JPH0468614B2 - - Google Patents
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- JPH0468614B2 JPH0468614B2 JP60053168A JP5316885A JPH0468614B2 JP H0468614 B2 JPH0468614 B2 JP H0468614B2 JP 60053168 A JP60053168 A JP 60053168A JP 5316885 A JP5316885 A JP 5316885A JP H0468614 B2 JPH0468614 B2 JP H0468614B2
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、放射線画像変換パネルを輝尽励起用
光ビームで走査して該放射線画像変換パネルに記
録されている放射線潜像（画像情報）を読取るよ
うにした放射線画像情報読取方法及び装置に関す
る。
光ビームで走査して該放射線画像変換パネルに記
録されている放射線潜像（画像情報）を読取るよ
うにした放射線画像情報読取方法及び装置に関す
る。
（従来技術）
Ｘ線等のエネルギーの高い放射線を照射すると
そのエネルギーの一部を蓄え、これに可視光や熱
を加えると蓄えたエネルギーを螢光の形で放出す
る所謂輝尽性螢光体がある。このような材料をパ
ネル状に均一に塗布して放射線画像変換パネル
（以後パネルと略称する）とし、このパネルに放
射線画像を撮影記録し、該パネルをレーザ等の輝
尽励起用光ビームで走査露光し、発する輝尽発光
を検出することによりパネルに記録された放射線
画像情報を読取ることができる。
そのエネルギーの一部を蓄え、これに可視光や熱
を加えると蓄えたエネルギーを螢光の形で放出す
る所謂輝尽性螢光体がある。このような材料をパ
ネル状に均一に塗布して放射線画像変換パネル
（以後パネルと略称する）とし、このパネルに放
射線画像を撮影記録し、該パネルをレーザ等の輝
尽励起用光ビームで走査露光し、発する輝尽発光
を検出することによりパネルに記録された放射線
画像情報を読取ることができる。
放射線画像情報読取方法は、このパネルの記録
情報を読取る方法であり、第７図に示すように、
放射線源１を出射し被写体２を透過して放射線
（一般にはＸ線）をパネル３に吸収せしめ、然る
後、この放射線画像の記録されたパネルを輝尽励
起用光ビームで輝尽励起して、輝尽性螢光体に蓄
積されている放射線エネルギーを輝尽発光として
放射せしめ、この輝尽発光を検出して放射線画像
情報を得るようにしたものである。第８図乃至第
１１図は従来のこの種の方法及び装置の例を示す
図である。第８図は輝尽励起源１１から発射され
る輝尽励起用光ビームをダイクロイツクフイルタ
１２を通してパネル１３に照射し、そのとき発す
る輝尽発光をダイクロイツクフイルタ１２で受け
て反射させ、その反射光をレンズ１４で集光した
後、更にフイルタ１５で螢光成分（輝尽発光）の
み抽出して光電変換素子１６で画像情報を電気信
号として検出するようにしている（例えば、米国
特許3859527号）。このような方法及び装置は、以
下に示すような不具合を有している。
情報を読取る方法であり、第７図に示すように、
放射線源１を出射し被写体２を透過して放射線
（一般にはＸ線）をパネル３に吸収せしめ、然る
後、この放射線画像の記録されたパネルを輝尽励
起用光ビームで輝尽励起して、輝尽性螢光体に蓄
積されている放射線エネルギーを輝尽発光として
放射せしめ、この輝尽発光を検出して放射線画像
情報を得るようにしたものである。第８図乃至第
１１図は従来のこの種の方法及び装置の例を示す
図である。第８図は輝尽励起源１１から発射され
る輝尽励起用光ビームをダイクロイツクフイルタ
１２を通してパネル１３に照射し、そのとき発す
る輝尽発光をダイクロイツクフイルタ１２で受け
て反射させ、その反射光をレンズ１４で集光した
後、更にフイルタ１５で螢光成分（輝尽発光）の
み抽出して光電変換素子１６で画像情報を電気信
号として検出するようにしている（例えば、米国
特許3859527号）。このような方法及び装置は、以
下に示すような不具合を有している。
ダイクロイツクフイルタ１２で輝尽励起用光
ビームが減衰されること。
ビームが減衰されること。
輝尽発光は拡散的に発光するので、ダイクロ
イツクフイルタ１２での反射効率がかなり低下
すること。
イツクフイルタ１２での反射効率がかなり低下
すること。
輝尽励起用光ビームをパネル１３の幅全体に
わたつて走査しようとすると、レンズ１４、フ
イルタ１５及び光電変換素子１６の寸法が大き
くなること。
わたつて走査しようとすると、レンズ１４、フ
イルタ１５及び光電変換素子１６の寸法が大き
くなること。
輝尽発光の受光立体角を大きく取れないこ
と。
と。
第９図は輝尽励起光源（図示せず）から発射さ
れる輝尽励起用光ビームをミラー２１で受け、そ
の反射光をパネル１３（第８図と同一部分には同
一符号を付して示す。以下同じ）に照射し、その
とき発する輝尽発光をフイルタ１５を介して光電
変換素子１６に導き、該光電変換素子１６で画像
情報を電気信号として検出するようにしている。
この方法及び装置は、以下に示すような不具合を
有している。
れる輝尽励起用光ビームをミラー２１で受け、そ
の反射光をパネル１３（第８図と同一部分には同
一符号を付して示す。以下同じ）に照射し、その
とき発する輝尽発光をフイルタ１５を介して光電
変換素子１６に導き、該光電変換素子１６で画像
情報を電気信号として検出するようにしている。
この方法及び装置は、以下に示すような不具合を
有している。
ミラー２１のために、最も輝尽発光の強いパ
ネル１３の法線方向近辺の成分を画像信号とし
て用いることができないこと（法線方向近辺の
成分はミラー２１にさえぎられて光電変換素子
１６に到達することができない）。
ネル１３の法線方向近辺の成分を画像信号とし
て用いることができないこと（法線方向近辺の
成分はミラー２１にさえぎられて光電変換素子
１６に到達することができない）。
輝尽励起用光ビームを走査しようとすると、
フイルタ１５及び光電変換素子１６として大き
な寸法のものを用いる必要があること。
フイルタ１５及び光電変換素子１６として大き
な寸法のものを用いる必要があること。
第１０図は輝尽励起光源１１から発射される輝
尽励起用光ビームを真上から偏向器３１で主走査
方向に振り、パネル１３に照射し、そのとき発す
る輝尽発光を両脇からシート状の光伝導体３２，
３３で光電変換素子１６に導くようにしている
（例えば、特開昭55−87970号）。このような光伝
導体３２，３３を用いることにより、光ビームを
走査したときの検出効率を高めることができる。
しかしながら、この方法及び装置は以下に示すよ
うな不具合を有している。
尽励起用光ビームを真上から偏向器３１で主走査
方向に振り、パネル１３に照射し、そのとき発す
る輝尽発光を両脇からシート状の光伝導体３２，
３３で光電変換素子１６に導くようにしている
（例えば、特開昭55−87970号）。このような光伝
導体３２，３３を用いることにより、光ビームを
走査したときの検出効率を高めることができる。
しかしながら、この方法及び装置は以下に示すよ
うな不具合を有している。
パネル１３で発生した輝尽発光のうち、最も
輝尽発光の強いパネルの法線方向近辺の成分を
検出することができないこと。この点について
は第９図の例と同じである。
輝尽発光の強いパネルの法線方向近辺の成分を
検出することができないこと。この点について
は第９図の例と同じである。
光伝導体３２，３３を用いていること等によ
り構成が複雑になること。
り構成が複雑になること。
第１１図は第１０図に示す装置の片方の光伝導
体３３を反射ミラー４１で置換したものである。
パネル１３で発生した輝尽発光の一部は、反射ミ
ラー４１で反射して光伝導体３２に入つた後、光
電変換素子１６に導かれるようになつている（例
えば特開昭56−11398号）。この方法も第１０図に
