JPH01316909A - フライバックトランス - Google Patents
フライバックトランスInfo
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- JPH01316909A JPH01316909A JP63148585A JP14858588A JPH01316909A JP H01316909 A JPH01316909 A JP H01316909A JP 63148585 A JP63148585 A JP 63148585A JP 14858588 A JP14858588 A JP 14858588A JP H01316909 A JPH01316909 A JP H01316909A
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Landscapes
- Details Of Television Scanning (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はフライバックトランスに関する。
従来のフライバックトランス１は、一般的には第９図に
示すように、１次コイルＰＣに磁気結合された複数の２
次コイルＳＣ１ないしＳＣ４を含み、それぞれの２次コ
イルＳＣＩないしＳ Ｃ４間にはそれぞれ整流ダイオー
ドＤＩないしＤ４が接続される。
示すように、１次コイルＰＣに磁気結合された複数の２
次コイルＳＣ１ないしＳＣ４を含み、それぞれの２次コ
イルＳＣＩないしＳ Ｃ４間にはそれぞれ整流ダイオー
ドＤＩないしＤ４が接続される。
このような従来のフライバックトランス１としては、一
般的に、第１０Ａ図および第１０Ｂ図に示すように、巻
線をボビンに巻回して１次コイルＰＣとし、かつつば付
ボビン２に巻線を巻回して２次コイルＳＣＩないしＳＣ
４とするタイプのものや、第１１Ａ図および第１１Ｂ図
に示すように、それぞれの２次コイルＳＣ１ないしＳＣ
４となるべき巻線を同じように巻線からなる１次コイル
ＰＣの上から順に積層的に巻回する平巻きタイプのもの
があった。
般的に、第１０Ａ図および第１０Ｂ図に示すように、巻
線をボビンに巻回して１次コイルＰＣとし、かつつば付
ボビン２に巻線を巻回して２次コイルＳＣＩないしＳＣ
４とするタイプのものや、第１１Ａ図および第１１Ｂ図
に示すように、それぞれの２次コイルＳＣ１ないしＳＣ
４となるべき巻線を同じように巻線からなる１次コイル
ＰＣの上から順に積層的に巻回する平巻きタイプのもの
があった。
従来のフライバックトランス１においては、第１に、第
１０Ａ図および第１０Ｂ図ならびに第１１Ａ図および第
１１Ｂ図に示すいずれのタイプのものでも、１次コイル
ＰＣ特に２次コイルのＳＣ１ないしＳＣ４のコイルのそ
れぞれの層間または巻線間の絶縁に欠陥が生じやすく、
眉間または巻線間ショートを起こすおそれがあった。
１０Ａ図および第１０Ｂ図ならびに第１１Ａ図および第
１１Ｂ図に示すいずれのタイプのものでも、１次コイル
ＰＣ特に２次コイルのＳＣ１ないしＳＣ４のコイルのそ
れぞれの層間または巻線間の絶縁に欠陥が生じやすく、
眉間または巻線間ショートを起こすおそれがあった。
また、いずれの場合も、巻線を巻回して１次コイルＰＣ
および２次コイルＳＣＩないしＳＣ４を形成するので、
生産性があまりよくないという問題点かあっ゛た。
および２次コイルＳＣＩないしＳＣ４を形成するので、
生産性があまりよくないという問題点かあっ゛た。
第２に、従来のフライバックトランスｌにおいては、１
次コイルＰＣの上に２次コイルＳＣＩないしＳＣ４が配
置されているので、２次コイルの一方側のみが１次コイ
ルＰＣに接近し、他方側は離れてしまう。したがって、
他方側から漏れ磁束が生じ、そのため２次漏れインダク
タンスが大きくなり、２次漏れインダクタンスと２次側
の抵抗成分とのベクトルで決まる電圧変動率が太きかっ
た。また、２次漏れインダクタンスと１次コイルと２次
