JPS61212163A - 放射線画像情報読取方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、放射線画像変換パネルを輝尽励起用光ビーム
で走査して該放射線画像変換パネルに記録されている放
射線潜偉（画像情報）を読取るようにした放射線画像情
報読取方法及び装置に関する。

（従来技術） Ｘ線等のエネルギーの高い放射Ｓを照射するとそのエネ
ルギーの一部を蓄え、これに可視光や熱を加えると蓄え
たエネルギーを螢光の形で放出する所ｌ１１１ｊｆＩＩ
尽性螢光体がある。このような材料をパネル状に均一に
塗布して放射線画像変換パネル（以後パネルと略称する
）とし、このパネルに放射ｍ画像を撮影記録し、該パネ
ルをレーザ等の輝尽励起光源ビームで走査露光し、発す
る輝尽発光を検出することによりパネルに記録された放
射線画像情報を読取ることができる。

放射線画像情報読取方法は、このパネルの記録情報を読
取る方法であシ、第７図に示すように、放射線源１を出
射し被写体２を透過して放射線（一般にはＸ線）をパネ
ル３に吸収せしめ、然る後、この放射線画像の記録され
たパネルを輝尽励起用光ビームで輝尽励起して、輝尽性
螢光体に蓄積されている放射線エネルギーを輝尽発光と
して放射せしめ、この輝尽発光を検出して放射４！画像
情報を得るようにしたものである。第８図乃至第１１図
は従来のこの種の方法及び装置の列を示す図である。＠
８図は輝尽励起光源１１から発射される輝尽励起用光ビ
ームをダイクロイックフィルタ稔を通してパネル１３に
照射し、そのとき発する輝尽発光をダイクロイックフィ
ルタ１２で受けて反射させ、その反射光をレンズ１４で
集光した後、更にフィルタ１５で螢光成分（輝尽発ｆｔ
、）のみ抽出して光電変換素子１６で画像情報を電気信
号として検出するようにしている（阿見）ば、′・米国
特許３，８５９゜５２７号）。このような方法及び装置
は、以下に示すような不具合を有している。

■ダイクロイックフィルタ１２で輝尽励起用光ビームが
減員されること。

■輝尽発光は拡散的に発光するので、ダイクロイックフ
ィルタ１２での反射効率がかなり低下すること。

■輝尽励起用光ビームをパネル１３の幅全体にわたって
走査しようとすると、レンズ１４．フィルタ１５及び光
電変換素子１６の寸法が大きくなること。

■輝尽発光の受光立体角を大きく取れないこと。

第９図は輝尽励起光源（図示せず）から発射される輝尽
励起用光ビームをミラー２１で受け、その反射光をパネ
ル１３　（Ｍ　８図と同一部分には同一符号を付して示
す。以下同じ）に照射し、そのとき発する輝尽発光をフ
ィルタ１５を介して光電変換素子１６に導き、該光電変
換素子１６で画像情報を電気信号として検出するように
している。この方法及び装置は、以下に示すような不具
合を有している。

■ミラー２１のために、鰻も輝尽発光の強いパネル１３
の法線方向近辺の成分を画像信号として用バることがで
きないこと（法線方向近辺の成分はミラー２１にさえぎ
られて光電変換素子Ｉ６に到達することができない）。

■輝尽励起用光ビームを走査しようとすると、フィルタ
１５及び光電変換素子１６として大きな寸失のものを用
いる必髪があること。

第１０図は輝尽励起光源１１から発射さルる輝尽励起用
元ビームを真上から偏向器３１で主走査方向に振り、パ
ネル１３に照射し、そのとき発する輝尽発光を両脇から
シート状の光伝導体３２　、３３で光電変換素子１６に
導くようにしている（例えば、特開昭５５−８７９７０
号）。このような光伝導体３２゜３３を用いることによ
り、元ビームを走査したときの検出効率を高めることが
できる。しかしながら、・　　この方法及び装置は以下
に示すような不具合を有している。

■パネル１３で発生した輝尽発光のうち、最も輝尽発光
の強いパネルの法線方向近辺の成分を検出することがで
きないこと。この点については第９図の列と同じである
。

■光伝導体３２　、３３を用いていること等により構成
が複雑ＶＣなること。

＄１１図は第１０図に示す装置の片方の光伝導体３３を
反射ミラー４１で置換したものである。パネル１３で発
生した輝尽発光の一部は、反射ミラー４１で反射して光
伝導体３２に入った後、光電変換素子１６に導かれるよ
うになっている（例えば特開昭５６−１１３９８号）。

