JPS61212008A - フライバツクトランス - Google Patents
フライバツクトランスInfo
- Publication number
- JPS61212008A JPS61212008A JP60053921A JP5392185A JPS61212008A JP S61212008 A JPS61212008 A JP S61212008A JP 60053921 A JP60053921 A JP 60053921A JP 5392185 A JP5392185 A JP 5392185A JP S61212008 A JPS61212008 A JP S61212008A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- winding
- resistor
- coil
- secondary winding
- ringing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F38/00—Adaptations of transformers or inductances for specific applications or functions
- H01F38/42—Flyback transformers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Rectifiers (AREA)
- Details Of Television Scanning (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はカラーテレビやコンピュータ端末ノＣＲＴディ
スプレイ装置等に使用されるフライバンクトランスに関
するものである。
スプレイ装置等に使用されるフライバンクトランスに関
するものである。
従来の技術
一般に、ＣＲＴのアノードに高電圧を供給する手段とし
て水平偏向回路に生じるフライバックパルス電圧を昇圧
するフライバックトランスを用いている。このフライバ
ックトランス（以下、ＦＢＴという）には二次巻線の巻
線方式で区分したとき、第８図に示すような多数の巻線
溝を有する高圧コイルボビン３１に巻回された分割巻コ
イル３２をダイオード３３を介して直列に接続したもの
（分割巻ＦＢＴ ）や、第９図に示すような円筒状の高
圧コイルボビン３４にソレノイド状に整列巻された二次
巻線３５と絶縁フィルム３６を交互に配置し念もの（積
層巻ＦＢＴ）とがある。
て水平偏向回路に生じるフライバックパルス電圧を昇圧
するフライバックトランスを用いている。このフライバ
ックトランス（以下、ＦＢＴという）には二次巻線の巻
線方式で区分したとき、第８図に示すような多数の巻線
溝を有する高圧コイルボビン３１に巻回された分割巻コ
イル３２をダイオード３３を介して直列に接続したもの
（分割巻ＦＢＴ ）や、第９図に示すような円筒状の高
圧コイルボビン３４にソレノイド状に整列巻された二次
巻線３５と絶縁フィルム３６を交互に配置し念もの（積
層巻ＦＢＴ）とがある。
また、二次巻線の結線方式としては第１１図イ。
口に示す分割巻ＦＢＴ用のもの、および第１２図イ９口
に示す積層巻ＦＢＴ用のものがある。
に示す積層巻ＦＢＴ用のものがある。
これらの二次巻線の結線方式の全てに対して、二次巻線
に発生するリンギング電圧を減衰させる方法として第５
図イに示すようにＦＢＴの一次巻線に直列にインタフタ
ンスＬ１ と抵抗Ｒ１の並列回路を接続する方法がある
。また、第１２図イに示す二次巻線の結線方式にのみ有
効な方法として、第５図口に示すようにＦＢＴの二次巻
線の低圧側巻始めに抵抗、または抵抗とコイルの並列回
路を接続する方法等がある。
に発生するリンギング電圧を減衰させる方法として第５
図イに示すようにＦＢＴの一次巻線に直列にインタフタ
ンスＬ１ と抵抗Ｒ１の並列回路を接続する方法がある
。また、第１２図イに示す二次巻線の結線方式にのみ有
効な方法として、第５図口に示すようにＦＢＴの二次巻
線の低圧側巻始めに抵抗、または抵抗とコイルの並列回
路を接続する方法等がある。
なお、Ｊ”１Ｒ１＝ωβＬ１ （ωβはリンギングの角
周波数）である。
周波数）である。
発明が解決しようとする問題点
近年カラーテレビはＡＶ対応ということで画質の向上が