コイル間のストレー容量との不所望な共振によってリン
ギングが発生し、その結果、テレビジョン受像機の画面
上では縞模様が現れるという問題点があった。
次コイルＰＣの上に２次コイルＳＣＩないしＳＣ４が配
置されているので、２次コイルの一方側のみが１次コイ
ルＰＣに接近し、他方側は離れてしまう。したがって、
他方側から漏れ磁束が生じ、そのため２次漏れインダク
タンスが大きくなり、２次漏れインダクタンスと２次側
の抵抗成分とのベクトルで決まる電圧変動率が太きかっ
た。また、２次漏れインダクタンスと１次コイルと２次
コイル間のストレー容量との不所望な共振によってリン
ギングが発生し、その結果、テレビジョン受像機の画面
上では縞模様が現れるという問題点があった。
それゆえに、この発明の目的は、第１に、信頼性および
生産性の向上が図れる、フライバックトランスを提供す
ることである。
生産性の向上が図れる、フライバックトランスを提供す
ることである。
この発明の第２の目的は、２次漏れインダクタンスを減
少させ、それによって電圧変動率を小さくできるととも
に、リンギングの発生を少なくできる、フライバックト
ランスを提供することである。
少させ、それによって電圧変動率を小さくできるととも
に、リンギングの発生を少なくできる、フライバックト
ランスを提供することである。
第１の発明は、絶縁性ボビンとその周表面に螺旋状に形
成される導体とを含む１次コイル、および絶縁性ボビン
とその周表面に螺旋状に形成される導体とを含む２次コ
イルを備え、１次および２次コイルが積層配置される、
フライバックトランスである。
成される導体とを含む１次コイル、および絶縁性ボビン
とその周表面に螺旋状に形成される導体とを含む２次コ
イルを備え、１次および２次コイルが積層配置される、
フライバックトランスである。
また、第２の発明は、絶縁性ボビンとその周表面に螺旋
状に形成された導体とを含む第１の１次コイル、絶縁性
ボビンとその周表面に螺旋状に形成された導体とを含み
、かつ第１の１次コイル上に積層配置される２次コイル
、および絶縁性ボビンとその周表面に螺旋状に゛形成さ
れた導体とを含み、かつ２次コイル上に積層配置される
とともに第１の１次コイルと並列または直列に接続され
る少なくとも１つ以上の他の１次コイルを備える、フラ
イバックトランスである。 ・〔作用〕 第１の発明では、それぞれ絶縁性ボビンとその周表面に
螺旋状に形成される導体とを含む１次および２次コイル
を積層配置する。
状に形成された導体とを含む第１の１次コイル、絶縁性
ボビンとその周表面に螺旋状に形成された導体とを含み
、かつ第１の１次コイル上に積層配置される２次コイル
、および絶縁性ボビンとその周表面に螺旋状に゛形成さ
れた導体とを含み、かつ２次コイル上に積層配置される
とともに第１の１次コイルと並列または直列に接続され
る少なくとも１つ以上の他の１次コイルを備える、フラ
イバックトランスである。 ・〔作用〕 第１の発明では、それぞれ絶縁性ボビンとその周表面に
螺旋状に形成される導体とを含む１次および２次コイル
を積層配置する。
第２の発明では、２次コイルが１次コイルに挟まれて積
層的に配置されて２次コイルの両方側が１次コイルに接
近するので、１次コイルと２次コイルとの間の磁気結合
が密になり、２次漏れ磁束が減少し、２次漏れインダク
タンスが減少する。
層的に配置されて２次コイルの両方側が１次コイルに接
近するので、１次コイルと２次コイルとの間の磁気結合
が密になり、２次漏れ磁束が減少し、２次漏れインダク
タンスが減少する。
第１の発明によれば、隣り合うコイルの眉間には絶縁性
ボビンが介在するので、眉間ショートは生じず、また、
それぞれのコイルの導体は絶縁性ボビンの上に螺旋状に
規則正しく形成されているので、巻線間ショートも起こ
らない。したがって、従来のように巻線を巻回するタイ
プのものに比べて、その信頼性が飛躍的に向上する。
ボビンが介在するので、眉間ショートは生じず、また、
それぞれのコイルの導体は絶縁性ボビンの上に螺旋状に
