JPS61216355A - 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線 - Google Patents

半導体素子のボンデイング用Ａｌ線

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JPS61216355A
JPS61216355A JP60058023A JP5802385A JPS61216355A JP S61216355 A JPS61216355 A JP S61216355A JP 60058023 A JP60058023 A JP 60058023A JP 5802385 A JP5802385 A JP 5802385A JP S61216355 A JPS61216355 A JP S61216355A
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福井　康夫
Shinji Shirakawa
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） °本発明は半導体素子のボンディング用Ｎ線、詳しくは
線径２０〜７０μφのボンディング用Ｎ線に関するもの
である。
（従来の技術とその問題点） 従来、一般的に使用されているＡｌｌ線はシリコンチッ
プ電極として蒸着されているＭとで加熱された場合容易
に金属間化合物をつくり、その結果ボンディング強度を
著しく低下させるため該Ａｌｌ線の代替としてシリコン
チップ電極と同種のＭ線が使用されている。
このＮ線は高純度の場合にあっては軟らかすぎて超音波
ボンディング強度が充分に得られないので、その硬さを
増すためと極ｌ１ｌＩ！ｉｌ加工をし易くするために１
．Ｑｗｔ％のシリコン（Ｓｉ）を添加して使用している
。
しかしこのＭ線は化学的に活性金属であることから樹脂
モールドパッケージングしたときに腐蝕しやすい欠点が
あったり、或は酸化し易ずく轟温下で接合させる熱圧着
法には不適であってもっばら超音波接合法により接合作
業が行なわれていた。
而るに従来使用されるＭ線は前述のように高純度（９９
，９％）以上のＮに１ｗｔ％のシリコン（Ｓｉ　）を含
有させたものであるが、このＭ線では再結晶温度が低く
高温、ａ圧下（１２０℃、２気圧）に於ける耐蝕試験（
ｐ　ｒｅｓｓｕｒｅ　　Ｃｏ。
ｋｅｒ　　Ｔ　ｅｓｔ・・・以下ＰＣＴテストと呼ぶ。
）にて容易に粒界から腐蝕してしまうという欠点や不具
合があった。
（発明が解決しようとする技術的課題）本発明が解決し
ようとする第１の技術的課題は、Ｍ線のｍｓ、高圧下に
於ける耐蝕性を向上させることにあり、又第２の技術的
課題はＭ線の高温に於ける強度を増すことにあり、もっ
て超音波圧着法によるボンディング性能を向上させるこ
とである。
（技術的課題を達成するための技術的手段）以上の技術
的課題を達成するための本発明の技術的手段は１゜０ｗ
ｔ％のシリコン（Ｓｉ）を含有せる高純度Ａｌに、０．
００１ｗｔ％〜０．００９ｗｔ％の鉄（Ｆｅ）を含有せ
しめることを特徴とし、さらに１．Ｑｗｔ％のシリコン
（ｓｉ）を含有せる高純度ＮにＯｏＯＯ１ｗｔ％〜０．
００５ｗｔ％の鉄（Ｆｅ）とＯ，００１ｗｔ％〜０．０
０５ｗｔ％のニッケル（Ｎｉ）を含有せしめ、両者の含
有量が０．００２ｗｔ％〜０．０１ｗｔ％にすることで
ある。
上記鉄（Ｆｓ）はＮの高温、高圧下に於ける耐蝕性を強
めるものであり、実験結果によれば含有ｍが０．００１
ｗｔ％未満では耐蝕性向上に効果が現われず、０．００
９ｗｔ％を越えると析出が多くなり断線の原因となる。
またニッケル（ＮＬ）は高温に於ける強度を増すもので
ある。
上記ニッケル（ＮＬ）を鉄（Ｆｅ）の含有量と共にＭに
含有せしめる場合は鉄（Ｆｓ）の含有量が０．００１ｗ
ｔ％未満では耐蝕性向上に効果が現われず、ニッケル（
ＮＬ）の含有量が０．００１ｗｔ％未満では高温に於け
る強度の向上が現われず、両者の総合有量が０．０１１
℃％を越えると純度が低下して析出が多くなり断線の原
因となる。
（発明の効果） 本発明は（１）の構成によりＮ線の耐蝕性の向上を図る
ことが出来、（２）の構成によりＭ線のａ温、高圧下に
於ける耐蝕性及び高温に於ける強度を増すことが出来、
よって超音波圧着法によるボンディング性能を向上させ
ることができる。
（実施例） 各試料は１．０ｗｔ％のシリコン（Ｓｉ　）を含有せし
めたＭ合金を溶解鋳造し、線引加工により線径３０μφ
の極細線としたものである。
下記の表（１）は各試料に添加元素を一定最含有せしめ
てＮ線の高温に於ける強度及び高温。
高圧下に於ける耐蝕性を測定した実験結果を示す。
また別紙の写真はＰＣＴテストの結果を示すＭ線機断面
の顕微鏡写真である。
この結果、鉄（Ｆｅ）の含有量を０．００１〜０．００
９ｗｔ％と選定することによりＭ線の高温、高圧下に於
ける耐蝕性を増すことが出来、さらに鉄（Ｆｅ）とニッ