示す装置と同様、以下に示すような不具合を有し
ている。
体３３を反射ミラー４１で置換したものである。
パネル１３で発生した輝尽発光の一部は、反射ミ
ラー４１で反射して光伝導体３２に入つた後、光
電変換素子１６に導かれるようになつている（例
えば特開昭56−11398号）。この方法も第１０図に
示す装置と同様、以下に示すような不具合を有し
ている。
パネル１３の法線方向の輝尽発光成分を検出
することができないこと。
することができないこと。
反射ミラー４１の形状や調整がきわめて複雑
であること。
であること。
一方これに対し本出願人は既に特願昭59−
21265号において、前述のような放射線画像情報
読取方法及び装置における従来の欠点を改良した
新規な放射線画像情報読取装置として、前記輝尽
励起用光ビームがパネルの法線方向に対し一定の
傾きをもつて照射されるようにし、且つ前記輝尽
発光の集光面がパネルの法線方向に対して略直角
になるように構成された放射線画像情報読取装置
を提案している。パネルからの輝尽発光は完全拡
散光に近く、その強度は第１２図に示すような角
度依存性を示すので、この装置によれば輝尽発光
の最も強いパネルの法線方向近辺の成分を効率的
に集光でき、Ｓ／Ｎ比の良い放射線画像が得られ
ると同時に輝尽発光検出面を簡略化することがで
きる。
21265号において、前述のような放射線画像情報
読取方法及び装置における従来の欠点を改良した
新規な放射線画像情報読取装置として、前記輝尽
励起用光ビームがパネルの法線方向に対し一定の
傾きをもつて照射されるようにし、且つ前記輝尽
発光の集光面がパネルの法線方向に対して略直角
になるように構成された放射線画像情報読取装置
を提案している。パネルからの輝尽発光は完全拡
散光に近く、その強度は第１２図に示すような角
度依存性を示すので、この装置によれば輝尽発光
の最も強いパネルの法線方向近辺の成分を効率的
に集光でき、Ｓ／Ｎ比の良い放射線画像が得られ
ると同時に輝尽発光検出面を簡略化することがで
きる。
しかしながら前記放射線画像情報読取方法及び
装置における輝尽発光の集光効率の向上、すなわ
ちＳ／Ｎ比の良い放射線画像の要求は更に厳しく
なつて来ている。
装置における輝尽発光の集光効率の向上、すなわ
ちＳ／Ｎ比の良い放射線画像の要求は更に厳しく
なつて来ている。
（発明の目的）
本発明は前記提案の放射線画像情報読取方法及
び装置に関連し、これをさらに改良するものであ
り、本発明の目的は輝尽発光の集光効率が高く、
Ｓ／Ｎ比の良い放射線画像を与える放射線画像情
報読取方法を提供することにある。
び装置に関連し、これをさらに改良するものであ
り、本発明の目的は輝尽発光の集光効率が高く、
Ｓ／Ｎ比の良い放射線画像を与える放射線画像情
報読取方法を提供することにある。
また、前記目的に並んでの本発明の目的は、前
記目的を満足する放射線画像情報読取装置を提供
することにある。
記目的を満足する放射線画像情報読取装置を提供
することにある。
（発明の構成）
前記本発明の目的は、少なくとも表面に結着剤
を含有しない輝尽蛍光体層を有する放射線画像変
換パネルを、レーザ光源からの励起用光ビームで
走査し、励起発生する輝尽発光光を光検出器で光
電変換し、前記放射線画像変換パネルに記録され
た放射線画像情報を読取るようにした放射線画像
情報読取方法において、前記放射線画像変換パネ
ルの輝尽性蛍光体層は、層厚方向に対し微細柱状
結晶ブロツク構造を有し、かつ前記励起用光ビー
ムは、前記放射線画像変換パネル面上の該光ビー
ムの主走査位置における法線方向に対して30°乃
至60°の範囲の角度をもつて照射されて前記放射
線画像変換パネル面を走査し、前記放射線画像変
換パネルの主走査方向の全幅に亙つて延在する集
光面は、前記励起用光ビームの走査位置の略直上
になるように設けられるとともに、前記放射線画
像変換パネルの法線方向に対して略垂直になるよ
うに設定されていることを特徴とする放射線画像
情報読取方法及び装置によつて達成することがで
きる。
を含有しない輝尽蛍光体層を有する放射線画像変
換パネルを、レーザ光源からの励起用光ビームで
走査し、励起発生する輝尽発光光を光検出器で光
電変換し、前記放射線画像変換パネルに記録され
た放射線画像情報を読取るようにした放射線画像
情報読取方法において、前記放射線画像変換パネ
ルの輝尽性蛍光体層は、層厚方向に対し微細柱状
結晶ブロツク構造を有し、かつ前記励起用光ビー
ムは、前記放射線画像変換パネル面上の該光ビー
ムの主走査位置における法線方向に対して30°乃
至60°の範囲の角度をもつて照射されて前記放射
線画像変換パネル面を走査し、前記放射線画像変
換パネルの主走査方向の全幅に亙つて延在する集
光面は、前記励起用光ビームの走査位置の略直上
になるように設けられるとともに、前記放射線画
像変換パネルの法線方向に対して略垂直になるよ
うに設定されていることを特徴とする放射線画像
情報読取方法及び装置によつて達成することがで
きる。
第１図は本発明に用いられるパネルからの輝尽
発光強度の角度依存性を示している。
発光強度の角度依存性を示している。
図において、Ｘは法線方向を示し、曲線Ｃで囲
まれた複数の矢印は、その角度θにおける輝尽発
光強度を示している（第１２図と同記号は同じ意
味である）。
まれた複数の矢印は、その角度θにおける輝尽発
光強度を示している（第１２図と同記号は同じ意
味である）。
同図より明らかなように本発明に用いられる、
本発明に係る輝尽性螢光体層を有するパネルは、
従来の方法に用いられるパネルより輝尽発光強度
の角度依存性が著しく強い。即ち、本発明に用い
られるパネルからの輝尽発光は完全拡散光とはな
らずパネルの法線方向に対する指向性が強く、こ
のため前記輝尽発光の集光面を前記パネルの法線
方向に対して略直角となるように位置させると効
率よく輝尽発光を集光することができる。
本発明に係る輝尽性螢光体層を有するパネルは、
従来の方法に用いられるパネルより輝尽発光強度
の角度依存性が著しく強い。即ち、本発明に用い
られるパネルからの輝尽発光は完全拡散光とはな
らずパネルの法線方向に対する指向性が強く、こ
のため前記輝尽発光の集光面を前記パネルの法線
方向に対して略直角となるように位置させると効
率よく輝尽発光を集光することができる。
本発明に係わる結着剤を含有しない輝尽性螢光
体層の製造方法は気相堆積法が好しい。
体層の製造方法は気相堆積法が好しい。
次に前記気相堆積法について説明する。
第１の方法として真空蒸着法がある。該方法に
於いては、まず支持体を蒸着装置内に設置した後
装置内を排気して10-6Torr程度の真空度とする。
於いては、まず支持体を蒸着装置内に設置した後
装置内を排気して10-6Torr程度の真空度とする。
次いで、前記輝尽性螢光体の少なくとも一つを
抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加
熱蒸発させて前記支持体表面に輝尽性螢光体を所
望の厚さに堆積させる。
抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加
熱蒸発させて前記支持体表面に輝尽性螢光体を所
望の厚さに堆積させる。
この結果結着剤を含有しない輝尽性螢光体層が
形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて
輝尽性螢光体層を形成することも可能である。ま
た、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいは
エレクトロンビームを用いて共蒸着を行うことも
可能である。
形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて
輝尽性螢光体層を形成することも可能である。ま
た、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいは
エレクトロンビームを用いて共蒸着を行うことも
可能である。
また、前記真空蒸着法においては、輝尽性螢光
