JPH01316909A - フライバックトランス - Google Patents
フライバックトランスInfo
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- JPH01316909A JPH01316909A JP63148585A JP14858588A JPH01316909A JP H01316909 A JPH01316909 A JP H01316909A JP 63148585 A JP63148585 A JP 63148585A JP 14858588 A JP14858588 A JP 14858588A JP H01316909 A JPH01316909 A JP H01316909A
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- coils
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Links
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Landscapes
- Details Of Television Scanning (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はフライバックトランスに関する。
従来のフライバックトランス1は、一般的には第9図に
示すように、1次コイルPCに磁気結合された複数の2
次コイルSC1ないしSC4を含み、それぞれの2次コ
イルSCIないしS C4間にはそれぞれ整流ダイオー
ドDIないしD4が接続される。
示すように、1次コイルPCに磁気結合された複数の2
次コイルSC1ないしSC4を含み、それぞれの2次コ
イルSCIないしS C4間にはそれぞれ整流ダイオー
ドDIないしD4が接続される。
このような従来のフライバックトランス1としては、一
般的に、第10A図および第10B図に示すように、巻
線をボビンに巻回して1次コイルPCとし、かつつば付
ボビン2に巻線を巻回して2次コイルSCIないしSC
4とするタイプのものや、第11A図および第11B図
に示すように、それぞれの2次コイルSC1ないしSC
4となるべき巻線を同じように巻線からなる1次コイル
PCの上から順に積層的に巻回する平巻きタイプのもの
があった。
般的に、第10A図および第10B図に示すように、巻
線をボビンに巻回して1次コイルPCとし、かつつば付
ボビン2に巻線を巻回して2次コイルSCIないしSC
4とするタイプのものや、第11A図および第11B図
に示すように、それぞれの2次コイルSC1ないしSC
4となるべき巻線を同じように巻線からなる1次コイル
PCの上から順に積層的に巻回する平巻きタイプのもの
があった。
従来のフライバックトランス1においては、第1に、第
10A図および第10B図ならびに第11A図および第
11B図に示すいずれのタイプのものでも、1次コイル
PC特に2次コイルのSC1ないしSC4のコイルのそ
れぞれの層間または巻線間の絶縁に欠陥が生じやすく、
眉間または巻線間ショートを起こすおそれがあった。
10A図および第10B図ならびに第11A図および第
11B図に示すいずれのタイプのものでも、1次コイル
PC特に2次コイルのSC1ないしSC4のコイルのそ
れぞれの層間または巻線間の絶縁に欠陥が生じやすく、
眉間または巻線間ショートを起こすおそれがあった。
また、いずれの場合も、巻線を巻回して1次コイルPC
および2次コイルSCIないしSC4を形成するので、
生産性があまりよくないという問題点かあっ゛た。
および2次コイルSCIないしSC4を形成するので、
生産性があまりよくないという問題点かあっ゛た。
第2に、従来のフライバックトランスlにおいては、1
次コイルPCの上に2次コイルSCIないしSC4が配
置されているので、2次コイルの一方側のみが1次コイ
ルPCに接近し、他方側は離れてしまう。したがって、
他方側から漏れ磁束が生じ、そのため2次漏れインダク
タンスが大きくなり、2次漏れインダクタンスと2次側
の抵抗成分とのベクトルで決まる電圧変動率が太きかっ
た。また、2次漏れインダクタンスと1次コイルと2次
コイル間のストレー容量との不所望な共振によってリン
ギングが発生し、その結果、テレビジョン受像機の画面
上では縞模様が現れるという問題点があった。
次コイルPCの上に2次コイルSCIないしSC4が配
置されているので、2次コイルの一方側のみが1次コイ
ルPCに接近し、他方側は離れてしまう。したがって、