規則正しく形成されているので、巻線間ショートも起こ
らない。したがって、従来のように巻線を巻回するタイ
プのものに比べて、その信頼性が飛躍的に向上する。
また、１次および２次コイルはともに絶縁性ボビンの周
表面に螺旋状に導体を形成することによって簡単に得ら
れるので、量産が可能となり、またそれを積層配置する
だけでフライバックトランスを製造できるので、従来の
巻線タイプのものに比べて、生産性が向上する。
表面に螺旋状に導体を形成することによって簡単に得ら
れるので、量産が可能となり、またそれを積層配置する
だけでフライバックトランスを製造できるので、従来の
巻線タイプのものに比べて、生産性が向上する。
第２の発明によれば、２次漏れインダクタンスが減少で
きるので、電圧変動率を小さくできるとともに、リンギ
ングを抑制できるので、そのようなフライバックトラン
スを用いたテレビジョン受像機の画像が安定する。
きるので、電圧変動率を小さくできるとともに、リンギ
ングを抑制できるので、そのようなフライバックトラン
スを用いたテレビジョン受像機の画像が安定する。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
第１Ａ図および第１Ｂ図を参照して、実施例のフライバ
ック（・ランス１０は１次コイルＰＣおよびその上に配
置される２次コイルＳ１ないしＳ４を含む。
ック（・ランス１０は１次コイルＰＣおよびその上に配
置される２次コイルＳ１ないしＳ４を含む。
１次コイルＰＣとしては、好ましくは、第２Ａ図および
第２Ｂ図に示すめっきコイル１２が用いられる。めっき
コイル１２は、たとえばノリル、ポリカーボネイトやポ
リイミドなどの絶縁性樹脂によって筒状に形成される中
空の絶縁性ボビン１４を含み、絶縁性ボビン１４の外表
面上には螺旋状の導体１６が形成される。この導体１６
は第３図に示すように、ニッケルの無電解めっき層１８
、銅の電解めっき層２０およびクロムの電解めっき層２
２が積層された３層構造を有する。このような螺旋状の
導体１６は、絶縁性ボビン１４の外表面全面に第３図の
ような３層構造からなる導体を形成し、その後たとえば
レーザ等により螺旋状のスリット２４を形成することに
よって形成される。なお、導体１６の始端および終端部
分は、接続端子２６ａおよび２６ｂとして用いられる。
第２Ｂ図に示すめっきコイル１２が用いられる。めっき
コイル１２は、たとえばノリル、ポリカーボネイトやポ
リイミドなどの絶縁性樹脂によって筒状に形成される中
空の絶縁性ボビン１４を含み、絶縁性ボビン１４の外表
面上には螺旋状の導体１６が形成される。この導体１６
は第３図に示すように、ニッケルの無電解めっき層１８
、銅の電解めっき層２０およびクロムの電解めっき層２
２が積層された３層構造を有する。このような螺旋状の
導体１６は、絶縁性ボビン１４の外表面全面に第３図の
ような３層構造からなる導体を形成し、その後たとえば
レーザ等により螺旋状のスリット２４を形成することに
よって形成される。なお、導体１６の始端および終端部
分は、接続端子２６ａおよび２６ｂとして用いられる。
なお、導体１６は絶縁性ボビン１４の内表面上に形成し
てもよい。
てもよい。
また、絶縁性ボビン１４の材料として誘電率の小さいポ
リブタジェンなどが含浸されたものを用いると、ストレ
ー容量の上昇を抑制できる。含浸される材料はエポキシ
、フェノールなどでもよく、さらにＳＦ６などのガスを
封入するようにしてもよい。
リブタジェンなどが含浸されたものを用いると、ストレ
ー容量の上昇を抑制できる。含浸される材料はエポキシ
、フェノールなどでもよく、さらにＳＦ６などのガスを
封入するようにしてもよい。
さらに、このようなめっきコイル１２の具体的な形状や
材料等は第２図および第３図図示のものに限られないこ
とは勿論である。
材料等は第２図および第３図図示のものに限られないこ
とは勿論である。
そして、前述のようにめっきコイル１２からなる１次コ
イルＰＣ上には、２次コイルＳ１ないしＳＣ４が順次積