この方法も１１０図に示す装置と同様、以下に示すよう
な不具合を有しでいる。

■パネル１３の法線方向の輝尽発光成分を検出すること
ができないこと。

■反射ミラー４１の形状や調整がきわめて複雑であるこ
と。

一方これに対し水出願人Ｆｉ既ＶＣ特願昭５９−２１２
６５号において、前述のような放射線画像情報読取方法
及び装置における従来の欠点を改良した新規な放射線画
像情報読取装置として、前記輝尽励起用光ビームがパネ
ルの法線方向に対し一定の傾きをもって照射されるよう
にし、且つ前記輝尽発光の集光面がパネルの法線方向に
対して略直角になるように構成された放射線ｍＪ偉情報
読取装置を提案している。パネルからの輝尽発光は完全
拡散光に近く、その強度は第１２図に示すような角度依
存性を示すので、この装置によれば輝尽発光の最も強い
パネルの伝線方向近辺の成分を効率的に集光でき、Ｓ／
Ｎ比の良い放射線画像が得られると同時に輝尽発光検出
面を簡略化することができる。

しかしながら前記放射線画像情報読取方法及び装置にお
ける輝尽発光の集光効率の向上、すなわちＳ／Ｎ比の良
い放射線画像の安水は更に厳しくなって来ている。

（発明の目的） 本発明は前記提案の放射線画像情報読取方法及び装置に
関連し、これをさらに改良するものであり、本発明の目
的は輝尽発光の集光効率が高く、Ｓ／Ｎ比の良い放射線
画像を与える放射線画像情報読取方法を提供することに
ある。

また、前記目的に並んでの本発明の目的は、前記目的を
満足する放射線画像情報読取装置を提供することにある
。

（発明の構成） 前記本発明の目的は、輝尽性螢光体層を有するパネルに
輝尽励起用元ビームを走査露光したとき、発する輝尽発
光を検出することにより該パネルに記録された放射線潜
＠を読取るようにした放射線画像情報読取方法において
、前記輝尽励起用光ビームは前記パネルの法線方向に対
し一定の傾きをもって照射されるようにし、且つ前記輝
尽発光の集光面は前記パネルの法線方向に対して略直角
になるように構成されていると同時に前記パネルの少く
とも表面には結着剤を含有していな、い輝尽性螢光体層
を有することを特徴とする放射線画像情報読取方法及び
装置によって達成することができる。

第１図は本発明に用いられるパネルからの輝尽発光強度
の角度依存性を示している。

図において、Ｘは法線方向を示し、曲線Ｃで囲まれた複
数の矢印は、その角度θにおける輝尽発光強度を示して
いる（第１２図と同記号は同じ意味である）。

同図より明らかなように本発明に用いられる、輝尽性螢
光体層に結着剤を含有しないパネルは、従来の方法に用
いられるパネルより輝尽発光強度の角度依存性が著しく
強い。即ち、本発明に用いられるパネルからの輝尽発光
は完全拡散光とはならずパネルの法線方向に対する指向
性が強く、このため前記輝尽発光の集光面を前記パネル
の法線方向に対して略直角となるように位置させると効
率よく輝尽発光を集光することができる。

本発明に係わる結着剤を含有しない輝尽性螢光体層の製
造方法は気相堆積法が好しい。

次に前記気相堆積法について説明する。

１１の方法として真空蒸着法がある。該方法に於いては
、まず支持体を蒸着装置内に設置した後装置内を排気し
て１０−’　Ｔｏｒｒ　　程度の真空度とする。

次いで、前記輝尽性螢光体の少なくとも一つを抵抗加熱
法、エレクトロビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記
支持体表面に輝尽性螢光体を所望の厚さに堆積させる。

この結果結着剤を含有しない輝尽性螢光体層が形成され
るが、前記蒸着工程で＃ｉ複数回に分けて輝尽性螢光体
層を形成することも可能である。また、前記蒸着工程で
は複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロビームを用いて
共蒸着を行うことも可能である。

また、前記真空蒸着法においては、輝尽性螢光体原料を
複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて
共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性螢光体を合成す
ると同時に輝尽性螢光体層を形成することも可能である
。

さらに前記真空蒸着法においては、蒸着時必要に応じて
被蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却おるいは加熱
してもよい。また、蒸着終了後輝尽性螢光体層を加熱処
理してもよい。

＠２の方法としてスパッタ法がある。該方法においては
、蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に設置した後
装置内を一旦排気して１０″′’　Ｔｏｒｒ程【の真空
度とし、次いでスパッタ用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ　　
ｗの不活性ガスをスパッタ装置内に導入して１０−”　
Ｔｏｒｒ　　程度のガス圧とする。

次に前記輝尽性螢光体をターゲットとして、スパッタリ
ングすることにより、前記支持体表面に輝尽性螢光体を
所望の厚さに堆積させる。

前記スバツタ工程では真空蒸着法と同様に複数回に分け
て輝尽性螢光体層を形成することも可能であるし、また
それぞれ異なっ九輝尽性螢光体からなる複数のターゲッ
トを用いて、同時あるいは順次、前記ターゲットをスパ
ッタリングして輝尽性螢光体層を形成することも可能で
ある。