他方側から漏れ磁束が生じ、そのため2次漏れインダク
タンスが大きくなり、2次漏れインダクタンスと2次側
の抵抗成分とのベクトルで決まる電圧変動率が太きかっ
た。また、2次漏れインダクタンスと1次コイルと2次
コイル間のストレー容量との不所望な共振によってリン
ギングが発生し、その結果、テレビジョン受像機の画面
上では縞模様が現れるという問題点があった。
それゆえに、この発明の目的は、第1に、信頼性および
生産性の向上が図れる、フライバックトランスを提供す
ることである。
生産性の向上が図れる、フライバックトランスを提供す
ることである。
この発明の第2の目的は、2次漏れインダクタンスを減
少させ、それによって電圧変動率を小さくできるととも
に、リンギングの発生を少なくできる、フライバックト
ランスを提供することである。
少させ、それによって電圧変動率を小さくできるととも
に、リンギングの発生を少なくできる、フライバックト
ランスを提供することである。
第1の発明は、絶縁性ボビンとその周表面に螺旋状に形
成される導体とを含む1次コイル、および絶縁性ボビン
とその周表面に螺旋状に形成される導体とを含む2次コ
イルを備え、1次および2次コイルが積層配置される、
フライバックトランスである。
成される導体とを含む1次コイル、および絶縁性ボビン
とその周表面に螺旋状に形成される導体とを含む2次コ
イルを備え、1次および2次コイルが積層配置される、
フライバックトランスである。
また、第2の発明は、絶縁性ボビンとその周表面に螺旋
状に形成された導体とを含む第1の1次コイル、絶縁性
ボビンとその周表面に螺旋状に形成された導体とを含み
、かつ第1の1次コイル上に積層配置される2次コイル
、および絶縁性ボビンとその周表面に螺旋状に゛形成さ
れた導体とを含み、かつ2次コイル上に積層配置される
とともに第1の1次コイルと並列または直列に接続され
る少なくとも1つ以上の他の1次コイルを備える、フラ
イバックトランスである。 ・〔作用〕 第1の発明では、それぞれ絶縁性ボビンとその周表面に
螺旋状に形成される導体とを含む1次および2次コイル
を積層配置する。
状に形成された導体とを含む第1の1次コイル、絶縁性
ボビンとその周表面に螺旋状に形成された導体とを含み
、かつ第1の1次コイル上に積層配置される2次コイル
、および絶縁性ボビンとその周表面に螺旋状に゛形成さ
れた導体とを含み、かつ2次コイル上に積層配置される
とともに第1の1次コイルと並列または直列に接続され
る少なくとも1つ以上の他の1次コイルを備える、フラ
イバックトランスである。 ・〔作用〕 第1の発明では、それぞれ絶縁性ボビンとその周表面に
螺旋状に形成される導体とを含む1次および2次コイル
を積層配置する。
第2の発明では、2次コイルが1次コイルに挟まれて積
層的に配置されて2次コイルの両方側が1次コイルに接
近するので、1次コイルと2次コイルとの間の磁気結合
が密になり、2次漏れ磁束が減少し、2次漏れインダク
タンスが減少する。
層的に配置されて2次コイルの両方側が1次コイルに接
近するので、1次コイルと2次コイルとの間の磁気結合
が密になり、2次漏れ磁束が減少し、2次漏れインダク
タンスが減少する。
第1の発明によれば、隣り合うコイルの眉間には絶縁性
ボビンが介在するので、眉間ショートは生じず、また、
それぞれのコイルの導体は絶縁性ボビンの上に螺旋状に
規則正しく形成されているので、巻線間ショートも起こ
らない。したがって、従来のように巻線を巻回するタイ
プのものに比べて、その信頼性が飛躍的に向上する。
ボビンが介在するので、眉間ショートは生じず、また、
それぞれのコイルの導体は絶縁性ボビンの上に螺旋状に
規則正しく形成されているので、巻線間ショートも起こ
らない。したがって、従来のように巻線を巻回するタイ
プのものに比べて、その信頼性が飛躍的に向上する。
また、1次および2次コイルはともに絶縁性ボビンの周
表面に螺旋状に導体を形成することによって簡単に得ら
れるので、量産が可能となり、またそれを積層配置する
だけでフライバックトランスを製造できるので、従来の
巻線タイプのものに比べて、生産性が向上する。
表面に螺旋状に導体を形成することによって簡単に得ら
れるので、量産が可能となり、またそれを積層配置する
だけでフライバックトランスを製造できるので、従来の
巻線タイプのものに比べて、生産性が向上する。
第2の発明によれば、2次漏れインダクタンスが減少で
きるので、電圧変動率を小さくできるとともに、リンギ
ングを抑制できるので、そのようなフライバックトラン
スを用いたテレビジョン受像機の画像が安定する。