層的に配置される。この２次コイルＳＣＩないしＳＣ４
としても、上述の１次コイルＰＣと同様の第２Ａ図およ
び第２Ｂ図に示すめっきコイル１２が用いられる。すな
わち、それぞれボビン径の異なる４種類のめっきコイル
１２を準備し、それらを１次コイルＰＣに順次嵌め込む
ことによって、第１Ａ図および第１Ｂ図に示すような、
フライバックトランス１０が得られる。
イルＰＣ上には、２次コイルＳ１ないしＳＣ４が順次積
層的に配置される。この２次コイルＳＣＩないしＳＣ４
としても、上述の１次コイルＰＣと同様の第２Ａ図およ
び第２Ｂ図に示すめっきコイル１２が用いられる。すな
わち、それぞれボビン径の異なる４種類のめっきコイル
１２を準備し、それらを１次コイルＰＣに順次嵌め込む
ことによって、第１Ａ図および第１Ｂ図に示すような、
フライバックトランス１０が得られる。
そして、第１Ａ図ならびに第１Ｂ図に示すように、各２
次コイルＳＣＩないしＳＣ４のそれぞれの間に、上述の
接続端子２６ａおよび２６ｂを利用して整流ダイオード
ＤＩないしＤ４が接続される。
次コイルＳＣＩないしＳＣ４のそれぞれの間に、上述の
接続端子２６ａおよび２６ｂを利用して整流ダイオード
ＤＩないしＤ４が接続される。
このようにして得られたフライバック十ランス１０にお
いては、各コイルの眉間には絶縁性ボビン１４が介挿さ
れているので、層間ショートが確実に防止できる。また
、絶縁性ボビン１４の外表面上に形成される導体１６は
、たとえばレーザ等により規則正しく相互の間隔を隔て
て形成されるので、導体１６間のショートも起こらず、
信頼性が向上する。
いては、各コイルの眉間には絶縁性ボビン１４が介挿さ
れているので、層間ショートが確実に防止できる。また
、絶縁性ボビン１４の外表面上に形成される導体１６は
、たとえばレーザ等により規則正しく相互の間隔を隔て
て形成されるので、導体１６間のショートも起こらず、
信頼性が向上する。
次に、第４図および第５Ａ図および第５Ｂ図を参照して
、この実施例のフライバックトランス１０は、第１およ
び第２の１次コイルＰＣ上およびＰＯ２ならびにこの第
１および第２の１次コイルＰＣ上およびＰＯ２に挟まれ
るように配置される２次コイルＳＣＩないしＳＣ４を含
む。すなわち、第１の１次コイルＰＣ上の上に、２次コ
イルＳＣ］ないしＳＣ４が順次積層配置される。その後
、最上層の２次コイルＳＣ４の上に第２の１次コイルＰ
Ｃ２が積層配置される。
、この実施例のフライバックトランス１０は、第１およ
び第２の１次コイルＰＣ上およびＰＯ２ならびにこの第
１および第２の１次コイルＰＣ上およびＰＯ２に挟まれ
るように配置される２次コイルＳＣＩないしＳＣ４を含
む。すなわち、第１の１次コイルＰＣ上の上に、２次コ
イルＳＣ］ないしＳＣ４が順次積層配置される。その後
、最上層の２次コイルＳＣ４の上に第２の１次コイルＰ
Ｃ２が積層配置される。
第１および第２の１次コイルＰＣ上およびＰＯ２ならび
に２次コイルＳＣＩないしＳＣ４としては、いずれも、
先の第２Ａ図および第２Ｂ図に示すめっきコイル１２が
用いられ得るので、ここでは重複する詳細な説明は省略
する。
に２次コイルＳＣＩないしＳＣ４としては、いずれも、
先の第２Ａ図および第２Ｂ図に示すめっきコイル１２が
用いられ得るので、ここでは重複する詳細な説明は省略
する。
このようにして構成されたフライバックトランス１０に
おいて、第４図に示す接続端子２６ａｌと２６ａ２とを
接続し、接続端子２６ｂ１と２６ｂ２とを接続すること
によって、２つの１次コイルＰＣ上およびＰＯ２が並列
接続される。
おいて、第４図に示す接続端子２６ａｌと２６ａ２とを
接続し、接続端子２６ｂ１と２６ｂ２とを接続すること
によって、２つの１次コイルＰＣ上およびＰＯ２が並列
接続される。
第４図および第５Ａ図ならびに第５Ｂ図に示す実施例で
は、２次コイルＳＣ１ないしＳＣ４が２つの第１および
第２の１次コイルＰＣ上およびＰＯ２で挟まれるので、
１次コイルＰＣ上およびＰＣ２と２次コイルＳＣＩない