非常に要望されるようになり、またコンピュータ端末器
としてのＣＲＴディスプレイ装置においては高精細度化
が進み、水平偏向周波数の非常に高いものが必要となシ
、その中で前記同様画質の向上や異常時の信頼性の向上
に対する要求が従来以上に増大してきている。また流通
網が世界的になりかつ使用分野が拡大し高山地域での上
記機器類が使用される場合がでてきたため低気圧下での
信頼性も要望される。
非常に要望されるようになり、またコンピュータ端末器
としてのＣＲＴディスプレイ装置においては高精細度化
が進み、水平偏向周波数の非常に高いものが必要となシ
、その中で前記同様画質の向上や異常時の信頼性の向上
に対する要求が従来以上に増大してきている。また流通
網が世界的になりかつ使用分野が拡大し高山地域での上
記機器類が使用される場合がでてきたため低気圧下での
信頼性も要望される。
こういった要望に立って従来のＦＢＴの性能を評価する
と第１表のようになる。
と第１表のようになる。
第１表
イ）高圧負荷変動については、一次巻線と二次巻線の結
合度の低い分割巻ＦＢＴでは不十分であり、（２）ン二
次巻線に発生するリンギングについては、分割巻ＦＢＴ
はリンギングの通路が各所に存在し、減衰回路を使用し
て除去した場合もその能率が悪く十分減衰しきれず、高
圧負荷変動をも悪くしてしまうという欠点を有している
。（，９ＣＲＴの管内放電時に対するＦＢＴの耐力につ
いては、第１１図イに示すようなダイオードで分割され
た各二次巻線の結合が密な積層巻ＦＢＴＯ方が、各ダイ
オードにかかる逆耐電圧が正常時に比べ約３０％〜１０
０％も大きくなるため破壊しやすい欠点を有している。
合度の低い分割巻ＦＢＴでは不十分であり、（２）ン二
次巻線に発生するリンギングについては、分割巻ＦＢＴ
はリンギングの通路が各所に存在し、減衰回路を使用し
て除去した場合もその能率が悪く十分減衰しきれず、高
圧負荷変動をも悪くしてしまうという欠点を有している
。（，９ＣＲＴの管内放電時に対するＦＢＴの耐力につ
いては、第１１図イに示すようなダイオードで分割され
た各二次巻線の結合が密な積層巻ＦＢＴＯ方が、各ダイ
オードにかかる逆耐電圧が正常時に比べ約３０％〜１０
０％も大きくなるため破壊しやすい欠点を有している。
（→二次巻線のレヤーショート事故については、線間耐
圧が、巻線時の線くずれ等の生じ易い分割巻ＦＢＴＯ方
が非常に大きく二次巻線のレヤーショートが発生し易い
という欠点を有している。
圧が、巻線時の線くずれ等の生じ易い分割巻ＦＢＴＯ方
が非常に大きく二次巻線のレヤーショートが発生し易い
という欠点を有している。
（→低気圧地域、例えば高山地域での使用に対する信頼
性の面では、二次巻線をｌｌＩＤ箇のダイオードで分割
しても分割された各々の二次巻線に発生するパルス電圧
が１／ｎＤにしかならない第１１図イに示す構成の積層
巻ＦＢＴＯ方が大きく、二次巻線とコアーの間で放電し
やすく、内部の絶縁も強化しなければならないという欠
点を有している。
性の面では、二次巻線をｌｌＩＤ箇のダイオードで分割
しても分割された各々の二次巻線に発生するパルス電圧
が１／ｎＤにしかならない第１１図イに示す構成の積層
巻ＦＢＴＯ方が大きく、二次巻線とコアーの間で放電し
やすく、内部の絶縁も強化しなければならないという欠
点を有している。
（→設計のしやすさ、特性のバラツキの点では、ダイオ
ードで分割された各二次巻線と一次巻線の結合具合が微
妙に異なる分割巻ＦＢＴＯ方は、少し巻線分布の変化で
ＦＢＴの緒特性に大きな影響が生じ、設計に非常に手間
がかかるとともに、大量生産時のバラツキが大きいとい
う欠点がある。
ードで分割された各二次巻線と一次巻線の結合具合が微
妙に異なる分割巻ＦＢＴＯ方は、少し巻線分布の変化で
ＦＢＴの緒特性に大きな影響が生じ、設計に非常に手間
がかかるとともに、大量生産時のバラツキが大きいとい
う欠点がある。
問題点を解決するための手段
本発明は前述の問題点を解決するため、積層巻ＦＢＴに
おいて、整列巻されたンレノイド状の各二次巻線の全て
の両端にダイオードを接続し、かつ二次巻線に発生する
リンギング電圧を減衰させる手段を具備してなるもので
ある。
おいて、整列巻されたンレノイド状の各二次巻線の全て
の両端にダイオードを接続し、かつ二次巻線に発生する
リンギング電圧を減衰させる手段を具備してなるもので
ある。
作 用