きるので、電圧変動率を小さくできるとともに、リンギ
ングを抑制できるので、そのようなフライバックトラン
スを用いたテレビジョン受像機の画像が安定する。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
第1A図および第1B図を参照して、実施例のフライバ
ック(・ランス10は1次コイルPCおよびその上に配
置される2次コイルS1ないしS4を含む。
ック(・ランス10は1次コイルPCおよびその上に配
置される2次コイルS1ないしS4を含む。
1次コイルPCとしては、好ましくは、第2A図および
第2B図に示すめっきコイル12が用いられる。めっき
コイル12は、たとえばノリル、ポリカーボネイトやポ
リイミドなどの絶縁性樹脂によって筒状に形成される中
空の絶縁性ボビン14を含み、絶縁性ボビン14の外表
面上には螺旋状の導体16が形成される。この導体16
は第3図に示すように、ニッケルの無電解めっき層18
、銅の電解めっき層20およびクロムの電解めっき層2
2が積層された3層構造を有する。このような螺旋状の
導体16は、絶縁性ボビン14の外表面全面に第3図の
ような3層構造からなる導体を形成し、その後たとえば
レーザ等により螺旋状のスリット24を形成することに
よって形成される。なお、導体16の始端および終端部
分は、接続端子26aおよび26bとして用いられる。
第2B図に示すめっきコイル12が用いられる。めっき
コイル12は、たとえばノリル、ポリカーボネイトやポ
リイミドなどの絶縁性樹脂によって筒状に形成される中
空の絶縁性ボビン14を含み、絶縁性ボビン14の外表
面上には螺旋状の導体16が形成される。この導体16
は第3図に示すように、ニッケルの無電解めっき層18
、銅の電解めっき層20およびクロムの電解めっき層2
2が積層された3層構造を有する。このような螺旋状の
導体16は、絶縁性ボビン14の外表面全面に第3図の
ような3層構造からなる導体を形成し、その後たとえば
レーザ等により螺旋状のスリット24を形成することに
よって形成される。なお、導体16の始端および終端部
分は、接続端子26aおよび26bとして用いられる。
なお、導体16は絶縁性ボビン14の内表面上に形成し
てもよい。
てもよい。
また、絶縁性ボビン14の材料として誘電率の小さいポ
リブタジェンなどが含浸されたものを用いると、ストレ
ー容量の上昇を抑制できる。含浸される材料はエポキシ
、フェノールなどでもよく、さらにSF6などのガスを
封入するようにしてもよい。
リブタジェンなどが含浸されたものを用いると、ストレ
ー容量の上昇を抑制できる。含浸される材料はエポキシ
、フェノールなどでもよく、さらにSF6などのガスを
封入するようにしてもよい。
さらに、このようなめっきコイル12の具体的な形状や
材料等は第2図および第3図図示のものに限られないこ
とは勿論である。
材料等は第2図および第3図図示のものに限られないこ
とは勿論である。
そして、前述のようにめっきコイル12からなる1次コ
イルPC上には、2次コイルS1ないしSC4が順次積
層的に配置される。この2次コイルSCIないしSC4
としても、上述の1次コイルPCと同様の第2A図およ
び第2B図に示すめっきコイル12が用いられる。すな
わち、それぞれボビン径の異なる4種類のめっきコイル
12を準備し、それらを1次コイルPCに順次嵌め込む
ことによって、第1A図および第1B図に示すような、
フライバックトランス10が得られる。
イルPC上には、2次コイルS1ないしSC4が順次積
層的に配置される。この2次コイルSCIないしSC4
としても、上述の1次コイルPCと同様の第2A図およ
び第2B図に示すめっきコイル12が用いられる。すな
わち、それぞれボビン径の異なる4種類のめっきコイル
12を準備し、それらを1次コイルPCに順次嵌め込む
ことによって、第1A図および第1B図に示すような、
フライバックトランス10が得られる。
そして、第1A図ならびに第1B図に示すように、各2
次コイルSCIないしSC4のそれぞれの間に、上述の
接続端子26aおよび26bを利用して整流ダイオード
DIないしD4が接続される。
次コイルSCIないしSC4のそれぞれの間に、上述の
接続端子26aおよび26bを利用して整流ダイオード
DIないしD4が接続される。
このようにして得られたフライバック十ランス10にお
いては、各コイルの眉間には絶縁性ボビン14が介挿さ
れているので、層間ショートが確実に防止できる。また
、絶縁性ボビン14の外表面上に形成される導体16は
、たとえばレーザ等により規則正しく相互の間隔を隔て
て形成されるので、導体16間のショートも起こらず、