体原料を複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロン
ビームを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする
輝尽性螢光体を合成すると同時に輝尽性螢光体層
を形成することも可能である。
体原料を複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロン
ビームを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする
輝尽性螢光体を合成すると同時に輝尽性螢光体層
を形成することも可能である。
さらに前記真空蒸着法においては、蒸着時必要
に応じて被蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷
却あるいは加熱してもよい。また、蒸着終了後輝
尽性螢光体層を加熱処理してもよい。
に応じて被蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷
却あるいは加熱してもよい。また、蒸着終了後輝
尽性螢光体層を加熱処理してもよい。
第２の方法としてスパツタ法がある。該方法に
おいては、蒸着法と同様に支持体をスパツタ装置
内に設置した後装置内を一旦排気して10-6Torr
程度の真空度とし、次いでスパツタ用のガスとし
てAr，Ne等の不活性ガスをスパツタ装置内に導
入して10-3Torr程度のガス圧とする。
おいては、蒸着法と同様に支持体をスパツタ装置
内に設置した後装置内を一旦排気して10-6Torr
程度の真空度とし、次いでスパツタ用のガスとし
てAr，Ne等の不活性ガスをスパツタ装置内に導
入して10-3Torr程度のガス圧とする。
次に前記輝尽性螢光体をターゲツトとして、ス
パツタリングすることにより、前記支持体表面に
輝尽性螢光体を所望の厚さに堆積させる。
パツタリングすることにより、前記支持体表面に
輝尽性螢光体を所望の厚さに堆積させる。
前記スパツタ工程では真空蒸着法と同様に複数
回に分けて輝尽性螢光体層を形成することも可能
であるし、またそれぞれ異なつた輝尽性螢光体か
らなる複数のターゲツトを用いて、同時あるいは
順次、前記ターゲツトをスパツタリングして輝尽
性螢光体層を形成することも可能である。
回に分けて輝尽性螢光体層を形成することも可能
であるし、またそれぞれ異なつた輝尽性螢光体か
らなる複数のターゲツトを用いて、同時あるいは
順次、前記ターゲツトをスパツタリングして輝尽
性螢光体層を形成することも可能である。
前記スパツタ法においては、複数の輝尽性螢光
体原料をターゲツトして用いこれを同時あるいは
順次スパツタリングして、支持体上で目的とする
輝尽性螢光体を合成すると同時に輝尽性螢光体層
を形成することも可能である。また、前記スパツ
タ法においては、必要に応じてO2，H2等のガス
を導入して反応性スパツタを行つてもよい。
体原料をターゲツトして用いこれを同時あるいは
順次スパツタリングして、支持体上で目的とする
輝尽性螢光体を合成すると同時に輝尽性螢光体層
を形成することも可能である。また、前記スパツ
タ法においては、必要に応じてO2，H2等のガス
を導入して反応性スパツタを行つてもよい。
さらに前記スパツタ法においては、スパツタ時
必要に応じて被蒸着物（支持体あるいは保護層）
を冷却あるいは加熱してもよい。またスパツタ終
了後輝尽性螢光体層を加熱処置してもよい。
必要に応じて被蒸着物（支持体あるいは保護層）
を冷却あるいは加熱してもよい。またスパツタ終
了後輝尽性螢光体層を加熱処置してもよい。
第３の方法としてCVD法がある。該方法は目
的とする輝尽性螢光体あるいは輝尽性螢光体原料
を含有する有機金属化合物を熱、高周波電力等の
エネルギーで分解することにより、支持体上に結
着剤を含有しない輝尽性螢光体層を得る。
的とする輝尽性螢光体あるいは輝尽性螢光体原料
を含有する有機金属化合物を熱、高周波電力等の
エネルギーで分解することにより、支持体上に結
着剤を含有しない輝尽性螢光体層を得る。
本発明に係る気相堆積法による輝尽性螢光体層
は輝尽性螢光体の微細柱状結晶が層厚方向に発達
しており、輝尽発光の輝尽性螢光体層中での散乱
が抑制されるのでパネルの法線方向に対する輝尽
発光の指向性が一段と強くなる。
は輝尽性螢光体の微細柱状結晶が層厚方向に発達
しており、輝尽発光の輝尽性螢光体層中での散乱
が抑制されるのでパネルの法線方向に対する輝尽
発光の指向性が一段と強くなる。
更に前記気相堆積法による輝尽性螢光体層は前
記輝尽性螢光体の微細柱状ブロツク構造により、
輝尽励起光及び輝尽発光の透過性が高く、従来の
塗設法による輝尽性螢光体層より層厚を厚くする
ことが可能であり、放射線に対して一層高感度と
なる。
記輝尽性螢光体の微細柱状ブロツク構造により、
輝尽励起光及び輝尽発光の透過性が高く、従来の
塗設法による輝尽性螢光体層より層厚を厚くする
ことが可能であり、放射線に対して一層高感度と
なる。
更に前記気相堆積法による輝尽性螢光体層は結
着剤を含んでいないので輝尽性螢光体の附着量
（充填率）が従来の輝尽性螢光体を塗設した輝尽
性螢光体層の約２倍あり、輝尽性螢光体層単位厚
さ当たりの放射線吸収率が向上し放射線に対して
高感度となるばかりか、画像の粒状性が向上す
る。
着剤を含んでいないので輝尽性螢光体の附着量
（充填率）が従来の輝尽性螢光体を塗設した輝尽
性螢光体層の約２倍あり、輝尽性螢光体層単位厚
さ当たりの放射線吸収率が向上し放射線に対して
高感度となるばかりか、画像の粒状性が向上す
る。
本発明に係わる微細柱状ブロツク構造を有する
輝尽性螢光体層には種々の形態、作成法がある。
その典型的な例によつて該構造を説明する。
輝尽性螢光体層には種々の形態、作成法がある。
その典型的な例によつて該構造を説明する。
第２図及び第３図に於て支持体１１０の表面に
支持体若しくは支持体面に設けた素地層をホトレ
ジスト等を利用する写真蝕刻法或は陽極酸化アル
ミニウムの封孔処理及び封孔処理に続く加熱処理
によつてえられる周囲に凹地１１１ijをめぐらし
た微細タイル状台地１１１ijパターンを形成し、
夫々の１１１ijの上に好ましくは気相堆積法によ
つて、第３図に示す如く周囲にクレパス１１２ij
をめぐらした微細柱状或は倒立載頭錐体状ブロツ
ク１１２ijを生長させ微細柱状ブロツク構造を有
する輝尽性螢光体層１１２がえられる。必要によ
つては保護層１１３が設けられる。
支持体若しくは支持体面に設けた素地層をホトレ
ジスト等を利用する写真蝕刻法或は陽極酸化アル
ミニウムの封孔処理及び封孔処理に続く加熱処理
によつてえられる周囲に凹地１１１ijをめぐらし
た微細タイル状台地１１１ijパターンを形成し、
夫々の１１１ijの上に好ましくは気相堆積法によ
つて、第３図に示す如く周囲にクレパス１１２ij
をめぐらした微細柱状或は倒立載頭錐体状ブロツ
ク１１２ijを生長させ微細柱状ブロツク構造を有
する輝尽性螢光体層１１２がえられる。必要によ
つては保護層１１３が設けられる。
前記微細柱状ブロツク構造を有する輝尽性螢光
体層は、微細柱状ブロツク構造の光誘導効果によ
り輝尽発光が柱状ブロツク内面で反射を繰り返
し、柱状ブロツク外に散逸することなく輝尽性螢
光体層の表面に導びかれ、輝尽性螢光体の屈折率
と空気の屈折率とによつて定まる出射角で輝尽性
螢光体層表面から放出されるのでパネルの法線方
向に対する輝尽発光の指向性が更に一段と強くな
る。
体層は、微細柱状ブロツク構造の光誘導効果によ
り輝尽発光が柱状ブロツク内面で反射を繰り返
し、柱状ブロツク外に散逸することなく輝尽性螢
光体層の表面に導びかれ、輝尽性螢光体の屈折率
と空気の屈折率とによつて定まる出射角で輝尽性
螢光体層表面から放出されるのでパネルの法線方
向に対する輝尽発光の指向性が更に一段と強くな
る。
また前記微細柱状ブロツク構造を有する輝尽性
螢光体層は、同様の光誘導効果により、輝尽励起
光が柱状ブロツク内面で反射を繰り返し、柱状ブ