前記スパッタ法においては、複数の輝尽性螢光体原料を
ターゲットして用いこれを同時あるいは順次スパッタリ
ングして、支持体上で目的とする輝尽性螢光体を合成す
ると同時に輝尽性螢光体層を形成することも可能である
。また、前記スパッタ法においては、必要に応じて０．
　、　Ｈ，等のガスを導入して反応性スパッタを行って
もよい。

さらに前記スパッタ法においては、スパッタ時必要に応
じて被蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるいは
加熱して本よい。またスパッタ終了後輝尽性螢光体層を
加熱処理してもよい。

第３の方法としてＣＶＤ１がある。該方法は目的とする
輝尽性螢光体あるいは輝尽性螢光体原料を含有する有機
金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解する
ことにより、支持体上に結着剤を含有しない輝尽性螢光
体層を得る。

本発明に係る気相堆積法による輝尽性螢光体層は透明性
に優れており、輝尽発光の輝尽螢光体層中での散乱が抑
制されるのでパネルの法線方向に対する輝尽発光の指向
性が一段と強くなる。

更に前記気相堆積法による輝尽性螢光体層は透明性がよ
いので、輝尽励起光及び輝尽発光の透過性が高く、従来
の塗設法による輝尽性螢光体層より層厚を厚くすること
が可能であり、放射線に対して一層高感度となる。

更に前記気相堆積法による輝尽性螢光体層は結着剤を含
んでいないので輝尽性螢光体の附看量（充填率）が従来
の輝尽性螢光体を塗設した輝尽性螢光体層の約２倍あり
、輝尽性螢光体層単位厚さ当たりの放射線吸収率が向上
し放射線に対して高感度となるばかりか、画像の粒状性
が向上する。

本発明に係わる微細柱状ブロック構造を有する輝尽性螢
光体層には種々の形態、作成法がある。

その典型的な例によって該構造を説明する。

第２図及び第３図に於て支持体１１００表面に支持体若
しくは支持体面に設けた素地層をホトレジスト等を利用
する写真蝕刻法或は陽極酸化アルミニウムの封孔処理及
び封孔処理に続く加熱処理によって見られる周囲に凹地
（ｌｌｌｉｊ）ｉめぐらした微細タイル状台地１１１１
ｊパターンを形成し、夫々の１ｌｌｌｊＯ上に好ましく
は気相堆積法によって、第３図に示す如く周囲にフレバ
ス（１１２１ｊ　）　をめぐらした微細柱状或は倒立截
頭錐体−状ブロック１１２ｉｊ　　を生長させ微細柱状
ブロック構造を有する輝尽性螢光体層１１２が見られる
。必要によっては保護層１１３が設けられる。

前記微細柱状ブロック構造を有する輝尽性螢光体層は、
微細柱状ブロック構造の光誘導効果により輝尽発光が柱
状ブロック内面で反射を繰り返し、柱状ブロック外に散
逸することなく輝尽性螢光体層の表面に導びかれ、輝尽
性螢光体の屈折率と空気の屈折率とによって定まる出射
角で輝尽性螢光体層表面から放出されるのでパネルの法
線方向に対する輝尽発光の指向性が更に一段と強くなる
。

また前記微細柱状ブロック構造を有する輝尽性螢光体層
は、同様の光誘導効果により、輝尽励起光が柱状ブロッ
ク内面で反射を繰り返し、柱状ブロック外に散逸するこ
とが少ないので、従来のパネルに比較して画像の鮮鋭性
が向上すると共に輝尽性螢光体の層厚の増大にともなう
鮮鋭性の低下を小さくすることが可能である。

本発明　　　　　　°　　において輝尽性螢光体とは、
最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された後に
、光的、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺激（
輝尽励起）により、最初の光もしくは高エネルギー放射
線の照射量に対応した輝尽発光を示す螢光体を言うが、
実用的な面から好ましくは５００ｎｍ以上の輝尽励起光
によって輝尽発光を示す螢光体である。不発明和用いら
れるパネルに使用される４６輝尽性螢光体としては、例
えば特開昭４８−８０４８７号に記載されているＢａ８
０４：Ａｘ（但しＡはＤｙ　、Ｔｂ及び’ｒｍのうち少
なくとも１種であり、Ｘは０．００１≦Ｘ＜１モル％で
ある。）で表わされる螢光体、特開昭４８−８０４８８
号記載のＭｇＳＯ４：　ＡＸ　（但しＡはＨｏ或いはＤ
７のうちいづれかであり、０．００１≦Ｘ≦１　モル％
である）で表わされる螢光体、特開昭４８−８０４８９
号に記載されているＳｒＳＯ４：　Ａｘ　（但しＡはＤ
ｙ　＊　Ｔｂ及びＴｍのうち少なくとも１種であり、Ｘ
は０．００１≦Ｘ＜１　モル％である。）で表わされて
いる螢光体、特開昭５１−２９８８９号に記載されてい
るＮａ１８０４　、　ＣａＳＯ４及びＢａＳＯ４等にＭ
ｕ。