上記構成によれば、ダイオードの使用本数や二次巻線の
層数を増加することなく、二次巻線に発生するパルス電
圧を小さくでき、ＣＲＴの管内放電に強くかつＦＢＴの
内部の絶縁性能にすぐれ、低気圧地域での耐放電等の信
頼性を飛躍的に向上させ、高圧負荷特性をそこなうこと
なく、リンギングの非常に少ない高性能なＦＢＴが得ら
れる。
層数を増加することなく、二次巻線に発生するパルス電
圧を小さくでき、ＣＲＴの管内放電に強くかつＦＢＴの
内部の絶縁性能にすぐれ、低気圧地域での耐放電等の信
頼性を飛躍的に向上させ、高圧負荷特性をそこなうこと
なく、リンギングの非常に少ない高性能なＦＢＴが得ら
れる。
実施例
第１図は本発明の一実施例を示す結線図で一次巻線１の
Ｗ、１と二次巻線２のＷ２１の間に円筒状抵抗体３を配
置し、二次巻線２のＷ２１〜Ｗ２５はダイオード４のＤ
１〜Ｄ６と交互に直列に接続され、各二次巻線２のＷ２
１〜Ｗ２５の両端に必ずダイオード４が配置されている
ようにする。また一次巻線１の十Ｂ端子側にコイルｅと
抵抗７の並列回路が直列に結線されている。ここで従来
の積層巻ＦＢＴにないダイオード６のＤｌによる二次巻
線２のＷ２１〜Ｗ２６ 各々に発生するパルス電圧の低
減を行い、その結果ルートの変ったリンギング電流を円
筒状抵抗体３および抵抗７とコイル６によって減衰させ
、第１表のイ〜へに示す全ての性能を十分満足するＦＢ
Ｔを得ることができる。第１図のコイル６、抵抗７の回
路の代わりに第６図の口に示す回路を使っても同様の結
果が得られる。
Ｗ、１と二次巻線２のＷ２１の間に円筒状抵抗体３を配
置し、二次巻線２のＷ２１〜Ｗ２５はダイオード４のＤ
１〜Ｄ６と交互に直列に接続され、各二次巻線２のＷ２
１〜Ｗ２５の両端に必ずダイオード４が配置されている
ようにする。また一次巻線１の十Ｂ端子側にコイルｅと
抵抗７の並列回路が直列に結線されている。ここで従来
の積層巻ＦＢＴにないダイオード６のＤｌによる二次巻
線２のＷ２１〜Ｗ２６ 各々に発生するパルス電圧の低
減を行い、その結果ルートの変ったリンギング電流を円
筒状抵抗体３および抵抗７とコイル６によって減衰させ
、第１表のイ〜へに示す全ての性能を十分満足するＦＢ
Ｔを得ることができる。第１図のコイル６、抵抗７の回
路の代わりに第６図の口に示す回路を使っても同様の結
果が得られる。
また、前記実施例はどのリンギングレベルが不要な場合
に対しては、抵抗７．コイル６の並列回路または、円筒
状抵抗体３を削除することもできるＣ前記実施例は一例
であって、二次巻線の層数を増減しても同様の結果が得
られる。また、第１図には巻線構成として一次巻線と二
次巻線だけの例で示しているが、その他、ヒータ巻線や
他のパルス巻線も、一次巻線と共に巻回されたり、ファ
ーと一次巻線の間、あるいは一次コイルと抵抗体の間に
別ボビンに巻回して配置することもできる。
に対しては、抵抗７．コイル６の並列回路または、円筒
状抵抗体３を削除することもできるＣ前記実施例は一例
であって、二次巻線の層数を増減しても同様の結果が得
られる。また、第１図には巻線構成として一次巻線と二
次巻線だけの例で示しているが、その他、ヒータ巻線や
他のパルス巻線も、一次巻線と共に巻回されたり、ファ
ーと一次巻線の間、あるいは一次コイルと抵抗体の間に
別ボビンに巻回して配置することもできる。
第２図イは前記実施例の構造を示す図、第２図口はその
断面図である。
断面図である。
そして、第１図に示すように、二次巻線である積層巻コ
イル２のＷ２１〜Ｗ２５にダイオード４のＤ１〜Ｄ６を
交互に直列に結線し、全ての各積層巻コイル２のＷ２１
〜Ｗ２．の両端に必ずダイオード４のＤ１〜Ｄ６が接続
され、各積層巻コイルは同位相のパルス電圧が発生する
ようにすることにょシ、第３図および第４図に示すよう
に各積層巻コイルに発生するパルスは、正、負側パルス
に細分化され、最大パルス電圧の低減が計れる。このこ
とにより、第２表のｂに示すように、ＣＲＴの管内放電
に耐えるための各々のダイオードの分担電圧は下がり、
分割巻ＦＢＴと同等になる。
イル２のＷ２１〜Ｗ２５にダイオード４のＤ１〜Ｄ６を
交互に直列に結線し、全ての各積層巻コイル２のＷ２１
〜Ｗ２．の両端に必ずダイオード４のＤ１〜Ｄ６が接続
され、各積層巻コイルは同位相のパルス電圧が発生する
ようにすることにょシ、第３図および第４図に示すよう
に各積層巻コイルに発生するパルスは、正、負側パルス