しＳＣ４の間の磁気結合が密になる。そのため、２次漏
れ磁束すなわち２次漏れインダクタンスを小さくでき、
同一寸法における従来比において、１１５〜１／１０に
減少させることができる。したがって、この実施例によ
れば第８図の線Ｂで示すように、電圧変動率を改善する
ことができる。因みに、第８図の線Ａは第１Ａ図および
第１Ｂ図図示の実施例のように、従来と同じように、２
次コイルＳＣＩないしＳＣ４が１次コイルに挾まれてい
ない例における電圧変動率を示す。
は、２次コイルＳＣ１ないしＳＣ４が２つの第１および
第２の１次コイルＰＣ上およびＰＯ２で挟まれるので、
１次コイルＰＣ上およびＰＣ２と２次コイルＳＣＩない
しＳＣ４の間の磁気結合が密になる。そのため、２次漏
れ磁束すなわち２次漏れインダクタンスを小さくでき、
同一寸法における従来比において、１１５〜１／１０に
減少させることができる。したがって、この実施例によ
れば第８図の線Ｂで示すように、電圧変動率を改善する
ことができる。因みに、第８図の線Ａは第１Ａ図および
第１Ｂ図図示の実施例のように、従来と同じように、２
次コイルＳＣＩないしＳＣ４が１次コイルに挾まれてい
ない例における電圧変動率を示す。
また、上述のように２次漏れインダクタンスを減少でき
るので、ストレー容量との協働によって生じるリンギン
グを抑制できる。
るので、ストレー容量との協働によって生じるリンギン
グを抑制できる。
最後に、第６図および第７Ａ図および第７Ｂ図を参照し
て、この実施例のフライバックトランス１０は、それぞ
れの間に２次コイルＳＣＩないしＳＣ４を挾むように配
置される第１．第２および第３の１次コイルＰｃｔ、Ｐ
Ｃ２およびＰＯ２を含む。
て、この実施例のフライバックトランス１０は、それぞ
れの間に２次コイルＳＣＩないしＳＣ４を挾むように配
置される第１．第２および第３の１次コイルＰｃｔ、Ｐ
Ｃ２およびＰＯ２を含む。
すなわち、第７Ａ図および第７Ｂ図に示すように、まず
、第１の１次コイルＰＣＩの上には２次コイルＳＣ１お
よびＳＣ２が順次配置され、２次コイルＳＣ２上には第
２の１次コイルＰＣ２が配置され、第２の１次コイルＰ
Ｃ２の上には２次コイルＳＣ３およびＳＣ４が順次配置
され、そして２次コイルコイルＳＣ４の上には第３の１
次コイルＰＣ３が配置される。
、第１の１次コイルＰＣＩの上には２次コイルＳＣ１お
よびＳＣ２が順次配置され、２次コイルＳＣ２上には第
２の１次コイルＰＣ２が配置され、第２の１次コイルＰ
Ｃ２の上には２次コイルＳＣ３およびＳＣ４が順次配置
され、そして２次コイルコイルＳＣ４の上には第３の１
次コイルＰＣ３が配置される。
この実施例の第１．第２および第３の１次コイルＰＣＩ
、ＰＣ２およびＰＯ２ならびに２次コイルＳＣ１ないし
ＳＣ４としても、第２Ａ図および第２Ｂ図に示すめっき
コイル１２が用いるられ得る。
、ＰＣ２およびＰＯ２ならびに２次コイルＳＣ１ないし
ＳＣ４としても、第２Ａ図および第２Ｂ図に示すめっき
コイル１２が用いるられ得る。
なお、この実施例では、２次コイルＳＣ１ないしＳＣ４
は、それぞれ、２つのめっきコイル１２によって形成さ
れる。したがって、２次コイルＳＣ１ないしＳＣ４は、
それぞれ第６図に示すように、２つのコイルが並列接続
された形になる。このように２つのコイルの並列接続を
用いることによって、２次コイルＳＣＩないしＳＣ４の
電流容量を大きくすることができるとともに、各コイル
の導体１６の厚みを薄くすることができる。また、並列
されている各コイルの一方が故障しても続けて運転でき
る。
は、それぞれ、２つのめっきコイル１２によって形成さ
れる。したがって、２次コイルＳＣ１ないしＳＣ４は、
それぞれ第６図に示すように、２つのコイルが並列接続
された形になる。このように２つのコイルの並列接続を
用いることによって、２次コイルＳＣＩないしＳＣ４の
電流容量を大きくすることができるとともに、各コイル
の導体１６の厚みを薄くすることができる。また、並列
されている各コイルの一方が故障しても続けて運転でき
る。