Ｄｙ及びＴｂのうち少なくとも１種を添加した螢光体、
特開昭５２−３０４８７号に記載されているＢｏｏ　、
　ＬｉＦ　。

Ｍｇ５Ｏ，及びＣａＦｌ等の螢光体、特開昭５３−３９
２７７号に記載されているＬｉ！Ｂａ０７　：　Ｃｕ　
＃　Ａｌ１等の螢光体、特開昭５４−４７８８３号に記
載されているＬｌｌｏｌｌ（Ｂ１０１）ｘ：Ｃｕ　　（
但しｘＦｉ２〈ｘ≦３）、及びＬｉ１Ｏｅ　（Ｂ２Ｏ２
）ｘ　：Ｃｕ　、　Ａｇ（但しｘＦ′ｉ２くｘ≦３）等
の螢光体、米国特許３，８５９，５２７号に記載されて
いる８ｒＳ　：　Ｃａ　、　ａｍ、　Ｓｒ８：Ｋｕ　＊
　Ｓｍ、　Ｌａ１Ｏ１Ｓ　：　Ｅｕ　＃　Ｓｍ及び（Ｚ
ｎ　＋　Ｃｄ　）　Ｓ　：　Ｍｎ　＋Ｘ（但しＸはハロ
ゲン）で表わされる螢光体が挙げられる。また、特開昭
５５−１２１４２号に記載されているＺｎ８　：　Ｃｕ
　＋　Ｐｂ螢光体、一般式がＢａＯ＊　ｘＡＪｔｏｓ　
：Ｋｕ　　（但し０．８≦Ｘ≦１０）で表わされるアル
ミン酸バリウム螢光体、及び一般式がＭＯ・ｘ８ｉ０１
　：　Ａ（但しＭｌ　　はＭｇ　＊　Ｃａ　＋　Ｓｒ　
＠　Ｚｎ　＊　ｃｄ又はＢａでありＡはＣ＠、Ｔｂ、Ｅ
ｕ、Ｔｍ＊Ｐｂ、ＴＪ、Ｂｌ及びＭｎのうち少なくとも
１種であり、Ｘは０．５≦ｘ　＜　２．５である。）で
表わされるアルカリ土類金属珪酸塩系螢光体が挙げられ
る。また、一般式が （Ｂａ、−ｘ−、ＭｇｚＣａｙ　）　Ｆ’Ｘ　、ｅｍｕ
（但しＸはＢｒ及びＣ１の中の少なくとも１つであり、
ｘ、ｙ及び・はそれぞれＯ〈ｘ　＋　ｙ≦０．６、ＸＦ
ＳＯ及び１０　　≦・≦５×１０　　なる条件を満たす
数である。）で表わされるアルカリ土類弗化ハロゲン化
物螢光体、特開昭５５−１２１４４号に記載されている
一般式が ＬｎＯＸ　：　ＸＡ （但しＬｎはＩＪ　Ｉ　Ｙ　Ｉ　Ｇｄ及び砂の少なくと
も１つを、Ｘは（Ｊ及び／又はＢｒを１ＡはＣｏ及び／
又はＴｂを１Ｘは０（ｘ（０，１１＆：満足する数を表
わす。）で表わされる螢光体、特開昭５５−１２１４５
号に記載されている一般式が （Ｂ息、−ｘ　Ｍ’ｘ　）ＦＸ　：　　ＹＡ（但しＭｌ
は、Ｍｇ　ａ　Ｃａ　＊　Ｓ　ｒ　＃　ＺＩａびＣｄの
うちの少なくとも１つｔ’　、Ｘ　ｒｉＣｌ　、　Ｂｒ
及び工のうちの少なくとも１つを、ＡはＫｕ、Ｔｂ＋Ｃ
Ｉ＋ＴｍｔＤｙｓＰｒ、Ｈｏ、Ｎｄ＊Ｙｂ及びＥｒのう
ちの少なくとも１つを、ｘ及びｙは０≦Ｘ≦０．６及び
０≦ｙ≦０．２なる条件をＷたす数を表わす。）で表わ
される螢光体、特開昭５５−８４３８９号に記載されて
いる一般式がＢａＦＸ　：　ｘｃ・。