ロツク外に散逸することが少ないので、従来のパ
ネルに比較して画像の鮮鋭性が向上すると共に輝
尽性螢光体の層厚の増大にともなう鮮鋭性の低下
を小さくすることが可能である。
螢光体層は、同様の光誘導効果により、輝尽励起
光が柱状ブロツク内面で反射を繰り返し、柱状ブ
ロツク外に散逸することが少ないので、従来のパ
ネルに比較して画像の鮮鋭性が向上すると共に輝
尽性螢光体の層厚の増大にともなう鮮鋭性の低下
を小さくすることが可能である。
本発明において輝尽性螢光体とは、最初の光も
しくは高エネルギー放射線が照射された後に、光
的、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺激
（輝尽励起）により、最初の光もしくは高エネル
ギー放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す螢
光体を言うが、実用的な面から好ましくは500nm
以上の輝尽励起光によつて輝尽発光を示す螢光体
である。本発明に用いられるパネルに使用される
輝尽性螢光体としては、例えば特開昭48−80487
号に記載されているBaSO4：Ax（但しＡはDy，
Tb及びTmのうち少なくとも１種であり、ｘは
0.001≦ｘ＜１モル％である。）で表わされる螢光
体、特開昭48−80488号記載のMaSO4：Ax（但し
ＡはHo或いはDyのうちいずれかであり、0.001
≦ｘ＜１モル％である）で表わされる螢光体、特
開昭48−80489号に記載されているSrSO4：Ax
（但しＡはDy，Tb及びTmのうち少なくとも１種
であり、ｘは0.001≦ｘ＜１モル％である。）で表
わされている螢光体、特開昭51−29889号に記載
されているNa2SO4，CaSO4及びBaSO4等にMn，
Dy及びTbのうち少なくとも１種を添加した螢光
体、特開昭52−30487号に記載されているBeO、
LiF，MaSO4及びCaF2等の螢光体、特開昭53−
39277号に記載されているLi2B4O7：Cu，Ag等の
螢光体、特開昭54−47883号に記載されているLi2
Ｏ・（B2O2）ｘ：Cu（但しｘは２＜ｘ≦３）、及
びLi2Ｏ・（B2O2）ｘ：Cu，Ag（但しｘは２＜ｘ
≦３）等の螢光体、米国特許3859527号に記載さ
れているSrS：Ce，Sm，SrS：Eu，Sm，La2O2
Ｓ：Eu，Sm及び（Zn，Cd）Ｓ：Mn，Ｘ（但し
Ｘはハロゲン）で表わされる螢光体が挙げられ
る。また、特開昭55−12142号に記載されている
ZnS：Cu，Pb螢光体、一般式がBaO・xAl2O3：
Eu（但し0.8≦ｘ≦10）で表わされるアルミン酸バ
リウム螢光体、及び一般式がM〓Ｏ・xSiO2：Ａ
（但しM〓はMg，Ca，Sr，Zn，Cd又はBaであり
ＡはCe，Tb，Eu，Tm，Pb，Tl，Bi及びMnの
うち少なくとも１種であり、ｘは0.5≦ｘ＜2.5で
ある。）で表わされるアルカリ土類金属珪酸塩系
螢光体が挙げられる。また、一般式が （Ba1-x-yMgxCay）FX：eEu2+ （但しＸはBr及びClの中の少なくとも１つで
あり、ｘ，ｙ及びｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦0.6，
xy≠０及び10-6≦ｅ≦５×19-2なる条件を満たす
数である。）で表わされるアルカリ土類弗化ハロ
ゲン化物螢光体、特開昭55−12144号に記載され
ている一般式が LnOX：xA （但しLnはLa，Ｙ，Gd及びLuの所少なくと
も１つを、ＸはCl及び／又はBrを、ＡはCe及
び／又はTbを、ｘは０＜ｘ＜0.1を満足する数を
表わす。）で表わされる螢光体、特開昭55−12145
号に記載されている一般式が （Ba1-xM〓ｘ）FX：yA （但しM〓は、Mg，Ca，Sr，Zn及びCdのうちの
少なくとも１つを、ＸはCl，Br及びＩのうちの
少なくとも１つを、ＡはEu，Tb，Ce，Tm，
Dy，Fr，Ho，Nd，Yb及びErのうちの少なくと
も１つを、ｘ及びｙは０≦ｘ≦0.6及び０≦ｙ≦
0.2なる条件を満たす数を表わす。）で表わされる
螢光体、特開昭55−84389号に記載されている一
般式がBaFX：xCe，yA（但し、ＸはCl，Br及び
Ｉのうちの少なくとも１つ、ＡはIn，Tl，Gd，
Sm及びZrのうちの少なくとも１つであり、ｘ及
びｙはそれぞれ０＜ｘ≦２×10-1及び０＜ｙ≦５
×10-2である。）で表わされる螢光体、特開昭55
−160078号に記載されている一般式が M〓FX・xA：yLn （但しM〓はMg，Ca，Ba，Sr，Zn及びCdの
うちの少なくとも１種、ＡはBeO，MgO，CaO，
SrO，BaO，ZnO，Al2O3．Y2O3．La2O3，In2
O3，SiO2，TiO2，ZrO2，GeO2，SnO2，Nb2O5，
TaO2及びThO2のうちの少なくとも１種、Lnは
Eu，Tb，Ce，Tm，Dy，Pr，Ho，Nd，Yb，
Er，Sm及びGdのうちの少なくとも１種であり、
ＸはCl，Br及びＩのうちの少くとも１種であり、
ｘ及びｙはそれぞれ５×10-5≦ｘ≦0.5及び０＜
ｙ≦0.2なる条件を満たす数である。）で表わされ
る希土類元素付活２価金属フルオロハライド螢光
体、一般式がZnS：Ａ，CdS：Ａ，（Zn，Cd）
Ｓ：Ａ，ZnS：Ａ，Ｘ及びCdS：Ａ，Ｘ（但しＡ
はCu，Ag，Au、又はMnであり、Ｘはハロゲン
である。）で表わされる螢光体、特開昭57−
148285号に記載されている下記いづれかの一般式 xM3（PO4）2・NX2：yA M3（PO4）2：yA （式中、Ｍ及びＮはそれぞれMg，Ca，Sr，
Ba，Zn及びCdのうち少なくとも１種、ＸはＦ，
Cl，Br及びＩのうちの少なくとも１種、ＡはEu，
Tb，Ce，Tm，Dy，Pr，Ho，Nd，Yb，Er，
Sb，Tl，Mn及びSnのうち少なくとも１種を表
わす。また、ｘ及びｙは０＜ｘ≦６，０≦ｙ≦１
なる条件を満たす数である。）で表わされる螢光
体、下記いづれかの一般式 nReX3・mAX′2：xEu nReX3・mAX′2：xEu，ySm （式中、ReはLa，Gd，Ｙ，Luのうち少なく
とも１種、Ａはアルカリ土類金属、Ba，Sr，Ca
のうち少なくとも１種、Ｘ及びX′はＦ，Cl，Br
のうち少なくとも１種を表わす。また、ｘ及びｙ
は、１×10-4＜ｘ＜３×10-1，１×10-4＜ｙ＜１
×10-1なる条件を満たす数であり、ｎ／ｍは１×
10-3＜ｎ／ｍ＜７×10-1なる条件を満たす。）で
表わされる螢光体、および下記一般式 M〓Ｘ・aM〓X′2・bM〓X″3：cA （但し、M〓はLi，Na，Ｋ，RbおよびCaから
選ばれる少くとも１種のアルカリ金属であり、
M〓はBe，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，Cd，Cuおよ
びNiから選ばれる少なくとも１種の二価金属で
ある。M〓はSe，Ｙ，La，Ce，Pr，Nd，Pm，
Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，
Lu，Al，GaおよびInから選ばれる少なくとも１
種の三価金属である。Ｘ，X′およびX″はＦ，Cl，
BrおよびＩから選ばれる少なくとも１種のハロ
ゲンである。ＡはEu，Tb，Ce，Tm，Dy，Pr，
Ho，Nd，Yb，Er，Gd，Lu，Sm，Ｙ，Tl，
Na，Ag，CuおよびMgから選ばれる少なくとも
１種の金属である。またａは、０≦ａ≦0.5の範
囲の数値であり、ｂは０≦ｂ≦0.5の範囲の数値
であり、ｃは０＜ｃ≦0.2の範囲の数値である。）
で表わされるアルカリハライド螢光体等が挙げら
れる。特にアルカリハライド螢光体は、蒸着、ス
パツタ等の方法で輝尽性螢光体層を形成させやす
く好ましい。
しくは高エネルギー放射線が照射された後に、光
的、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺激
（輝尽励起）により、最初の光もしくは高エネル