に細分化され、最大パルス電圧の低減が計れる。このこ
とにより、第２表のｂに示すように、ＣＲＴの管内放電
に耐えるための各々のダイオードの分担電圧は下がり、
分割巻ＦＢＴと同等になる。
したがって第１表のハに示す、ＣＲＴ管内放電に対する
耐圧性能は解決される。また、同時に二次巻線の各部に
発生するパルス電圧が小さくなるので、低気圧下におい
ても二次巻線からＦＢＴのコアーへの放電はなくなる。
耐圧性能は解決される。また、同時に二次巻線の各部に
発生するパルス電圧が小さくなるので、低気圧下におい
ても二次巻線からＦＢＴのコアーへの放電はなくなる。
しかし、上記の利点が生まれる反面、二次巻線の低圧側
に、リンギング減衰回路の抵抗あるいは抵抗とコイルの
並列回路を接続してもリンギングは全く減衰せずしたが
って、第１表の口にみられるような評価結果も得られな
くなってしまう。これは、二次巻線の低圧側の巻始めに
もダイオードが接続されることによって、従来の場合、
第８図に示すようにリンギングの集結するポイントが二
次コイルの低圧側巻始めＫあったものが、第４図に示す
ように、二次コイルの中央部分に移動し、第６図に示す
箇所に減衰回路を配置しても、リンギングが通過せず、
全く減衰しなくなるためである。このことに対し、本実
施例では、第１図および第２図イに示すように一次巻線
と二次巻線の間に円筒状の抵抗体３もしくは円筒状抵抗
体にスリットを設けたものを配置することにより、第４
図に示すようにこの抵抗体にリンギングの電流が流れ、
大部分のリンギング成分を減衰させることができる。更
に十分リンギングを除去することが必要な場合は、第１
図に示すようにコイル６のＬｌと抵抗７のＲ１の並列回
路を一次巻線に直列に結線することを上記円筒状抵抗体
を配置することと併用することで達成できる。しかも従
来の分割巻ＦＢＴの場合に比べ、本実施例の積層巻ＦＢ
Ｔの場合、分布容量もリーケージインダクタンスも非常
に少ないため、この間、Ｌｌは小さなインダクタンスで
すみ、高圧負荷変動をほとんど下げることなく改善でき
る。更にこのコイル６の端子間にかかる電圧も低くなり
耐圧の低いコイルで済む。
に、リンギング減衰回路の抵抗あるいは抵抗とコイルの
並列回路を接続してもリンギングは全く減衰せずしたが
って、第１表の口にみられるような評価結果も得られな
くなってしまう。これは、二次巻線の低圧側の巻始めに
もダイオードが接続されることによって、従来の場合、
第８図に示すようにリンギングの集結するポイントが二
次コイルの低圧側巻始めＫあったものが、第４図に示す
ように、二次コイルの中央部分に移動し、第６図に示す
箇所に減衰回路を配置しても、リンギングが通過せず、
全く減衰しなくなるためである。このことに対し、本実
施例では、第１図および第２図イに示すように一次巻線
と二次巻線の間に円筒状の抵抗体３もしくは円筒状抵抗
体にスリットを設けたものを配置することにより、第４
図に示すようにこの抵抗体にリンギングの電流が流れ、
大部分のリンギング成分を減衰させることができる。更
に十分リンギングを除去することが必要な場合は、第１
図に示すようにコイル６のＬｌと抵抗７のＲ１の並列回
路を一次巻線に直列に結線することを上記円筒状抵抗体
を配置することと併用することで達成できる。しかも従
来の分割巻ＦＢＴの場合に比べ、本実施例の積層巻ＦＢ
Ｔの場合、分布容量もリーケージインダクタンスも非常
に少ないため、この間、Ｌｌは小さなインダクタンスで
すみ、高圧負荷変動をほとんど下げることなく改善でき
る。更にこのコイル６の端子間にかかる電圧も低くなり
耐圧の低いコイルで済む。
また従来タイプの積層巻ＦＢＴの場合と比較しても本実
施例の積層巻ＦＢＴの各部のパルス電圧かに２になって
いることでリンギングに関与する分布容量は４ になっ
て作用し、リンギングの周波数は７倍に上り、従来タイ
プの積層巻ＦＢＴに比べても接続するコイル６のインダ
クタンスは小さくでき、高圧負荷変動への悪影響はほと
んどない。
施例の積層巻ＦＢＴの各部のパルス電圧かに２になって
いることでリンギングに関与する分布容量は４ になっ
て作用し、リンギングの周波数は７倍に上り、従来タイ
プの積層巻ＦＢＴに比べても接続するコイル６のインダ
クタンスは小さくでき、高圧負荷変動への悪影響はほと
んどない。
かくして、第１表に示す欠点が全くないＦＢＴが得られ
るものである。