信頼性が向上する。
いては、各コイルの眉間には絶縁性ボビン14が介挿さ
れているので、層間ショートが確実に防止できる。また
、絶縁性ボビン14の外表面上に形成される導体16は
、たとえばレーザ等により規則正しく相互の間隔を隔て
て形成されるので、導体16間のショートも起こらず、
信頼性が向上する。
次に、第4図および第5A図および第5B図を参照して
、この実施例のフライバックトランス10は、第1およ
び第2の1次コイルPC上およびPO2ならびにこの第
1および第2の1次コイルPC上およびPO2に挟まれ
るように配置される2次コイルSCIないしSC4を含
む。すなわち、第1の1次コイルPC上の上に、2次コ
イルSC]ないしSC4が順次積層配置される。その後
、最上層の2次コイルSC4の上に第2の1次コイルP
C2が積層配置される。
、この実施例のフライバックトランス10は、第1およ
び第2の1次コイルPC上およびPO2ならびにこの第
1および第2の1次コイルPC上およびPO2に挟まれ
るように配置される2次コイルSCIないしSC4を含
む。すなわち、第1の1次コイルPC上の上に、2次コ
イルSC]ないしSC4が順次積層配置される。その後
、最上層の2次コイルSC4の上に第2の1次コイルP
C2が積層配置される。
第1および第2の1次コイルPC上およびPO2ならび
に2次コイルSCIないしSC4としては、いずれも、
先の第2A図および第2B図に示すめっきコイル12が
用いられ得るので、ここでは重複する詳細な説明は省略
する。
に2次コイルSCIないしSC4としては、いずれも、
先の第2A図および第2B図に示すめっきコイル12が
用いられ得るので、ここでは重複する詳細な説明は省略
する。
このようにして構成されたフライバックトランス10に
おいて、第4図に示す接続端子26alと26a2とを
接続し、接続端子26b1と26b2とを接続すること
によって、2つの1次コイルPC上およびPO2が並列
接続される。
おいて、第4図に示す接続端子26alと26a2とを
接続し、接続端子26b1と26b2とを接続すること
によって、2つの1次コイルPC上およびPO2が並列
接続される。
第4図および第5A図ならびに第5B図に示す実施例で
は、2次コイルSC1ないしSC4が2つの第1および
第2の1次コイルPC上およびPO2で挟まれるので、
1次コイルPC上およびPC2と2次コイルSCIない
しSC4の間の磁気結合が密になる。そのため、2次漏
れ磁束すなわち2次漏れインダクタンスを小さくでき、
同一寸法における従来比において、115〜1/10に
減少させることができる。したがって、この実施例によ
れば第8図の線Bで示すように、電圧変動率を改善する
ことができる。因みに、第8図の線Aは第1A図および
第1B図図示の実施例のように、従来と同じように、2
次コイルSCIないしSC4が1次コイルに挾まれてい
ない例における電圧変動率を示す。
は、2次コイルSC1ないしSC4が2つの第1および
第2の1次コイルPC上およびPO2で挟まれるので、
1次コイルPC上およびPC2と2次コイルSCIない
しSC4の間の磁気結合が密になる。そのため、2次漏
れ磁束すなわち2次漏れインダクタンスを小さくでき、
同一寸法における従来比において、115〜1/10に
減少させることができる。したがって、この実施例によ
れば第8図の線Bで示すように、電圧変動率を改善する
ことができる。因みに、第8図の線Aは第1A図および
第1B図図示の実施例のように、従来と同じように、2
次コイルSCIないしSC4が1次コイルに挾まれてい
ない例における電圧変動率を示す。
また、上述のように2次漏れインダクタンスを減少でき
るので、ストレー容量との協働によって生じるリンギン
グを抑制できる。
るので、ストレー容量との協働によって生じるリンギン
グを抑制できる。
最後に、第6図および第7A図および第7B図を参照し
て、この実施例のフライバックトランス10は、それぞ
れの間に2次コイルSCIないしSC4を挾むように配
置される第1.第2および第3の1次コイルPct、P
C2およびPO2を含む。
て、この実施例のフライバックトランス10は、それぞ
れの間に2次コイルSCIないしSC4を挾むように配
置される第1.第2および第3の1次コイルPct、P
C2およびPO2を含む。
すなわち、第7A図および第7B図に示すように、まず
、第1の1次コイルPCIの上には2次コイルSC1お
よびSC2が順次配置され、2次コイルSC2上には第
2の1次コイルPC2が配置され、第2の1次コイルP
C2の上には2次コイルSC3およびSC4が順次配置
