JPH0658853B2 - フライバツクトランス - Google Patents

フライバツクトランス

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JPH0658853B2
JPH0658853B2 JP60053921A JP5392185A JPH0658853B2 JP H0658853 B2 JPH0658853 B2 JP H0658853B2 JP 60053921 A JP60053921 A JP 60053921A JP 5392185 A JP5392185 A JP 5392185A JP H0658853 B2 JPH0658853 B2 JP H0658853B2
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winding
secondary winding
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resistor
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善一 久瀬
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F38/00Adaptations of transformers or inductances for specific applications or functions
    • H01F38/42Flyback transformers

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Details Of Television Scanning (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Rectifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はカラーテレビやコンピュータ端末のCRTディ
スプレイ装置等に使用されるフライバックトランスに関
するものである。
従来の技術 一般に、CRTのアノードに高電圧を供給する手段とし
て水平偏向回路に生じるフライバックパルス電圧を昇圧
するフライバックトランスを用いている。このフライバ
ックトランス(以下、FBTという)には二次巻線の巻
線方式で区分したとき、第8図に示すような多数の巻線
溝を有する高圧コイルボビン31に巻回された分割巻コ
イル32をダイオード33を介して直列に接続したもの
(分割巻FBT)や、第9図に示すような円筒状の高圧
コイルボビン34にソレノイド状に整列巻された二次巻
線35と絶縁フィルム36を交互に配置したもの(積層
巻FBT)とがある。
また、二次巻線の結線方式としては第10図イ,ロに示
す分割巻FBT用のもの、および第11図イ,ロに示す
積層巻FBT用のものがある。
これらの二次巻線の結線方式の全てに対して、二次巻線
に発生するリンギング電圧を減衰させる方法として第5
図イに示すようにFBTの一次巻線に直列にインダクタ
ンスL1と抵抗R1の並列回路を接続する方法がある。ここ
で、 (ωβはリンギングの角周波数)である。また、第11
図イに示す二次巻線の結線方式にのみ有効な方法とし
て、第5図ロに示すようにFBTの二次巻線の低圧側巻
始めに抵抗、または第5図ハに示すように抵抗とコイル
の並列回路を接続する方法等がある。
発明が解決しようとする問題点 近年カラーテレビはAV対応ということで画質の向上が
非常に要望されるようになり、またコンピューター端末
器としてのCRTディスプレイ装置においては高精細度
化が進み、水平偏向周波数の非常に高いものが必要とな
り、その中で前記同様画質の向上や異常時の信頼性の向
上に対する要求が従来以上に増大してきている。また流
通網が世界的になりかつ使用分野が拡大し高山地域での
上記機器類が使用される場合がでてきたため低気圧下で
の信頼性も要望される。
こういった要望に立って従来のFBTの性能を評価する
と第1表のようになる。
(イ)高圧負荷変動については、一次巻線と二次巻線の結
合度の低い分割巻FBTでは不十分であり、(ロ)二次巻
線に発生するリンギングについては、分割巻FBTはリ
ンギングの通路が各所に存在し、減衰回路を使用して除
去した場合もその能率が悪く十分減衰しきれず、高圧負
荷変動をも悪くしてしまうという欠点を有している。
(ハ)CRTの管内放電時に対するFBTの耐力について
は、第11図イに示すようなダイオードで分割された各
二次巻線の結合が密な積層巻FBTの方が、各ダイオー
ドにかかる逆耐電圧が正常時に比べ約30%〜100%
も大きくなるため破壊しやすい欠点を有している。(ニ)
二次巻線のレヤーショート事故については、線間耐圧
が、巻線時の線くずれ等の生じ易い分割巻FBTの方が
非常に大きく二次巻線のレヤーショートが発生し易いと
いう欠点を有している。
(ホ)低気圧地域、例えば高山地域での使用に対する信頼
性の面では、二次巻線をnD箇のダイオードで分割しても
分割された各々の二次巻線に発生するパルス電圧が1/nD
にしかならない第11図イに示す構成の積層巻FBTの
方が大きく、二次巻線とコアーの間で放電しやすく、内
部の絶縁も強化しなければならないという欠点を有して
いる。(ヘ)設計のしやすさ、特性のバラツキの点では、
ダイオードで分割された各二次巻線と一次巻線の結合具
合が微妙に異なる分割巻FBTの方は、少しの巻線分布
の変化でFBTの諸特性に大きな影響が生じ、設計に非
常に手間がかかるとともに、大量生産時のバラツキが大
きいという欠点がある。
問題点を解決するための手段 コアーを中心に円筒状に一次巻線を配置し、その外周に
整列巻したソレノイド状コイルと絶縁材とを交互に低圧
側より複数個積層し、前記ソレノイド状コイルの各コイ
ルの極性が同位相となるようダイオードで接続した二次
巻線を配置し、前記一次巻線,前記二次巻線および前記
ダイオード等の必要部品を絶縁ケース内に収納し、エポ
キシ樹脂等の絶縁材にて絶縁処理したフライバックトラ
ンスにおいて、前記二次巻線の各コイルの全ての両端に
ダイオードを接続するとともに、一次巻線と二次巻線の
間に、円筒状の抵抗体あるいはスリットを有する円筒状
の抵抗体を設け、かつ一次巻線に直列に、抵抗とコイル
の並列回路あるいは、リンキング電圧の周波数と同様の
並列共振回路に抵抗とコンデンサの直列回路を接続し
た。
作 用 上記構成によれば、ダイオードの使用本数や二次巻線の
層数を増加することなく、二次巻線に発生するパルス電
圧を小さくでき、CRTの管内放電に強くかつFBTの
内部の絶縁性能にすぐれ、低気圧地域での耐放電等の信
頼性を飛躍的に向上させ、高圧負荷特性をそこなうこと
なく、リンギングの非常に少ない高性能なFBTが得ら
れる。
実施例 第1図は本発明の一実施例を示す結線図で一次巻線1の
W11と二次巻線2のW21の間に円筒状抵抗体3を配置し、
二次巻線2のW21〜W25はダイオード5のD1およびダイオ
ード4のD2〜D6と交互に直列に接続され、各二次巻線2
のW21〜W25の両端に必ずダイオード4,5が配置されて
いるようにする。また一次巻線1の+B端子側にコイル
6と抵抗7の並列回路が直列に結線されている。ここで
従来の積層巻FBTにないダイオード5のD1による二次
巻線2のW21〜W25各々に発生するパルス電圧が第4図に
示すようになり、その結果ルートの変ったリンギング電
流を円筒状抵抗体3および抵抗7とコイル6によって減
衰させ、第1表のイ〜ヘに示す全ての性能を十分満足す
るFBTを得ることができる。第1図のコイル6,抵抗
7の回路の代わりに第5図のニに示す回路を使っても同
様の結果が得られる。
前記実施例は一例であって、二次巻線の層数を増減して
も同様の結果が得られる。また、第1図には巻線構成と
して一次巻線と二次巻線だけの例で示しているが、その
他、ヒータ巻線や他のパルス巻線も、一次巻線と共に巻
回されたり、コアーと一次巻線の間、あるいは一次コイ
ルと抵抗体の間に別ボビンに巻回して配置することもで
きる。
第2図イは前記実施例の構造を示す図、第2図ロはその
断面図である。
そして、第1図に示すように、二次巻線である積層巻コ
イル2のW21〜W25にダイオード4,5のD1〜D6を交互に
直列に結線し、全ての各積層巻コイル2のW21〜W25の両
端に必ずダイオード4,5のD1〜D6が接続され、各積層
巻コイルは同位相のパルス電圧が発生するようにするこ
とにより、第3図および第4図に示すように各積層巻コ
イルに発生するパルスは、正,負両パルスに細分化さ
れ、最大パルス電圧の低減が計れる。このことにより、
CRTの管内放電に耐えるための各々のダイオードの分
担電圧は下がり、分割巻FBTと同等になる。
したがって第1表のハに示す、CRT管内放電に対する
耐圧性能は解決される。また、同時に二次巻線の各部に
発生するパルス電圧が小さくなるので、低気圧下におい
ても二次巻線からFBTのコアーへの放電はなくなる。
しかし、上記の利点が生まれる反面、二次巻線の低圧側
に、リンギング減衰回路の抵抗あるいは抵抗とコイルの
並列回路を接続してもリンギングは全く減衰せずしたが
って、第1表のロにみられるような評価結果も得られな
くなってしまう。これは、二次巻線の低圧側の巻始めに
もダイオードが接続されることによって、従来の場合、
第7図に示すようにリンギングの集結するポイントが二
次コイルの低圧側巻始めにあったものが、第4図に示す
ように、二次コイルの中央部分に移動し、第7図に示す
箇所に減衰回路を配置しても、リンギングが通過せず、
全く減衰しなくなるためである。このことに対し、本実
施例では、第1図および第2図イに示すように一次巻線
と二次巻線の間に円筒状の抵抗体3もしくは円筒状抵抗
体にスリットを設けたものを配置することにより、第4
図に示すようにこの抵抗体にリンギングの電流が流れ、
大部分のリンギング成分を減衰させることができる。更
に十分リンギングを除去することが必要な場合は、第1
図に示すようにコイル6のL1と抵抗7のR1の並列回路を
一次巻線に直列に結線することを上記円筒状抵抗体を配
置することと併用することで達成できる。しかも従来の
分割巻FBTの場合に比べ、本実施例の積層巻FBTの
場合、分布容量もリーケージインダクタンスも非常に少
ないため、この間、L1は小さなインダクタンスですみ、
高圧負荷変動をほとんど下げることなく改善できる。更
にこのコイル6の端子間にかかる電圧も低くなり耐圧の
低いコイルで済む。
また従来タイプの積層巻FBTの場合と比較しても本実
施例の積層巻FBTの各部のパルス電圧が1/2になって
いることでリンギングに関与する分布容量は1/2になっ
て作用し、リンギングの周波数は 倍に上り、従来タイプの積層巻FBTに比べても接続す
るコイル6のインダクタンスは小さくでき、高圧負荷変
動への悪影響はほとんどない。
かくして、第1表に示す欠点が全くないFBTが得られ
るものである。
発明の効果 以上の説明から明らかなように本発明によれば、ダイオ
ードの使用本数や二次巻線の層数を増加することなく、
二次巻線に発生するパルス電圧を小さくでき、CRTの
管内放電に強く、かつFBT内部の絶縁性能に優れ、低
気圧地域での耐放電等の信頼性を飛躍的に向上させ、高
圧負荷特性を損なうことなく、リンギングの非常に少な
い高性能なFBTを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す結線図、第2図イは第
1図の具体的構造を示す横断面図、第2図ロは同縦断面
図、第3図は同要部の電圧波形図、第4図は動作時に発
生するリンギングの電流ループを示す図、第5図のイ,
ニはそれぞれFBTの一次巻線側に、ロ,ハはそれぞれ
FBTの低圧側に接続されるリンギング減衰回路の回路
図、第6図は従来の積層巻FBTの動作状態に於ける各
二次巻線に発生するパルス電圧を示す電圧波形図、第7
図は同積層巻FBTのリンギングの電流ループを示す
図、第8図は分割巻FBTの二次巻線の断面図、第9図
は積層巻FBTの二次巻線の断面図、第10図イ,ロは
分割巻FBTの二次巻線の結線図、第11図イ,ロは積
層巻FBTの二次巻線の結線図である。 1……一次巻線、2……二次巻線、3……円筒状抵抗
体、4……ダイオード、16……コアー。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】コアーを中心に円筒状に一次巻線を配置
    し、その外周に整列巻したソレノイド状コイルと絶縁材
    とを交互に低圧側より複数個積層し、前記ソレノイド状
    コイルの各コイルの極性が同位相となるようダイオード
    で接続した二次巻線を配置し、前記一次巻線,前記二次
    巻線および前記ダイオード等の必要部品を絶縁ケース内
    に収納し、エポキシ樹脂等の絶縁材にて絶縁処理したフ
    ライバックトランスにおいて、前記二次巻線の各コイル
    の全ての両端にダイオードを接続するとともに、一次巻
    線と二次巻線の間に、円筒状の抵抗体あるいはスリット
    を有する円筒状の抵抗体を設け、かつ一次巻線に直列
    に、抵抗とコイルの並列回路あるいは、リンキング電圧
    の周波数と同様の並列共振回路に、抵抗とコンデンサの
    直列回路を接続したフライバックトランス。
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