ケル（ＮＬ）との総計含有量を０．００２ｗｔ％〜０．
００１ｗｔ％と選定することにより高温、高圧下に於け
る耐蝕性及び高温に於ける強度を増すことができること
を確認できた。
【図面の簡単な説明】
第１図は試料ＮＯ，１、第２図は試料 Ｎ００２、第３図は試料Ｎ０５３、第４図は試料Ｎｏ、
４、第５図は試料Ｎ００５、第６図は試料Ｎ００６、第
７図は試料ＮＯ，７、第８図は試料Ｎ００８、第９図は
試料ＮＯ，９、第１０図は試料ＮＯ，１０、第１１図は
試料Ｎ００１１、第１２図は試料Ｎｏ、１２のＰＣＴテ
スト結果を示すＭ線の横断面の顕微鏡写真である。 第１図　　第４図 第３図　　第６図 第７図　　第１０図 第８図　　第１１図 第９図　　第１２図 手続補正書（方式） ％式％ １、　事件の表示 昭和６０年特許願　第５８０２３　　号２、発明の名称 半導体素子のボンディング用Ｉｋｌ線 氏名（名称）　　田中電子工業株式会社４、代理人 住所　東京都文京区白山５丁目１４番７号早川ビル　電
話東京（９４１）　０５３１番（代表）昭和６０年６月
２５日 ６、　補正の対象 １）明細書の図面の簡単な説明の欄 補　　　　正　　　　書 １）　　ＦＪＡ細書中第７頁１２行乃至１９行目の「第
１図は・・・・・・顕微鏡写真である０」を下記の通シ
補正するＯ 「第１図乃至第１２図ｔｉＰｃＴテスト結果を示すＪｄ
線の横断面の顕＠鏡写真であシ、第１図は試料Ｎａｌ、
第２図は試料Ｎ［Ｌ２．第３図は試料−３、第４図は試
料Ｎ１４．第５図は試料ｌｌｌ＆Ｌ５．第６図は試料Ｎ
ａ６　、第７図は試料隘７．第８図は試料Ｎ１８ｅ第９
図は試料Ｎａ９．第１０図は試料隘１０、第１１図は試
料ＩｌＩ＆［Ｌｕ及び第ル図は試料ｌ１ｌｌｋＬＬ２テ
ある。」 特許出願人　　　出中電子工業株式会社代　　理　　人
　　　　早　　　川　　　政　　　名゛・　“、（、、
〕 手続補正書 昭和６０年　９月１２日 ２、発明の名称 事件との関係　　　特　許　出　願　人氏名（名称）　
　　田中電子工業株式会社４、代理人 住　所　　東京都文京区白山５丁目１４番７号早川ピル
電話東京９４６−０５３１番（代表）昭和　　年　　月
　　日 （１）願書の表題の下に「（特許法第３８条ただし書の
規定による特許出願）」と加入補正する。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）１．０ｗｔ％のシリコン（Ｓｉ）を含有せる高純
    度Ａｌに、０．００１ｗｔ％〜０．００９ｗｔ％の鉄（
    Ｆｅ）を含有せしめた半導体素子のボンディング用Ａｌ
    線。
  2. （２）１．０ｗｔ％のシリコン（Ｓｉ）を含有せる高純
    度Ａｌに、０．００１１％〜０．０ ０５ｗｔ％の鉄（Ｆｅ）と０．００１ｗｔ％〜０．００
    ５ｗｔ％のニッケル（Ｎｉ）を含有せしめ、両者の含有
    量が０．００２ｗｔ％ 〜０．０１ｗｔ％であることを特徴とする 半導体素子ボンディング用Ａｌ線。
JP60058023A 1985-03-20 1985-03-20 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線 Granted JPS61216355A (ja)

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JP60058023A JPS61216355A (ja) 1985-03-20 1985-03-20 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線

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Publication Number Publication Date
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JPH0325498B2 JPH0325498B2 (ja) 1991-04-08

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0320054A (ja) * 1989-06-16 1991-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶デバイスの接合方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0320054A (ja) * 1989-06-16 1991-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶デバイスの接合方法

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JPH0325498B2 (ja) 1991-04-08

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