るものである。
発明の効果
以上の説明から明らかなように本発明によれば、ダイオ
ードの使゛用本数や二次巻線の層数を増加することなく
、二次巻線に発生するパルス電圧を小さくでき、ＣＲＴ
の管内放電に強く、かつＦＢＴ内部の絶縁性能に優れ、
低気圧地域での耐放電等の信頼性を飛躍的に向上させ、
高圧負荷特性を損なうことなく、リンギングの非常に少
ない高性能なＦＢＴを提供することができる。
ードの使゛用本数や二次巻線の層数を増加することなく
、二次巻線に発生するパルス電圧を小さくでき、ＣＲＴ
の管内放電に強く、かつＦＢＴ内部の絶縁性能に優れ、
低気圧地域での耐放電等の信頼性を飛躍的に向上させ、
高圧負荷特性を損なうことなく、リンギングの非常に少
ない高性能なＦＢＴを提供することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す結線図、第２図イは第
１図の具体的構造を示す横断面図、第２図口は同縦断面
図、第３図は同要部の電圧波形図、第４図は動作時に発
生するリンギングの電流ループを示す図、第６図は４１
口はそれぞれＦＢＴの一次巻線側に接続されるリンギン
グ減衰回路の回路図、第６図は従来の積層巻ＦＢＴの動
作状態に於ける各二次巻線に発生するパルス電圧を示す
電圧波形図、第７図は同積層巻ＦＢＴのリンギングの電
流ループを示す図、第８図は分割巻ＦＢＴの二次巻線の
断面図、第９図は積層巻ＦＢＴの二次巻線の断面図、第
１０図イ２口は分割巻ＦＢＴの二次巻線の結線図、第１
１図イ２口は積層巻ＦＢＴの二次巻線の結線図である。 １・・・・・一次巻線、２・・・・・・二次巻線、３・
・・・・・円筒状抵抗体、４・・・・・・ダイオード、
１６・・・・・・コアー。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｉＩ
１図 第 ２ 図 １−−゛ −ン欠巻線 ２− 二久塾線 第５図 １（やく柳頷（９邸矩呑Ｆ暎瀞モー〜Ｑ°ぐ倚に帛−屓
（賢第８図 ３１３？ 第９図 第１０図 （イ） ζ町第１１図 （リ リ
１図の具体的構造を示す横断面図、第２図口は同縦断面
図、第３図は同要部の電圧波形図、第４図は動作時に発
生するリンギングの電流ループを示す図、第６図は４１
口はそれぞれＦＢＴの一次巻線側に接続されるリンギン
グ減衰回路の回路図、第６図は従来の積層巻ＦＢＴの動
作状態に於ける各二次巻線に発生するパルス電圧を示す
電圧波形図、第７図は同積層巻ＦＢＴのリンギングの電
流ループを示す図、第８図は分割巻ＦＢＴの二次巻線の
断面図、第９図は積層巻ＦＢＴの二次巻線の断面図、第
１０図イ２口は分割巻ＦＢＴの二次巻線の結線図、第１
１図イ２口は積層巻ＦＢＴの二次巻線の結線図である。 １・・・・・一次巻線、２・・・・・・二次巻線、３・
・・・・・円筒状抵抗体、４・・・・・・ダイオード、
１６・・・・・・コアー。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｉＩ
１図 第 ２ 図 １−−゛ −ン欠巻線 ２− 二久塾線 第５図 １（やく柳頷（９邸矩呑Ｆ暎瀞モー〜Ｑ°ぐ倚に帛−屓
（賢第８図 ３１３？ 第９図 第１０図 （イ） ζ町第１１図 （リ リ
Claims (3)
- （１）コアーを中心に円筒状に一次巻線を配置し、その
外周に整列巻したソレノイド状コイルと絶縁材とを交互
に低圧側より複数箇積層し、前記ソレノイド状コイルの
各コイルの極性が同位相となるようダイオードで接続し
た二次巻線を配置し、前記一次巻線、前記二次巻線およ
び前記ダイオード等の必要部品を絶縁ケース内に収納し
、エポキシ樹脂等の絶縁材にて絶縁処理したフライバッ
クトランスにおいて、前記二次巻線の各コイルの全ての
両端にダイオードを接続し、かつ前記二次巻線に発生す
るリンギング電圧を減衰させる手段を具備したフライバ
ックトランス。 - （２）リンギング電圧を減衰させる手段として、一次巻
線と二次巻線の間に、円筒状の抵抗体あるいはスリット
を有する円筒状の抵抗体を設けた特許請求の範囲第１項
記載のフライバックトランス。 - （３）リンギング電圧を減衰させる手段として、一次巻
線に直列に、抵抗とコイルの並列回路あるいはリンギン
グ電圧の周波数と同様の並列共振回路と抵抗、コンデン
サの直列回路を接続した特許請求の範囲第１項記載のフ
