すグラフ、第５図はＡＭ １ 、 １００ ｍＷ／ｃ
ｊ太陽光のフォトン入射数スペクトルを示すグラフ、第
６図はフォトン吸収率のＳｎＯ□膜の膜厚依存性を示す
グラフ、第７図は長波長領域と短波長領域とにおけるフ
ォトン吸収率の５ｎＯｚ膜の膜厚依存性を示すグラフ、
第８図はｐ−１−ｎａ−Ｓｉ太陽電池の量子収集効率の
光の波長依存性を示すグラフ、第９図は量子収集効率を
考慮に入れた場合におけるフォトン吸収率の５ｎ０２膜
の膜厚依存性を示すグラフである。 なお図面に用いた符号において、 １−・−・−・〜・−・・ガラス基板 ２−−−−−−一・・−・−−−−−−−Ｓ ｉ Ｏ２
膜３・−一〜−一−−・−・−・−・−−−−５ｎ Ｏ
ｚ膜４−−−−−−−−−−・−・・−−−−一反応室
１ｔ−−−−−−−−−−−−−−−−−ａ Ｓｔｌ
−ｘ ＣＸ： ８層１５−・−−−−−−−−−−＝
−−−−−ａ −Ｓｔ ： Ｈ層１６−・−・・−一
一一一−・−−−一−μｃ −Ｓｔ層１７’−−−−−
−−−−一〜・−−一〜−一・Ａｌ電極である。
太陽電池を示す断面図、第２図は本発明の実施例で用い
るり′呂−放電分解法による成膜装置の概略的な構成図
、第３図は反射率（Ｒ）の光の波長依存性を種々のＳｎ
０ｇ膜の膜厚について示すグラフ、第４図はλ＝５５０
ｎｍにおける反射率（Ｒ）の５ｎＯｔ膜の膜厚依存性を
示すグラフ、第５図はＡＭ １ 、 １００ ｍＷ／ｃ
ｊ太陽光のフォトン入射数スペクトルを示すグラフ、第
６図はフォトン吸収率のＳｎＯ□膜の膜厚依存性を示す
グラフ、第７図は長波長領域と短波長領域とにおけるフ
ォトン吸収率の５ｎＯｚ膜の膜厚依存性を示すグラフ、
第８図はｐ−１−ｎａ−Ｓｉ太陽電池の量子収集効率の
光の波長依存性を示すグラフ、第９図は量子収集効率を
考慮に入れた場合におけるフォトン吸収率の５ｎ０２膜
の膜厚依存性を示すグラフである。 なお図面に用いた符号において、 １−・−・−・〜・−・・ガラス基板 ２−−−−−−一・・−・−−−−−−−Ｓ ｉ Ｏ２
膜３・−一〜−一−−・−・−・−・−−−−５ｎ Ｏ
ｚ膜４−−−−−−−−−−・−・・−−−−一反応室
１ｔ−−−−−−−−−−−−−−−−−ａ Ｓｔｌ
−ｘ ＣＸ： ８層１５−・−−−−−−−−−−＝
−−−−−ａ −Ｓｔ ： Ｈ層１６−・−・・−一
一一一−・−−−一−μｃ −Ｓｔ層１７’−−−−−
−−−−一〜・−−一〜−一・Ａｌ電極である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 酸化錫から成る透明電極と、アモルファスシリコン層と
、対向電極とをそれぞれ具備するアモルファスシリコン
太陽電池において、 上記透明電極の厚さが５０００〜８０００Åであること
を特徴とするアモルファスシリコン太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60064330A JPS61222282A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60064330A JPS61222282A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61222282A true JPS61222282A (ja) | 1986-10-02 |
Family
ID=13255117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60064330A Pending JPS61222282A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61222282A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1054455A2 (en) * | 1999-05-18 | 2000-11-22 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and substrate for photoelectric conversion device |
| JP2000353814A (ja) * | 1999-06-10 | 2000-12-19 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法及び同薄膜の成膜状態監視装置 |
| JP2008172279A (ja) * | 2008-04-03 | 2008-07-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54141594A (en) * | 1978-04-24 | 1979-11-02 | Rca Corp | Armophous silicon solar battery |
| JPS5857756A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質太陽電池 |
| JPS59201470A (ja) * | 1983-04-08 | 1984-11-15 | Taiyo Yuden Co Ltd | 非晶質シリコン太陽電池 |
-
1985
- 1985-03-28 JP JP60064330A patent/JPS61222282A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54141594A (en) * | 1978-04-24 | 1979-11-02 | Rca Corp | Armophous silicon solar battery |
| JPS5857756A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質太陽電池 |
| JPS59201470A (ja) * | 1983-04-08 | 1984-11-15 | Taiyo Yuden Co Ltd | 非晶質シリコン太陽電池 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1054455A2 (en) * | 1999-05-18 | 2000-11-22 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and substrate for photoelectric conversion device |
| EP1054455A3 (en) * | 1999-05-18 | 2004-04-14 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and substrate for photoelectric conversion device |
| JP2000353814A (ja) * | 1999-06-10 | 2000-12-19 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法及び同薄膜の成膜状態監視装置 |
| JP2008172279A (ja) * | 2008-04-03 | 2008-07-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池 |
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