７Ａ　　（但し、ＸはＣＬＢｒ及び工のうちの少なくと
も１つ、ＡはＩ　ｎ　ｌ　ＴＩ　Ｉ　Ｇｄ　＃　Ｓｔｎ
及びＺｒのうちの少なくとも１つであり、Ｘ及びｙはそ
れぞれＯ＜　ｘ≦２Ｘ１０−’及び０＜ｙ≦５Ｘ１０−
’である。）で表わされる螢光体、特開昭５５−１６０
０７８号に記載されている一般式が Ｍ’ＦＸ　　＠　ＸＡ　　：　　ｙＬｎ（但しＭ厘はＭ
ｇ、Ｃａ１３ａ、Ｓｒ、ｚｎ及びＣｄのうちの少なくと
も１種、ＡはＢｏｏ、ＭｇＯ，Ｃａｂ、　ＳｒＯ，Ｂａ
ｄ、　ＺｎＯ。

”ｌｔＯｍ　ａ　ｙｔｏｓ　ｓ　Ｌ＆ｔＯｍ　ａ　Ｉ　
ｎｔｏｓ　ａ　Ｓ　ｔｏ、　ｓ　’ｒｔｏ、　Ｉ　Ｚｒ
Ｏ，、Ｇｅ０１　。

８ｎＯ＊　ｌ　Ｎｂ、ｏ、　ｅ　Ｔａ１Ｏ，及び’ｒｈ
ｏｔのうちの少なくとも１種、Ｌｎ　ｔｉｔ　Ｅｕ　、
　Ｔｂ　、　Ｃｅ　、　Ｔｍ　、　Ｄｙ　ｌ　Ｐｒ　ｌ
　Ｈａ　、　Ｎｄ　、　Ｙｂ　、　Ｋｒ　１８ｍ及びＧ
ｄ　のうちの少なくとも１種であり、ＸはＣ／、Ｂｒ及
び工のうちの少くとも１種であり、Ｘ及びｙはそれぞれ
５刈０−５≦Ｘ≦０．５　及び０＜ｙ≦０．２なる条件
を満たす数である。）で表わされる希土類元素付活２価
金属フルオロハライド螢光体、一般式がＺｎＳ　：Ａ、
　ＣｄＳ　：Ａ％　　（Ｚｎ、Ｃｄ　）　Ｓ　：ＡＸＺ
ｎＳ：Ａ、Ｘ及びＣｄＳ：Ａ、Ｘ（但しＡはＣｕ　ｌ　
Ａｇ　、　Ａｕ　、又はＭｎであり、Ｘはハロゲンであ
る。）で表わされる螢光体、特開昭５７−１４８２８５
号に記載されている下記いづれかの一般式 ％式％ニア （式中、Ｍ及びＮはそれぞれＭｇ　＋　Ｃａ　＋　Ｓ　
ｒ　＊　Ｂａ　、　Ｚｎ及びＣｄのうち少なく□とも１
種、Ｘは’　＋　Ｃｌ　ｅ　Ｂ　ｒ　　及びＩのうち少
なくとも１種、ＡはＥｕ，Ｔｂ，Ｃ＠，Ｔｍ。

Ｄｙ．Ｐｒ，Ｈｏ．Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｓｂ，ＴＪＩ’
，Ｍｎ及びＳｎのうち少なくとも１種を表わす。また、
Ｘ及びｙはＱ　（　ｘ≦６、０≦ｙ≦１なる条件を満た
す数である。）で表わされる螢光体、下記いづれかの一
般式％式％： （式中、ＲｅはＬａ＋Ｇｄ＋Ｙ，Ｌｕのうち少なくとも
１種、Ａはアルカリ土類金属、Ｂａ　、　Ｓｒ　、　Ｃ
ａのうち少なくとも１橿、Ｘ及びＸ′はＦ　＋　Ｃｌ　
ｌＢｒのうち少なくとも１種を表わす。また、Ｘ及びｙ
は、ＩＸＩＯ−’＜Ｘ＜３刈０−１、ＩＸＩＯ−’　＜
ｙ＜１刈０−１なる条件を満九す数であり、ｎ　／　ｍ
は１刈０−”　（ｎ／ｍ（７Ｘ１０−’なる条件を満た
す。）で表わされる螢光体、および下記一般式 ％式％： （但し、Ｍ’Ｆ’ｉ　Ｌｌ，Ｎａ，に、ＲｈおよびＣ１
１から選ばれる少くとも１種のアルカリ金属であり、Ｍ
ＩはＢｅ　＠　Ｍｇ　ａＣａ　、　Ｓｒ　、　Ｂａ　、
　Ｚｎ　、　Ｃｄ　、　ＣｕおよびＮｉから選ばれる少
なくとも１種の二価金属である。Ｍｌはｓｃ，Ｙ＋Ｌａ
＋Ｃｅ＋Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，　Ｓｍｌｕ＋ＧｄｔＴｂ＋
Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ。