ライバックトランス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60053921A JPH0658853B2 (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | フライバツクトランス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60053921A JPH0658853B2 (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | フライバツクトランス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61212008A true JPS61212008A (ja) | 1986-09-20 |
| JPH0658853B2 JPH0658853B2 (ja) | 1994-08-03 |
Family
ID=12956179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60053921A Expired - Fee Related JPH0658853B2 (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | フライバツクトランス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0658853B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0252411U (ja) * | 1988-10-07 | 1990-04-16 | ||
| US5060128A (en) * | 1989-03-31 | 1991-10-22 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Flyback power supply |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5543974A (en) * | 1978-09-21 | 1980-03-28 | Murata Mfg Co Ltd | Fly-back transformer |
| JPS57130408A (en) * | 1981-02-05 | 1982-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Flyback-type transformer |
| JPS57206274A (en) * | 1981-06-11 | 1982-12-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Flyback transformer |
-
1985
- 1985-03-18 JP JP60053921A patent/JPH0658853B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
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| JPS57130408A (en) * | 1981-02-05 | 1982-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Flyback-type transformer |
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| JPH0252411U (ja) * | 1988-10-07 | 1990-04-16 | ||
| US5060128A (en) * | 1989-03-31 | 1991-10-22 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Flyback power supply |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0658853B2 (ja) | 1994-08-03 |
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