ギー放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す螢
光体を言うが、実用的な面から好ましくは500nm
以上の輝尽励起光によつて輝尽発光を示す螢光体
である。本発明に用いられるパネルに使用される
輝尽性螢光体としては、例えば特開昭48−80487
号に記載されているBaSO4：Ax（但しＡはDy，
Tb及びTmのうち少なくとも１種であり、ｘは
0.001≦ｘ＜１モル％である。）で表わされる螢光
体、特開昭48−80488号記載のMaSO4：Ax（但し
ＡはHo或いはDyのうちいずれかであり、0.001
≦ｘ＜１モル％である）で表わされる螢光体、特
開昭48−80489号に記載されているSrSO4：Ax
（但しＡはDy，Tb及びTmのうち少なくとも１種
であり、ｘは0.001≦ｘ＜１モル％である。）で表
わされている螢光体、特開昭51−29889号に記載
されているNa2SO4，CaSO4及びBaSO4等にMn，
Dy及びTbのうち少なくとも１種を添加した螢光
体、特開昭52−30487号に記載されているBeO、
LiF，MaSO4及びCaF2等の螢光体、特開昭53−
39277号に記載されているLi2B4O7：Cu，Ag等の
螢光体、特開昭54−47883号に記載されているLi2
Ｏ・（B2O2）ｘ：Cu（但しｘは２＜ｘ≦３）、及
びLi2Ｏ・（B2O2）ｘ：Cu，Ag（但しｘは２＜ｘ
≦３）等の螢光体、米国特許3859527号に記載さ
れているSrS：Ce，Sm，SrS：Eu，Sm，La2O2
Ｓ：Eu，Sm及び（Zn，Cd）Ｓ：Mn，Ｘ（但し
Ｘはハロゲン）で表わされる螢光体が挙げられ
る。また、特開昭55−12142号に記載されている
ZnS：Cu，Pb螢光体、一般式がBaO・xAl2O3：
Eu（但し0.8≦ｘ≦10）で表わされるアルミン酸バ
リウム螢光体、及び一般式がM〓Ｏ・xSiO2：Ａ
（但しM〓はMg，Ca，Sr，Zn，Cd又はBaであり
ＡはCe，Tb，Eu，Tm，Pb，Tl，Bi及びMnの
うち少なくとも１種であり、ｘは0.5≦ｘ＜2.5で
ある。）で表わされるアルカリ土類金属珪酸塩系
螢光体が挙げられる。また、一般式が （Ba1-x-yMgxCay）FX：eEu2+ （但しＸはBr及びClの中の少なくとも１つで
あり、ｘ，ｙ及びｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦0.6，
xy≠０及び10-6≦ｅ≦５×19-2なる条件を満たす
数である。）で表わされるアルカリ土類弗化ハロ
ゲン化物螢光体、特開昭55−12144号に記載され
ている一般式が LnOX：xA （但しLnはLa，Ｙ，Gd及びLuの所少なくと
も１つを、ＸはCl及び／又はBrを、ＡはCe及
び／又はTbを、ｘは０＜ｘ＜0.1を満足する数を
表わす。）で表わされる螢光体、特開昭55−12145
号に記載されている一般式が （Ba1-xM〓ｘ）FX：yA （但しM〓は、Mg，Ca，Sr，Zn及びCdのうちの
少なくとも１つを、ＸはCl，Br及びＩのうちの
少なくとも１つを、ＡはEu，Tb，Ce，Tm，
Dy，Fr，Ho，Nd，Yb及びErのうちの少なくと
も１つを、ｘ及びｙは０≦ｘ≦0.6及び０≦ｙ≦
0.2なる条件を満たす数を表わす。）で表わされる
螢光体、特開昭55−84389号に記載されている一
般式がBaFX：xCe，yA（但し、ＸはCl，Br及び
Ｉのうちの少なくとも１つ、ＡはIn，Tl，Gd，
Sm及びZrのうちの少なくとも１つであり、ｘ及
びｙはそれぞれ０＜ｘ≦２×10-1及び０＜ｙ≦５
×10-2である。）で表わされる螢光体、特開昭55
−160078号に記載されている一般式が M〓FX・xA：yLn （但しM〓はMg，Ca，Ba，Sr，Zn及びCdの
うちの少なくとも１種、ＡはBeO，MgO，CaO，
SrO，BaO，ZnO，Al2O3．Y2O3．La2O3，In2
O3，SiO2，TiO2，ZrO2，GeO2，SnO2，Nb2O5，
TaO2及びThO2のうちの少なくとも１種、Lnは
Eu，Tb，Ce，Tm，Dy，Pr，Ho，Nd，Yb，
Er，Sm及びGdのうちの少なくとも１種であり、
ＸはCl，Br及びＩのうちの少くとも１種であり、
ｘ及びｙはそれぞれ５×10-5≦ｘ≦0.5及び０＜
ｙ≦0.2なる条件を満たす数である。）で表わされ
る希土類元素付活２価金属フルオロハライド螢光
体、一般式がZnS：Ａ，CdS：Ａ，（Zn，Cd）
Ｓ：Ａ，ZnS：Ａ，Ｘ及びCdS：Ａ，Ｘ（但しＡ
はCu，Ag，Au、又はMnであり、Ｘはハロゲン
である。）で表わされる螢光体、特開昭57−
148285号に記載されている下記いづれかの一般式 xM3（PO4）2・NX2：yA M3（PO4）2：yA （式中、Ｍ及びＮはそれぞれMg，Ca，Sr，
Ba，Zn及びCdのうち少なくとも１種、ＸはＦ，
Cl，Br及びＩのうちの少なくとも１種、ＡはEu，
Tb，Ce，Tm，Dy，Pr，Ho，Nd，Yb，Er，
Sb，Tl，Mn及びSnのうち少なくとも１種を表
わす。また、ｘ及びｙは０＜ｘ≦６，０≦ｙ≦１
なる条件を満たす数である。）で表わされる螢光
体、下記いづれかの一般式 nReX3・mAX′2：xEu nReX3・mAX′2：xEu，ySm （式中、ReはLa，Gd，Ｙ，Luのうち少なく
とも１種、Ａはアルカリ土類金属、Ba，Sr，Ca
のうち少なくとも１種、Ｘ及びX′はＦ，Cl，Br
のうち少なくとも１種を表わす。また、ｘ及びｙ
は、１×10-4＜ｘ＜３×10-1，１×10-4＜ｙ＜１
×10-1なる条件を満たす数であり、ｎ／ｍは１×
10-3＜ｎ／ｍ＜７×10-1なる条件を満たす。）で
表わされる螢光体、および下記一般式 M〓Ｘ・aM〓X′2・bM〓X″3：cA （但し、M〓はLi，Na，Ｋ，RbおよびCaから
選ばれる少くとも１種のアルカリ金属であり、
M〓はBe，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，Cd，Cuおよ
びNiから選ばれる少なくとも１種の二価金属で
ある。M〓はSe，Ｙ，La，Ce，Pr，Nd，Pm，
Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，
Lu，Al，GaおよびInから選ばれる少なくとも１
種の三価金属である。Ｘ，X′およびX″はＦ，Cl，
BrおよびＩから選ばれる少なくとも１種のハロ
ゲンである。ＡはEu，Tb，Ce，Tm，Dy，Pr，
Ho，Nd，Yb，Er，Gd，Lu，Sm，Ｙ，Tl，
Na，Ag，CuおよびMgから選ばれる少なくとも
１種の金属である。またａは、０≦ａ≦0.5の範
囲の数値であり、ｂは０≦ｂ≦0.5の範囲の数値
であり、ｃは０＜ｃ≦0.2の範囲の数値である。）
で表わされるアルカリハライド螢光体等が挙げら
れる。特にアルカリハライド螢光体は、蒸着、ス
パツタ等の方法で輝尽性螢光体層を形成させやす
く好ましい。
しかし、本発明に用いられるパネルに使用され
る輝尽性螢光体は、前述の螢光体に限られるもの
ではなく、放射線を照射した後輝尽励起光を照射
した場合に輝尽発光を示す螢光体であればいかな
る螢光体であつてもよい。
る輝尽性螢光体は、前述の螢光体に限られるもの
ではなく、放射線を照射した後輝尽励起光を照射
した場合に輝尽発光を示す螢光体であればいかな
る螢光体であつてもよい。
前記輝尽性螢光体は支持体上に結着剤を用いな
いで微細柱状結晶としてブロツク状に堆積され、
輝尽性螢光体層とし、本発明に用いられるパネル
が作成される。
いで微細柱状結晶としてブロツク状に堆積され、
輝尽性螢光体層とし、本発明に用いられるパネル
が作成される。
本発明に用いられるパネルの輝尽性螢光体層は
前記の輝尽性螢光体の少なくとも一種類を含む一
つ若しくは二つ以上の輝尽性螢光体層から成る輝
尽性螢光体層群であつてもよいが、パネルの少な
くとも表面には結着剤を含有していない輝尽性螢
光体層を有する必要がある。また、それぞれの輝
尽性螢光体層に含まれる輝尽性螢光体は同一であ