ＡＪ．ＧａおよびＩｎから選ばれる少なくとも１種の三
価金属である。ｘ　、　ｘ’およびＸ″はＦ，（Ｊ，Ｂ
ｒおよびＩから選ばれる少なくとも１種のハロゲンであ
る。

ムはＫｕ　＊　Ｔｂ　、　Ｃｏ　＊　Ｔｍ　＊　Ｄｙ　
＊　Ｐｒ　ｈ　Ｈａ　、　Ｎｄ　ｒ　Ｙｂ　＋　Ｅｒ　
、　Ｇｄ　。

Ｌｕ　ｔ　Ｓｍ　ｌ　Ｙ　＃　ＴＪ　＃　Ｎａ　ｊ　Ａ
ｇ　ｌ　ＣｕおよびＭｇから選ばれる少なくとも１種の
金属である。またａは、０≦ａ≦０．５の範囲の数値で
あり、ｂａｏ≦ｂ　（０．　５の範囲の数値であり、Ｃ
は０（ｃ≦０．２の範囲の数値である。）で表わされる
アルカリハライド螢光体等が挙げられる。特にアルカリ
ハライド螢光体は、蒸着、スパｙり等の方法で輝尽性螢
光体層を形成させやすく好ましい。

しかし、本発明に用いられるパネルに便用される輝尽性
螢光体は、前述の螢光体に限られるものではなく、放射
線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発光を
示す螢光体であれぽいか麦る螢光体であってもよい。

前記輝尽性螢光体は支持体上に結着剤を用いないで層状
に堆積され、輝尽性螢光体層とし、本発明のツメネルが
作成される。

本発明に用いられるパネルの輝尽性螢光体層は前記の輝
尽性螢光体の少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ
以上の輝尽性螢光体層から成る輝尿性螢光体層群であっ
てもよいが、パネルの少なくとも表面には結着剤を含有
していない輝尽性螢光体層を有する必要がある。また、
それぞれの輝尽性螢光体層に含まれる輝尽性螢光体に同
一であってもよいが異っていてもよい。

本発明に用いられるパネルは必要に応じて支持体が設げ
られてもよい。支持体と【７ては各種高分子材料、ガラ
ス金属等が用いられるが、特に情報記録材料としての取
扱い上可撓性のあるシートあるいはロールに加工できる
ものが好適であり、この点カら例えばセルロースアセテ
ートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテ
レフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミ
ドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネイ
トフィルム等のプラスチックフィルム、アルミニウムシ
ート、鉄シート、鋼シート等の金属シート或は該金属酸
化物の被覆層を有する金属シートが好ましい。

これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性螢
光体層との接着性を向上させる目的でマット面としても
よい。また、支持体の表面は凹凸面としてもよいし、隔
絶されたタイル状板を敷きつめた構造でもよい。

さらにこれら支持体は、輝尽性螢光体Ｉ―との接着性を
向上させる目的で輝尽性螢光体層が設けられる面に下引
層を設けてもよい０筐た１これら支持体の層厚は用いる
支持体の材質等によって異なるが、一般的には（資）μ
ｍ−２０００μｍであり、取扱い上の点からさらに好ま
しくは（資）μｍ〜１０００μｍテアルＯ不発明に用い
られるパネルにおいては、一般的に前記輝尽性螢光体ｊ
−の支持体が設けられる面とは反対側の面に、輝尽性螢
光体層を物理的にあるいは化学的に保護するための保護
層が設けられてもよい。この保護層は、保画層用塗■液
を輝尽性螢光体層上に直接塗布して形成してもよい【−
１あるいはあらかじめ別１途形成した保護層を輝尽性螢
光体層上に接着してもよい。保護層の材料としてハ酢酸
セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、
ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリエチレン、塩化ビニリデン、ナイロン、
エポキシ樹脂等の通常の保護層用材料が用いられる。

また、この保護層は真空蒸着法、スパッタ法等により、
ＳＩＣ，５ｉＯ１、ＳＩＮ、　ｋ４０ｓなどの無機物質
を積層して形成してもよい。これらの保護層の層厚は一
般には０．１μｍ〜１００μｍ程度が好ましい。

本発明に用いられる輝尽励起光源としては、パネルに使
用される輝尽性螢光体の輝尽励起波長を含む光源が使用
される。特にレーザ光を用いると光学系が簡単になり、
又、輝尽励起光強度を大きくすることができるために輝
尽発光効率をあげることができ、より好ましい結果が得
られる。レーザとしては、Ｈｅ−Ｎｏレーザ、Ｈｅ　−
Ｃｄレーザ、Ａｒイオンレーザ、Ｋｒイオンレーザ、Ｎ
、レーザ、ＹＡＧレーザ及びその第２高調波、ルビーレ
ーザ、半導体レーザ、各種の色素レーザ、銅蒸気レーザ
等の金属蒸気レーザ等がある。通常はＨ・−Ｎｏレーザ
や半導体レーザのような連続発振のレーザが司ましいが
、パネル１画素の走査時間とパルスを同期させればパル
ス発振のレーザを用いることもできる。