このようにして構成されたフライバックトランスＩＯに
おいて、第６図に示す接続端子２６ａ１．２６ａ２およ
び２６ａ３を共通接続し、接続端子２６ｂｌ、２６ｂ２
および２６ｂ３を共通接続することによって、第１．第
２および第３の１次コイルＰｃｔ、ＰＣ２およびＰＯ２
が並列接続される。
おいて、第６図に示す接続端子２６ａ１．２６ａ２およ
び２６ａ３を共通接続し、接続端子２６ｂｌ、２６ｂ２
および２６ｂ３を共通接続することによって、第１．第
２および第３の１次コイルＰｃｔ、ＰＣ２およびＰＯ２
が並列接続される。
この実施例によれば、２次コイルＳＣＩおよびＳＣ２が
第１および第２の１次コイルＰｃｔおよびＰＯ２の間に
挟まれ、２次コイルＳＣ３およびＳＣ４が第２および第
３の１次コイルＰＣ２およびＰＯ２の間に挟まれている
ので、２次コイルＳＣ１ないしＳＣ４からの漏れ磁束を
さらに低減でき、したがって２次漏れインダクタンスを
小さくでき、同一寸法における従来比において、約１／
２０〜１／３０に減少させることができる。したかって
、この実施例によれば、電圧変動率は、第８図の線Ｃで
示すようにさらに改善される。
第１および第２の１次コイルＰｃｔおよびＰＯ２の間に
挟まれ、２次コイルＳＣ３およびＳＣ４が第２および第
３の１次コイルＰＣ２およびＰＯ２の間に挟まれている
ので、２次コイルＳＣ１ないしＳＣ４からの漏れ磁束を
さらに低減でき、したがって２次漏れインダクタンスを
小さくでき、同一寸法における従来比において、約１／
２０〜１／３０に減少させることができる。したかって
、この実施例によれば、電圧変動率は、第８図の線Ｃで
示すようにさらに改善される。
なお、上述の第４図および第５Ａ図ならびに第５Ａ図に
示す実施例または第６図および第７Ａ図ならびに第７Ａ
図に示す実施例等において、１次コイルを直列接続する
ようにしてもよい。
示す実施例または第６図および第７Ａ図ならびに第７Ａ
図に示す実施例等において、１次コイルを直列接続する
ようにしてもよい。
また、上述の第４図および第５Ａ図ならびに第５Ａ図に
示す実施例または第６図および第７Ａ図ならびに第７Ａ
図に示す実施例に限らず、５つの１次コイルを積層配置
して、この各１次コイルの間に４つの２次コイルを１つ
ずつ挟み込む構造でもよい。
示す実施例または第６図および第７Ａ図ならびに第７Ａ
図に示す実施例に限らず、５つの１次コイルを積層配置
して、この各１次コイルの間に４つの２次コイルを１つ
ずつ挟み込む構造でもよい。
また、第４図および第６図における整流ダイオードＤＩ
ないしＤ４の接続方向を逆にして、分割された２次コイ
ルの内側が高電圧に、外側が低電圧になるように配置し
てもよい。
ないしＤ４の接続方向を逆にして、分割された２次コイ
ルの内側が高電圧に、外側が低電圧になるように配置し
てもよい。
さらに、上述の実施例のように１次コイルおよび２次コ
イルともにめっきコイル１２を用いると、分布容量が増
加する傾向にあるが、絶縁性ボビンの材料や寸法を適宜
設計することによって、各コイルの高次同調チューニン
グも比較的自在にでき、そのような高次同調を駆使して
効率アップを図ることが可能である。
イルともにめっきコイル１２を用いると、分布容量が増
加する傾向にあるが、絶縁性ボビンの材料や寸法を適宜
設計することによって、各コイルの高次同調チューニン
グも比較的自在にでき、そのような高次同調を駆使して
効率アップを図ることが可能である。
そして、絶縁性ボビン１４の長さを長くして横形にすれ
ば、全体として、低背化することができる。
ば、全体として、低背化することができる。
第１Ａ図および第１Ｂ図はこの実施例の構造を示す図解
図であり、第１Ａ図は一部破断正面図、第１Ｂ図は一部
省略右側面図である。 第２Ａ図および第２Ｂ図は１次および２次コイルとして
用いられるめっきコイルを示す図解図であり、第２Ａ図
は正面図、第２Ｂ図は側面図を示す。 第３図は第２Ａ図および第２Ｂ図に示すめっきコイルの