つてもよいが異つていてもよい。
前記の輝尽性螢光体の少なくとも一種類を含む一
つ若しくは二つ以上の輝尽性螢光体層から成る輝
尽性螢光体層群であつてもよいが、パネルの少な
くとも表面には結着剤を含有していない輝尽性螢
光体層を有する必要がある。また、それぞれの輝
尽性螢光体層に含まれる輝尽性螢光体は同一であ
つてもよいが異つていてもよい。
本発明に用いられるパネルは必要に応じて支持
体が設けられてもよい。支持体としては各種高分
子材料、ガラス金属等が用いられるが、特に情報
記録材料としての取扱い上可撓性のあるシートあ
るいはロールに加工できるものが好適であり、こ
の点から例えばセルロースアセテートフイルム、
ポリエステルフイルム、ポリエチレンテレフタレ
ートフイルム、ポリアミドフイルム、ポリイミド
フイルム、トリアセテートフイルム、ポリカーポ
ネイトフイルム等のプラスチツクフイルム、アル
ミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シ
ート或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シー
トが好ましい。
体が設けられてもよい。支持体としては各種高分
子材料、ガラス金属等が用いられるが、特に情報
記録材料としての取扱い上可撓性のあるシートあ
るいはロールに加工できるものが好適であり、こ
の点から例えばセルロースアセテートフイルム、
ポリエステルフイルム、ポリエチレンテレフタレ
ートフイルム、ポリアミドフイルム、ポリイミド
フイルム、トリアセテートフイルム、ポリカーポ
ネイトフイルム等のプラスチツクフイルム、アル
ミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シ
ート或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シー
トが好ましい。
これら支持体の表面は滑面であつてもよいし、
輝尽性螢光体層との接着性を向上させる目的でマ
ツト面としてもよい。また、支持体の表面は直接
凹凸面としてもよいし、隔絶されたタイル状板を
敷きつめた構造でもよい。
輝尽性螢光体層との接着性を向上させる目的でマ
ツト面としてもよい。また、支持体の表面は直接
凹凸面としてもよいし、隔絶されたタイル状板を
敷きつめた構造でもよい。
さらにこれら支持体は、輝尽性螢光体層との接
着性を向上させる目的で輝尽性螢光体層が設けら
れる面に下引層を設けてもよい。また、これら支
持体の層厚は用いる支持体の材質等によつて異な
るが、一般的には80μm〜2000μmであり、取扱い
上の点からさらに好ましくは80μm〜1000μmであ
る。
着性を向上させる目的で輝尽性螢光体層が設けら
れる面に下引層を設けてもよい。また、これら支
持体の層厚は用いる支持体の材質等によつて異な
るが、一般的には80μm〜2000μmであり、取扱い
上の点からさらに好ましくは80μm〜1000μmであ
る。
本発明に用いられるパネルにおいては、一般的
に前記輝尽性螢光体層の支持体が設けられる面と
は反対側の面に、輝尽性螢光体層を物理的にある
いは化学的に保護するための保護層が設けられて
もよい。この保護層は、保護層用塗布液を輝尽性
螢光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あ
るいはあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性螢
光体層上に接着してもよい。保護層の材料として
は酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリ
ビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエス
テル。ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、エポキシ樹
脂等の通常の保護層用材料が用いられる。
に前記輝尽性螢光体層の支持体が設けられる面と
は反対側の面に、輝尽性螢光体層を物理的にある
いは化学的に保護するための保護層が設けられて
もよい。この保護層は、保護層用塗布液を輝尽性
螢光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あ
るいはあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性螢
光体層上に接着してもよい。保護層の材料として
は酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリ
ビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエス
テル。ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、エポキシ樹
脂等の通常の保護層用材料が用いられる。
また、この保護層は真空蒸着法、スパツタ法等
により、SiC，SiO2，SiN，Al2O3などの無機物
質を積層して形成してもよい。これらの保護層の
層厚は一般には0.1μm〜100μm程度が好ましい。
により、SiC，SiO2，SiN，Al2O3などの無機物
質を積層して形成してもよい。これらの保護層の
層厚は一般には0.1μm〜100μm程度が好ましい。
本発明に用いられる輝尽励起光源としては、パ
ネルに使用される輝尽性螢光体の輝尽励起波長を
含む光源が使用される。特にレーザ光を用いると
光学系が簡単になり、又、輝尽励起光強度を大き
くすることができるために輝尽発光効率をあげる
ことができ、より好ましい結果が得られる。レー
ザとしては、He−Neレーザ、He−Cdレーザ、
Arイオンレーザ、Krイオンレーザ、N2レーザ、
YAGレーザ及びその第２高調波、ルビーレーザ、
半導体レーザ、各種の色素レーザ、銅蒸気レーザ
等の金属蒸気レーザ等がある。通常はHe−Neレ
ーザや半導体レーザのような連続発振のレーザが
望ましいが、パネル１画素の走査時間とパルスを
同期させればパルス発振のレーザを用いることも
できる。又、フイルターを用いずに特開昭59−
22046号に示される発光の遅れを利用して分離す
る方法によるときは、連続発振レーザを用いて変
調するよりもパルス発振のレーザを用いる方が好
ましい。
ネルに使用される輝尽性螢光体の輝尽励起波長を
含む光源が使用される。特にレーザ光を用いると
光学系が簡単になり、又、輝尽励起光強度を大き
くすることができるために輝尽発光効率をあげる
ことができ、より好ましい結果が得られる。レー
ザとしては、He−Neレーザ、He−Cdレーザ、
Arイオンレーザ、Krイオンレーザ、N2レーザ、
YAGレーザ及びその第２高調波、ルビーレーザ、
半導体レーザ、各種の色素レーザ、銅蒸気レーザ
等の金属蒸気レーザ等がある。通常はHe−Neレ
ーザや半導体レーザのような連続発振のレーザが
望ましいが、パネル１画素の走査時間とパルスを
同期させればパルス発振のレーザを用いることも
できる。又、フイルターを用いずに特開昭59−
22046号に示される発光の遅れを利用して分離す
る方法によるときは、連続発振レーザを用いて変
調するよりもパルス発振のレーザを用いる方が好
ましい。
上記の各種レーザ光源の中で、半導体レーザは
小型で安価であり、しかも変調器が不要であるの
で特に好ましい。
小型で安価であり、しかも変調器が不要であるの
で特に好ましい。
以下、図面を参照し本発明を詳細に説明する。
第４図は本発明装置の輝尽発光検出部の一構成
を示す図である。図において、１３は前述したパ
ルス、５１は該パネル１３からの光のうち、輝尽
発光成分のみを抽出するフイルタ、５２は該フイ
ルタ５１を通過した発光を受けて、電気信号に変
換する光検出器である。該光検出器５２は、前述
した光電変換素子の組合せより構成されている。
５３は集光面で、フイルタ５１の表面がこれに相
当する。該集光面５３は、パネル１３の法線ｎに