又、フィルターを用いずに特開昭５９−２２０４６号に
示される発光の遅れを利用して分離する方法によるとき
は、連続発振レーザを用いて変調するよりもパルス発振
のレーザを用いる方が好ましい。

上記の各種レーザ光源の中で、半導体レーザは小型で安
価であり、しかも変調器が不要であるので特に好ましい
。

以下、図面を参照し本発明の詳細な説明する。

第４図は本発明装置の輝尽発光検出部の一構成を示す図
である。図において、１３は前述したパネル、５１は該
パネル１３からの光のうち、輝尽発光成分のみ全抽出す
るフィルタ、５２は該フィルタ５１ヲ通過した螢光を受
けて、゛電気信号に変換する光検出器である。該光検出
器５２は、前述した光電変換素子の組合せより構成され
ている。田は集光面で、フィルタ５１０表面がこれに相
当する。該集光面５３は、パネル１３の法線ｎに対して
略々直角になるように配されている。このように構成さ
れた装置の動作を説明すれば、以下の通りである。

輝尽励起用光ビームがパネル１３の法線ｎに対して角θ
をもって入射し、パネル面のＡ点に照射すると、Ａ点付
近からは図に示すような輝尽発光が発する。この輝尽発
光は、集光面間に入射する。

該集光面５３は、フィルタ面であるので、入射した光の
うち輝尽励起用元ビームの反射光は阻止され輝尽発光の
みがフィルタ５１を透過する。フィルタ５１　を透過し
た輝尽発光は、光検出器５２により電気信号に変換され
念後、処理装置（図示せず）で画像処理や像の再構成が
行われる。

この場合において、輝尽発光の強度は前記第１図のよう
な角度依存性をもっている。即ち、法線方向（θ＝００
）の成分が最も輝尽発光強度が大きい。尚、輝尽励起用
光ビームの反射光は、第５図に示すように反射角θの方
向が最大となり角度からずれるに従って急速に光強直が
減衰することが確認され喪。この反射光が集光面に入射
すると輝尽発光との分層が困難となるので反射角θ、す
なわち輝尽励起用光ビームの入射角θは大きい方がヨイ
。マタこの反射光は、パネル１３のパネルノ表面状態に
強く依存し、平滑度が高い程この傾向は強くなる。平滑
度は通常高い方が画像の粒状性を上げるうえで好ましく
、反射光の角度依存性は強く現われる。但し、輝尽励起
用光ビームの入射角θを大きくしていくにつれて元ビー
ムの照射ビーム径を絞るのが困難になること、光ビーム
の表面反射が大きくなり励起効率が低下してくる等の理
由により入射角θとしては３０’　乃至６０’　の範囲
が適当である。

このように、第５図に示す実施例によれば、集光面＆の
集光面積あたり、最も効率的に輝尽発光を検出すること
ができ、且つ輝尽励起用元ビームの反射光が直接集光面
５３に入らないので、輝尽発光との分屋が容易になる。

ま走輝尽励起用光ビームを妨げるものが何もないので、
輝尽励起用光ビームの利用効率が良い等の効果を得るこ
とができる。

第６図は本発明装置の一実施例を示す構成図である。図
において、第４図と同一部分には同一符号を付して示す
。第４図では、パネル１３の輝尽発光を直接光検出器５
２に取込んでいたが、第６図の場合、光伝導体６１で光
検出器５２まで導いている点が異なっている。６２は入
射した輝尽励起用光ビームを主走査方向（図の２方向］
に振り分ける偏向ミラーである。このように構成された
装置の動作を説明すれば、以下の通りである。

輝尽励起用光ビームは、偏向ミラー６２により偏向され
ながら主走査方向（図の２方向）に、且つパネル１３の
法線方向に対しである一定の傾きで照射される。輝尽励
起用光ビームによって照射されたパネル１３は輝尽発光
を発する。この輝尽発光は光伝導体６１により光検出器
５２に導かれる。この場合の集光面は、光伝導体６１の
一方の断面６３であり、走査線を中心として、パネル１
３と略々平行と彦るように設置されている。集光面の走
査方向（２方向〕の長さは、パネル１３の幅と同じか長
くなるように設計されており、走査周辺での検出効率の
低下を防いでいる。光伝導体６１の他方の断面はフィル
タ５１に密着しており、該フィルタ５１の他方の面は光
検出器５２に接しているので光の損失がない。

光伝導体として、例えばプラスチックファイバを用いる
と検出効率を向上させることができる。尚光伝導体はプ
ラスチックシートラ加工して形成してもよい。

（発明の効果） 以上述べて来たように本発明の如く、表面に結着剤を含
まない輝尽性螢光体層をパネルに設け、輝尽励起光の入
射方向を該パネル法線に関しθにとりその反射方向を輝
尽発光強度の最も強いパネル法線方向からはずし、且つ
発生した輝尽発光は最も有利な該法線方向に於て取出す
ことを可能ならしめ、更に好ましくは光誘導性を有する
微細柱状ブロック構造の輝尽性螢光体層を形成Ｌ　、更
には輝尽励起光としてレーザを用いることＫよって、本
発明は以下に示す効果がある。

（１）　　ｙｌｉ尽発光発光集光効率が著しく高いため
、放射線に対【７高感度となるばかりか得られる放射線
画像のＳ／Ｎ比が向上する。

（２）輝尽励起光と輝尽発光の分離性が良く放射線画像
のＳ／Ｎ比が向上する。

（３）輝尽発光の集光手段が単純であり、読取装置の小
型化、低価格化が可能となる。

本発明はこのように優れた放射線画像情報読取方法及び
装置を提供でき、工業的に非常に有用なものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に用いる放射線画像変換パネルの輝尽発
光強度の角度依存性を示す。 第２図及び第３図は微細柱状ブロック構造の輝尽性螢光
体の構成説明図である。。 第４図は本発明の輝尽発光検出部の構成を示す図、第５
図は本発明の一実施例の輝尽励起光の反射散乱性を示す
図である。 第６図は本発明の装置の一実施例を示す。 第７図乃至第１１図は従来の方法、装置の例を示す図で
ある。 また第１２図は従来の放射線画像変換パネルの輝尽性螢
光体層からの輝尽発光強度の角度依存性を示すものであ
る。 １．１１・・・放射線源、　　　２゛°゛°゛被写、】
３・・・放射線画像変換パネル、１２・・・グイクロイ
ックフィルタ、１４・・・レンズ、１５．５１・・・フ
ィルタ、１６・・・光電変換素子、２】・・・ミラー、
３１・・・偏向器、３２．３３．６１・・・光伝導体、
４１・・・反射ミラー、５２・・・光検出器、５３．６
３・・・集光面、６２・・・偏向ミラー、 １１２目・・・微細柱状ブロック、 １１２・・・輝尽性螢光体層。 特許出願人　　小西六写真工業株式会社第１図 （ｂ） 第２図 第４図 第６図 第７図 第８図 第９図 第１Ｏ図

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）輝尽性螢光体層を有する放射線画像変換パネルに
   輝尽励起用光ビームを走査露光したとき、発する輝尽発
   光を検出することにより該放射線画像変換パネルに記録
   された放射線潜像を読取るようにした放射線画像情報読
   取方法において、前記輝尽励起用光ビームは前記放射線
   画像変換パネルの法線方向に対し一定の傾きをもって照
   射されるようにし、且つ前記輝尽発光の集光面は前記放
   射線画像変換パネルの法線方向に対して略直角になるよ
   うに構成されていると同時に前記放射線画像変換パネル
   の少くとも表面には結着剤を含有していない輝尽性螢光
   体層を有することを特徴とする放射線画像情報読取方法
   。
2. （２）前記結着剤を含有していない輝尽性螢光体層が気
   相堆積法によって製造されていることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の放射線画像情報読取方法。
3. （３）前記結着剤を含有していない輝尽性螢光体層が該
   輝尽性螢光体層の層厚方向に対し微細柱状ブロック構造
   を有していることを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
   たは第２項記載の放射線画像情報読取方法。
4. （４）前記輝尽励起用光ビームがレーザであることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項記載の放射線
   画像情報読取方法。
5. （５）前記レーザが半導体レーザであることを特徴とす
   る特許請求の範囲第４項記載の放射線画像情報読取方法
   。
6. （６）輝尽性螢光体層を有する放射線画像変換パネルに
   輝尽励起用光ビームを走査したとき発する輝尽発光を検
   出することにより該放射線画像変換パネルに記録された
   放射線潜像を読取るようにした放射線画像情報読取り装
   置において、前記輝尽励起用光ビームは、少くともその
   表面には結着剤を含有しない輝尽性螢光体層を有する放
   射線画像変換パネルの法線方向に対し一定の傾きをもっ
   て照射されるようにし、且つ前記輝尽発光の集光面は前
   記放射線画像変換パネルの法線方向に対して略直角にな
   るように構成された放射線画像情報読取装置。
7. （７）前記結着剤を含有しない輝尽性螢光体層が気相堆
   積法によって製造されていることを特徴とする特許請求
   の範囲第６項記載の放射線画像情報読取装置。
8. （８）前記結着剤を含有していない輝尽性螢光体層が該
   輝尽性螢光体層の層厚方向に対し微細柱状ブロック構造
   を有していることを特徴とする特許請求の範囲第６項ま
   たは第７項記載の放射線画像情報読取装置。
9. （９）前記輝尽励起用光ビームがレーザーであることを
   特徴とする特許請求の範囲第６項乃至第８項記載の放射
   線画像情報読取装置。
10. （１０）前記レーザが半導体レーザであることを特徴と
    する特許請求の範囲第９項記載の放射線画像情報読取装
    置。