導体部分を示す拡大断面図である。 第４図はこの発明の他の実施例を示す結線図である。 第５Ａ図および第５Ｂ図はこの実施例の構造を示す図解
図であり、第５Ａ図は一部破断正面図であり、第５Ｂ図
は一部省略右側面図である。 第６図はこの発明の他の実施例を示す結線図である。 第７Ａ図および第７Ｂ図はこの実施例の構造を示す図解
図であり、第７Ａ図は一部破断正面図、第７Ｂ図は一部
省略右側面図である。 第８図は各実施例の電圧変動率を示すグラフである。 第９図は従来のフライバックトランスを示す結線図であ
る。 第１０Ａ図および第１０Ｂ図は分割巻きタイプの従来の
フライバックトランスの構造を示す図解図であり、第１
０Ａ図は一部破断正面図、第１４Ｂ図は一部省略右側面
図である。 第１１Ａ図および第１１Ｂ図は平巻きタイプの従来のフ
ライバックトランスの構造を示す図解図であり、第１１
Ａ図は一部破断正面図、第１１Ｂ図は一部省略右側面図
を示す。 図において、１０はフライバックトランス、１２はめっ
きコイル、１４は絶縁性ボビン、１６は導体、ＰＣ，Ｐ
ＣＩ、ＰＣ２、ＰＣ３は１次コイル、ＳＣＩ、ＳＣ２，
ＳＣ３，ＳＣ４は２次コイル、２６ａ、２６ａｌ、２６
ａ２．２６ａ３，２６ｂ、２６ｂ１．２６ｂ２．２６ｂ
３は接続端子を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 山 １） 義 人 事１Ａ図 第１Ｂ図第５Ａ図
１５８ｍ第６図 第７Ａ図 第７Ｂ図 ０ ０．２ ０．４ ０．６
０．８ １．０一一−ｍＡ 第９図 第１０Ａ図 第１０８図第１１Ａ図 第１１８図
図であり、第１Ａ図は一部破断正面図、第１Ｂ図は一部
省略右側面図である。 第２Ａ図および第２Ｂ図は１次および２次コイルとして
用いられるめっきコイルを示す図解図であり、第２Ａ図
は正面図、第２Ｂ図は側面図を示す。 第３図は第２Ａ図および第２Ｂ図に示すめっきコイルの
導体部分を示す拡大断面図である。 第４図はこの発明の他の実施例を示す結線図である。 第５Ａ図および第５Ｂ図はこの実施例の構造を示す図解
図であり、第５Ａ図は一部破断正面図であり、第５Ｂ図
は一部省略右側面図である。 第６図はこの発明の他の実施例を示す結線図である。 第７Ａ図および第７Ｂ図はこの実施例の構造を示す図解
図であり、第７Ａ図は一部破断正面図、第７Ｂ図は一部
省略右側面図である。 第８図は各実施例の電圧変動率を示すグラフである。 第９図は従来のフライバックトランスを示す結線図であ
る。 第１０Ａ図および第１０Ｂ図は分割巻きタイプの従来の
フライバックトランスの構造を示す図解図であり、第１
０Ａ図は一部破断正面図、第１４Ｂ図は一部省略右側面
図である。 第１１Ａ図および第１１Ｂ図は平巻きタイプの従来のフ
ライバックトランスの構造を示す図解図であり、第１１
Ａ図は一部破断正面図、第１１Ｂ図は一部省略右側面図
を示す。 図において、１０はフライバックトランス、１２はめっ
きコイル、１４は絶縁性ボビン、１６は導体、ＰＣ，Ｐ
ＣＩ、ＰＣ２、ＰＣ３は１次コイル、ＳＣＩ、ＳＣ２，
ＳＣ３，ＳＣ４は２次コイル、２６ａ、２６ａｌ、２６
ａ２．２６ａ３，２６ｂ、２６ｂ１．２６ｂ２．２６ｂ
３は接続端子を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 山 １） 義 人 事１Ａ図 第１Ｂ図第５Ａ図
１５８ｍ第６図 第７Ａ図 第７Ｂ図 ０ ０．２ ０．４ ０．６
０．８ １．０一一−ｍＡ 第９図 第１０Ａ図 第１０８図第１１Ａ図 第１１８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁性ボビンとその周表面に螺旋状に形成される導
体とを含む１次コイル、および 絶縁性ボビンとその周表面に螺旋状に形成される導体と
を含む２次コイルを備え、 前記１次および２次コイルが積層配置される、フライバ
ックトランス。 ２ 絶縁性ボビンとその周表面に螺旋状に形成された導
体とを含む第１の１次コイル、 絶縁性ボビンとその周表面に螺旋状に形成された導体と
を含み、かつ前記第１の１次コイル上に積層配置される
２次コイル、および 絶縁性ボビンとその周表面に螺旋状に形成された導体と
を含み、かつ前記２次コイル上に積層配置されるととも
に前記第１の１次コイルと接続される少なくとも１つ以
上の他の１次コイルを備える、フライバックトランス。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63148585A JPH01316909A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | フライバックトランス |
| US07/365,773 US5012179A (en) | 1988-06-15 | 1989-06-14 | Flyback transformer with integrally formed resonance capacitor |
| US07/651,207 US5241293A (en) | 1988-06-15 | 1991-02-06 | Flyback transformer including a plated metal coil and having reduced leakage flux |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63148585A JPH01316909A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | フライバックトランス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01316909A true JPH01316909A (ja) | 1989-12-21 |
Family
ID=15456037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63148585A Pending JPH01316909A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-16 | フライバックトランス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01316909A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011062079A (ja) * | 2005-08-31 | 2011-03-24 | Tdk Corp | スイッチング電源装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5419122A (en) * | 1977-07-14 | 1979-02-13 | Hitachi Ltd | Fryback transformer |
| JPS636713B2 (ja) * | 1980-10-29 | 1988-02-10 | Shinwa Kigyo Kk |
-
1988
- 1988-06-16 JP JP63148585A patent/JPH01316909A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5419122A (en) * | 1977-07-14 | 1979-02-13 | Hitachi Ltd | Fryback transformer |
| JPS636713B2 (ja) * | 1980-10-29 | 1988-02-10 | Shinwa Kigyo Kk |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011062079A (ja) * | 2005-08-31 | 2011-03-24 | Tdk Corp | スイッチング電源装置 |
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