対して略々直角になるように配されている。この
ように構成された装置の動作を説明すれば、以下
の通りである。
を示す図である。図において、１３は前述したパ
ルス、５１は該パネル１３からの光のうち、輝尽
発光成分のみを抽出するフイルタ、５２は該フイ
ルタ５１を通過した発光を受けて、電気信号に変
換する光検出器である。該光検出器５２は、前述
した光電変換素子の組合せより構成されている。
５３は集光面で、フイルタ５１の表面がこれに相
当する。該集光面５３は、パネル１３の法線ｎに
対して略々直角になるように配されている。この
ように構成された装置の動作を説明すれば、以下
の通りである。
輝尽励起用光ビームがパネル１３の法線ｎに対
して角θをもつて入射し、パネル面のＡ点に照射
すると、Ａ点付近からは図に示すような輝尽発光
が発する。この輝尽発光は、集光面５３に入射す
る。該集光面５３は、フイルタ面であるので、入
射した光のうち輝尽励起用光ビームの反射光は阻
止され輝尽発光のみがフイルタ５１を透過する。
フイルタ５１を透過した輝尽発光は、光検出器５
２により電気信号に変換された後、処理装置（図
示せず）で画像処理や像の再構成が行われる。
して角θをもつて入射し、パネル面のＡ点に照射
すると、Ａ点付近からは図に示すような輝尽発光
が発する。この輝尽発光は、集光面５３に入射す
る。該集光面５３は、フイルタ面であるので、入
射した光のうち輝尽励起用光ビームの反射光は阻
止され輝尽発光のみがフイルタ５１を透過する。
フイルタ５１を透過した輝尽発光は、光検出器５
２により電気信号に変換された後、処理装置（図
示せず）で画像処理や像の再構成が行われる。
この場合において、輝尽発光の強度は前記第１
図のような角度依存性をもつている。即ち、法線
方向（θ＝0°）の成分が最も輝尽発光強度が大き
い。尚、輝尽励起用光ビームの反射光は、第５図
に示すように反射角θの方向が最大となり角度θ
からずれるに従つて急速に光強度が減衰すること
が確認された。この反射光が集光面に入射すると
輝尽発光との分離が困難となるので反射角θ、す
なわち輝尽励起用光ビームの入射角θは大きい方
がよい。またこの反射光は、パネル１３のパネル
の表面状態に強く依存し、平滑度が高い程この傾
向は強くなる。平滑度は通常高い方が画像の粒状
性を上げるうえで好ましく、反射光の角度依存性
は強く現われる。但し、輝尽励起用光ビームの入
射角θを大きくしていくにつれて光ビームの照射
ビーム径を絞るのが困難になること、光ビームの
表面反射が大きくなり励起効率が低下してくる等
の理由により入射角θとしては30°乃至60°の範囲
が適当である。
図のような角度依存性をもつている。即ち、法線
方向（θ＝0°）の成分が最も輝尽発光強度が大き
い。尚、輝尽励起用光ビームの反射光は、第５図
に示すように反射角θの方向が最大となり角度θ
からずれるに従つて急速に光強度が減衰すること
が確認された。この反射光が集光面に入射すると
輝尽発光との分離が困難となるので反射角θ、す
なわち輝尽励起用光ビームの入射角θは大きい方
がよい。またこの反射光は、パネル１３のパネル
の表面状態に強く依存し、平滑度が高い程この傾
向は強くなる。平滑度は通常高い方が画像の粒状
性を上げるうえで好ましく、反射光の角度依存性
は強く現われる。但し、輝尽励起用光ビームの入
射角θを大きくしていくにつれて光ビームの照射
ビーム径を絞るのが困難になること、光ビームの
表面反射が大きくなり励起効率が低下してくる等
の理由により入射角θとしては30°乃至60°の範囲
が適当である。
このように、第５図に示す実施例によれば、集
光面５３の集光面積あたり、最も効率的に輝尽発
光を検出することができ、且つ輝尽励起用光ビー
ムの反射光が直接集光面５３に入らないので、輝
尽発光との分離が容易になる。また輝尽励起用光
ビームを妨げるものが何もないので、輝尽励起用
光ビームの利用効率が良い等の効果を得ることが
できる。
光面５３の集光面積あたり、最も効率的に輝尽発
光を検出することができ、且つ輝尽励起用光ビー
ムの反射光が直接集光面５３に入らないので、輝
尽発光との分離が容易になる。また輝尽励起用光
ビームを妨げるものが何もないので、輝尽励起用
光ビームの利用効率が良い等の効果を得ることが
できる。
第６図は本発明装置の一実施例を示す構成図で
ある。図において、第４図と同一部分には同一符
号を付して示す。第４図では、パネル１３の輝尽
発光を直接光検出器５２に取込んでいたが、第６
図の場合、光伝導体６１で光検出器５２まで導い
ている点が異なつている。６２は入射した輝尽励
起用光ビームを主走査方向（図のＺ方向）に振り
分ける偏向ミラーである。このように構成された
装置の動作を説明すれば、以下の通りである。
ある。図において、第４図と同一部分には同一符
号を付して示す。第４図では、パネル１３の輝尽
発光を直接光検出器５２に取込んでいたが、第６
図の場合、光伝導体６１で光検出器５２まで導い
ている点が異なつている。６２は入射した輝尽励
起用光ビームを主走査方向（図のＺ方向）に振り
分ける偏向ミラーである。このように構成された
装置の動作を説明すれば、以下の通りである。
輝尽励起用光ビームは、偏向ミラー６２により
偏向されながら主走査方向（図のＺ方向）に、且
つパネル１３の法線方向に対してある一定の傾き
で照射される。輝尽励起用光ビームによつて照射
されたパネル１３は輝尽発光を発する。この輝尽
発光は光伝導体６１により光検出器５２に導かれ
る。この場合の集光面は、光伝導体６１の一方の
断面６３であり、走査線を中心として、パネル１
３と略々平行となるように設置されている。集光
面の走査方向（Ｚ方向）の長さは、パネル１３の
幅と同じか長くなるように設計されており、走査
周辺での検出効率の低下を防いでいる。光伝導体
６１の他方の断面はフイルタ５１に密着してお
り、該フイルタ５１の他方の面は光検出器５２に
接しているので光の損失がない。光伝導体とし
て、例えばプラスチツクフアイバを用いると検出
効率を向上させることができる。尚光伝導体はプ
ラスチツクシートを加工して形成してもよい。
偏向されながら主走査方向（図のＺ方向）に、且
つパネル１３の法線方向に対してある一定の傾き
で照射される。輝尽励起用光ビームによつて照射
されたパネル１３は輝尽発光を発する。この輝尽
発光は光伝導体６１により光検出器５２に導かれ
る。この場合の集光面は、光伝導体６１の一方の
断面６３であり、走査線を中心として、パネル１
３と略々平行となるように設置されている。集光
面の走査方向（Ｚ方向）の長さは、パネル１３の
幅と同じか長くなるように設計されており、走査
周辺での検出効率の低下を防いでいる。光伝導体
６１の他方の断面はフイルタ５１に密着してお
り、該フイルタ５１の他方の面は光検出器５２に
接しているので光の損失がない。光伝導体とし
て、例えばプラスチツクフアイバを用いると検出
効率を向上させることができる。尚光伝導体はプ
ラスチツクシートを加工して形成してもよい。
（発明の効果）
以上述べて来たように本発明の如く、表面に結
着剤を含まない輝尽性螢光体層をパネルに設け、
輝尽励起光の入射方向を該パネル法線に関しθに
とりその反射方向を輝尽発光強度の最も強いパネ
ル法線方向からはずし、且つ発生した輝尽発光は
最も有利な該法線方向に於て取出すことを可能な
らしめ、更に好ましくは光誘導性を有する微細柱
状ブロツク構造の輝尽性螢光体層を形成し、更に
は輝尽励起光としてレーザを用いることによつ
て、本発明は以下に示す効果がある。
着剤を含まない輝尽性螢光体層をパネルに設け、
輝尽励起光の入射方向を該パネル法線に関しθに
とりその反射方向を輝尽発光強度の最も強いパネ
ル法線方向からはずし、且つ発生した輝尽発光は
最も有利な該法線方向に於て取出すことを可能な
らしめ、更に好ましくは光誘導性を有する微細柱
状ブロツク構造の輝尽性螢光体層を形成し、更に
は輝尽励起光としてレーザを用いることによつ
て、本発明は以下に示す効果がある。
(1) 輝尽発光の集光効率が著しく高いため、放射
線に対し高感度となるばかりか得られる放射線