され、そして2次コイルコイルSC4の上には第3の1
次コイルPC3が配置される。
、第1の1次コイルPCIの上には2次コイルSC1お
よびSC2が順次配置され、2次コイルSC2上には第
2の1次コイルPC2が配置され、第2の1次コイルP
C2の上には2次コイルSC3およびSC4が順次配置
され、そして2次コイルコイルSC4の上には第3の1
次コイルPC3が配置される。
この実施例の第1.第2および第3の1次コイルPCI
、PC2およびPO2ならびに2次コイルSC1ないし
SC4としても、第2A図および第2B図に示すめっき
コイル12が用いるられ得る。
、PC2およびPO2ならびに2次コイルSC1ないし
SC4としても、第2A図および第2B図に示すめっき
コイル12が用いるられ得る。
なお、この実施例では、2次コイルSC1ないしSC4
は、それぞれ、2つのめっきコイル12によって形成さ
れる。したがって、2次コイルSC1ないしSC4は、
それぞれ第6図に示すように、2つのコイルが並列接続
された形になる。このように2つのコイルの並列接続を
用いることによって、2次コイルSCIないしSC4の
電流容量を大きくすることができるとともに、各コイル
の導体16の厚みを薄くすることができる。また、並列
されている各コイルの一方が故障しても続けて運転でき
る。
は、それぞれ、2つのめっきコイル12によって形成さ
れる。したがって、2次コイルSC1ないしSC4は、
それぞれ第6図に示すように、2つのコイルが並列接続
された形になる。このように2つのコイルの並列接続を
用いることによって、2次コイルSCIないしSC4の
電流容量を大きくすることができるとともに、各コイル
の導体16の厚みを薄くすることができる。また、並列
されている各コイルの一方が故障しても続けて運転でき
る。
このようにして構成されたフライバックトランスIOに
おいて、第6図に示す接続端子26a1.26a2およ
び26a3を共通接続し、接続端子26bl、26b2
および26b3を共通接続することによって、第1.第
2および第3の1次コイルPct、PC2およびPO2
が並列接続される。
おいて、第6図に示す接続端子26a1.26a2およ
び26a3を共通接続し、接続端子26bl、26b2
および26b3を共通接続することによって、第1.第
2および第3の1次コイルPct、PC2およびPO2
が並列接続される。
この実施例によれば、2次コイルSCIおよびSC2が
第1および第2の1次コイルPctおよびPO2の間に
挟まれ、2次コイルSC3およびSC4が第2および第
3の1次コイルPC2およびPO2の間に挟まれている
ので、2次コイルSC1ないしSC4からの漏れ磁束を
さらに低減でき、したがって2次漏れインダクタンスを
小さくでき、同一寸法における従来比において、約1/
20〜1/30に減少させることができる。したかって
、この実施例によれば、電圧変動率は、第8図の線Cで
示すようにさらに改善される。
第1および第2の1次コイルPctおよびPO2の間に
挟まれ、2次コイルSC3およびSC4が第2および第
3の1次コイルPC2およびPO2の間に挟まれている
ので、2次コイルSC1ないしSC4からの漏れ磁束を
さらに低減でき、したがって2次漏れインダクタンスを
小さくでき、同一寸法における従来比において、約1/
20〜1/30に減少させることができる。したかって
、この実施例によれば、電圧変動率は、第8図の線Cで
示すようにさらに改善される。
なお、上述の第4図および第5A図ならびに第5A図に
示す実施例または第6図および第7A図ならびに第7A
図に示す実施例等において、1次コイルを直列接続する
ようにしてもよい。
示す実施例または第6図および第7A図ならびに第7A
図に示す実施例等において、1次コイルを直列接続する
ようにしてもよい。
また、上述の第4図および第5A図ならびに第5A図に
示す実施例または第6図および第7A図ならびに第7A
図に示す実施例に限らず、5つの1次コイルを積層配置
して、この各1次コイルの間に4つの2次コイルを1つ
ずつ挟み込む構造でもよい。
示す実施例または第6図および第7A図ならびに第7A
図に示す実施例に限らず、5つの1次コイルを積層配置
して、この各1次コイルの間に4つの2次コイルを1つ
ずつ挟み込む構造でもよい。
また、第4図および第6図における整流ダイオードDI
ないしD4の接続方向を逆にして、分割された2次コイ
ルの内側が高電圧に、外側が低電圧になるように配置し
てもよい。
ないしD4の接続方向を逆にして、分割された2次コイ
ルの内側が高電圧に、外側が低電圧になるように配置し
てもよい。
さらに、上述の実施例のように1次コイルおよび2次コ
イルともにめっきコイル12を用いると、分布容量が増
加する傾向にあるが、絶縁性ボビンの材料や寸法を適宜
設計することによって、各コイルの高次同調チューニン
グも比較的自在にでき、そのような高次同調を駆使して
効率アップを図ることが可能である。
イルともにめっきコイル12を用いると、分布容量が増
加する傾向にあるが、絶縁性ボビンの材料や寸法を適宜
設計することによって、各コイルの高次同調チューニン
グも比較的自在にでき、そのような高次同調を駆使して
効率アップを図ることが可能である。
そして、絶縁性ボビン14の長さを長くして横形にすれ
ば、全体として、低背化することができる。
ば、全体として、低背化することができる。
第1A図および第1B図はこの実施例の構造を示す図解
図であり、第1A図は一部破断正面図、第1B図は一部
省略右側面図である。 第2A図および第2B図は1次および2次コイルとして
用いられるめっきコイルを示す図解図であり、第2A図
は正面図、第2B図は側面図を示す。 第3図は第2A図および第2B図に示すめっきコイルの
導体部分を示す拡大断面図である。 第4図はこの発明の他の実施例を示す結線図である。 第5A図および第5B図はこの実施例の構造を示す図解
図であり、第5A図は一部破断正面図であり、第5B図
は一部省略右側面図である。 第6図はこの発明の他の実施例を示す結線図である。 第7A図および第7B図はこの実施例の構造を示す図解
図であり、第7A図は一部破断正面図、第7B図は一部
省略右側面図である。 第8図は各実施例の電圧変動率を示すグラフである。 第9図は従来のフライバックトランスを示す結線図であ
る。 第10A図および第10B図は分割巻きタイプの従来の
フライバックトランスの構造を示す図解図であり、第1
0A図は一部破断正面図、第14B図は一部省略右側面
図である。 第11A図および第11B図は平巻きタイプの従来のフ
ライバックトランスの構造を示す図解図であり、第11
A図は一部破断正面図、第11B図は一部省略右側面図
を示す。 図において、10はフライバックトランス、12はめっ
きコイル、14は絶縁性ボビン、16は導体、PC,P
CI、PC2、PC3は1次コイル、SCI、SC2,
SC3,SC4は2次コイル、26a、26al、26
a2.26a3,26b、26b1.26b2.26b
3は接続端子を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 山 1) 義 人 事1A図 第1B図第5A図
158m第6図 第7A図 第7B図 0 0.2 0.4 0.6
0.8 1.0一一−mA 第9図 第10A図 第108図第11A図 第118図
図であり、第1A図は一部破断正面図、第1B図は一部
省略右側面図である。 第2A図および第2B図は1次および2次コイルとして
用いられるめっきコイルを示す図解図であり、第2A図
は正面図、第2B図は側面図を示す。 第3図は第2A図および第2B図に示すめっきコイルの
導体部分を示す拡大断面図である。 第4図はこの発明の他の実施例を示す結線図である。 第5A図および第5B図はこの実施例の構造を示す図解
図であり、第5A図は一部破断正面図であり、第5B図
は一部省略右側面図である。 第6図はこの発明の他の実施例を示す結線図である。 第7A図および第7B図はこの実施例の構造を示す図解
図であり、第7A図は一部破断正面図、第7B図は一部
省略右側面図である。 第8図は各実施例の電圧変動率を示すグラフである。 第9図は従来のフライバックトランスを示す結線図であ
る。 第10A図および第10B図は分割巻きタイプの従来の
フライバックトランスの構造を示す図解図であり、第1
0A図は一部破断正面図、第14B図は一部省略右側面
図である。 第11A図および第11B図は平巻きタイプの従来のフ
ライバックトランスの構造を示す図解図であり、第11
A図は一部破断正面図、第11B図は一部省略右側面図
を示す。 図において、10はフライバックトランス、12はめっ
きコイル、14は絶縁性ボビン、16は導体、PC,P
CI、PC2、PC3は1次コイル、SCI、SC2,
SC3,SC4は2次コイル、26a、26al、26
a2.26a3,26b、26b1.26b2.26b
3は接続端子を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 山 1) 義 人 事1A図 第1B図第5A図
158m第6図 第7A図 第7B図 0 0.2 0.4 0.6
0.8 1.0一一−mA 第9図 第10A図 第108図第11A図 第118図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 絶縁性ボビンとその周表面に螺旋状に形成される導
体とを含む1次コイル、および 絶縁性ボビンとその周表面に螺旋状に形成される導体と
を含む2次コイルを備え、 前記1次および2次コイルが積層配置される、フライバ
ックトランス。 2 絶縁性ボビンとその周表面に螺旋状に形成された導
体とを含む第1の1次コイル、 絶縁性ボビンとその周表面に螺旋状に形成された導体と
を含み、かつ前記第1の1次コイル上に積層配置される
2次コイル、および 絶縁性ボビンとその周表面に螺旋状に形成された導体と
を含み、かつ前記2次コイル上に積層配置されるととも
に前記第1の1次コイルと接続される少なくとも1つ以
上の他の1次コイルを備える、フライバックトランス。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63148585A JPH01316909A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | フライバックトランス |
US07/365,773 US5012179A (en) | 1988-06-15 | 1989-06-14 | Flyback transformer with integrally formed resonance capacitor |
US07/651,207 US5241293A (en) | 1988-06-15 | 1991-02-06 | Flyback transformer including a plated metal coil and having reduced leakage flux |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63148585A JPH01316909A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | フライバックトランス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01316909A true JPH01316909A (ja) | 1989-12-21 |
Family
ID=15456037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63148585A Pending JPH01316909A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-16 | フライバックトランス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01316909A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011062079A (ja) * | 2005-08-31 | 2011-03-24 | Tdk Corp | スイッチング電源装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5419122A (en) * | 1977-07-14 | 1979-02-13 | Hitachi Ltd | Fryback transformer |
JPS636713B2 (ja) * | 1980-10-29 | 1988-02-10 | Shinwa Kigyo Kk |
-
1988
- 1988-06-16 JP JP63148585A patent/JPH01316909A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5419122A (en) * | 1977-07-14 | 1979-02-13 | Hitachi Ltd | Fryback transformer |
JPS636713B2 (ja) * | 1980-10-29 | 1988-02-10 | Shinwa Kigyo Kk |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011062079A (ja) * | 2005-08-31 | 2011-03-24 | Tdk Corp | スイッチング電源装置 |
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