画像のＳ／Ｎ比が向上する。
線に対し高感度となるばかりか得られる放射線
画像のＳ／Ｎ比が向上する。
(2) 輝尽励起光と輝尽発光の分離性が良く放射線
画像のＳ／Ｎ比が向上する。
画像のＳ／Ｎ比が向上する。
(3) 輝尽発光の集光手段が単純であり、読取装置
の小型化、低価格化が可能となる。
の小型化、低価格化が可能となる。
本発明はこのように優れた放射線画像情報読取
方法及び装置を提供でき、工業的に非常に有用な
ものである。
方法及び装置を提供でき、工業的に非常に有用な
ものである。
第１図は本発明に用いる放射線画像変換パネル
の輝尽発光強度の角度依存性を示す。第２図及び
第３図は微細柱状ブロツク構造の輝尽性螢光体の
構成説明図である。第４図は本発明の輝尽発光検
出部の構成を示す図、第５図は本発明の一実施例
の輝尽励起光の反射散乱性を示す図である。第６
図は本発明の装置の一実施例を示す。第７図乃至
第１１図は従来の方法、装置の例を示す図であ
る。また第１２図は従来の放射線画像変換パネル
の輝尽性螢光体層からの輝尽発光強度の角度依存
性を示すものである。 １，１１……放射線源、２……被写体、３，１
３……放射線画像変換パネル、１２……ダイクロ
イツクフイルタ、１４……レンズ、１５，５１…
…フイルタ、１６……光電変換素子、２１……ミ
ラー、３１……偏向器、３２，３３，６１……光
伝導体、４１……反射ミラー、５２……光検出
器、５３，６３……集光面、６２……偏向ミラ
ー、１１２ij……微細柱状ブロツク、１１２……
輝尽性螢光体層。
の輝尽発光強度の角度依存性を示す。第２図及び
第３図は微細柱状ブロツク構造の輝尽性螢光体の
構成説明図である。第４図は本発明の輝尽発光検
出部の構成を示す図、第５図は本発明の一実施例
の輝尽励起光の反射散乱性を示す図である。第６
図は本発明の装置の一実施例を示す。第７図乃至
第１１図は従来の方法、装置の例を示す図であ
る。また第１２図は従来の放射線画像変換パネル
の輝尽性螢光体層からの輝尽発光強度の角度依存
性を示すものである。 １，１１……放射線源、２……被写体、３，１
３……放射線画像変換パネル、１２……ダイクロ
イツクフイルタ、１４……レンズ、１５，５１…
…フイルタ、１６……光電変換素子、２１……ミ
ラー、３１……偏向器、３２，３３，６１……光
伝導体、４１……反射ミラー、５２……光検出
器、５３，６３……集光面、６２……偏向ミラ
ー、１１２ij……微細柱状ブロツク、１１２……
輝尽性螢光体層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも表面に結着剤を含有しない輝尽性
蛍光体層を有する放射線画像変換パネルを、レー
ザ光源からの励起用光ビームで走査し、励起発生
する輝尽発光光を光検出器で光電変換し、前記放
射線画像変換パネルに記録された放射線画像情報
を読取るようにした放射線画像情報読取方法にお
いて、前記放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体
層は、層厚方向に対し微細柱状結晶ブロツク構造
を有し、かつ前記励起用光ビームは、前記放射線
画像変換パネル面上の該光ビームの主走査位置に
おける法線方向に対して30°乃至60°の範囲の角度
をもつて照射されて前記放射線画像変換パネル面
を走査し、前記放射線画像変換パネルの主走査方
向の全幅に亙つて延在する集光面は、前記励起用
光ビームの走査位置の略直上になるように設けら
れるとともに、前記放射線画像変換パネルの法線
方向に対して略垂直になるように設定されている
ことを特徴とする放射線画像情報読取方法。 ２ 輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネ
ルと、該変換パネルに記録された放射線画像情報
を輝尽発光させるレーザ光源と、該レーザ光源か
らの励起用光ビームで前記変換パネル面上を走査
する走査手段と、励起発生する輝尽発光光を光電
変換する光検出器を含んで構成される放射線画像
情報読取装置において、前記放射線画像変換パネ
ルは、少なくとも表面に結着剤を含有しない微細
柱状結晶ブロツク構造からなる輝尽性蛍光体層を
有し、かつ前記励起用光ビームは、前記放射線画
像変換パネル面上の該光ビームの主走査位置にお
ける法線方向に対して30°乃至60°の範囲の角度を
もつて照射されて前記放射線画像変換パネル面を
走査し、前記放射線画像変換パネルの主走査方向
の全幅に亙つて延在する集光面は、前記励起用光
ビームの走査位置の略直上になるように設けられ
るとともに、前記放射線画像変換パネルの法線方
向に対して略垂直になるように設定されているこ
とを特徴とする放射線画像情報読取装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60053168A JPS61212163A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 放射線画像情報読取方法及び装置 |
| US07/513,021 US5055681A (en) | 1984-09-18 | 1990-04-23 | Radiographic image storage panel and process for reading out a radiographic image |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60053168A JPS61212163A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 放射線画像情報読取方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61212163A JPS61212163A (ja) | 1986-09-20 |
| JPH0468614B2 true JPH0468614B2 (ja) | 1992-11-02 |
Family
ID=12935325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60053168A Granted JPS61212163A (ja) | 1984-09-18 | 1985-03-15 | 放射線画像情報読取方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61212163A (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3838273A (en) * | 1972-05-30 | 1974-09-24 | Gen Electric | X-ray image intensifier input |
| JPS52145284A (en) * | 1976-05-28 | 1977-12-03 | Jiyoukou Sangiyou Kk | Optical device of scanninggtype fluorescent photometer |
| JPS5780545A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Fujitsu Ltd | Measuring device for photoluminescence strength |
| JPS5960300A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-06 | 富士通株式会社 | 放射線像読取装置 |
-
1985
- 1985-03-15 JP JP60053168A patent/JPS61212163A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61212163A (ja) | 1986-09-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |